JPH06242335A - 混載型平面光導波路 - Google Patents
混載型平面光導波路Info
- Publication number
- JPH06242335A JPH06242335A JP2669193A JP2669193A JPH06242335A JP H06242335 A JPH06242335 A JP H06242335A JP 2669193 A JP2669193 A JP 2669193A JP 2669193 A JP2669193 A JP 2669193A JP H06242335 A JPH06242335 A JP H06242335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- optical
- core
- polymer composition
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は導波路のクラッドの一部分を高分子
組成物に置き換えることが可能な構造を有する混載型平
面光導波路を提供することを目的とする。 【構成】 本発明にもとづく混載型平面光導波路は、コ
アを覆うクラッド層の少なくとも一部分が除去されるこ
とによってコアの少なくとも一部分が露出した溝穴構造
部が設けられたことを特徴とする。また、好ましくは溝
穴構造部に高分子組成物が充填される。したがって、溝
穴構造部に高分子組成物の融液や溶液を充填するだけで
容易に良質の高分子組成物からなるクラッドを作製する
ことができる。
組成物に置き換えることが可能な構造を有する混載型平
面光導波路を提供することを目的とする。 【構成】 本発明にもとづく混載型平面光導波路は、コ
アを覆うクラッド層の少なくとも一部分が除去されるこ
とによってコアの少なくとも一部分が露出した溝穴構造
部が設けられたことを特徴とする。また、好ましくは溝
穴構造部に高分子組成物が充填される。したがって、溝
穴構造部に高分子組成物の融液や溶液を充填するだけで
容易に良質の高分子組成物からなるクラッドを作製する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路、特に石英系
平面光導波路において、導波路のクラッドの一部分を高
分子組成物に置き換えることが可能な構造を有する混載
型平面光導波路に関する。
平面光導波路において、導波路のクラッドの一部分を高
分子組成物に置き換えることが可能な構造を有する混載
型平面光導波路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の混載型石英系平面光導波路は、例
えばコアおよびクラッドを含む導波路の交接部分に穴加
工を加え、この穴にほぼ同一の大きさを有するコアおよ
びクラッド微小光学体（透過および９０度反射の２種類
を準備）を差し込むことによってマトリックス型の光導
波路スイッチを形成することによって構成されるもの
で、このような構成からなる光導波路は特開平４−２５
６９０６に開示されている。しかし、この導波路スイッ
チの特徴は導波系全体（コアおよびクラッド部）が微小
光学体に置換されていることであり、またその製造方法
において反応性イオンエッチング等の穴あけ加工技術が
用いられている。さらに他の例として、ガラスコアの上
部および両側部のクラッドを除去して高分子組成物を被
覆した構造の平面光導波路が特願平３−２５４２２１に
開示されている。
えばコアおよびクラッドを含む導波路の交接部分に穴加
工を加え、この穴にほぼ同一の大きさを有するコアおよ
びクラッド微小光学体（透過および９０度反射の２種類
を準備）を差し込むことによってマトリックス型の光導
波路スイッチを形成することによって構成されるもの
で、このような構成からなる光導波路は特開平４−２５
６９０６に開示されている。しかし、この導波路スイッ
チの特徴は導波系全体（コアおよびクラッド部）が微小
光学体に置換されていることであり、またその製造方法
において反応性イオンエッチング等の穴あけ加工技術が
用いられている。さらに他の例として、ガラスコアの上
部および両側部のクラッドを除去して高分子組成物を被
覆した構造の平面光導波路が特願平３−２５４２２１に
開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の場合、
穴あけ加工技術が必要なため、加工に手間がかかる。ま
た後者の場合、複数の光導波路回路または部品を同一基
板上に集積しようとしたときに、コア部を被覆する高分
子組成物の形状を整えるには微細加工技術等の煩雑な製
造手法が必要となり、生産性が低い。また、平面型導波
路を高密度に作成する場合はコア間の距離が短くなるの
で、クラッド層を取り除いた構造では、所定の部分のみ
に高分子組成物を被覆するのは困難であり、隣接するコ
ア部分にも高分子組成物の被覆や高分子組成物相互の汚
染（コンタミネーション）が発生する。
穴あけ加工技術が必要なため、加工に手間がかかる。ま
た後者の場合、複数の光導波路回路または部品を同一基
板上に集積しようとしたときに、コア部を被覆する高分
子組成物の形状を整えるには微細加工技術等の煩雑な製
造手法が必要となり、生産性が低い。また、平面型導波
路を高密度に作成する場合はコア間の距離が短くなるの
で、クラッド層を取り除いた構造では、所定の部分のみ
に高分子組成物を被覆するのは困難であり、隣接するコ
ア部分にも高分子組成物の被覆や高分子組成物相互の汚
染（コンタミネーション）が発生する。
【０００４】そこで、本発明は導波路のクラッドの一部
分を高分子組成物に置き換えることが可能な構造を有す
る混載型平面光導波路を提供することを目的とする。
分を高分子組成物に置き換えることが可能な構造を有す
る混載型平面光導波路を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明にもとづく混載型平面光導波路は、コアを
覆うクラッド層の少なくとも一部分が除去されることに
よってコアの少なくとも一部分が露出した溝穴構造部が
設けられたことを特徴とする。また、好ましくは溝穴構
造部に高分子組成物が充填される。
めに、本発明にもとづく混載型平面光導波路は、コアを
覆うクラッド層の少なくとも一部分が除去されることに
よってコアの少なくとも一部分が露出した溝穴構造部が
設けられたことを特徴とする。また、好ましくは溝穴構
造部に高分子組成物が充填される。
【０００６】
【作用】本発明の混載型平面光導波路は、溝穴構造部に
高分子組成物の融液や溶液を充填するだけで容易に良質
の高分子組成物からなるクラッドを作製することができ
る。
高分子組成物の融液や溶液を充填するだけで容易に良質
の高分子組成物からなるクラッドを作製することができ
る。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【０００８】〔実施例１〕図１は、本発明にもとづく混
載型平面光導波路（Ｙ分岐マッハツェンダー干渉回路）
の概略的構成を説明するための斜視図である。図中、参
照符号１はシリコン基板、２は下部クラッド層、３は上
部クラッド層、４は上部クラッド層に埋没されるように
して設けられたコア、５および６はコア４を露出させる
ために矩状に形成された溝穴構造（溝付きコア部）、７
は光入力ポート、そして８は光出力ポートである。
載型平面光導波路（Ｙ分岐マッハツェンダー干渉回路）
の概略的構成を説明するための斜視図である。図中、参
照符号１はシリコン基板、２は下部クラッド層、３は上
部クラッド層、４は上部クラッド層に埋没されるように
して設けられたコア、５および６はコア４を露出させる
ために矩状に形成された溝穴構造（溝付きコア部）、７
は光入力ポート、そして８は光出力ポートである。
【０００９】この導波路を半固定の光減衰器として動作
させるために、まず溝穴（上部アーム）５に、溶液Ａ
（ジアリールエテン系ホトクロミック材料を１０重量％
含むフッ素系ＰＭＭＡを有機溶剤（ＭＩＢＫ等）に溶
解）を注入する。次に、溝穴（下部アーム）６に溶液Ｂ
（フッ素系ＰＭＭＡを有機溶剤（ＭＩＢＫ等）に溶解）
を注入する。注入後、各溝穴５，６から有機溶媒を除去
した後、導波路表面をパフ研磨によって平面化する。
させるために、まず溝穴（上部アーム）５に、溶液Ａ
（ジアリールエテン系ホトクロミック材料を１０重量％
含むフッ素系ＰＭＭＡを有機溶剤（ＭＩＢＫ等）に溶
解）を注入する。次に、溝穴（下部アーム）６に溶液Ｂ
（フッ素系ＰＭＭＡを有機溶剤（ＭＩＢＫ等）に溶解）
を注入する。注入後、各溝穴５，６から有機溶媒を除去
した後、導波路表面をパフ研磨によって平面化する。
【００１０】つぎに、これを半固定の光減衰器として動
作させるために、光入力ポート７よりシングルモードフ
ァイバーで波長１．５５μｍの光を導入する。同様にシ
ングルモードファイバーで光出力ポート８から出射光を
受ける。このようにして、ホトクロミック材料の混入し
た高分子クラッドに超小型キセノンフラッシュランプ
（長さ１５ｍｍ、直径２ｍｍ）に３３０ｎｍのバンドパ
スフィルター（ＵＶ３３Ｓ、東芝ガラス製）を通して、
紫外線フラッシュ光を数回照射する。このことでホット
クロミック材料の屈折率が変化し、マッハツェンダー干
渉系の上部アームのみ位相がシフトする。この結果、出
射ポート側のＹ分岐で干渉が生じ、光の減衰が確認され
た。この減衰量の加減は紫外線フラッシュと可視光線交
互照射で可能である。減衰量の固定は可視光、紫外光の
照射がない暗状態で減衰量の自己保持が可能である。
作させるために、光入力ポート７よりシングルモードフ
ァイバーで波長１．５５μｍの光を導入する。同様にシ
ングルモードファイバーで光出力ポート８から出射光を
受ける。このようにして、ホトクロミック材料の混入し
た高分子クラッドに超小型キセノンフラッシュランプ
（長さ１５ｍｍ、直径２ｍｍ）に３３０ｎｍのバンドパ
スフィルター（ＵＶ３３Ｓ、東芝ガラス製）を通して、
紫外線フラッシュ光を数回照射する。このことでホット
クロミック材料の屈折率が変化し、マッハツェンダー干
渉系の上部アームのみ位相がシフトする。この結果、出
射ポート側のＹ分岐で干渉が生じ、光の減衰が確認され
た。この減衰量の加減は紫外線フラッシュと可視光線交
互照射で可能である。減衰量の固定は可視光、紫外光の
照射がない暗状態で減衰量の自己保持が可能である。
【００１１】以上説明したように混載型平面光導波路を
用いて、半固定式の光減衰器が構成できた。
用いて、半固定式の光減衰器が構成できた。
【００１２】〔実施例２〕図２は本発明にもとづく混載
型平面光導波路（光導波路カップラー）の概略的構成を
説明するための斜視図である。図中、参照符号９はシリ
コン基板、１０は下部クラッド層、１１は上部クラッド
層、１２は光入力ポート、１３は溝付きコア部、１４は
結合部、１５は光出力ポート１′、１６は光出力ポート
２′である。
型平面光導波路（光導波路カップラー）の概略的構成を
説明するための斜視図である。図中、参照符号９はシリ
コン基板、１０は下部クラッド層、１１は上部クラッド
層、１２は光入力ポート、１３は溝付きコア部、１４は
結合部、１５は光出力ポート１′、１６は光出力ポート
２′である。
【００１３】実施例１と同じように溝付きコア部１３の
溝にジアリールエテン系ホトクロミック材料を１５重量
％添加したフッ素化ＰＭＭＡの高分子溶液を注入し、乾
燥させた。外部から光の入射を容易にするためにこの表
面を実施例１と同様に研磨した。
溝にジアリールエテン系ホトクロミック材料を１５重量
％添加したフッ素化ＰＭＭＡの高分子溶液を注入し、乾
燥させた。外部から光の入射を容易にするためにこの表
面を実施例１と同様に研磨した。
【００１４】この素子の光入力ポート１２からの入射光
は光出力ポート１′および２′において一定の分岐比で
出射される。この時、ホトクロミック材料添加ＰＭＭＡ
に実施例１と同様に紫外線、可視光線を交互、あるいは
同時に照射することで同ＰＭＭＡの屈折率が変化し、出
射光の分岐比が可変できる。ここで使用したホトクロミ
ック材料の屈折率は紫外および可視光照射以外では変化
しないために半固定の分岐比可変光カップラーが実現で
きた。
は光出力ポート１′および２′において一定の分岐比で
出射される。この時、ホトクロミック材料添加ＰＭＭＡ
に実施例１と同様に紫外線、可視光線を交互、あるいは
同時に照射することで同ＰＭＭＡの屈折率が変化し、出
射光の分岐比が可変できる。ここで使用したホトクロミ
ック材料の屈折率は紫外および可視光照射以外では変化
しないために半固定の分岐比可変光カップラーが実現で
きた。
【００１５】以上説明したように実施例１と同様に混載
型平面光導波路を用いて、半固定式の分岐比可変カップ
ラーが構成できた。
型平面光導波路を用いて、半固定式の分岐比可変カップ
ラーが構成できた。
【００１６】〔実施例３〕図３は本発明にもとづく混載
型平面光導波路（光周波数合分波回路）の概略的構成を
示す斜視図である。図中、参照符号１７はシリコン基
板、１８は下部クラッド層、１９は上部クラッド層、２
０は光入力ポート１、２１は光入力ポート２、２２は方
向性結合器、２３は短いアーム、２４は長いアーム、２
５は長いアームのコア、２６はコア溝、２７は方向性結
合器、２８は光出力ポート２′、２９は光出力ポート
１′である。
型平面光導波路（光周波数合分波回路）の概略的構成を
示す斜視図である。図中、参照符号１７はシリコン基
板、１８は下部クラッド層、１９は上部クラッド層、２
０は光入力ポート１、２１は光入力ポート２、２２は方
向性結合器、２３は短いアーム、２４は長いアーム、２
５は長いアームのコア、２６はコア溝、２７は方向性結
合器、２８は光出力ポート２′、２９は光出力ポート
１′である。
【００１７】実施例１と同じように２６の溝にジアリー
ルエテン系ホトクロミック材料を１０重量％添加したフ
ッ素化ＰＭＭＡの高分子溶液を注入し、乾燥させた。外
部からの光の入射を容易にするためにこの表面を実施例
１と同様に研磨した。
ルエテン系ホトクロミック材料を１０重量％添加したフ
ッ素化ＰＭＭＡの高分子溶液を注入し、乾燥させた。外
部からの光の入射を容易にするためにこの表面を実施例
１と同様に研磨した。
【００１８】この素子の光入力ポートから入った光（周
波数のわずかに異なる２つの光ｆ１，ｆ２）は光出力ポ
ート１′にはｆ１の光が、光出力ポート２′にはｆ２の
光が出射される。この時、両アーム間の位相がｆ１とｆ
２の光で同相と逆相になるようにアームの位相差を設定
することで周波数の分波および合波ができる。ここで長
いアームのホトクロミック材料添加ＰＭＭＡクラッドに
実施例１と同様に紫外線、可視光線を交互、あるいは同
時に照射することで長いアームの位相を変化させること
ができる。このことで任意の光周波数の分波が可能とな
り、可変周波数フィルタとして動作する。しかも、ここ
で使用したホトクロミック材料の屈折率は紫外、可視光
照射以外では変化しないために半固定の可変周波数フィ
ルタあるいは周波数可変の光合分波回路が実現できた。
波数のわずかに異なる２つの光ｆ１，ｆ２）は光出力ポ
ート１′にはｆ１の光が、光出力ポート２′にはｆ２の
光が出射される。この時、両アーム間の位相がｆ１とｆ
２の光で同相と逆相になるようにアームの位相差を設定
することで周波数の分波および合波ができる。ここで長
いアームのホトクロミック材料添加ＰＭＭＡクラッドに
実施例１と同様に紫外線、可視光線を交互、あるいは同
時に照射することで長いアームの位相を変化させること
ができる。このことで任意の光周波数の分波が可能とな
り、可変周波数フィルタとして動作する。しかも、ここ
で使用したホトクロミック材料の屈折率は紫外、可視光
照射以外では変化しないために半固定の可変周波数フィ
ルタあるいは周波数可変の光合分波回路が実現できた。
【００１９】以上説明したように実施例１と同様に混載
型平面光導波路を用いて、半固定式の可変周波数フィル
タあるいは周波数可変の光合分波回路が構成できた。
型平面光導波路を用いて、半固定式の可変周波数フィル
タあるいは周波数可変の光合分波回路が構成できた。
【００２０】〔実施例４〕図４は、本発明にもとづく混
載型平面光導波路（半固定減衰器付き２×２スイッチ）
の概略的構成を説明するための斜視図である。図中、参
照符号３０はシリコン基板、３１は下部クラッド層、３
２は上部クラッド層、３３は光入力ポート１、３４は光
入力ポート２、３５，３６はＭＺ型半固定減衰器、３７
は方向性結合器、３８は位相疎調整器、３９は位相微調
整器、４０はＴＯ（熱光学効果）スイッチ用ヒータ、４
１はＴＯスイッチ用電極、４２は方向性結合器、４３は
光出力ポート１′、４４は光出力ポート２′である。
載型平面光導波路（半固定減衰器付き２×２スイッチ）
の概略的構成を説明するための斜視図である。図中、参
照符号３０はシリコン基板、３１は下部クラッド層、３
２は上部クラッド層、３３は光入力ポート１、３４は光
入力ポート２、３５，３６はＭＺ型半固定減衰器、３７
は方向性結合器、３８は位相疎調整器、３９は位相微調
整器、４０はＴＯ（熱光学効果）スイッチ用ヒータ、４
１はＴＯスイッチ用電極、４２は方向性結合器、４３は
光出力ポート１′、４４は光出力ポート２′である。
【００２１】実施例１と同じように予め４つのコア溝に
ジアリールエテン系ホトクロミック材料を１０重量％添
加したフッ素化ＰＭＭＡの高分子溶液を注入し、乾燥さ
せた。外部からの光の入射を容易にするためにこの表面
を実施例１と同様に研磨した。その後、ＴＯ（熱光学効
果）スイッチ用ヒータ４０、および同電極４１を作製し
た。
ジアリールエテン系ホトクロミック材料を１０重量％添
加したフッ素化ＰＭＭＡの高分子溶液を注入し、乾燥さ
せた。外部からの光の入射を容易にするためにこの表面
を実施例１と同様に研磨した。その後、ＴＯ（熱光学効
果）スイッチ用ヒータ４０、および同電極４１を作製し
た。
【００２２】この素子の２つの光入力ポート１，２から
入った強度の異なる光はＭＺ型半固定減衰器３５，３６
により最適光強度レベルに調整され、方向性結合器３７
に入力された後、熱光学効果によって光スイッチが動作
する。この時、スイッチの位相の調整を位相疎調整器３
８，微調整性を位相微調整器３９によってできる。
入った強度の異なる光はＭＺ型半固定減衰器３５，３６
により最適光強度レベルに調整され、方向性結合器３７
に入力された後、熱光学効果によって光スイッチが動作
する。この時、スイッチの位相の調整を位相疎調整器３
８，微調整性を位相微調整器３９によってできる。
【００２３】以上説明したように実施例１と同様に混載
型平面光導波路を用いて、光回路の小規模な集積化がで
きた。
型平面光導波路を用いて、光回路の小規模な集積化がで
きた。
【００２４】〔実施例５〕実施例１とで使用した混載型
平面光導波路（Ｙ分岐マッハツェンダー回路）を用い
て、この溝穴部分にソルゲル法によりホトクロミック特
性を示す酸化チタンをガラスに混練し、塗布した。さら
に、ソルゲルガラスの中に光伝導特性の良い、あるいは
エキシトン発生効率の高い各種半導体例えばシリコン，
ガリウムひ素，ガリウムリン，酸化亜鉛，硫黄化鉛，フ
タロシアニンなどのミー散乱を生じさせない程度の超微
粒子にして、混練し塗布した。
平面光導波路（Ｙ分岐マッハツェンダー回路）を用い
て、この溝穴部分にソルゲル法によりホトクロミック特
性を示す酸化チタンをガラスに混練し、塗布した。さら
に、ソルゲルガラスの中に光伝導特性の良い、あるいは
エキシトン発生効率の高い各種半導体例えばシリコン，
ガリウムひ素，ガリウムリン，酸化亜鉛，硫黄化鉛，フ
タロシアニンなどのミー散乱を生じさせない程度の超微
粒子にして、混練し塗布した。
【００２５】上記材料をクラッドとした素子は高分子塗
布の素子と同様に紫外線、可視光線照射により、マッハ
ツェンダーの光出力を制御することができた。
布の素子と同様に紫外線、可視光線照射により、マッハ
ツェンダーの光出力を制御することができた。
【００２６】なお、本願において用いられる用語「半固
定」および「半固定式」は、微調整可能な所定の状態を
保持するエネルギーのいらない状態を指している。
定」および「半固定式」は、微調整可能な所定の状態を
保持するエネルギーのいらない状態を指している。
【００２７】以上の実施例から明らかなように、平面光
導波路のコアの周りに微小な溝を作製することにより、
この溝を利用した半固定光集積化部品が生産性良く作製
できた。
導波路のコアの周りに微小な溝を作製することにより、
この溝を利用した半固定光集積化部品が生産性良く作製
できた。
【００２８】
【発明の効果】本発明にもとづく混積型平面光導波路
は、コアを覆うクラッド層の少なくとも一部分が除去さ
れることによってコアの少なくとも一部分が露出した溝
穴構造部が設けられたことを特徴とする。また、好まし
くは溝穴構造部に高分子組成物が充填される。したがっ
て、溝穴構造部に高分子組成物の融液や溶液を充填する
だけで容易に良質の高分子組成物からなるクラッドを作
製することができる。このことから、半固定の光部品を
多数個集積回路に搭載できるので回路の部分調整や試
験、さらに出荷時最終調整が容易となる。また、石英系
導波路のみでは不可能であった種々の効果（例えばＯＯ
（光−光）効果、ＥＯ（電気−光）効果など）を混載で
きるため、両者の長所を活用した新しいハイブリッド光
集積回路の技術展開を可能とする。
は、コアを覆うクラッド層の少なくとも一部分が除去さ
れることによってコアの少なくとも一部分が露出した溝
穴構造部が設けられたことを特徴とする。また、好まし
くは溝穴構造部に高分子組成物が充填される。したがっ
て、溝穴構造部に高分子組成物の融液や溶液を充填する
だけで容易に良質の高分子組成物からなるクラッドを作
製することができる。このことから、半固定の光部品を
多数個集積回路に搭載できるので回路の部分調整や試
験、さらに出荷時最終調整が容易となる。また、石英系
導波路のみでは不可能であった種々の効果（例えばＯＯ
（光−光）効果、ＥＯ（電気−光）効果など）を混載で
きるため、両者の長所を活用した新しいハイブリッド光
集積回路の技術展開を可能とする。
【図１】本発明にもとづく混載型平面光導波路（Ｙ分岐
マッハツェンダー干渉回路）の概略的構成を説明するた
めの斜視図である。
マッハツェンダー干渉回路）の概略的構成を説明するた
めの斜視図である。
【図２】本発明にもとづく混載型平面光導波路（光導波
路カップラー）の概略的構成を説明するための斜視図で
ある。
路カップラー）の概略的構成を説明するための斜視図で
ある。
【図３】本発明にもとづく混載型平面光導波路（光周波
数合分波回路）の概略的構成を説明するための斜視図で
ある。
数合分波回路）の概略的構成を説明するための斜視図で
ある。
【図４】本発明にもとづく混載型平面光導波路（半固定
減衰器付き２×２スイッチ）の概略的構成を説明するた
めの斜視図である。
減衰器付き２×２スイッチ）の概略的構成を説明するた
めの斜視図である。
１ シリコン基板 ２ 下部クラッド層 ３ 側部を含む上部クラッド層 ４ コア ５ 溝付きコア部（上部アーム） ６ 溝付きコア部（下部アーム） ７ 光入力ポート ８ 光出力ポート ９ シリコン基板 １０ 下部クラッド層 １１ 上部クラッド層 １２ 光入力ポート １３ 溝付きコア部 １４ 結合部 １５ 光出力ポート１′ １６ 光出力ポート２′ １７ シリコン基板 １８ 下部クラッド層 １９ 上部クラッド層 ２０ 光入力ポート１ ２１ 光入力ポート２ ２２ 方向性結合器 ２３ 短いアーム ２４ 長いアーム ２５ 長いアームのコア ２６ コア溝 ２７ 方向性結合器 ２８ 光出力ポート２′ ２９ 光出力ポート１′ ３０ シリコン基板 ３１ 下部クラッド層 ３２ 上部クラッド層 ３３ 光入力ポート１ ３４ 光入力ポート２ ３５ ＭＺ型半固定減衰器 ３６ ＭＺ型半固定減衰器 ３７ 方向性結合器 ３８ 位相疎調整器 ３９ 位相微調整器 ４０ ＴＯ（熱光学効果）スイッチ用ヒータ ４１ ＴＯスイッチ用電極 ４２ 方向性結合器 ４３ 光出力ポート１′ ４４ 光出力ポート２′
Claims (2)
- 【請求項１】 混載型平面光導波路において、コアを覆
うクラッド層の少なくとも一部分が除去されることによ
って前記コアの少なくとも一部分が露出した溝穴構造部
が設けられていることを特徴とする混載型平面光導波
路。 - 【請求項２】 請求項１記載の混載型平面光導波路にお
いて、前記溝穴構造部に高分子組成物が充填されている
ことを特徴とする混載型平面光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2669193A JPH06242335A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 混載型平面光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2669193A JPH06242335A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 混載型平面光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242335A true JPH06242335A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12200422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2669193A Pending JPH06242335A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 混載型平面光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06242335A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005006040A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-20 | Intel Corporation | Constructing well structures for hybrid optical waveguides |
| JP2009128718A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Keio Gijuku | 光スイッチ |
| JP4768127B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2011-09-07 | ネオフォトニクス・コーポレイション | 熱光学ポリマーを含むフォトニックデバイス |
| WO2023218578A1 (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 光スイッチ |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP2669193A patent/JPH06242335A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4768127B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2011-09-07 | ネオフォトニクス・コーポレイション | 熱光学ポリマーを含むフォトニックデバイス |
| WO2005006040A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-20 | Intel Corporation | Constructing well structures for hybrid optical waveguides |
| US7146086B2 (en) | 2003-06-30 | 2006-12-05 | Intel Corporation | Constructing well structures for hybrid optical waveguides |
| JP2009128718A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Keio Gijuku | 光スイッチ |
| WO2023218578A1 (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 光スイッチ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Chemo‐mechanical polish lithography: A pathway to low loss large‐scale photonic integration on lithium niobate on insulator | |
| US7496267B2 (en) | Integrated optic devices and photosensitive sol-gel process for producing integrated optic devices | |
| CA2289201C (en) | Photonic crystal-based integrated optical circuit | |
| JP2003515782A (ja) | 光デバイスの光画定 | |
| US20060042322A1 (en) | Integrated optic devices and processes for the fabrication of integrated optic devices | |
| US8805136B2 (en) | On-fiber tunable Bragg gratings for DWDM applications | |
| US20100226608A1 (en) | Multimode interference coupler for use with slot photonic crystal waveguides | |
| JPH04234005A (ja) | イオン交換法による光導波管の製造方法 | |
| RU2151412C1 (ru) | Способ изготовления оптического волноводного устройства | |
| US8160414B1 (en) | Self forming waveguides for optical coupling and methodologies for making same | |
| US4834480A (en) | Composite channel waveguides | |
| JPH06242335A (ja) | 混載型平面光導波路 | |
| KR20090032796A (ko) | 레이저 간섭을 이용한 미세 패턴의 형성방법 | |
| Madani et al. | Design and fabrication of all-polymeric photonic waveguides in optical integrated circuits | |
| Mendoza et al. | Photolithography of integrated optic devices in sol-gel glasses | |
| Majumder et al. | Nanophotonic optical switching using digital metamaterials and photochromism | |
| US5763289A (en) | Method for fabricating multi-layer polymer thin florelectro-optical device | |
| JP3616549B2 (ja) | 光回路の製造方法 | |
| Pal et al. | Low Pπ-value Thermal Phase-Shifters in Si-Photonics Technology | |
| Nishant | Design, Fabrication, and Characterization of Novel Polymers Based Integrated Photonic Devices | |
| JPH07281213A (ja) | 光スイッチ | |
| Mokashi | Silicon based IR filters | |
| CN117348151A (zh) | 一种基于氮化硅/聚合物复合波导芯层的awg与voa阵列集成芯片 | |
| Sabattie et al. | Planar optical integrated circuits based on UV-patternable sol-gel technology | |
| JPH0763936A (ja) | プラスチック導波路型光素子の作製方法 |