JPH06238932A - Thermal head and its manufacture - Google Patents

Thermal head and its manufacture

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JPH06238932A
JPH06238932A JP2892693A JP2892693A JPH06238932A JP H06238932 A JPH06238932 A JP H06238932A JP 2892693 A JP2892693 A JP 2892693A JP 2892693 A JP2892693 A JP 2892693A JP H06238932 A JPH06238932 A JP H06238932A
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JP
Japan
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conductor
substrate
heating resistor
layer
heat
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2892693A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hajime Hotta
一 堀田
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH06238932A publication Critical patent/JPH06238932A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve heating efficiency and printing quality by avoiding heat generated from a heating element from radiating to other parts by a method wherein in a thermal head in which a heating resistor is formed between respective feed elements on a non-conductor, and heat is generated by impressing a voltage to the heating resistor, space is formed between the non-conductor and a substrate. CONSTITUTION:A plurality of sets of feed elements 23a, 23b are formed on a substrate. One side of each set constitutes a lead electrode, and the other side constitutes a common electrode. Further, non-conductors 24a, 24b are integrally formed between the feed elements 23a, 23b of each set, and the feed element 23a is electrically insulated from the feed element 23b. Then, a heating resistor 29 is formed between respective feed elements 23a, 23b on the non- conductors 24a, 24b, and heated by impressing a voltage to the heating resistor 29. In such a case, space 26 is formed between the non-conductors 24a, 24b and the substrate. Thereby, heat which the heating resistor 29 generates is not radiated to other parts to improve heating efficiency, and printing quality is improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、サーマルヘッド及びそ
の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal head and its manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、サーマルプリンタはサーマルヘッ
ドを有しており、該サーマルヘッドの複数の発熱抵抗体
に印字データに対応する電圧を選択的に印加することに
よって印字を行うようにしている。そして、各発熱抵抗
体が発熱した熱が感熱記録紙の印字面や熱転写インクリ
ボンに容易に伝達されるようにしたサーマルヘッドが提
供されている(特開平3−247467号公報参照)。
2. Description of the Related Art Conventionally, a thermal printer has a thermal head, and printing is performed by selectively applying a voltage corresponding to print data to a plurality of heating resistors of the thermal head. Further, there is provided a thermal head in which heat generated by each heating resistor is easily transmitted to a printing surface of a thermal recording paper or a thermal transfer ink ribbon (see Japanese Patent Laid-Open No. 3-247467).

【0003】図2は従来のサーマルヘッドの構造を示す
概略図である。図において、11はアルミナなどの絶縁
材料で形成された基板、12は該基板11の上に帯状に
形成され、断面が半円形の保温層である。該保温層12
はグレーズガラスなどによって形成される。そして、該
保温層12の上には、一方がリード電極を構成し、他方
が共通電極を構成する給電体13a,13bが形成され
る。また、同様に保温層12の上の前記給電体13a,
13b間に不導体14が形成され、給電体13a,13
b及び不導体14によって一体的な層を形成している。
FIG. 2 is a schematic view showing the structure of a conventional thermal head. In the figure, 11 is a substrate made of an insulating material such as alumina, and 12 is a heat insulating layer formed in a band shape on the substrate 11 and having a semicircular cross section. The heat insulation layer 12
Is formed of glaze glass or the like. Then, on the heat retaining layer 12, power supply bodies 13a and 13b, one of which constitutes a lead electrode and the other of which constitutes a common electrode, are formed. In addition, similarly, the power supply body 13a on the heat insulation layer 12,
The non-conductor 14 is formed between 13b, and the power feeding bodies 13a, 13
b and the non-conductor 14 form an integral layer.

【0004】そして、前記給電体13a,13b及び不
導体14の上に、スパッタ法によって窒化タンタル(T
2 N)を被覆して発熱抵抗体層15が更に形成され、
該発熱抵抗体層15は給電体13a,13b間において
発熱抵抗体となる。そして、発熱抵抗体層15の上にス
パッタ法によって酸化ケイ素(SiO2 )などを被覆し
て保護層16が形成される。
Then, tantalum nitride (T) is deposited on the power supply members 13a and 13b and the non-conductor 14 by a sputtering method.
a 2 N) and a heating resistor layer 15 is further formed,
The heating resistor layer 15 serves as a heating resistor between the power feeding members 13a and 13b. Then, the heat generating resistor layer 15 is coated with silicon oxide (SiO 2 ) or the like by the sputtering method to form the protective layer 16.

【0005】この場合、前記給電体13a,13b及び
不導体14は次のように形成される。すなわち、前記保
温層12が形成された基板11の上にスパッタ法などに
よってアルミニウム層を形成し、次に、該アルミニウム
層にホトレジストを塗布し、ガラスマスクなどを使用し
て該ホトレジストを露光し、現像してレジストパターン
を形成する。次に、アルミニウム層が露出した部分に対
して不導体化処理を施す。
In this case, the feeders 13a and 13b and the non-conductor 14 are formed as follows. That is, an aluminum layer is formed on the substrate 11 on which the heat retaining layer 12 is formed by a sputtering method or the like, then a photoresist is applied to the aluminum layer, and the photoresist is exposed using a glass mask or the like. Develop to form a resist pattern. Next, a non-conductor treatment is applied to the exposed portion of the aluminum layer.

【0006】該不導体化処理は、前記アルミニウム層に
陽極酸化処理を施すことによって行う。この場合、レジ
ストパターンが形成されたアルミニウム層を、例えば蓚
酸(しゅうさん)溶液中に浸漬(しんせき)する。該陽
極酸化処理を施した後、ホトレジストが除去される。こ
の時、陽極酸化処理が施されなかった部分が給電体13
a,13bとなり、陽極酸化処理が施された部分が不導
体14となる。
The deconductoring treatment is performed by subjecting the aluminum layer to anodizing treatment. In this case, the aluminum layer on which the resist pattern has been formed is dipped in an oxalic acid solution. After applying the anodizing treatment, the photoresist is removed. At this time, the portion not subjected to the anodizing treatment is the power feeding body 13
The portions a and 13b, which have been subjected to the anodizing process, become the non-conductor 14.

【0007】該不導体14は前記保温層12の頂点の近
傍に形成され、印字の際には直接図示しない感熱記録紙
の印字面や図示しない熱転写インクリボンに接触する。
なお、前記保温層12を形成するグレーズガラスは、印
刷技術によって形成され、その時の焼成温度は約800
〔°C〕である。したがって、サーマルヘッドによって
印字する際の発熱抵抗体の最大温度は800〔°C〕以
下とされる。
The non-conductor 14 is formed in the vicinity of the apex of the heat retaining layer 12, and directly contacts the printing surface of the thermal recording paper (not shown) or the thermal transfer ink ribbon (not shown) during printing.
The glaze glass forming the heat retaining layer 12 is formed by a printing technique, and the firing temperature at that time is about 800.
[° C]. Therefore, the maximum temperature of the heating resistor when printing with the thermal head is set to 800 [° C] or less.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のサーマルヘッドにおいては、グレーズガラスによっ
て保温層12が形成されており、該グレーズガラスの熱
伝導率が高いため、発熱抵抗体が発生した熱が保温層1
2を介して他の部分に放散してしまい、その分発熱効率
が低下してしまう。
However, in the above-mentioned conventional thermal head, the heat insulating layer 12 is formed of glaze glass, and since the heat conductivity of the glaze glass is high, the heat generated by the heating resistor is not generated. Insulation layer 1
2 is dissipated to other parts via 2, and the heat generation efficiency is reduced accordingly.

【0009】また、保温層12を形成する際に印刷技術
を用いているため、大きさや厚さのばらつきが大きく、
また、表面の平滑性が低いラフペーパーを使用して熱転
写によって印字を行うと、紙当たりが悪く、印字品位が
低下してしまう。本発明は、前記従来のサーマルヘッド
の問題点を解決して、発熱効率を向上させ、印字品位を
向上させることができるサーマルヘッド及びその製造方
法を提供することを目的とする。
Further, since the printing technique is used when forming the heat retaining layer 12, there is a large variation in size and thickness,
Further, when printing is performed by thermal transfer using rough paper having a low surface smoothness, the paper contact is poor and the printing quality is degraded. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thermal head capable of solving the problems of the conventional thermal head, improving heat generation efficiency, and improving printing quality, and a manufacturing method thereof.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】そのために、本発明のサ
ーマルヘッドにおいては、基板の上に給電体が複数組形
成され、各組の一方がリード電極を構成し、他方が共通
電極を構成する。また、各組の給電体間に不導体が一体
的に形成され、給電体間を絶縁する。そして、前記不導
体の上の各組の給電体間に発熱抵抗体が形成され、電圧
が印加されることによって発熱する。また、前記不導体
と基板の間に空間が形成される。
To this end, in the thermal head of the present invention, a plurality of sets of power feeding members are formed on the substrate, one of each set forming a lead electrode and the other forming a common electrode. . Further, a non-conductor is integrally formed between the power feeding bodies of each set to insulate the power feeding bodies from each other. Then, a heating resistor is formed between each pair of power feeding bodies on the non-conductor, and heat is generated when a voltage is applied. In addition, a space is formed between the nonconductor and the substrate.

【0011】本発明の他のサーマルヘッドにおいては、
基板の上に保温層が形成され、前記基板及び保温層の上
に給電体が複数組形成される。そして、前記保温層の上
において不導体が各組の給電体間に一体的に形成され給
電体間を絶縁し、該不導体の上に発熱抵抗体が形成され
る。この場合、前記不導体と保温層の間に空間が形成さ
れる。
In another thermal head of the present invention,
A heat retaining layer is formed on the substrate, and a plurality of sets of power supply members are formed on the substrate and the heat retaining layer. Then, a non-conductor is integrally formed on each heat-insulating layer between the power-supplying bodies of each set to insulate the power-supplying bodies from each other, and a heating resistor is formed on the non-conductor. In this case, a space is formed between the nonconductor and the heat insulating layer.

【0012】また、本発明のサーマルヘッドの製造方法
においては、基板の上にレジストパターンを形成し、前
記基板及びレジストパターンの上に導体金属層を形成
し、該導体金属層をカットし、前記レジストパターンを
除去して導体金属層と基板の間に空間を形成し、給電体
に対応する部分にレジストパターンを形成する。そし
て、前記導体金属層が露出した部分に対して不導体化処
理を施して給電体間に不導体を形成し、該不導体の上に
発熱抵抗体を形成する。
In the method for manufacturing a thermal head of the present invention, a resist pattern is formed on a substrate, a conductor metal layer is formed on the substrate and the resist pattern, and the conductor metal layer is cut, The resist pattern is removed to form a space between the conductor metal layer and the substrate, and the resist pattern is formed in a portion corresponding to the power feeding body. Then, the exposed portion of the conductor metal layer is subjected to a non-conducting treatment to form a non-conductor between the power feeding bodies, and a heating resistor is formed on the non-conductor.

【0013】[0013]

【作用】本発明によれば、前記のようにサーマルヘッド
は、基板の上に給電体が複数組形成され、各組の一方が
リード電極を構成し、他方が共通電極を構成する。ま
た、各組の給電体間に不導体が一体的に形成され、給電
体間を絶縁する。そして、前記不導体の上の各組の給電
体間に発熱抵抗体が形成され、電圧が印加されることに
よって発熱する。
According to the present invention, as described above, in the thermal head, a plurality of sets of power feeding members are formed on the substrate, one of each set constitutes a lead electrode, and the other constitutes a common electrode. Further, a non-conductor is integrally formed between the power feeding bodies of each set to insulate the power feeding bodies from each other. Then, a heating resistor is formed between each pair of power feeding bodies on the non-conductor, and heat is generated when a voltage is applied.

【0014】したがって、発熱抵抗体は印字データに対
応する電圧が印加されると発熱して印字を行う。この場
合、前記不導体と基板の間に空間が形成されているの
で、発熱抵抗体が発生した熱は他の部分に放散すること
がなく、発熱効率が向上する。本発明の他のサーマルヘ
ッドにおいては、基板の上に保温層が形成され、前記基
板及び保温層の上に給電体が複数組形成される。そし
て、前記保温層の上において不導体が各組の給電体間に
一体的に形成され給電体間を絶縁し、該不導体の上に発
熱抵抗体が形成される。
Therefore, when the voltage corresponding to the print data is applied, the heating resistor generates heat and prints. In this case, since the space is formed between the non-conductor and the substrate, the heat generated by the heating resistor is not dissipated to other portions, and the heat generation efficiency is improved. In another thermal head of the present invention, a heat retaining layer is formed on the substrate, and a plurality of sets of power supply members are formed on the substrate and the heat retaining layer. Then, a non-conductor is integrally formed on each heat-insulating layer between the power-supplying bodies of each set to insulate the power-supplying bodies from each other, and a heating resistor is formed on the non-conductor.

【0015】この場合、前記不導体と保温層の間に空間
が形成されているので、発熱抵抗体が発生した熱は保温
層を介して他の部分に放散することがなく、発熱効率が
向上する。また、本発明のサーマルヘッドの製造方法に
おいては、基板の上にレジストパターンを形成し、前記
基板及びレジストパターンの上に導体金属層を形成す
る。この時、前記レジストパターンによって導体金属層
に半円筒状部分が形成される。
In this case, since the space is formed between the non-conductor and the heat retaining layer, the heat generated by the heat generating resistor is not dissipated to other portions through the heat retaining layer, and the heat generating efficiency is improved. To do. In the method for manufacturing a thermal head of the present invention, a resist pattern is formed on the substrate, and a conductor metal layer is formed on the substrate and the resist pattern. At this time, a semi-cylindrical portion is formed on the conductor metal layer by the resist pattern.

【0016】次に、前記導体金属層をカットし、カット
した部分からアセトンなどを進入させてホトレジストを
溶解させ、前記レジストパターンを除去する。このよう
にして、導体金属層と基板の間に空間を形成する。そし
て、給電体に対応する部分にレジストパターンを形成
し、前記導体金属層が露出した部分に対して不導体化処
理を施して給電体間に不導体を形成し、該不導体の上に
発熱抵抗体を形成する。
Next, the conductor metal layer is cut, and acetone or the like is introduced from the cut portion to dissolve the photoresist and remove the resist pattern. In this way, a space is formed between the conductor metal layer and the substrate. Then, a resist pattern is formed on the portion corresponding to the power feeding body, and the exposed portion of the conductor metal layer is subjected to non-conducting treatment to form a non-conductor between the power feeding bodies, and heat is generated on the non-conductor. Form a resistor.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例を
示すサーマルヘッドの要部斜視図、図3は本発明の第1
の実施例を示すサーマルヘッドの要部断面図である。図
において、23a,23bは複数組の給電体であり、ア
ルミナなどの絶縁材料から成る図示しない基板の上に形
成される。各組の給電体23a,23bは、該給電体2
3a,23bと一体的に形成された複数の帯状の不導体
24aによって互いに絶縁されている。そして、各組の
給電体23a,23bの一方はリード電極を構成してそ
れぞれ図示しないドライバICの端子に接続され、他方
は共通電極を構成して互いに連結され図示しない電源に
接続される。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a main part of a thermal head showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a first view of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of a thermal head showing the embodiment of FIG. In the figure, 23a and 23b are a plurality of sets of power feeding members, which are formed on a substrate (not shown) made of an insulating material such as alumina. The power feeding bodies 23a and 23b of each set are the power feeding bodies 2
They are insulated from each other by a plurality of strip-shaped nonconductors 24a formed integrally with 3a and 23b. One of the power supply members 23a and 23b of each set constitutes a lead electrode and is connected to a terminal of a driver IC (not shown), respectively, and the other constitutes a common electrode and is connected to each other and connected to a power source (not shown).

【0018】また、24bは前記給電体23a,23b
と一体的に形成され、給電体23a,23b間を絶縁す
る不導体である。該不導体24bと前記給電体23a,
23bの一部によって半円筒状部分25が形成される。
なお、前記不導体24bは半円筒状部分25の頂点部分
に沿って直線状に形成される。該半円筒状部分25の前
記基板側には、半円柱状の空間26が形成され、該空間
26の開口部を絶縁性の高いポリイミドから成る帯状の
プレート27が閉鎖する。一方、前記半円筒状部分25
の不導体24bの上には、前記給電体23a,23b間
を電気的に接続する発熱抵抗体29が形成される。その
ため、該発熱抵抗体29は前記半円筒状部分25に沿っ
た形状を有しており、前記給電体23a,23bの端部
に一部が重なる幅を有する。
Further, 24b is the above-mentioned power feeding bodies 23a, 23b.
Is a non-conductor that is integrally formed with and that insulates between the power feeding bodies 23a and 23b. The non-conductor 24b and the feeder 23a,
A semi-cylindrical portion 25 is formed by a part of 23b.
The non-conductor 24b is linearly formed along the apex of the semi-cylindrical portion 25. A semi-cylindrical space 26 is formed on the substrate side of the semi-cylindrical portion 25, and a strip-shaped plate 27 made of highly insulating polyimide is closed at the opening of the space 26. On the other hand, the semi-cylindrical portion 25
A heat generating resistor 29 is formed on the non-conductor 24b to electrically connect the power feeding bodies 23a and 23b. Therefore, the heating resistor 29 has a shape along the semi-cylindrical portion 25, and has a width that partially overlaps the end portions of the power feeding members 23a and 23b.

【0019】また、前記給電体23a,23bは、前述
したように一方がリード電極を構成し、他方が共通電極
を構成する。そして、両者間に位置する発熱抵抗体29
に印字データに対応する電圧を選択的に印加すると、該
発熱抵抗体29が発熱して一つのドットの印字が行われ
る。前記発熱抵抗体29は、給電体23a,23bの各
組に対応して形成されるようになっている。
As described above, one of the feeders 23a and 23b constitutes a lead electrode and the other constitutes a common electrode. Then, the heating resistor 29 located between the two
When a voltage corresponding to print data is selectively applied to the heating resistor 29, the heating resistor 29 generates heat to print one dot. The heating resistor 29 is formed so as to correspond to each set of the power feeders 23a and 23b.

【0020】なお、31は前記給電体23a,23b、
不導体24a及び発熱抵抗体29の上に被覆された保護
層である。このように、前記発熱抵抗体29をライン方
向に複数配列することによってライン式のサーマルヘッ
ドを形成することができる。前記構成のサーマルヘッド
においては、前記不導体24bの下に空間26が形成さ
れているので、発熱抵抗体29が発生した熱は他の部分
に放散することがなく、発熱効率が向上し、印字品位を
向上させることができる。しかも、グレーズガラスなど
によって形成された保温層12(図2参照)を有してい
ないので、サーマルヘッドによって印字を行う際の発熱
抵抗体29の最大温度を高くすることができる。
The reference numeral 31 designates the power feeding members 23a and 23b,
The protective layer covers the non-conductor 24 a and the heating resistor 29. In this way, a line type thermal head can be formed by arranging a plurality of the heating resistors 29 in the line direction. In the thermal head having the above structure, since the space 26 is formed under the non-conductor 24b, the heat generated by the heat generating resistor 29 is not dissipated to other parts, the heat generating efficiency is improved, and printing is performed. The quality can be improved. Moreover, since the heat insulating layer 12 (see FIG. 2) formed of glaze glass or the like is not provided, the maximum temperature of the heating resistor 29 when printing is performed by the thermal head can be increased.

【0021】ところで、前記給電体23a,23b及び
不導体24a,24bによって構成される給電体パター
ンは、基板の上のアルミニウム層に陽極酸化処理を施す
ことによって形成され、アルミニウム層の陽極酸化処理
が施されなかった部分が給電体23a,23bとなり、
陽極酸化処理が施された部分が不導体24a,24bと
なる。
By the way, the feeder pattern composed of the feeders 23a and 23b and the non-conductors 24a and 24b is formed by anodizing the aluminum layer on the substrate, and the aluminum layer is anodized. The parts that have not been applied become the power feeders 23a and 23b,
The portions subjected to the anodizing process become the nonconductors 24a and 24b.

【0022】また、前記空間26は、前記アルミニウム
層の一部をトンネル状にすることによって形成される。
図4は本発明の第1の実施例を示すサーマルヘッドの製
造方法を示す工程図、図5は本発明の第1の実施例にお
けるレーザカット部分を示す図、図6は発熱抵抗体を形
成する前のアルミニウム層の説明図、図7は発熱抵抗体
を形成した後のアルミニウム層の説明図である。図4の
(a)はポリイミド・レジストパターンを形成する工程
図、(b)はアルミニウム層を形成する工程図、(c)
はホトレジスト部を除去する工程図、(d)はレジスト
パターンを形成する工程図、(e)はホトレジストを剥
離(はくり)する工程図、(f)は発熱抵抗体29を形
成する工程図、図6及び7の(a)はアルミニウム層の
断面図、(b)はアルミニウム層の斜視図である。
The space 26 is formed by tunneling a part of the aluminum layer.
FIG. 4 is a process diagram showing a method of manufacturing a thermal head showing a first embodiment of the present invention, FIG. 5 is a diagram showing a laser cut portion in the first embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a heating resistor formed. FIG. 7 is an explanatory diagram of the aluminum layer before the heating, and FIG. 7 is an explanatory diagram of the aluminum layer after the heating resistor is formed. 4A is a process drawing of forming a polyimide resist pattern, FIG. 4B is a process drawing of forming an aluminum layer, and FIG.
Is a process drawing for removing the photoresist portion, (d) is a process drawing for forming a resist pattern, (e) is a process drawing for peeling (peeling) the photoresist, (f) is a process drawing for forming the heating resistor 29, 6A and 6A are cross-sectional views of the aluminum layer, and FIG. 6B is a perspective view of the aluminum layer.

【0023】まず、アルミナなどの絶縁材料で形成され
た基板35を回転数2000〔rpm〕で回転させ、該
基板35の上にポリイミドをスピン塗布してポリイミド
層を形成し、更に該ポリイミド層の上にホトレジストを
スピン塗布してレジスト層を形成する。この場合、ポリ
イミド層の厚さは1〔μm〕、レジスト層の厚さは3
〔μm〕とする。
First, a substrate 35 made of an insulating material such as alumina is rotated at a rotation speed of 2000 [rpm], and polyimide is spin-coated on the substrate 35 to form a polyimide layer. A photoresist is spin-coated on the top to form a resist layer. In this case, the polyimide layer has a thickness of 1 [μm] and the resist layer has a thickness of 3
[Μm].

【0024】次に、ガラスマスクなどを使用してホトレ
ジストを露光し、その後現像すると、ポリイミド部36
及び該ポリイミド部36の上のホトレジスト部37から
成るポリイミド・レジストパターン38が形成される。
該ポリイミド・レジストパターン38は、ホトレジスト
を硬化させるために150〔°C〕でベーキングされる
が、これにより、ポリイミド・レジストパターン38の
ホトレジスト部37は、ベーキングによって図4の
(a)に示すように断面が半円形となる。この場合、ポ
リイミド・レジストパターン38のパターン幅は0.3
〔mm〕とする。
Next, the photoresist is exposed by using a glass mask or the like, and then developed.
And, a polyimide resist pattern 38 consisting of a photoresist portion 37 on the polyimide portion 36 is formed.
The polyimide resist pattern 38 is baked at 150 [° C.] to cure the photoresist. As a result, the photoresist portion 37 of the polyimide resist pattern 38 is baked, as shown in FIG. The cross section is semicircular. In this case, the pattern width of the polyimide resist pattern 38 is 0.3.
[Mm].

【0025】続いて、前記給電体23a,23b及び不
導体24a,24bを形成するための導体金属層を形成
する。この場合、導体金属としてアルミニウムを使用
し、蒸着によって図4の(b)に示すように厚さが1
〔μm〕のアルミニウム層39を形成する。そのため、
図示しない真空蒸着装置が使用され、制御条件が設定さ
れる。
Subsequently, a conductor metal layer for forming the power feeding bodies 23a and 23b and the nonconductors 24a and 24b is formed. In this case, aluminum is used as the conductor metal, and the thickness is 1 by vapor deposition as shown in FIG.
An aluminum layer 39 of [μm] is formed. for that reason,
A vacuum deposition apparatus (not shown) is used to set control conditions.

【0026】この場合、アルミニウム層39と基板35
の間、及びアルミニウム層39とポリイミド・レジスト
パターン38の間の密着強度や、ドライバICを実装す
る際にワイヤボンディングを行うことなどを考慮して蒸
着温度を150〔°C〕とする。このように、アルミニ
ウム層39を形成した後、ポリイミド・レジストパター
ン38及びアルミニウム層39が形成された基板35
の、両端、又は例えば、複数の発熱抵抗体29を各ブロ
ックごとに分割する部分が、図示しないレーザなどによ
って図5に示すようにカットされる。図5において、4
1はアルミニウム層39の半円筒状部分39aの所定箇
所に形成されたレーザカット部分である。
In this case, the aluminum layer 39 and the substrate 35
The vapor deposition temperature is set to 150 ° C. in consideration of the adhesion strength between the aluminum layer 39 and the polyimide resist pattern 38, and wire bonding when mounting the driver IC. Thus, after forming the aluminum layer 39, the polyimide resist pattern 38 and the substrate 35 on which the aluminum layer 39 is formed
5, both ends or, for example, a portion dividing the plurality of heating resistors 29 into each block is cut by a laser (not shown) or the like as shown in FIG. In FIG. 5, 4
Reference numeral 1 is a laser cut portion formed at a predetermined position of the semi-cylindrical portion 39a of the aluminum layer 39.

【0027】次に、前記レーザカット部分41からアル
ミニウム層39と基板35の間にアセトンを進入させ、
ホトレジスト部37を除去する。そのため、ポリイミド
・レジストパターン38及びアルミニウム層39が形成
された基板35を図示しないアセトン槽内に浸漬し、超
音波を3分間加え、これを3回繰り返す。こうすること
によって、前記レーザカット部分41からアルミニウム
層39と基板35の間にアセトンが進入してホトレジス
トを溶解させホトレジスト部37を除去すると、図4の
(c)に示すように半円柱状の空間26が形成されると
ともに、前記ポリイミド部36は空間26の開口部を閉
鎖する帯状のプレート27となる。
Next, acetone is introduced from the laser cut portion 41 between the aluminum layer 39 and the substrate 35,
The photoresist portion 37 is removed. Therefore, the substrate 35 on which the polyimide resist pattern 38 and the aluminum layer 39 are formed is immersed in an acetone bath (not shown), ultrasonic waves are applied for 3 minutes, and this is repeated three times. As a result, when acetone enters between the aluminum layer 39 and the substrate 35 from the laser cut portion 41 to dissolve the photoresist and remove the photoresist portion 37, as shown in FIG. While the space 26 is formed, the polyimide portion 36 serves as a strip-shaped plate 27 that closes the opening of the space 26.

【0028】続いて、ホトリソ工程、ドライエッチング
工程等から成る薄膜プロセスを用いて図4の(d)に示
すように、前記給電体23a,23bに対応する部分に
厚さが3〔μm〕のレジストパターン43を形成する。
この場合、前記アルミニウム層39の上にホトレジスト
を塗布し、ガラスマスクなどを使用してホトレジストを
露光し、現像してレジストパターン43を形成する。次
に、アルミニウム層39が露出した部分に対して不導体
化処理を施す。
Then, as shown in FIG. 4 (d), a thin film process including a photolithography process, a dry etching process, etc. is used to form a portion having a thickness of 3 [μm] corresponding to the power supply members 23a and 23b. A resist pattern 43 is formed.
In this case, a photoresist is applied on the aluminum layer 39, the photoresist is exposed using a glass mask or the like, and developed to form a resist pattern 43. Next, the exposed portion of the aluminum layer 39 is subjected to a non-conductor treatment.

【0029】該不導体化処理は、前記アルミニウム層3
9に陽極酸化処理を施すことによって行う。この場合、
レジストパターン43が形成されたアルミニウム層39
及び基板35を3〔%〕の蓚酸溶液中に浸漬し、25
〔V〕の直流及び80〔V〕の交流を重畳するとともに
電流密度を100〔A/m2 〕とし、これを溶電圧とし
て4分間印加した。このようにして、アルミニウム層3
9に不導体24a,24bが形成される。
The non-conducting treatment is performed by the aluminum layer 3 described above.
9 is anodized. in this case,
Aluminum layer 39 on which resist pattern 43 is formed
And the substrate 35 is dipped in a 3% oxalic acid solution,
A direct current of [V] and an alternating current of 80 [V] were superposed and the current density was set to 100 [A / m 2 ], and this was applied as a melting voltage for 4 minutes. In this way, the aluminum layer 3
Nonconductors 24a and 24b are formed on the substrate 9.

【0030】次に、図4の(e)に示すようにホトレジ
ストを剥離して前記レジストパターン43を除去する
と、図6に示すように前記給電体23a,23b及び不
導体24a,24bによって構成される給電体パターン
が形成される。そして、前記薄膜プロセスを用いて例え
ばTaSiO2 を前記不導体24bの上に被覆し、図7
に示すように発熱抵抗体29を形成する。この場合、発
熱抵抗体29は厚さが2000〔Å〕の層から成り、前
記給電体23a,23bの端部に一部が重なる幅を有す
る。また、該発熱抵抗体29は各給電体23a,23b
の各組に対応する数だけ形成される。
Next, as shown in FIG. 4 (e), the photoresist is peeled off and the resist pattern 43 is removed. As shown in FIG. 6, the power supply members 23a and 23b and the nonconductors 24a and 24b are formed. A power feeding pattern is formed. Then, for example, TaSiO 2 is coated on the non-conductor 24b by using the thin film process.
A heating resistor 29 is formed as shown in FIG. In this case, the heating resistor 29 is made of a layer having a thickness of 2000 [Å], and has a width that partially overlaps the end portions of the power feeding members 23a and 23b. In addition, the heating resistor 29 is provided in each of the feeders 23a and 23b.
Is formed by the number corresponding to each set.

【0031】最後に、図4の(f)に示すように前記給
電体23a,23b、不導体24a及び発熱抵抗体29
の上に、スパッタ法によって酸化ケイ素などを被覆して
保護層31が形成される。次に、本発明の第2の実施例
について説明する。図8は本発明の第2の実施例におけ
る発熱抵抗体を形成した後のアルミニウム層の説明図、
図9は本発明の第2の実施例における給電体パターンの
概念図である。図8の(a)はアルミニウム層の断面
図、(b)はアルミニウム層の斜視図である。
Finally, as shown in FIG. 4 (f), the power feeding members 23a and 23b, the non-conductor 24a and the heating resistor 29.
A protective layer 31 is formed by coating silicon oxide or the like by sputtering. Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is an explanatory view of an aluminum layer after forming a heating resistor in the second embodiment of the present invention,
FIG. 9 is a conceptual diagram of a feeder pattern in the second embodiment of the present invention. 8A is a sectional view of the aluminum layer, and FIG. 8B is a perspective view of the aluminum layer.

【0032】図において、26は空間、27はポリイミ
ドによって形成されたプレート、35は基板、45はア
ルミニウム層、46a,46bは一方がリード電極を構
成し、他方が共通電極を構成する給電体、47は前記ア
ルミニウム層45の前記給電体46a,46b以外の部
分に形成された不導体、49は前記アルミニウム層39
の半円筒状部分50の頂点部分に沿って形成され、厚さ
が2000〔Å〕の帯状の発熱抵抗体である。
In the figure, 26 is a space, 27 is a plate formed of polyimide, 35 is a substrate, 45 is an aluminum layer, and 46a and 46b are power supply members in which one constitutes a lead electrode and the other constitutes a common electrode, 47 is a non-conductor formed on a portion of the aluminum layer 45 other than the power feeding bodies 46a and 46b, and 49 is the aluminum layer 39.
Is a strip-shaped heating resistor formed along the apex of the semi-cylindrical portion 50 and having a thickness of 2000 [Å].

【0033】この場合、給電体46a,46b及び不導
体47によって構成される給電体パターンは、複数組の
給電体46a,46bが指を組むように交互に半円筒状
部分50に延びている。したがって、前記発熱抵抗体4
9は1本形成されるだけでよく、給電体46a,46b
の各組に対応させて複数形成する必要がない。次に、本
発明の第3の実施例について説明する。
In this case, the feeding body pattern formed by the feeding bodies 46a and 46b and the non-conductor 47 extends alternately in the semi-cylindrical portion 50 so that a plurality of sets of feeding bodies 46a and 46b fold fingers. Therefore, the heating resistor 4
It suffices that only one 9 be formed, and the feeders 46a, 46b
It is not necessary to form a plurality of sets corresponding to each set. Next, a third embodiment of the present invention will be described.

【0034】図10は本発明の第3の実施例を示すサー
マルヘッドの要部断面図である。図において、35は基
板、51は該基板35の上に帯状に形成され、断面が半
円形の保温層である。該保温層51はグレーズガラスな
どによって形成される。そして、該保温層51の上に
は、一方がリード電極を構成し、他方が共通電極を構成
する給電体53a,53bが形成される。また、同様に
保温層12の上方の前記給電体53a,53b間に不導
体54が形成され給電体53a,53b間を絶縁すると
ともに、給電体53a,53b及び不導体54によって
一体的な層を形成している。
FIG. 10 is a sectional view of the main part of a thermal head showing the third embodiment of the present invention. In the figure, 35 is a substrate, and 51 is a heat insulating layer formed in a band shape on the substrate 35 and having a semicircular cross section. The heat retaining layer 51 is formed of glaze glass or the like. Then, on the heat retaining layer 51, power supply bodies 53a and 53b, one of which constitutes a lead electrode and the other of which constitutes a common electrode, are formed. Similarly, a non-conductor 54 is formed between the power feeding bodies 53a and 53b above the heat retaining layer 12 to insulate the power feeding bodies 53a and 53b from each other, and an integral layer is formed by the power feeding bodies 53a and 53b and the non-conductor 54. Is forming.

【0035】そして、前記不導体54の上に発熱抵抗体
59が形成される。また、前記給電体53a,53b及
び不導体54は、保温層51の頂点部分に対応する位置
に断面が半円柱状の帯状の空間61を形成する。該空間
61の内径は発熱抵抗体59の幅とほぼ等しい150
〔μm〕程度とする。そして、前記給電体53a,53
b及び発熱抵抗体59の上に保護層62が形成される。
A heating resistor 59 is formed on the non-conductor 54. Further, the power feeding bodies 53a and 53b and the non-conductor 54 form a band-shaped space 61 having a semicylindrical cross section at a position corresponding to the apex portion of the heat retaining layer 51. The inner diameter of the space 61 is approximately equal to the width of the heating resistor 59.
[Μm] Then, the power feeding bodies 53a, 53
The protective layer 62 is formed on the b and the heating resistor 59.

【0036】このようにすると、前記空間61を形成し
た分だけ保護層62が隆起するため、表面の平滑性が低
いラフペーパーを使用して熱転写によって印字を行った
場合でも、紙当たりを良好にすることができ、印字品位
を向上させることができる。なお、前記各実施例におい
ては、空間26(図1),61(図10)に空気が存在
した状態になっている。前記空間26,61を真空にす
ることによって、一層熱を逃がさないようにすることが
でき、発熱効率が向上する。この場合、図示しないレー
ザによってレーザカット部分41(図5)を形成してホ
トレジスト部37(図4)を除去した後、図示しない真
空槽内においてレーザカット部分41を再びレーザによ
って溶着するとよい。
In this way, the protective layer 62 is raised by the amount of the space 61 formed, and therefore, even when printing is performed by thermal transfer using rough paper having a low surface smoothness, good paper contact is achieved. It is possible to improve the printing quality. In each of the above-mentioned embodiments, air is present in the spaces 26 (Fig. 1) and 61 (Fig. 10). By evacuating the spaces 26 and 61, it is possible to prevent heat from escaping further, and heat generation efficiency is improved. In this case, after the laser cut portion 41 (FIG. 5) is formed by a laser (not shown) and the photoresist portion 37 (FIG. 4) is removed, the laser cut portion 41 may be welded again by a laser in a vacuum chamber (not shown).

【0037】また、前記第1、第2の実施例において
は、空間26の開口部にプレート27を有しているが、
該プレート27に代えて他の保温部材を形成してもよ
い。なお、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能
であり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
In the first and second embodiments, the plate 27 is provided at the opening of the space 26.
Instead of the plate 27, another heat retaining member may be formed. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made based on the spirit of the present invention, and they are not excluded from the scope of the present invention.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
ればサーマルヘッドは、基板の上に給電体が複数組形成
され、各組の一方がリード電極を構成し、他方が共通電
極を構成する。また、各組の給電体間に不導体が一体的
に形成され、給電体間を絶縁する。そして、前記不導体
の上の各組の給電体間に発熱抵抗体が形成され、電圧が
印加されることによって発熱する。
As described in detail above, according to the present invention, in the thermal head, a plurality of sets of power supply members are formed on the substrate, one of the sets constitutes a lead electrode, and the other forms a common electrode. Constitute. Further, a non-conductor is integrally formed between the power feeding bodies of each set to insulate the power feeding bodies from each other. Then, a heating resistor is formed between each pair of power feeding bodies on the non-conductor, and heat is generated when a voltage is applied.

【0039】この場合、前記不導体と基板の間に空間が
形成されているので、発熱抵抗体が発生した熱は他の部
分に放散することがなく、発熱効率が向上し、印字品位
を向上させることができる。しかも、保温層を有してい
ないので、サーマルヘッドによって印字を行う際の発熱
抵抗体の最大温度を高くすることができる。本発明の他
のサーマルヘッドにおいては、基板の上に保温層が形成
され、前記基板及び保温層の上に給電体が複数組形成さ
れる。そして、前記保温層の上において不導体が各組の
給電体間に一体的に形成され給電体間を絶縁し、該不導
体の上に発熱抵抗体が形成される。
In this case, since the space is formed between the non-conductor and the substrate, the heat generated by the heating resistor is not dissipated to other parts, the heat generation efficiency is improved, and the printing quality is improved. Can be made. Moreover, since the heat insulating layer is not provided, the maximum temperature of the heat generating resistor can be increased when printing is performed by the thermal head. In another thermal head of the present invention, a heat retaining layer is formed on the substrate, and a plurality of sets of power supply members are formed on the substrate and the heat retaining layer. Then, a non-conductor is integrally formed on each heat-insulating layer between the power-supplying bodies of each set to insulate the power-supplying bodies from each other, and a heating resistor is formed on the non-conductor.

【0040】この場合、前記不導体と保温層の間に空間
が形成されているので、発熱抵抗体が発生した熱は保温
層を介して他の部分に放散することがなく、発熱効率が
向上し、印字品位を向上させることができる。また、前
記空間によって隆起部が形成されるため、表面の平滑性
が低いラフペーパーを使用して熱転写によって印字を行
っても、紙当たりが良好になり、印字品位を向上させる
ことができる。
In this case, since the space is formed between the non-conductor and the heat retaining layer, the heat generated by the heating resistor is not dissipated to other portions through the heat retaining layer, and the heat generating efficiency is improved. However, the printing quality can be improved. Further, since the raised portion is formed by the space, even if printing is performed by thermal transfer using rough paper having a low surface smoothness, the paper contact is improved and the printing quality can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示すサーマルヘッドの
要部斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a main part of a thermal head showing a first embodiment of the present invention.

【図2】従来のサーマルヘッドの構造を示す概略図であ
る。
FIG. 2 is a schematic view showing the structure of a conventional thermal head.

【図3】本発明の第1の実施例を示すサーマルヘッドの
要部断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of essential parts of a thermal head showing a first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施例を示すサーマルヘッドの
製造方法を示す工程図である。
FIG. 4 is a process drawing showing the manufacturing method of the thermal head showing the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施例におけるレーザカット部
分を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a laser cut portion in the first embodiment of the present invention.

【図6】発熱抵抗体を形成する前のアルミニウム層の説
明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of an aluminum layer before forming a heating resistor.

【図7】発熱抵抗体を形成した後のアルミニウム層の説
明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of an aluminum layer after forming a heating resistor.

【図8】本発明の第2の実施例における発熱抵抗体を形
成した後のアルミニウム層の説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram of an aluminum layer after forming a heating resistor according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2の実施例における給電体パターン
の概念図である。
FIG. 9 is a conceptual diagram of a feeder pattern in the second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第3の実施例を示すサーマルヘッド
の要部断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view of essential parts of a thermal head showing a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】 23a,23b,46a,46b,53a,53b
給電体 24a,24b,47,54 不導体 26,61 空間 29,49,59 発熱抵抗体 35 基板 38 ポリイミド・レジストパターン 43 レジストパターン 51 保温層
[Explanation of reference numerals] 23a, 23b, 46a, 46b, 53a, 53b
Feeder 24a, 24b, 47, 54 Non-conductor 26, 61 Space 29, 49, 59 Heating resistor 35 Substrate 38 Polyimide resist pattern 43 Resist pattern 51 Heat insulation layer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)基板と、(b)該基板の上に複数
組形成され、各組の一方がリード電極を構成し、他方が
共通電極を構成する給電体と、(c)各組の給電体間に
一体的に形成され、給電体間を絶縁する不導体と、
(d)該不導体の上の各組の給電体間に形成され、電圧
が印加されることによって発熱する発熱抵抗体を有し、
(e)前記不導体と基板の間に空間が形成されたことを
特徴とするサーマルヘッド。
1. (a) a substrate; (b) a plurality of sets formed on the substrate, one of each set forming a lead electrode and the other forming a common electrode; and (c) each set. A non-conductor that is integrally formed between a pair of power feeding bodies and insulates between the power feeding bodies,
(D) a heating resistor that is formed between the respective sets of power supply members on the non-conductor and that generates heat when a voltage is applied,
(E) A thermal head having a space formed between the nonconductor and the substrate.
【請求項2】 (a)基板と、(b)基板の上に形成さ
れた保温層と、(c)前記基板及び保温層の上に複数組
形成され、各組の一方がリード電極を構成し、他方が共
通電極を構成する給電体と、(d)前記保温層の上にお
いて各組の給電体間に一体的に形成され、給電体間を絶
縁する不導体と、(e)該不導体の上の各組の給電体間
に形成され、電圧が印加されることによって発熱する発
熱抵抗体を有し、(f)前記不導体と保温層の間に空間
が形成されたことを特徴とするサーマルヘッド。
2. (a) a substrate; (b) a heat retaining layer formed on the substrate; and (c) a plurality of sets formed on the substrate and the heat retaining layer, one of each set constituting a lead electrode. And (e) a non-conductor that is integrally formed between the power feeding bodies of the respective groups on the heat insulating layer and that insulates the power feeding bodies from each other. It has a heating resistor that is formed between each pair of power supply members on the conductor and generates heat when a voltage is applied, and (f) a space is formed between the nonconductor and the heat retaining layer. And thermal head.
【請求項3】 (a)基板の上にレジストパターンを形
成し、(b)前記基板及びレジストパターンの上に導体
金属層を形成し、(c)該導体金属層をカットし、前記
レジストパターンを除去して導体金属層と基板の間に空
間を形成し、(d)給電体に対応する部分にレジストパ
ターンを形成し、(e)前記導体金属層が露出した部分
に対して不導体化処理を施して給電体間に不導体を形成
し、(f)該不導体の上に発熱抵抗体を形成することを
特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
3. A resist pattern is formed on (a) a substrate, (b) a conductor metal layer is formed on the substrate and the resist pattern, (c) the conductor metal layer is cut, and the resist pattern is formed. Is removed to form a space between the conductor metal layer and the substrate, (d) a resist pattern is formed in a portion corresponding to the power feeding body, and (e) the conductor metal layer is made non-conducting with respect to the exposed portion. A method of manufacturing a thermal head, characterized in that a heat treatment is performed to form a non-conductor between the power feeding bodies, and (f) a heating resistor is formed on the non-conductor.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011025633A (en) * 2009-07-29 2011-02-10 Kyocera Corp Wiring board, method for manufacturing the same, recording head and recorder

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