KR20090032796A - 레이저 간섭을 이용한 미세 패턴의 형성방법 - Google Patents

Abstract

레이저광의 간섭 현상을 이용한 미세 패턴의 형성방법이 개시된다. 평행광인 레이저는 광로차를 발생시키는 수단에 의해 간섭 레이저광의 형태로 시료 또는 기판에 조사된다. 기판은 포토레지스트로 도포되고, 노광 및 현상에 의해 규칙적으로 배열된 다수의 패턴들이 동시에 형성된다. 또한, 스탬프인 투명 기판을 이용하고, 투명 기판 상에 간섭 마스킹패턴을 이용하여 원하는 영역에 선택적으로 규칙적인 패턴들을 동시에 형성할 수 있다.

광결정, 미세 패턴, 간섭, 도파로, 리소그래피

Description

레이저 간섭을 이용한 미세 패턴의 형성방법{Method of forming Fine Pattern using Laser Interference}

본 발명은 주기적인 형상을 가지는 나노 패턴의 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광결정 도파로의 제작에 요구되는 주기적인 광결정 구조를 레이저 간섭(laser interference)을 이용하여 투명 기판 상에 형성하는 방법에 관한 것이다.

최근에는 초고속 대용량 정보를 장소에 무관하게 송수신할 수 있는 유비쿼터스 정보통신 시대가 도래하고 있다. 이러한, 유비쿼터스의 핵심 기술은 각 가정까지 100Mbps 내지 수Gbps 속도로 데이터를 효과적으로 전송하는 광가입자망(Fiber-to-the-Home: FTTH) 기술이다. 이러한, FTTH를 구현하는 방법 중에는 WDMPON(Wavelength Division Multiplexed Passive Optical Network) 방식이 전송 프로토콜에 대한 무의존성, 전송속도 무제한, 우수한 서비스 품질 및 보안 등의 장점들로 인해 집중적으로 연구되고 있다.

특히, WDMPON 시스템에서 광파장 역다중화기는 시스템을 구성하는 핵심요소들 중 하나이며, 주로 PLC(Planar Lightwave Circuit) 형태의 광도파로 열격 자(Arrayed Waveguide Grating: AWG) 구조로 구현된다. 통상의 광도파로 열격자 구조를 가진 소자는 건식식각 공정 기판의 실리카 도파로로 구현되는데, 이러한 소자는 제조공정이 복잡하고, 가격이 비싸며, 대량 생산이 어려운 단점을 가진다. 이러한 단점을 보완하기 위해 나노 크기의 초미세 구조물을 경제적이고 효과적으로 제작할 수 있는 기술이 주목을 받고 있다.

특히, 상기 PLC 기술은 평면 기판 상에 형성된 양질의 광도파로를 이용하여 광커플러, 광필터, 광공진기, 광감쇄기 등 각종의 광부품을 기판 상에 집적하는 기술이다. 이러한 PLC 기술을 이용한 PLC 소자는 광의 분기, 결합, 반사, 위상변조, Bragg 반사, 증폭 등의 다양한 기능을 수행하는 광회로망을 구성하는데 사용된다. 또한, PLC 소자는 반도체 공정을 이용하여 대량 생산이 가능하고, 단위 광소자의 기능을 복합화시키기가 용이하며, 광부품의 소형과가 가능하다는 장점을 가진다.

그러나, 이러한 PLC 소자를 구현하는데 있어서 전자빔 리소그래피 방법을 사용하는 경우, 높은 비용과 낮은 생산성이 문제가 된다. 즉, 전자빔 리소그래피 방법은 전자빔을 개별적으로 조사하여 미세 패턴을 형성하므로, 산업화에 많은 장애요인이 된다.

특히 전자빔 리소그래피 방법은 광결정 패턴의 제조시에, 점결함이나 설결함 패턴을 형성하는데, 이러한 패턴의 형성을 위해서는 전자선에 감응하는 포토레지스트에 전자선을 조사하여 패턴을 형성한다. 이러한 방법을 사용하여 형성된 패턴은 수 나노 크기의 정밀도를 얻을 수 있다. 그러나, 패턴의 형성속도가 매우 느리고, 패턴을 형성하는 면적에 한계가 있으므로, 매우 작은 크기의 샘플의 제작에만 사용 될 수 있다.

이외에도, 광원이 가지는 파장의 한계로 인해 광원의 파장보다는 작은 패턴을 제작할 수 없다는 문제점을 극복하기 위해 극자외선 포토리소그래피 방법을 사용하기도 하지만 이 방법 역시도 경제적이지 못하다.

술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 목적은 광 도파로 등에 응용될 수 있는 미세 패턴들을 동시에 형성할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 레이저광을 발생시키는 단계;

레이저광을 평행광으로 형성하는 단계; 상기 평행광에 광로차를 부여하여 간섭 레이저광을 형성하는 단계; 및 시료에 상기 간섭 레이저광을 조사하여 규칙적인 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 미세 패턴의 형성방법을 제공한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 레이저광을 발생시키는 단계; 상기 레이저광을 평행광으로 형성하는 단계; 상기 평행광에 광로차를 부여하여 간섭 레이저광을 형성하는 단계; 상기 간섭 레이저광을 시료에 1차로 조사하는 단계; 상기 간섭 레이저광이 1차로 조사된 시료를 회전시키는 단계; 및 상기 회전된 시료에 상기 간섭 레이저광을 2차로 조사하여 규칙적인 패턴들을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 미세 패턴의 형성방법을 제공한다.

본 발명의 상기 목적은, 제1 기판 상에 간섭마스킹 패턴을 형성하는 단계; 상기 간섭마스킹 패턴을 투명 기판에 전사하는 단계; 상기 간섭마스킹 패턴이 전사된 투명 기판을 포토레지스트가 도포된 제2 기판에 결합시키는 단계; 및 상기 투명 기판이 결합된 제2 기판에 간섭 레이저광을 조사하여 규칙적인 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 미세 패턴의 형성방법의 제공을 통해서도 달성된다.

본 발명에 따르면, 나노 크기의 광결정 구조를 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 레이저광의 간섭현상을 이용하여 동시에 다수의 패턴을 형성할 수 있으며, 기판 상에 원하는 영역을 선택하여, 선택적으로 규칙적인 패턴들을 형성할 수 있는 잇점이 있다. 따라서, 본 발명을 통해 주기적인 나노 구조체와 임의의 나노 또는 마이크로 크기의 패턴을 형성함으로써 광소자 뿐 아니라, 반도체, 디스플레이 등의 여러 분야에서 다양하게 응용될 수 있는 가능성이 있다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 레이저 간섭 리소그래피 시스템을 도시한 구성도이다.

도 1을 참조하면, 본 실시예에서 레이저 간섭 리소그래피 시스템은 레이저 발생기(100), 광량조절 필터(110), 셔텨(120), 제1 미러(130) 및 제2 미러(140), 대물렌즈(150), 평행광 렌즈(170) 및 광간섭기(180)를 가진다.

레이저 발생기(100)는 레이저광을 발생한다. 발생된 레이저광은 광량조절 필터(110)에 입사된다. 광량조절 필터(110)에 의해 레이저광의 광량은 조절된다. 또한, 셔터(120)의 작용에 의해 레이저광의 노광시간은 제어된다. 즉, 레이저광의 노광시간을 조절하고자 하는 경우, 셔텨(120)의 조작에 의해 노광시간을 조절할 수 있다.

계속해서, 셔텨(120)를 통과하여 노광시간이 조절된 레이저광은 제1 미러(130) 및 제2 미러(140)를 통해 그 진행방향이 조절된다. 따라서, 상기 제1 미러(130) 또는 제2 미러(140)는 선택적으로 사용될 수 있다. 즉, 별도의 방향 조절이 필요 없거나, 광의 진행방향의 급격한 변화가 요청되지 아니하는 경우, 2개의 미러들은 사용되지 아니하거나, 하나의 미러만이 사용될 수 있다. 또한, 경우에 따라서는 3개 이상의 미러들이 사용될 수도 있다. 미러를 통해 레이저광은 대물렌즈(150)로 입사된다.

대물렌즈(150)를 통과한 레이저광은 핀홀(160)을 통과하고, 평행광 렌 즈(170)로 입사된다. 평행광 렌즈(170)는 핀홀(160)을 통과한 레이저광을 평행광으로 변환한다. 평행광 렌즈(170)를 통과한 광은 시료(181)가 구비된 광간섭기(180)에 입사된다.

광간섭기(180)는 시료(181)를 장착하고, 시료(181)를 소정의 방향으로 회전시킬 수 있는 구조를 가진다. 즉, 시료(181)는 평면에 수직인 축을 중심으로 회전할 수 있도록 구비된다. 또한, 광간섭기(180)는 간섭미러(183)를 구비하여 평행광 렌즈(170)로부터 시료(181)로 직접 입사되는 레이저광과, 간섭미러(183)를 경유한 레이저광이 서로 소정의 경로차를 발생하도록 한다. 이하에는 시료(181)에 직접 입사되는 레이저광을 직접 평행광이라 지칭하고, 간섭미러(183)를 경우한 레이저광을 지연된 평행광이라 지칭한다.

직접 평행광과 지연된 평행광의 경로차에 의해 시료에서는 간섭현상이 발생된다. 이러한 간섭형상을 일으키는 직접 평행광과 지연된 평행광이 결합된 간섭광을 간섭 레이저광이라 지칭한다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 시료 상에 발생되는 간섭현상을 설명하기 위한 개념도이다.

레이저광은 시료의 표면 상에서 간섭현상을 일으킨다. 즉, 상기 도 1에서 간섭기의 간섭미러를 경유한 지연된 평행광과 시료로 직접 입사되는 직접 평행광 사이에는 간섭현상이 발생한다. 특히, 시료에 입사되는 2개의 레이저광의 입사각 θ는 서로 동일함이 바람직하다.

2개의 레이저 광들의 간섭 현상에 의해 형성되는 간섭 레이저광의 파동의 마 루와 마루 또는 골과 골이 만나서 진폭이 더 커지는 부분에서는 보강 간섭이 일어나고, 마루와 골이 만나서 진폭이 거의 없어지는 부분에서는 상쇄간섭이 발생한다.

상기 도 2에서 간섭현상에 의해 발생되는 간섭 레이저광의 파장 P는 하기의 수학식에 따른다.

[수학식]

P=λ/2sinθ, 상기 수학식에서 λ는 평행광의 파장을 나타내며, θ는 2개의 평행광의 입사각을 나타낸다.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 간섭 레이저광을 시료에 조사한 경우의 포토레지스트의 상태를 도시한 평면도들이다.

먼저, 도 3a를 참조하면, 고정된 시료에 간섭 레이저광이 조사된다. 간섭 레이저광의 조사에 의해 포토레지스트가 도포된 시료에는 보강 간섭과 상쇄 간섭이 반복적으로 수행된다. 또한, 보강 간섭과 상쇄 간섭이 일어난 영역의 파장은 P는 상기 수학식에 따른다.

특히, 상기 도 1에서 시료에는 평행광인 간섭 레이저광이 조사되므로 시료의 포토레지스트 표면에서는 대략 스트라이프 형상의 패턴들이 형성된다.

도 3b를 참조하면, 시료에 대해 1차적으로 간섭 레이저광을 조사한 다음에, 시료를 90°회전하여 2차적으로 간섭 레이저광을 조사한 경우에 포토레지스트에 형성되는 패턴을 도시한 것이다. 먼저, 1차적으로 조사되는 간섭 레이저광에 의해 수평 방향으로 보강 간섭 및 상쇄 간섭이 발생되고, 2차적으로 시료가 수직으로 회전한 다음에 조사되는 간섭 레이저광에 의해 수직한 방향으로 규칙적인 보강 간섭 및 상쇄 간섭이 발생된다. 또한, 수직과 수평방향으로 보강 간섭이 교차되는 영역에서는 포토레지스트 패턴이 형성된다. 상술한 포토레지스트 패턴은 미세 패턴을 형성한다.

도 3c를 참조하면, 시료에 대해 1차적으로 간섭 레이저광이 조사된다. 그 후, 시료를 60° 회전하여 2차적으로 간섭 레이저광이 조사된다. 먼저, 1차적으로 시료에 조사되는 간섭 레이저광에 의해 스트라이프 형태로 보강 간섭 및 상쇄 간섭이 반복적으로 나타난다. 계속해서, 시료를 60° 회전하여 2차적인 간섭 레이저광을 조사한다. 따라서, 1차적인 간섭 레이저광에 의해 형성되는 스트라이프 형태로 반복되는 보강 간섭 및 상쇄 간섭과 2차적인 간섭 레이저광에 의해 조사되는 스트라이프 형태의 보강 간섭 및 상쇄 간섭이 교차되는 영역에서 최종적인 패턴이 형성된다. 특히, 1차적인 간섭 레이저광의 조사에 의한 보강 간섭 영역과 2차적인 간섭 레이저광의 조사에 의한 보강 간섭 영역이 서로 교차되는 영역에서 최종적인 패턴이 형성된다.

또한, 상기 도 3a 내지 3c에서 시료를 소정의 각도로 회전시키는 동작은 상기 도 1에서 시료가 배치된 광간섭기(180) 자체를 회전시키지 않고, 시료(181)만을 회전시키는 것이다. 즉, 시료(181)가 배치된 소정의 지지부재를 지지축에 대해 회전시키는 것에 의해 달성될 수 있다. 이에 따라서, 직접 평행광 또는 지연된 평행광이 조사되는 입사각은 변하지 않으면서, 시료는 회전될 수 있다.

또한, 스트라이프 형태의 패턴의 간격, 도 3b 및 도 3c에 도시된 패턴들의 간격을 조절하기 위해서는 직접 평행광 및 지연된 평행광의 입사각 θ를 변경한다. 즉, 수학식에 도시된 바대로, θ를 조절하는 경우, 패턴들 사이의 간격은 적절히 조절될 수 있다.

또한, 포토레지스트의 타입은 네거티브형(negative type)과 포지티브형(positive type)이 있다. 네거티브형의 경우, 노광된 부분이 가교되고, 고분자화되어서 이후의 현상공정에서 노광된 부분만이 잔류하는 특성을 가진다. 반면, 포지티브형의 경우, 노광에 의해 가교된 고분자가 해체되는 특성을 가진다. 따라서, 현상공정에서 노광된 부분은 제거되는 특성을 가진다.

본 실시 예에서는 포토레지스트의 타입에 따라서, 다양한 형태의 패턴의 구현이 가능하다. 예컨대, 도 3b 또는 도 3c에서 네거티브형의 포토레지스트가 사용될 경우, 현상공정에 의해 다수의 규칙적으로 패열된 팰럿(pallet) 형태의 패턴을 얻을 수 있다. 만일, 포지티브형의 포토레지스트가 사용될 경우, 현상공정에 의해 기판 상에는 다수개의 홀들이 규칙적으로 배열된 패턴을 얻을 수 있다.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 기판 상에 광결정구조인 미세 패턴을 선택적으로 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

먼저, 도 4a를 참조하면, 제1 기판 상에 간섭마스킹 패턴을 형성한다. 즉, 제1 기판 상에 포토레지스트를 도포하고, 포토레지스트에 대해 통상의 리소그래피 공정을 수행한다. 또한, 마스킹하고자 하는 영역에 대해 간섭마스킹 패턴을 형성한다.

도 4b를 참조하면, 간섭마스킹 패턴이 형성된 제1 기판 상에 몰딩재료를 경화제와 함께 혼합하고, 상기 제1 기판 상에 부어서 투명 기판을 형성한다. 상기 몰 딩재료는 PDMS(polydimethylsiloxane)임이 바람직하다. PDMS는 접착되는 기판에 대해 넓은 영역에 걸쳐서 안정적으로 접착되는 특성을 가지며, 평탄하지 않은 기판에 대해서도 평탄도를 유지하면서 접착되는 특성을 가진다.

도 4c를 참조하면, 상기 도 4b에 의해 형성된 투명 기판을 제1 기판으로부터 이탈시키고, 제2 기판 상에 새로운 포토레지스트를 도포한다. 제1 기판으로부터 이탈된 투명 기판의 표면에는 간섭마스킹 패턴이 전사된다.

도 4d를 참조하면, 상기 투명 기판을 포토레지스트가 도포된 제2 기판에 결합시킨다. 이어서, 투명 기판과 제2 기판이 결합된 구조물에 대해 간섭 레이저광을 조사한다. 투명 기판에 형성된 간섭마스킹 패턴을 통과하는 간섭 레이저광은 광간섭 현상을 발생시키지 않는다. 이는 간섭마스킹 패턴에서 발생되는 산란에 의해 간섭 현상이 저감되기 때문이다. 또한, 간섭마스킹 패턴 이외의 영역에서는 광간섭 현상이 발생되고, 상기 도 3a 내지 도 3c에 도시된 패턴들이 전사된다.

즉, 도 3a에 도시된 바와 같이 현상공정이 수행되면, 스트라이프 형태의 패턴들을 얻을 수 있으며, 도 3b 및 도 3c에 도시된 바와 같이, 2회의 간섭 레이저광의 조사 및 기판의 회전, 현상 공정에 의해 다양한 형태의 규칙적인 패턴들을 형성할 수 있다.

도 4e를 참조하면, 레이저 광의 간섭현상에 의해 포토레지스트에 패턴이 전사된 상태를 나타낸다. 상기 도 4e에서 보강 간섭이 일어난 영역 또는 레이저 광이 조사된 영역에서 포토레지스트는 제거된다. 즉, 상기 포토레지스트는 포지티브형 임을 알 수 있다. 즉, 간섭마스킹 패턴을 통과한 레이저 광은 간섭보다는 산란 현 상이 발생하고, 따라서, 간섭마스킹 패턴 하부의 영역에는 비교적 균일하게 광이 조사된다. 이외의 영역에서는 레이저광의 간섭현상이 발생된다. 포지티브형이므로 노광된 영역은 현상 공정에 의해 포토레지스트가 제거된다. 따라서, 간섭마스킹 패턴 하부는 오픈된 영역으로 나타난다. 또한, 인접한 간섭마스킹 패턴들 사이의 영역에서는 간섭현상이 발생하여 규칙적으로 배열된 패턴을 얻을 수 있다.

도 4f를 참조하면, 제2 기판 상에 도포된 포토레지스트는 네거티브형임을 알 수 있다. 즉, 노광된 부분은 현상공정에 의해 제2 기판 상에 잔류하게 된다. 예컨대, 노광된 간섭마스킹 패턴의 하부는 현상공정에 의해 잔류하게 되며, 인접한 간섭마스킹 패턴들 사이의 이격공간에는 규칙적인 패턴들이 배열된다.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따라 레이저광의 간섭을 이용하여 형성한 패턴에 대한 SEM 이미지이다.

도 5를 참조하면, 기판 상에 포토레지스트 패턴이 형성되고, 형성된 포토레지스트 패턴은 레이저광의 간섭에 의해 규칙적인 형상을 가진다. 특히, 공간적으로 패턴 표면에 수직한 축으로 소정의 각도로 회전하고 적어도 2회의 레이저 간섭광의 조사에 의해 다양한 패턴을 얻을 수 있다.

즉, 상술한 본 발명에 따르면, 레이저광의 간섭현상을 이용하여 다양한 형태의 규칙적인 미세 패턴들을 동시에 형성할 수 있다. 또한, 도 4a 내지 4f에 도시된 바대로, 일종의 스탬프인 투명기판을 이용하고, 간섭 마스킹 패턴을 이용하는 경우, 원하는 영역에 선택적으로 미세 패턴들을 동시에 형성할 수 있다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 레이저 간섭 리소그래피 시스템을 도시한 구성도이다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 시료 상에 발생되는 간섭현상을 설명하기 위한 개념도이다.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 간섭 레이저광을 시료에 조사한 경우의 포토레지스트의 상태를 도시한 평면도들이다.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 기판 상에 광결정구조인 미세 패턴을 선택적으로 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 레이저광의 간섭을 이용하여 형성한 패턴에 대한 SEM 이미지이다.

Claims (11)

1. 레이저광을 발생시키는 단계;

   레이저광을 평행광으로 형성하는 단계;

   상기 평행광에 광로차를 부여하여 간섭 레이저광을 형성하는 단계; 및

   시료에 상기 간섭 레이저광을 조사하여 규칙적인 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 미세 패턴의 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 간섭 레이저광은,

   시료에 직접 입사되는 직접 평행광; 및

   상기 평행광에 광로차를 부여하여 지연된 평행광으로 구성되고,

   상기 직접 평행광이 상기 시료에 입사되는 입사각과 상기 지연된 평행광이 상기 시료에 입사되는 입사각은 동일한 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 간섭 레이저광의 파장은 하기의 수학식에 따르는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법.

   [수학식]

   P=λ/2sinθ, 상기 수학식에서 λ는 평행광의 파장을 나타내며, θ는 상기 직접 평행광 또는 상기 지연된 평행광의 입사각을 나타낸다.
4. 레이저광을 발생시키는 단계;

   상기 레이저광을 평행광으로 형성하는 단계;

   상기 평행광에 광로차를 부여하여 간섭 레이저광을 형성하는 단계;

   상기 간섭 레이저광을 시료에 1차로 조사하는 단계;

   상기 간섭 레이저광이 1차로 조사된 시료를 회전시키는 단계; 및

   상기 회전된 시료에 상기 간섭 레이저광을 2차로 조사하여 규칙적인 패턴들을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 미세 패턴의 형성방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 시료를 회전시키는 회전각은 60° 또는 90°인 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법.
6. 제4항에 있어서, 상기 간섭 레이저광은,

   시료에 직접 입사되는 직접 평행광; 및

   상기 평행광에 광로차를 부여하여 지연된 평행광으로 구성되고,

   상기 직접 평행광이 상기 시료에 입사되는 입사각과 상기 지연된 평행광이 상기 시료에 입사되는 입사각은 동일한 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법.
7. 제1 기판 상에 간섭마스킹 패턴을 형성하는 단계;

   상기 간섭마스킹 패턴을 투명 기판에 전사하는 단계;

   상기 간섭마스킹 패턴이 전사된 투명 기판을 포토레지스트가 도포된 제2 기 판에 결합시키는 단계; 및

   상기 투명 기판이 결합된 제2 기판에 간섭 레이저광을 조사하여 규칙적인 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 미세 패턴의 형성방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 투명 기판은 PDMS(polydimethylsiloxane)로 이루어진 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법.
9. 제7항에 있어서, 상기 간섭 레이저광이 상기 투명 기판의 간섭마스킹 패턴을 통과하는 경우, 산란 현상에 의해 광간섭 현상이 차단되는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법.
10. 제7항에 있어서, 상기 제2 기판에 규칙적인 패턴을 동시에 형성하는 단계는,

    상기 간섭 레이저광은 상기 제2 기판에 조사하는 단계; 및

    상기 간섭 레이저광에 의해 조사된 포토레지스트에 대해 현상공정을 수행하여, 규칙적인 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법.
11. 제7항에 있어서, 상기 제2 기판에 규칙적인 패턴을 동시에 형성하는 단계는,

    상기 간섭 레이저광을 1차로 상기 제2 기판에 조사하는 단계;

    상기 간섭 레이저광이 1차로 조사된 상기 제2 기판을 회전시키는 단계;

    상기 회전된 제2 기판에 상기 간섭 레이저광을 2차로 조사하는 단계; 및

    상기 간섭 레이저광에 의해 조사된 포토레지스트에 대해 현상공정을 수행하여, 규칙적인 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법.

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