JPH06237170A - Pll frequency synthesizer - Google Patents

Pll frequency synthesizer

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Publication number
JPH06237170A
JPH06237170A JP5022685A JP2268593A JPH06237170A JP H06237170 A JPH06237170 A JP H06237170A JP 5022685 A JP5022685 A JP 5022685A JP 2268593 A JP2268593 A JP 2268593A JP H06237170 A JPH06237170 A JP H06237170A
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JP
Japan
Prior art keywords
channel
low
controlled oscillator
voltage controlled
charge pump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5022685A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuuji Oosumi
勇二 大炭
Hiroaki Kosugi
裕昭 小杉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP5022685A priority Critical patent/JPH06237170A/en
Publication of JPH06237170A publication Critical patent/JPH06237170A/en
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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain the small sized synthesizer in which switching between channels of an oscillated frequency is quickened and a change in a spurious characteristic or the like is small between channels by setting a control voltage of a low channel of a voltage controlled oscillator at its low modulation sensitivity and setting the control voltage of a high channel of the voltage controlled oscillator at its high modulation sensitivity. CONSTITUTION:The PLL frequency synthesizer for 1GHz band is made up of a phase locked loop by means of a voltage controlled oscillator 1, a loop filter 2, a frequency division ratio setting circuit 3, a variable frequency divider 4, a phase comparator 5, and a charge pump 6. The frequency division ratio setting circuit 3, the variable frequency divider 4, the phase comparator 5, and the charge pump 6 are integrated in one chip to use as an IC7. The loop gain is increased by using a PNP transistor(TR) with a low DC amplification factor of the charge pump 6 by setting a control voltage for a low channel and a high channel of the voltage controlled oscillator 1 at its low and high modulation sensitivity.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はTDMA方式のデジタル
伝送装置の局部発振器に使用されるPLL周波数シンセ
サイザに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a PLL frequency synthesizer used for a local oscillator of a TDMA digital transmission device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3に一般的なPLL周波数シンセサイ
ザの構成を示すブロック図、図4に電圧制御発振器の変
調感度に対する発振周波数のチャンネル設定の一例を示
す。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a general PLL frequency synthesizer, and FIG. 4 shows an example of channel setting of an oscillation frequency with respect to modulation sensitivity of a voltage controlled oscillator.

【0003】図3において、1は電圧制御発振器、2は
抵抗R1,R2及びコンデンサCからなるループフィル
タ、3は分周比設定回路、4は可変分周器、5は位相比
較器、6はPNPトランジスタ8とNPNトランジスタ
9からなるチャージポンプである。
In FIG. 3, 1 is a voltage controlled oscillator, 2 is a loop filter consisting of resistors R 1 and R 2 and capacitor C, 3 is a frequency division ratio setting circuit, 4 is a variable frequency divider, 5 is a phase comparator, Reference numeral 6 is a charge pump including a PNP transistor 8 and an NPN transistor 9.

【0004】以下にその動作について説明する。The operation will be described below.

【0005】電圧制御発振器1の発振周波数S1は可変
分周器4で分周され、分周信号S2は位相比較器5で基
準信号S3と位相比較される。チャージポンプ6から出
力される誤差信号S4はループフィルタ2で積分された
後、制御信号S5として電圧制御発振器1にフィードバ
ックされる。
The oscillation frequency S 1 of the voltage controlled oscillator 1 is divided by the variable frequency divider 4, and the divided signal S 2 is phase-compared with the reference signal S 3 by the phase comparator 5. The error signal S 4 output from the charge pump 6 is integrated by the loop filter 2 and then fed back to the voltage controlled oscillator 1 as a control signal S 5 .

【0006】すなわち、電圧制御発振器1の発振周波数
1が基準信号S3よりも低い場合は、位相比較器5の出
力端子1はローレベル、出力端子2もローレベルとな
り、NPNトランジスタ9はオフ、PNPトランジスタ
8はオンし、ループフィルタ2のコンデンサCが充電さ
れ、制御信号S5の制御電圧が上がり、電圧制御発振器
1の発振周波数S1が上がる。
Namely, when the oscillation frequency S 1 of the voltage controlled oscillator 1 is lower than the reference signal S 3 is output pin 1 is low level of the phase comparator 5, the output terminal 2 becomes a low level, NPN transistor 9 off , The PNP transistor 8 is turned on, the capacitor C of the loop filter 2 is charged, the control voltage of the control signal S 5 rises, and the oscillation frequency S 1 of the voltage controlled oscillator 1 rises.

【0007】一方、電圧制御発振器1の発振周波数S1
が基準信号S3よりも高い場合は、位相比較器5の出力
端子1はハイレベル、出力端子2もハイレベルとなり、
NPNトランジスタ9はオン、PNPトランジスタ8は
オフし、ループフィルタ2のコンデンサCが放電され、
制御信号S5の制御電圧が下がり、電圧制御発振器1の
発振周波数S1が下がる。
On the other hand, the oscillation frequency S 1 of the voltage controlled oscillator 1
Is higher than the reference signal S 3 , the output terminal 1 of the phase comparator 5 is at high level and the output terminal 2 is also at high level,
The NPN transistor 9 is turned on, the PNP transistor 8 is turned off, the capacitor C of the loop filter 2 is discharged,
The control voltage of the control signal S 5 drops, and the oscillation frequency S 1 of the voltage controlled oscillator 1 drops.

【0008】発振周波数S1のチャンネル切換は分周比
設定回路3で可変分周器4の分周比を切り換えて行う。
The channel switching of the oscillation frequency S 1 is performed by switching the frequency division ratio of the variable frequency divider 4 in the frequency division ratio setting circuit 3.

【0009】図4に示すように変調感度特性がリニアな
部分にローチャンネルLC、センターチャンネルSC、
ハイチャンネルHCの制御電圧を設定している。
As shown in FIG. 4, a low channel LC, a center channel SC,
The control voltage of the high channel HC is set.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、チャージポンプのNPNトランジスタ9に
比ベてPNPトランジスタ8の直流増幅率を高くできな
いためコンデンサCへの充電時間が放電時間に比べて遅
くなる。そのため位相比較利得がローチャンネルでは高
く、ハイチャンネルでは低くなり、その結果ループ利得
がローチャンネルでは高く、ハイチャンネルでは低くな
る。
However, in the above-mentioned conventional configuration, the DC amplification factor of the PNP transistor 8 cannot be made higher than that of the NPN transistor 9 of the charge pump, so that the charging time of the capacitor C is slower than the discharging time. Become. Therefore, the phase comparison gain is high in the low channel and low in the high channel, so that the loop gain is high in the low channel and low in the high channel.

【0011】従って、発振周波数のハイチャンネルから
ローチャンネルへの切換時間は速いが、ローチャンネル
からハイチャンネルへの切換時間が遅いため高速の周波
数切換の必要なTDMA方式の伝送装置の局部発振器に
は使用できない。
Therefore, although the switching time of the oscillation frequency from the high channel to the low channel is fast, the switching time from the low channel to the high channel is slow, so that the local oscillator of the TDMA transmission apparatus which requires high-speed frequency switching is used. I can not use it.

【0012】また、ローチャンネルとハイチャンネルで
スプリアス等の特性が大きく異なるという問題を有して
いた。
Further, there is a problem that the characteristics such as spurious are greatly different between the low channel and the high channel.

【0013】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ローチャンネルからハイチャンネルへの切換時間が
速く、チャンネルによってスプリアス等の特性が変化し
ないPLL周波数シンセサイザを提供することを目的と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a PLL frequency synthesizer in which the switching time from the low channel to the high channel is fast and the characteristics such as spurious are not changed depending on the channel.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、電圧制御発振器のローチャンネルの制御電
圧を電圧制御発振器の変調感度の低い部分に、ハイチャ
ンネルの制御電圧を変調感度の高い部分にそれぞれ設定
したことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION To solve this problem, the present invention provides a low-channel control voltage of a voltage-controlled oscillator to a low modulation sensitivity portion of a voltage-controlled oscillator and a high-channel control voltage of a modulation sensitivity to a low modulation sensitivity portion. It is characterized in that it is set in each high part.

【0015】[0015]

【作用】本発明によれば、電圧制御発振器のローチャン
ネル,ハイチャンネルの制御電圧を変調感度の低い、高
い部分に夫々設定することにより、チャージポンプの直
流増幅率の低いPNPトランジスタを用いてもループ利
得を上げることが出来るため、発振周波数のローチャン
ネルからハイチャンネルへの切換時間をハイチャンネル
からローチャンネルへの切換時間と同等に高速化でき、
さらにチャンネルによってスプリアス等の特性が変化し
ない。
According to the present invention, the low-channel and high-channel control voltages of the voltage controlled oscillator are set to the low and high modulation sensitivities, respectively, so that the PNP transistor having the low DC amplification factor of the charge pump can be used. Since the loop gain can be increased, the switching time of the oscillation frequency from the low channel to the high channel can be made as fast as the switching time from the high channel to the low channel,
Furthermore, characteristics such as spurious do not change depending on the channel.

【0016】また、可変分周器、位相比較器、PNPト
ランジスタ、NPNトランジスタを用いたチャージポン
プを集積化した場合、PNPトランジスタの直流増幅率
をNPNトランジスタと同じにすることは困難である。
特に高速化が要求される場合、チャージポンプを外付け
のディスクリートトランジスタで構成しており、小型化
が困難であった。しかし、PNPトランジスタの直流増
幅率が低くてもループ利得を上げることができるため、
可変分周器、位相比較器、チャージポンプを1チップに
集積化できる。
Further, when a charge divider using a variable frequency divider, a phase comparator, a PNP transistor and an NPN transistor is integrated, it is difficult to make the DC amplification factor of the PNP transistor the same as that of the NPN transistor.
In particular, when high speed is required, the charge pump is composed of an external discrete transistor, which makes it difficult to reduce the size. However, since the loop gain can be increased even if the DC amplification factor of the PNP transistor is low,
The variable frequency divider, phase comparator, and charge pump can be integrated on one chip.

【0017】[0017]

【実施例】図1は本発明の一実施例の周波数シンセサイ
ザの構成を示すブロック図、図2は本実施例の電圧制御
発振器の変調感度に対する発振周波数のチャンネル設定
の一例を示す図である。図1において、前記図3と同一
符号は同一部分あるいは同一要素を示し、その説明は省
略する。
1 is a block diagram showing a configuration of a frequency synthesizer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing an example of channel setting of an oscillation frequency with respect to modulation sensitivity of a voltage controlled oscillator according to the present embodiment. In FIG. 1, the same reference numerals as those in FIG. 3 indicate the same parts or the same elements, and the description thereof will be omitted.

【0018】本実施例は電圧制御発振器1,ループフィ
ルタ2,分周比設定回路3,可変分周器4,位相比較器
5,チャージポンプ6で位相同期ループを構成した1G
Hz帯のPLL周波数シンセサイザである。本実施例の
図3と異なる構成は、分周比設定回路3,可変分周器
4,位相比較器5,チャージポンプ6を1チップの集積
化してIC7を用いている。
In this embodiment, a voltage controlled oscillator 1, a loop filter 2, a frequency division ratio setting circuit 3, a variable frequency divider 4, a phase comparator 5, and a charge pump 6 constitute a phase locked loop 1G.
It is a PLL frequency synthesizer in the Hz band. The configuration different from that of FIG. 3 of this embodiment uses an IC 7 by integrating the frequency division ratio setting circuit 3, the variable frequency divider 4, the phase comparator 5, and the charge pump 6 in one chip.

【0019】そして、図2に示す電圧制御発振器の変調
感度に対する発振周波数のチャンネル設定に特徴を有す
る。
Further, it is characterized by the channel setting of the oscillation frequency with respect to the modulation sensitivity of the voltage controlled oscillator shown in FIG.

【0020】図2に示すように電圧制御発振器1の制御
電圧(V)の範囲は0〜3Vであり、制御電圧が約1.5V
を境に変調感度が33MHz/Vから44MHz/Vに変化し
ている。
As shown in FIG. 2, the range of the control voltage (V) of the voltage controlled oscillator 1 is 0 to 3V, and the control voltage is about 1.5V.
The modulation sensitivity changes from 33 MHz / V to 44 MHz / V.

【0021】本実施例では、変調感度が変化する制御電
圧(約1.5V)をセンターチャンネルSCとし、ローチャ
ンネルLCの制御電圧を約1.0V、ハイチャンネルHC
の制御電圧を約1.8Vとした点に特長を有する。
In this embodiment, the control voltage (about 1.5 V) at which the modulation sensitivity changes is the center channel SC, the control voltage of the low channel LC is about 1.0 V, and the high channel HC is the control voltage.
It has the feature that the control voltage of is about 1.8V.

【0022】すなわち、本実施例ではセンターチャンネ
ルSCで所望の特性が得られるようにループフィルタ2
の抵抗R1と抵抗R2とコンデンサCの値を定め、チャー
ジポンプ6は直流増幅率の低いPNPトランジスタ8を
用いてもループ利得を上げることができるため、チャン
ネルを切り換えても特性が変化しないPLL周波数シン
セサイザとすることができる。
That is, in this embodiment, the loop filter 2 is used so that desired characteristics can be obtained in the center channel SC.
The values of the resistors R 1 and R 2 and the capacitor C are determined, and the charge pump 6 can increase the loop gain even by using the PNP transistor 8 having a low DC amplification factor, so that the characteristics do not change even when the channel is switched. It can be a PLL frequency synthesizer.

【0023】なお、本実施例ではチャージポンプを内蔵
したICを使用しているが、チャージポンプを外付けし
た場合も同じ効果が得られることは言うまでもない。
Although an IC having a built-in charge pump is used in this embodiment, it goes without saying that the same effect can be obtained when the charge pump is externally attached.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように本発明のPLL周波
数シンセサイザは、チャージポンプの直流増幅率の低い
PNPトランジスタを用いてもループ利得を上げること
が出来るため、発振周波数のローチャンネルからハイチ
ャンネルへの切換時間をハイチャンネルからローチャン
ネルへの切換時間と同等に高速化でき、さらにチャンネ
ルによってスプリアス等の特性が変化しないPLL周波
数シンセサイザとすることができる。
As described above, in the PLL frequency synthesizer of the present invention, the loop gain can be increased even if the PNP transistor of the charge pump having a low DC amplification factor is used, so that the oscillation frequency is changed from the low channel to the high channel. The switching time can be shortened to the same level as the switching time from the high channel to the low channel, and a PLL frequency synthesizer in which characteristics such as spurious do not change depending on the channel can be obtained.

【0025】また、高速のチャンネル切り換えが必要は
場合も可変分周器,位相比較器,PNPトランジスタ,
NPNトランジスタを用いたチャージポンプを1チップ
に集積化したICを使用できるため小型なPLL周波数
シンセサイザとすることができる。
When high-speed channel switching is required, a variable frequency divider, phase comparator, PNP transistor,
Since a charge pump using an NPN transistor can be used as an integrated IC on one chip, a small PLL frequency synthesizer can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例によるPLL周波数シンセサ
イザの構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a PLL frequency synthesizer according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の電圧制御発振器の変調感度に対する発振
周波数のチャンネル設定を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing channel setting of an oscillation frequency with respect to modulation sensitivity of the voltage controlled oscillator of FIG.

【図3】従来のPLL周波数シンセサイザの構成を示す
ブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a conventional PLL frequency synthesizer.

【図4】図3の電圧制御発振器の変調感度に対する発振
周波数のチャンネル設定を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing channel setting of an oscillation frequency with respect to modulation sensitivity of the voltage controlled oscillator of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電圧制御発振器、 2…ループフィルタ、 3…分
周比設定回路、 4…可変分周器、 5…位相比較器、
6…チャージポンプ、 7…IC、 8…PNPトラ
ンジスタ、 9…NPNトランジスタ。
1 ... Voltage controlled oscillator, 2 ... Loop filter, 3 ... Dividing ratio setting circuit, 4 ... Variable divider, 5 ... Phase comparator,
6 ... Charge pump, 7 ... IC, 8 ... PNP transistor, 9 ... NPN transistor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 9182−5J H03L 7/10 A ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location 9182-5J H03L 7/10 A

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電圧制御発振器、ループフィルタ、可変
分周器、位相比較器、PNPトランジスタとNPNトラ
ンジスタを用いたチャージポンプで位相同期ループを構
成し、前記電圧制御発振器の発振周波数のローチャンネ
ルの制御電圧を前記電圧制御発振器の変調感度の低い部
分に、ハイチャンネルの制御電圧を前記電圧制御発振器
の変調感度の高い部分にそれぞれ設定したことを特徴と
するPLL周波数シンセサイザ。
1. A phase-locked loop is constituted by a voltage-controlled oscillator, a loop filter, a variable frequency divider, a phase comparator, and a charge pump using PNP transistors and NPN transistors. A PLL frequency synthesizer, wherein a control voltage is set in a portion having a low modulation sensitivity of the voltage controlled oscillator, and a high channel control voltage is set in a portion having a high modulation sensitivity of the voltage controlled oscillator.
JP5022685A 1993-02-10 1993-02-10 Pll frequency synthesizer Pending JPH06237170A (en)

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