JPH0577466A - Production of thermal head - Google Patents

Production of thermal head

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Publication number
JPH0577466A
JPH0577466A JP23914191A JP23914191A JPH0577466A JP H0577466 A JPH0577466 A JP H0577466A JP 23914191 A JP23914191 A JP 23914191A JP 23914191 A JP23914191 A JP 23914191A JP H0577466 A JPH0577466 A JP H0577466A
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JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
polyimide resin
heating resistor
pattern
glaze layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP23914191A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kimiya Ichikawa
公也 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication of JPH0577466A publication Critical patent/JPH0577466A/en
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Abstract

PURPOSE:To reduce manufacturing cost and to easily align the pattern of a glaze layer with that of a heating resistor. CONSTITUTION:A polyimide resin is applied to an alumina ceramic substrate 11 and a photoresist is applied to the polyimide resin layer and, after a polyimide resin pattern is formed to the photoresist, the photoresist is exposed, developed and etched to form a strip like polyimide resin layer 17 extending in a main scanning direction. A metal is applied to the layer 17 by vapor deposition and the photoresist and the metal film on the photoresist are peeled off to expose the polyimide resin layer 17. Continuously, the photoresist is applied and, after a lead electrode pattern is formed to the photoresist, the photoresist is exposed, developed and etched to form lead electrodes 13. Next, the whole is subjected to sputtering to form the film of a heating resistor 18. Since a process applying etching to a glaze layer 12 becomes unnecessary, it becomes unnecessary to perform alignment when etching is performed in order to form the lead electrodes 13.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、サーマルヘッドの製造
方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a thermal head.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、感熱式のプリンタにおいては、基
板上に1又は複数の発熱抵抗体を設けてサーマルヘッド
を形成し、リード電極を介して上記発熱抵抗体に駆動電
流を流すことによって発熱させ、この熱を利用して感熱
紙に印字するか、熱転写フィルムによって熱転写して印
字するようになっている。そして、発熱抵抗体と基板間
にグレーズ層が形成され、発熱抵抗体が発生した熱は上
記グレーズ層に蓄熱される。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a thermal printer, one or a plurality of heating resistors are provided on a substrate to form a thermal head, and a drive current is supplied to the heating resistors via lead electrodes to generate heat. Then, the heat is used to print on a thermal paper, or a thermal transfer film is used to perform thermal transfer for printing. A glaze layer is formed between the heating resistor and the substrate, and the heat generated by the heating resistor is stored in the glaze layer.

【0003】この場合、グレーズ層にエッチングを施し
て凸部を形成するか、グレーズ層を印刷によって2段状
に突出させて凸部を形成し、凸部の発熱抵抗体の面をリ
ード電極の面より高くしている(特開昭57−4507
3号公報参照)。図2は従来のサーマルヘッドの平面
図、図3は従来のサーマルヘッドの断面図である。
In this case, the glaze layer is etched to form a convex portion, or the glaze layer is projected in two steps by printing to form a convex portion, and the surface of the heating resistor of the convex portion is used as a lead electrode. It is higher than the surface (JP-A-57-4507).
See Japanese Patent Publication No. 3). 2 is a plan view of a conventional thermal head, and FIG. 3 is a sectional view of the conventional thermal head.

【0004】図において、1は基板、2は該基板1の上
に形成されるグレーズ層である。該グレーズ層2の表面
には、副走査長の幅を有する凸部2aが化学エッチン
グ、プラズマエッチング、研削、印刷等によって形成さ
れる。3は上記グレーズ層2の上に形成される発熱抵抗
体である。該発熱抵抗体3は、図2のように互いに分離
した多数の細条体が平行に並ぶように形成される。4,
5は上記凸部2a以外の部分の発熱抵抗体3の上に形成
されたリード電極、6は上記構成の積層体の全面を覆う
ようにして形成される保護膜である。
In the figure, 1 is a substrate and 2 is a glaze layer formed on the substrate 1. On the surface of the glaze layer 2, a convex portion 2a having a width of the sub-scanning length is formed by chemical etching, plasma etching, grinding, printing or the like. A heating resistor 3 is formed on the glaze layer 2. The heating resistor 3 is formed such that a large number of strips separated from each other are arranged in parallel as shown in FIG. 4,
Reference numeral 5 is a lead electrode formed on the heating resistor 3 other than the convex portion 2a, and 6 is a protective film formed so as to cover the entire surface of the laminated body having the above structure.

【0005】上記のように構成にすることによって発熱
抵抗体3の表面がリード電極4,5より上方に突出し、
感熱紙又は熱転写フィルムとの接触状態が良好になるた
め、印字効率が向上する。さらに、発熱抵抗体3を形成
する部分にグレーズ層2を形成する部分グレーズ型のサ
ーマルヘッドに上記技術を適用すると、プラテンローラ
と発熱抵抗体3間のニップ圧力を向上させ、特に平滑度
の低い用紙に熱転写記録を行う場合に熱転写率を向上さ
せることができる。
With the above-described structure, the surface of the heating resistor 3 projects above the lead electrodes 4 and 5,
Since the contact state with the thermal paper or the thermal transfer film is improved, the printing efficiency is improved. Further, when the above technique is applied to the partial glaze type thermal head in which the glaze layer 2 is formed in the portion where the heating resistor 3 is formed, the nip pressure between the platen roller and the heating resistor 3 is improved, and the smoothness is particularly low. The thermal transfer rate can be improved when thermal transfer recording is performed on a sheet.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のサーマルヘッドの製造方法においては、製造工程の
作業が繁雑になり製造コストが上昇してしまう。すなわ
ち、グレーズ層2は、ホトリソグラフィによって必要な
部分以外を必要量だけエッチングすることによって段差
が形成される。次に、発熱抵抗体3の薄膜を形成する際
に段差による膜切れ(段切れ)が発生するのを防止する
ため、800°C程度の高温でリフローし、段差を曲面
化する。したがって、製造工程の数が多くなり、その分
歩留り損失を生じやすくなって製造コストが上昇してし
まう。
However, in the above-described conventional method of manufacturing a thermal head, the work of the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing cost increases. That is, in the glaze layer 2, a step is formed by etching a required amount by etching other than a required portion by photolithography. Next, in order to prevent film breakage (step breakage) due to steps when forming the thin film of the heating resistor 3, reflow is performed at a high temperature of about 800 ° C. to make the steps curved. Therefore, the number of manufacturing steps is increased, yield loss is likely to occur, and the manufacturing cost is increased.

【0007】また、上記グレーズ層2の上に発熱抵抗体
3のパターンを形成する場合、同様にホトリソグラフィ
が用いられるが、グレーズ層2のエッチングのためのパ
ターンと発熱抵抗体3のパターン間で高精度の位置合せ
を行う必要がある。ところが、グレーズ層2の一部をエ
ッチングした後リフローした表面は、段差がなだらかに
なり光学的にエッジを検出することができず、位置合せ
を行うことが困難になってしまう。
When the pattern of the heating resistor 3 is formed on the glaze layer 2, photolithography is similarly used, but between the pattern for etching the glaze layer 2 and the pattern of the heating resistor 3. It is necessary to perform highly accurate alignment. However, the surface reflowed after etching a part of the glaze layer 2 has a gradual step, which makes it impossible to optically detect an edge, which makes alignment difficult.

【0008】また、グレーズ層2を部分的に2段状に突
出させる場合も、印刷、焼成等の回数が増加して歩留り
損失が生じやすくなるだけでなく、パターンの位置合せ
が困難になってしまう。本発明は、上記従来のサーマル
ヘッドの製造方法の問題点を解決して、発熱抵抗体の下
のグレーズ層を部分的に凸状とする場合の製造コストを
低減し、グレーズ層のパターンと発熱抵抗体のパターン
との位置合せを容易に行うことができるサーマルヘッド
の製造方法を提供することを目的とする。
Also, when the glaze layer 2 is partially projected in two steps, not only the number of times of printing and baking increases but yield loss easily occurs, but also pattern alignment becomes difficult. I will end up. The present invention solves the problems of the conventional method of manufacturing the thermal head, reduces the manufacturing cost when the glaze layer below the heating resistor is partially convex, and reduces the pattern of the glaze layer and heat generation. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thermal head, which can be easily aligned with a resistor pattern.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】そのために、本発明のサ
ーマルヘッドの製造方法においては、基材の上にポリイ
ミド樹脂を塗布し、該ポリイミド樹脂の上にホトレジス
トを塗布し、該ホトレジストにポリイミド樹脂パターン
を形成して露光し、現像した後にエッチングを施して主
走査方向に延びる帯状のポリイミド樹脂層を形成する。
Therefore, in the method of manufacturing a thermal head of the present invention, a polyimide resin is applied on a substrate, a photoresist is applied on the polyimide resin, and the polyimide resin is applied to the photoresist. A pattern is formed, exposed, developed, and then etched to form a strip-shaped polyimide resin layer extending in the main scanning direction.

【0010】そして、その上から金属を蒸着し、上記ホ
トレジスト及びホトレジストの上の金属の膜を剥離し
て、上記ポリイミド樹脂層を露出させる。続いてホトレ
ジストを塗布し、該ホトレジストにリード電極パターン
を形成して露光し、現像した後にエッチングを施してリ
ード電極を形成する。該リード電極は、上記帯状のポリ
イミド樹脂層によって個別電極と共通電極に分離され
る。
Then, a metal is vapor-deposited thereon, and the photoresist and the metal film on the photoresist are peeled off to expose the polyimide resin layer. Subsequently, a photoresist is applied, a lead electrode pattern is formed on the photoresist, exposed, developed, and etched to form a lead electrode. The lead electrodes are separated into individual electrodes and common electrodes by the strip-shaped polyimide resin layer.

【0011】次に全体をスパッタリングして発熱抵抗体
の膜を形成する。
Next, the whole is sputtered to form a film of a heating resistor.

【0012】[0012]

【作用】本発明によれば、上記のように基材の上にポリ
イミド樹脂を塗布し、該ポリイミド樹脂の上にホトレジ
ストを塗布し、該ホトレジストにポリイミド樹脂パター
ンを形成して露光し、現像した後にエッチングを施して
主走査方向に延びる帯状のポリイミド樹脂層を形成す
る。
According to the present invention, the polyimide resin is coated on the substrate as described above, the photoresist is coated on the polyimide resin, and the polyimide resin pattern is formed on the photoresist, exposed and developed. After that, etching is performed to form a strip-shaped polyimide resin layer extending in the main scanning direction.

【0013】そして、その上から金属を蒸着し、上記ホ
トレジスト及びホトレジストの上の金属の膜を剥離し
て、上記ポリイミド樹脂層を露出させる。該ポリイミド
樹脂層以外の部分は金属の膜が形成された状態となる。
続いてホトレジストを塗布し、該ホトレジストにリード
電極パターンを形成して露光し、現像した後にエッチン
グを施してリード電極を形成する。該リード電極は、上
記帯状のポリイミド樹脂層によって個別電極と共通電極
に分離される。
Then, a metal is vapor-deposited thereon, and the photoresist and the metal film on the photoresist are peeled off to expose the polyimide resin layer. A portion other than the polyimide resin layer has a metal film formed thereon.
Subsequently, a photoresist is applied, a lead electrode pattern is formed on the photoresist, exposed, developed, and etched to form a lead electrode. The lead electrodes are separated into individual electrodes and common electrodes by the strip-shaped polyimide resin layer.

【0014】次に全体をスパッタリングして発熱抵抗体
の膜を形成する。この時、上記ポリイミド樹脂層及びリ
ード電極が形成された部分と、それらが形成されない部
分間で段差が生じ、電気的に分離される。したがって、
グレーズ層にエッチングを施す工程が不要となるため、
リード電極を形成するためにエッチングを行う際に位置
合せを行う必要がなくなる。
Next, the whole is sputtered to form a film of a heating resistor. At this time, a step is formed between a portion where the polyimide resin layer and the lead electrode are formed and a portion where the lead electrode is not formed, and the portions are electrically separated. Therefore,
Since the step of etching the glaze layer is unnecessary,
It is not necessary to perform alignment when performing etching for forming the lead electrode.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の製造方法によっ
て製造したサーマルヘッドの斜視図、図4は本発明の製
造方法によって製造したサーマルヘッドの平面図、図5
は本発明のサーマルヘッドの製造方法の製造工程図、図
6は本発明のサーマルヘッドの製造方法における製造工
程の状態図である。図6の(a)はホトレジストの塗
布、硬化工程の状態を、(b)は導体金属の蒸着工程の
状態を、(c)は発熱抵抗体のスパッタリング工程の状
態を、(d)は保護膜のスパッタリング工程の状態を示
している。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. 1 is a perspective view of a thermal head manufactured by the manufacturing method of the present invention, FIG. 4 is a plan view of a thermal head manufactured by the manufacturing method of the present invention, and FIG.
FIG. 6 is a manufacturing process diagram of the thermal head manufacturing method of the present invention, and FIG. 6A shows the state of the photoresist coating and curing process, FIG. 6B shows the state of the conductive metal vapor deposition process, FIG. 6C shows the state of the heating resistor sputtering process, and FIG. 6D shows the protective film. The state of the sputtering process is shown.

【0016】図1及び図4において、11はアルミナ
(Al2 3 )セラミック基板、12は該アルミナセラ
ミック基板11の上に形成されて基材を構成するととも
に、蓄熱を行うグレーズ層、13は該グレーズ層12の
上に形成されたリード電極である。該リード電極13は
共通電極14と個別電極15から成り、印字データに対
応する駆動電流が流される。
In FIGS. 1 and 4, 11 is an alumina (Al 2 O 3 ) ceramic substrate, 12 is a glaze layer which is formed on the alumina ceramic substrate 11 to form a base material and which stores heat, and 13 is a glaze layer. It is a lead electrode formed on the glaze layer 12. The lead electrode 13 is composed of a common electrode 14 and an individual electrode 15, and a drive current corresponding to print data is passed.

【0017】17は上記共通電極14と個別電極15間
において主走査方向に延びる帯状のポリイミド樹脂層で
ある。18は表面全体を覆う金属製の発熱抵抗体であ
る。該発熱抵抗体18は、上記ポリイミド樹脂層17の
表面に形成される帯状部分18a、上記共通電極14及
び個別電極15の表面に形成される電極部分18b及び
上記グレーズ層12の表面に形成されるグレーズ層部分
18cから成る。上記帯状部分18aは発熱に寄与する
が、電極部分18b及びグレーズ層部分18cは発熱に
寄与しない。また、19は上記発熱抵抗体18を覆う保
護膜である。
Reference numeral 17 denotes a strip-shaped polyimide resin layer extending in the main scanning direction between the common electrode 14 and the individual electrode 15. Reference numeral 18 is a metal heating resistor that covers the entire surface. The heating resistor 18 is formed on the strip-shaped portion 18a formed on the surface of the polyimide resin layer 17, the electrode portion 18b formed on the surfaces of the common electrode 14 and the individual electrode 15, and the surface of the glaze layer 12. It consists of a glaze layer portion 18c. The strip portion 18a contributes to heat generation, but the electrode portion 18b and the glaze layer portion 18c do not contribute to heat generation. Reference numeral 19 is a protective film that covers the heating resistor 18.

【0018】次に、図5及び図6に基づいて本発明のサ
ーマルヘッドの製造方法の製造工程について説明する。
まず、全面にグレーズ層12を形成したアルミナセラミ
ック基板11にポリイミド樹脂を、例えばスピンコート
によって厚さ1μmになるように塗布し、硬化させる。
硬化のための条件は、例えば温度を350°Cとし、処
理時間を1時間とする。この上にホトレジスト21を厚
さ3μm以上になるように塗布し、硬化させる(図6
(a)参照)。硬化のための条件は、例えば温度を90
°Cとし、処理時間を30分程度とする。
Next, the manufacturing process of the method of manufacturing the thermal head of the present invention will be described with reference to FIGS.
First, a polyimide resin is applied to the alumina ceramic substrate 11 having the glaze layer 12 formed on the entire surface by, for example, spin coating so as to have a thickness of 1 μm, and is cured.
The conditions for curing are, for example, a temperature of 350 ° C. and a treatment time of 1 hour. A photoresist 21 is applied thereon so as to have a thickness of 3 μm or more and cured (see FIG. 6).
(See (a)). Conditions for curing include, for example, a temperature of 90
C. and processing time is about 30 minutes.

【0019】次に、上記ホトレジスト21に対して、発
熱抵抗体18の副走査方向の長さに相当する幅を持つポ
リイミド樹脂パターンを露光し、現像した後、ポリイミ
ド樹脂にエッチングを施す。例えば、分解能8ドット/
mmのサーマルヘッドの場合、上記幅は約150μmで
ある。また、上記エッチングにはヒドラジンを用いる。
その後、導体の金属を蒸着する(図6(b)参照)。金
属には、例えばAlを用い、Alの膜厚は1μmとす
る。
Next, a polyimide resin pattern having a width corresponding to the length of the heating resistor 18 in the sub-scanning direction is exposed on the photoresist 21 and developed, and then the polyimide resin is etched. For example, resolution 8 dots /
For a mm thermal head, the width is about 150 μm. In addition, hydrazine is used for the above etching.
After that, a conductor metal is vapor-deposited (see FIG. 6B). For example, Al is used as the metal, and the film thickness of Al is 1 μm.

【0020】次に、アセトン中において超音波洗浄を行
い、ポリイミド樹脂パターンの部分のホトレジスト21
を溶解し、その上に蒸着されたAlの膜を剥離する。こ
の時、ポリイミド樹脂パターンの部分の下のポリイミド
樹脂が残る。次に、再びホトレジストを塗布し、リード
電極パターンを露光し、現像し、硬化させる。そして、
上記リード電極パターンをマスクにして、例えば H3 PO4 :HNO3 :CH3 COOH:H2 O=16:1:2:1 のエッチング液でAlの膜をエッチングする。
Next, ultrasonic cleaning is performed in acetone to remove the photoresist 21 on the polyimide resin pattern portion.
Is melted and the Al film deposited thereon is peeled off. At this time, the polyimide resin under the portion of the polyimide resin pattern remains. Next, a photoresist is applied again, and the lead electrode pattern is exposed, developed, and cured. And
Using the lead electrode pattern as a mask, the Al film is etched with an etching solution of H 3 PO 4 : HNO 3 : CH 3 COOH: H 2 O = 16: 1: 2: 1, for example.

【0021】この後、スパッタリングによって金属、例
えばTa2 Nの発熱抵抗体18の膜を形成(図6(c)
参照)し、次に保護膜19として例えばSiO2 及びT
2 5 の膜をそれぞれ2μmずつスパッタリングによ
って形成する。この時、上記発熱抵抗体18の膜厚が1
000Å程度であれば、リード電極13とグレーズ層1
2間の段差が1μmで段切れが発生し、発熱抵抗体18
は発熱に寄与する帯状部分18aと発熱に寄与しない電
極部分18b及びグレーズ層部分18cとに電気的に分
離される。
Thereafter, a film of the heating resistor 18 made of a metal such as Ta 2 N is formed by sputtering (FIG. 6C).
Then, as a protective film 19, for example, SiO 2 and T
A film of a 2 O 5 is formed to a thickness of 2 μm by sputtering. At this time, the thickness of the heating resistor 18 is 1
If it is about 000Å, the lead electrode 13 and the glaze layer 1
When the step between the two is 1 μm, a step break occurs and the heating resistor 18
Is electrically separated into a strip portion 18a that contributes to heat generation, and an electrode portion 18b and a glaze layer portion 18c that do not contribute to heat generation.

【0022】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形すること
が可能であり、それらを本発明の範囲から排除するもの
ではない。例えばポリイミド樹脂の硬化のための条件
を、温度を140°Cとし、処理時間を30分とする
と、ホトレジストの現像工程において、現像液でポリイ
ミド樹脂にエッチングを施すことができる。この場合、
ポリイミド樹脂は2度の硬化が必要となり、ホトレジス
トを溶解した後に350°Cで1時間処理される。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but various modifications can be made based on the spirit of the present invention, and they are not excluded from the scope of the present invention. For example, when the temperature for curing the polyimide resin is 140 ° C. and the treatment time is 30 minutes, the polyimide resin can be etched with a developing solution in the photoresist developing step. in this case,
The polyimide resin needs to be cured twice, and is treated at 350 ° C. for 1 hour after dissolving the photoresist.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、基材の上にポリイミド樹脂を塗布し、該ポリイミ
ド樹脂の上にホトレジストを塗布し、該ホトレジストに
ポリイミド樹脂パターンを形成して露光し、現像した後
にエッチングを施して主走査方向に延びる帯状のポリイ
ミド樹脂層を形成する。そして、その上から金属を蒸着
し、上記ホトレジスト及び金属の膜を剥離して、上記ポ
リイミド樹脂層を露出させる。そして、再びホトレジス
トを塗布し、該ホトレジストにリード電極パターンを形
成して露光し、現像した後にエッチングを施してリード
電極を形成する。次に全体をスパッタリングして発熱抵
抗体の膜を形成する。
As described in detail above, according to the present invention, a polyimide resin is applied on a substrate, a photoresist is applied on the polyimide resin, and a polyimide resin pattern is formed on the photoresist. After exposure, development, and etching are performed to form a strip-shaped polyimide resin layer extending in the main scanning direction. Then, a metal is vapor-deposited thereon, and the photoresist and the metal film are peeled off to expose the polyimide resin layer. Then, a photoresist is applied again, a lead electrode pattern is formed on the photoresist, exposed, developed, and etched to form a lead electrode. Next, the whole is sputtered to form a film of a heating resistor.

【0024】したがって、帯状のポリイミド樹脂の上に
は金属が形成されず、この上に発熱抵抗体の膜を形成す
ると、自動的にこの部分のみが発熱体部分となる。ま
た、凸部を形成するための工程が簡素化されるととも
に、凸部とリード電極パターンや発熱抵抗体パターンと
の位置合せが不要(セルフアライン)となる。そして、
ポリイミド樹脂は熱伝導率や比熱が低いため蓄熱作用を
有しており、グレーズ層に凸部を形成した場合よりも熱
効率が向上する。
Therefore, no metal is formed on the strip-shaped polyimide resin, and when a film of the heating resistor is formed on this, only this portion automatically becomes the heating element portion. In addition, the process for forming the protrusions is simplified, and the alignment of the protrusions with the lead electrode pattern or the heating resistor pattern becomes unnecessary (self-alignment). And
Since the polyimide resin has a low thermal conductivity and a low specific heat, it has a heat storage effect, and the thermal efficiency is improved as compared with the case where the convex portion is formed on the glaze layer.

【0025】さらに、リード電極を形成した後に発熱抵
抗体をスパッタリングするため、リード電極と発熱抵抗
体はポリイミド樹脂の界面のみで電気的に接続し、個別
の端子間は分離されるので、エッチングが不要となり発
熱抵抗体を形成する製造工程が簡素化される。
Further, since the heating resistor is sputtered after forming the lead electrode, the lead electrode and the heating resistor are electrically connected only at the interface of the polyimide resin, and the individual terminals are separated from each other. It becomes unnecessary and the manufacturing process for forming the heating resistor is simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の製造方法によって製造したサーマルヘ
ッドの斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a thermal head manufactured by a manufacturing method of the present invention.

【図2】従来のサーマルヘッドの平面図である。FIG. 2 is a plan view of a conventional thermal head.

【図3】従来のサーマルヘッドの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a conventional thermal head.

【図4】本発明の製造方法によって製造したサーマルヘ
ッドの平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a thermal head manufactured by the manufacturing method of the present invention.

【図5】本発明のサーマルヘッドの製造方法の製造工程
図である。
FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the method for manufacturing the thermal head of the present invention.

【図6】本発明のサーマルヘッドの製造方法における製
造工程の状態図である。
FIG. 6 is a state diagram of a manufacturing process in a method of manufacturing a thermal head according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 アルミナセラミック基板 12 グレーズ層 13 リード電極 14 共通電極 15 個別電極 17 ポリイミド樹脂層 18 発熱抵抗体 19 保護膜 21 ホトレジスト 11 Alumina Ceramic Substrate 12 Glaze Layer 13 Lead Electrode 14 Common Electrode 15 Individual Electrode 17 Polyimide Resin Layer 18 Heating Resistor 19 Protective Film 21 Photoresist

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)基材の上にポリイミド樹脂を塗布
し、該ポリイミド樹脂の上にホトレジストを塗布し、 (b)該ホトレジストにポリイミド樹脂パターンを形成
して露光し、現像した後にエッチングを施して主走査方
向に延びる帯状のポリイミド樹脂層を形成し、 (c)その上から金属を蒸着し、 (d)次に、上記ホトレジスト及びホトレジストの上の
金属の膜を剥離して、上記ポリイミド樹脂層を露出さ
せ、 (e)続いてホトレジストを塗布し、 (f)該ホトレジストにリード電極パターンを形成して
露光し、現像した後にエッチングを施してリード電極を
形成し、 (g)次に全体をスパッタリングして発熱抵抗体の膜を
形成したことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
1. A method comprising: (a) applying a polyimide resin on a base material, applying a photoresist on the polyimide resin; and (b) forming a polyimide resin pattern on the photoresist, exposing it, developing it, and then etching. To form a strip-shaped polyimide resin layer extending in the main scanning direction, (c) metal is vapor-deposited thereon, and (d) next, the photoresist and the metal film on the photoresist are peeled off, and The polyimide resin layer is exposed, (e) a photoresist is subsequently applied, and (f) a lead electrode pattern is formed on the photoresist, exposed, and developed to form a lead electrode by etching, and (g) a next step. A method of manufacturing a thermal head, characterized in that a film of a heating resistor is formed by sputtering the whole on a substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6377815A (en) * 1986-09-19 1988-04-08 Masahiko Izumi Drug-containing ultrafine water drop and production thereof

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