JPH06237143A

JPH06237143A - 弾性表面波装置

Info

Publication number: JPH06237143A
Application number: JP2242693A
Authority: JP
Inventors: Tomonori Kimura; 友則木村; Yasuyuki Ito; 康之伊藤; Shiyuuzou Wakou; 修三和高; Koichiro Misu; 幸一郎三須; Tsutomu Nagatsuka; 勉永塚
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1993-02-10
Filing date: 1993-02-10
Publication date: 1994-08-23

Abstract

(57)【要約】【目的】増幅機能を備えた効率の高い弾性表面波装置
を得る。【構成】半導体基板と、半導体基板上に直接または絶
縁体層を介して形成された圧電体層を備え、上記圧電体
層の一面に、少なくとも１対の入力トランスデューサ
を、上記各対の入力トランスデューサから励振された弾
性表面波が互いに作用し合って伝搬するように設け、上
記弾性表面波が互いに作用し合う領域の上記圧電体層の
面上にゲート電極を設け、上記半導体基板にソース電極
とドレイン電極を設け、上記ソース電極とドレイン電極
の間に所定のバイアス電圧を印加し、上記ソース電極ま
たはドレイン電極から出力信号を取り出す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、増幅機能を有する弾
性表面波装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は、皆川、坪内、御子柴、「ＺｎＯ
／ＳｉＳＡＷコンボルバ」、電子情報通信学会、ス
ペクトル拡散通信研究会、１９８７年８月、資料番号Ｓ
Ｓ８７−１８、第４頁に記載されている従来のこの種の
弾性表面波装置を示す構成図である。

【０００３】図７において、１は半導体基板、２は絶縁
体薄膜、３は圧電体薄膜であり、それぞれ、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ₂、ＺｎＯが使用されている。４および５は入力トラ
ンスデューサ、６はゲート電極、７は接地電極である。

【０００４】次に、図７に示した従来の弾性表面波装置
の動作について説明する。入力トランスデューサ４およ
び５に、それぞれ、角周波数ωの電気信号を入力する。
これらの電気信号は、それぞれ、入力トランスデューサ
４および５により、角周波数ωの弾性表面波に変換され
る。これらの弾性表面波は、それぞれ、ゲート電極６に
向かって伝搬する。ゲート電極６に到達した弾性表面波
が互いにすれちがった際、半導体の非線形作用により、
これらの弾性表面波の積の信号、すなわち、角周波数２
ωの信号が生じる。この角周波数２ωの信号は、ゲート
電極６と接地電極７との間に電流として流れ、ゲート電
極６により空間的に積分され、ゲート電極６から電気信
号として出力される。この出力電気信号は、入力トラン
スデューサ４および５に、それぞれ、入力された２つの
電気信号のコンボリューションになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の弾性表面波装置
では、上述したように、角周波数２ωの電流が、ゲート
電極６と接地電極７との間に流れて、空間的に加算され
てゲート電極６からコンボリューション出力として取り
出される。しかし、このコボリューション出力の大きさ
は、弾性表面波装置自体に増幅作用がないので、小さ
く、交率が低いという問題点があった。

【０００６】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたものであり、増幅機能を有する効率の高
い弾性表面波装置を得ることを目的としたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係わる弾性表
面波装置は、半導体基板と、半導体基板上に直接または
絶縁体層を介して形成された圧電体層を備え、上記圧電
体層の一面に、少なくとも１対の入力トランスデューサ
を、上記各対の入力トランスデューサから励振された弾
性表面波が互いに作用し合って伝搬するように設け、上
記弾性表面波が互いに作用し合う領域の上記圧電体層の
面上にゲート電極を設け、上記半導体基板にソース電極
とドレイン電極を設け、上記ソース電極とドレイン電極
の間に所定のバイアス電圧を印加し、上記ソース電極ま
たはドレイン電極から出力信号を取り出すものである。

【０００８】請求項２に係わる弾性表面波装置は、半導
体基板と、半導体基板上に直接または絶縁体層を介して
形成された圧電体層を備え、上記圧電体層の一面に、少
なくとも１対の入力トランスデューサを、上記各対の入
力トランスデューサから励振された弾性表面波が互いに
作用し合って伝搬するように設け、少なくとも上記弾性
表面波が互いに作用し合う領域に対向する上記半導体基
板にソース電極とドレイン電極を設けるとともにゲート
電極を設け、上記ソース電極とドレイン電極の間に所定
のバイアス電圧を印加し、上記ソース電極またはドレイ
ン電極から出力信号を取り出すものである。

【０００９】請求項３に係わる弾性表面波装置は、半導
体基板と、半導体基板上に直接または絶縁体層を介して
形成された圧電体層を備え、上記圧電体層の一面に、少
なくとも１対の入力トランスデューサを、上記各対の入
力トランスデューサから励振された弾性表面波が互いに
作用し合って伝搬するように設け、上記弾性表面波が互
いに作用し合う領域の上記圧電体層の面上または少なく
とも上記弾性表面波が互いに作用し合う領域に対向する
上記半導体基板にゲート電極を設け、上記半導体基板に
少なくとも部分的に電気的に分離された複数対のソース
電極とドレイン電極を設け、上記複数対のソース電極と
ドレイン電極の間にそれぞれの対毎に所定のバイアス電
圧を印加し、上記ソース電極またはドレイン電極から出
力信号を取り出すものである。

【００１０】請求項４に係わる弾性表面波装置は、半導
体基板と、半導体基板上に直接または絶縁体層を介して
形成された圧電体層を備え、上記圧電体層の一面に、少
なくとも１対の入力トランスデューサを、上記各対の入
力トランスデューサから励振された弾性表面波が互いに
作用し合って伝搬するように設け、上記弾性表面波が互
いに作用し合う領域の上記圧電体層または上記半導体基
板にゲート電極を設け、上記半導体基板にソース電極と
ドレイン電極を設け、かつ、少なくとも上記半導体基板
に設ける電極は入力トランスデューサから励振された弾
性表面波が伝搬する方向に合わせて形成し、上記ソース
電極とドレイン電極の間に所定のバイアス電圧を印加
し、上記ソース電極またはドレイン電極から出力信号を
取り出すものである。

【００１１】

【作用】請求項１または請求項２の発明によれば、弾性
表面波が互いに作用し合う領域の圧電体層の面上にゲー
ト電極を設けるとともに、半導体基板にソース電極とド
レイン電極を設け、ソース電極とドレイン電極の間に所
定のバイアス電圧を印加してソース電極またはドレイン
電極から出力信号を取り出すので、ゲート電極に発生す
るコンボリューション出力は増幅されてソース電極また
はドレイン電極から取り出される。

【００１２】請求項３の発明によれば、弾性表面波が互
いに作用し合う領域の圧電体層の面上または少なくとも
弾性表面波が互いに作用し合う領域に対向する半導体基
板にゲート電極を設けるとともに、半導体基板に少なく
とも部分的に電気的に分離された複数対のソース電極と
ドレイン電極を設け、上記複数対のソース電極とドレイ
ン電極の間にそれぞれの対毎に所定のバイアス電圧を印
加してソース電極またはドレイン電極から出力信号を取
り出すので、位置によりソース電極とドレイン電極の間
のバイアス電圧を調整でき、ゲート電極に発生するコン
ボリューション出力の位置による特性のばらつきや弾性
表面波の伝搬減衰によって生じる出力信号への悪影響を
補償する。

【００１３】請求項４の発明によれば、少なくとも半導
体基板に設ける電極は入力とらんすデューサから励振さ
れた弾性表面波が伝搬する方向に合わせて形成したの
で、ソース電極およびドレイン電極などによる圧電体層
から半導体基板へ漏れ出して伝搬する弾性表面波の散乱
を低減する。

【００１４】

【実施例】

実施例１図１（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、この発明の一実施
例を示す構成図である。図１（ａ）、（ｂ）および
（ｃ）において、１は半導体基板、２は絶縁体薄膜、３
は圧電体薄膜、４および５は入力トランスデューサ、６
はゲート電極、７は接地電極、８はソース電極、９はド
レイン電極である。なお、図１（ｂ）は、図１（ａ）に
おいて半導体基板１の絶縁体薄膜２に接する境界面を示
す図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）中のＡＡ断面図
である。

【００１５】図１（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示すこ
の発明に係わる弾性表面波装置では、半導体基板１、絶
縁体薄膜２、圧電体薄膜３、入力トランスデューサ４お
よび５、および、接地電極７は、図７に示した従来の弾
性表面波装置と同様の構成である。

【００１６】しかし、図１（ａ）、（ｂ）および（ｃ）
に示すこの発明に係わる弾性表面波装置では、従来と異
なり、半導体基板１と絶縁体薄膜２の境界面の半導体基
板１側に、ソース電極８、および、ドレイン電極９を設
けている。

【００１７】次に、動作について説明する。ゲート電極
６を設けた領域では、金属／酸化膜／半導体の順に積重
ねられたＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ／Ｏｘｉｄｅ／Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ）形のトランジスタ構造になってい
る。ここで、金属はゲート電極６に対応し、酸化膜は圧
電体薄膜３と絶縁体薄膜２とに対応し、半導体は半導体
基板１に対応する。

【００１８】したがって、例えば、文献「半導体工
学」、深海登世司監修、東京電機大学出版局、昭和６２
年発行、頁１２３〜１６７に示されているように、半導
体基板１を弱いｐ形とし、ゲート電極６にソース電極８
に対して正のバイアス電圧Ｖｇを印加し、このバイアス
電圧Ｖｇを次第に増加していくと、酸化膜に接する半導
体基板１の表面近傍の正孔は追い払われ空乏層が形成さ
れる。バイアス電圧Ｖｇをさらに大きくすると、空乏層
の酸化膜に接する部分の電位が上昇し電子に対するポテ
ンシャルエネルギーが低下して、そこに電子が集まって
反転層ができｎチャンネルが形成される。ｎチャンネル
中の電子密度はバイアス電圧Ｖｇによって制御されるの
でソース電極８とドレイン電極９間を流れる電流の大き
さをバイアス電圧Ｖｇによって制御できる。

【００１９】ドレイン電極９にソース電極８に対して正
のバイアスをかけて、ソース電極８とドレイン電極９間
を流れる電流を、ソース電極８またはドレイン電極９か
ら、出力信号として外部に取り出す。この出力信号は、
ゲート電極６に印加するバイアス電圧Ｖｇの増加に対し
て非線形なかたちで増加し、かつ、バイアス電圧Ｖｇの
微小な変化に対して大きく変化する。したがって、バイ
アス電圧Ｖｇに交流電気信号を重畳させておけば、交流
電気信号を増幅した形で取り出すことができる。

【００２０】ところで、入力トランスデューサ４および
５によって励振された弾性表面波信号はそれぞれ電気ポ
テンシャルを伴って伝搬してくるので、ゲート電極６を
設けたＭＯＳ構造の領域において、２つの交流電気信号
を与える。

【００２１】このとき、ソース電極８、または、ドレイ
ン電極９から取り出される出力信号には、上述した非線
形性により、入力トランスデューサ４および５によって
励振された弾性表面波信号の積の信号が増幅したかたち
で含まれる。

【００２２】このようにして、入力トランスデューサ４
および５によって励振された弾性表面波信号がゲート電
極６を設けたＭＯＳ構造の領域において互いにすれちが
った際、積の信号が生じ、この積の信号は空間的に積分
されて、ソース電極８、または、ドレイン電極９から増
幅されたかたちで出力信号として取り出される。すなわ
ち、この出力信号は、入力トランスデューサ４および５
に入力した２つの電気信号のコンボリューション出力と
なっているとともに増幅されて取り出されている。

【００２３】以上のように、図１（ａ）、（ｂ）、およ
び（ｃ）に示したこの発明に係わる弾性表面波装置は、
図７に示した従来の弾性表面波装置とは異なり、コンボ
リューション出力を得るのみならず、ゲート電極６の領
域をＭＯＳ形のトランジスタ構造としたため、従来に比
べ、コンボリューション出力を増幅したかたちで得られ
るので、従来に比べ高い効率を得られる効果がある。さ
らに、コンボリューション出力を半導体基板１と絶縁体
薄膜２の境界面に沿った横方向で取り出すので、半導体
基板１を厚さ方向に横切って出力を取り出す構造の従来
の弾性表面波装置と比較して、半導体基板１のバルク抵
抗の悪影響を受けない利点がある。このため従来に比べ
さらに効率の良い弾性表面波装置を得ることができる効
果がある。

【００２４】なお、以上は、半導体基板１がｐ形の場合
について説明したが、この発明は、これに限らず、半導
体基板１にｎ形の基板を用いても、同様の原理でｐチャ
ンネルを形成できるので、弾性表面波装置として同様の
動作を実現できるとともに同様の作用効果を得ることが
できる。

【００２５】また、実施例１で示した構造では、通常の
ＭＯＳ形トランジスタ構造に比べ、酸化膜の厚さが、圧
電体薄膜３がある分だけ厚い。このため、分極が生じに
くく、ゲート電極６へ印加するバイアス電圧が大きくな
り問題となる場合には、半導体基板１へ可動イオンを注
入することによりこれを避けることができる。

【００２６】実施例２この発明の第２の実施例を図２に示す。図２において
は、説明を簡単にするため、実施例１における図１
（ｂ）に対応する図のみを示してある。図２に示す実施
例２は、図１に示した実施例１におけるソース電極８お
よびドレイン電極９を、各々、切り離して独立して配列
したものである。図２に示した構成において、ソース電
極８およびドレイン電極９をそれぞれ外部で電気的に結
線すれば実施例１と同様の作用効果が得られる。さら
に、各々分離独立させたソース電極８およびドレイン電
極９ごとに個別にバイアス回路も含んだ制御回路を設け
た後で結線すれば、制御回路ごとに異なった振幅および
位相重み付けを行うことができる。したがって、場所ご
とに変化させた振幅および位相重み付けを行うことがで
きるので、例えば、場所による特性のばらつきなどを補
償できる効果が得られる。さらに、弾性表面波を長距離
伝搬させると伝搬に伴う減衰が問題となるが、この減衰
によって生じる積の成分の場所による変動も補償できる
効果が得られる。

【００２７】実施例３この発明の第３の実施例を図３に示す。図３において
も、説明を簡単にするため、実施例１における図１
（ｂ）に対応する図のみを示してある。図３に示す実施
例３は、実施例１における図１（ｂ）と比較して、ソー
ス電極８およびドレイン電極９を、弾性表面波の伝搬方
向に沿った方向に配列したものである。実施例３におい
ても、実施例１と同様の作用効果が得られる。さらに、
実施例３では、ソース電極８およびドレイン電極９を、
弾性表面波の伝搬方向に沿った方向に配列しているの
で、弾性表面波の伝搬方向に垂直な方向に沿って配列し
た実施例１および２に比べ、ソース電極８およびドレイ
ン電極９による弾性表面波の散乱が生じにくい利点があ
る。なお、実施例３においても、ソース電極８およびド
レイン電極９を、各々、切り離して独立して配列すれ
ば、実施例２と同様の作用効果を得ることができる。

【００２８】実施例４この発明の第４の実施例を図４（ａ）、（ｂ）および
（ｃ）に示す。図４（ｂ）は、図４（ａ）において半導
体基板１の絶縁体薄膜２に接する境界面を示す図であ
り、図４（ｃ）は、図４（ａ）中のＡＡ断面図である。
図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す実施例４では、
上述した実施例１と比較して、ゲート電極６を圧電体薄
膜３の表面に設けるのではなく、ソース電極８およびド
レイン電極９と同様に、半導体基板１と絶縁体薄膜２の
境界面の半導体基板１側に設けている。その他の構成
は、図１に示した実施例１と同様である。

【００２９】次に、動作について説明する。図４
（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す実施例４では、ゲー
ト電極６、ソース電極８およびドレイン電極９を半導体
基板１と絶縁体薄膜２の境界面の半導体基板１側に設
け、ｐｎ接合でゲート部を構成した接合形トランジスタ
構造としている。したがって、例えは、文献「半導体工
学」、深海登世司監修、東京電機大学出版局、昭和６２
年発行、頁１２３〜１６７に示されているように、半導
体基板１をｐ⁺形としｎチャンネルとなるｎ層を絶縁体
薄膜２に接する面側に形成し、さらにゲート電極６の下
部にＰ⁺領域を形成して、ゲート電極６にソース電極８
に対して負のバイアス電圧Ｖｇを印加するとゲートｐｎ
接合部に空乏層が形成される。この空乏層の厚さはバイ
アス電圧Ｖｇによって制御でき、ソース電極８とドレイ
ン電極９間を流れる電流をバイアス電圧Ｖｇによって制
御できる。

【００３０】さて、実施例４においても、ドレイン電極
９にソース電極８に対して正のバイアスをかけて、ソー
ス電極８とドレイン電極９間を流れる電流を、ソース電
極８またはドレイン電極９から、出力信号として外部に
取り出す。この出力信号は、実施例１の場合と同様に、
ゲート電極６に印加するバイアス電圧Ｖｇの増加に対し
て非線形なかたちで増加し、かつ、バイアス電圧Ｖｇの
微小な変化に対して大きく変化する。

【００３１】入力トランスデューサ４および５によって
励振された弾性表面波信号に伴って伝搬してくる電気ポ
テンシャルが、上述した接合形トランジスタ構造とした
領域において、２つの交流電気信号を与える。

【００３２】このとき、ソース電極８またはドレイン電
極９から取り出される出力信号には、上述した非線形性
により、入力トランスデューサ４および５によって励振
された弾性表面波信号の積の信号が増幅したかたちで含
まれる。

【００３３】このようにして、入力トランスデューサ４
および５によって励振された弾性表面波信号が接合形ト
ランジスタ構造とした領域において互いにすれちがった
際、積の信号が生じ、この積の信号は空間的に積分され
て、ソース電極８、または、ドレイン電極９から増幅さ
れたかたちで出力信号として取り出される。すなわち、
この出力信号は、実施例１と同様に、入力トランスデュ
ーサ４および５に入力した２つの電気信号のコンボリュ
ーション出力となっているとともに増幅されて取り出さ
れている。

【００３４】したがって、図４（ａ）、（ｂ）、および
（ｃ）に示す実施例４では、上述した実施例１と同様
に、図７に示した従来の弾性表面波装置とは異なり、コ
ンボリューション出力を得るのみならず、弾性表面波信
号がすれちがう領域を接合形トランジスタ構造としたた
め、従来に比べ、コンボリューション出力を増幅したか
たちで得られるので、従来に比べ高い効率を得られる効
果がある。さらに、コンボリューション出力を半導体基
板１と絶縁体薄膜２の境界面に沿った横方向で取り出す
ので、半導体基板１を厚さ方向に横切って出力を取り出
す構造の従来の弾性表面波装置と比較して、半導体基板
１のバルク抵抗の悪影響を受けない利点がある。このた
め従来に比べさらに効率の良い弾性表面波装置を得るこ
とができる効果がある。

【００３５】なお、以上は、半導体基板１がｐ形の場合
について説明したが、この発明は、これに限らず、半導
体基板１にｎ形の基板を用いても、同様の原理でｐチャ
ンネルを形成できるので、弾性表面波装置として同様の
動作を実現できるとともに同様の作用効果を得ることが
できる。また、実施例４では、弾性表面波信号がすれち
がう領域を接合形トランジスタ構造とした場合について
説明したが、ゲート部は、ｐｎ接合の代わりに、金属−
半導体接触によるショットキーバリアを利用したＭＥＳ
（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）形トラン
ジスタ構造にしても同様の作用効果が得られる。

【００３６】実施例５この発明の第５の実施例を図５に示す。図５において
は、説明を簡単にするため、実施例４における図４
（ｂ）に対応する図のみを示してある。図５に示す実施
例５は、図４に示した実施例４において、ゲート電極
６、ソース電極８およびドレイン電極９を、各々、切り
離して独立して配列したものである。図５に示した構成
において、ゲート電極６、ソース電極８およびドレイン
電極９をそれぞれ外部で電気的に結線すれば実施例４と
同様の作用効果が得られる。さらに、各々分離独立させ
たゲート電極６、ソース電極８およびドレイン電極９ご
とに個別にバイアス回路も含んだ制御回路を設けた後で
結線すれば、実施例２と同様に制御回路により場所によ
り変化させた振幅および位相重み付けを行うことが可能
となり、場所による特性のばらつきや弾性表面波の減衰
によって生じる積の成分の場所による変動などを補償で
きる効果が得られる。

【００３７】実施例６この発明の第６の実施例を図６に示す。図６において
も、説明を簡単にするため、実施例４における図４
（ｂ）に対応する図のみを示してある。図６に示す実施
例６は、実施例４における図４（ｂ）と比較して、ゲー
ト電極６、ソース電極８およびドレイン電極９を、弾性
表面波の伝搬方向に沿った方向に配列したものである。
実施例６においても、実施例４と同様の作用効果が得ら
れる。さらに、実施例６では、ゲート電極６、ソース電
極８およびドレイン電極９を、弾性表面波の伝搬方向に
沿った方向に配列しているので、弾性表面波の伝搬方向
に垂直な方向に沿って配列した実施例４および５に比
べ、ゲート電極６、ソース電極８およびドレイン電極９
による弾性表面波の散乱が生じにくい利点がある。な
お、実施例６においても、ゲート電極６、ソース電極８
およびドレイン電極９を、各々、切り離して独立して配
列すれば、実施例５と同様の作用効果を得ることができ
る。

【００３８】なお、以上の実施例においては、入力トラ
ンスデューサ４、５およびゲート電極６を圧電体薄膜３
の表面に設けた場合について説明したが、この発明はこ
れに限らず、入力トランスデューサ４、５およびゲート
電極６は、圧電体薄膜３に裏面に設けた場合について適
用することもできる。また、絶縁体薄膜２は設けなくて
も構わない。

【００３９】また、この発明は、基本伝搬モード、高次
伝搬モードのいずれの伝搬モードを使用する弾性表面波
装置に適用しても構わない。

【００４０】

【発明の効果】請求項１または請求項２の弾性表面波装
置は、出力信号を増幅して得られる効果がある。

【００４１】請求項３の弾性表面波装置は、位置による
特性のばらつきや弾性表面波の伝搬減衰によって生じる
出力信号への悪影響を補償できる効果がある。

【００４２】請求項４の弾性表面波装置は、ソース電極
およびドレイン電極などによる弾性表面波の散乱を低減
できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１を示す構成図である。

【図２】この発明の実施例２を示す構成図である。

【図３】この発明の実施例３を示す構成図である。

【図４】この発明の実施例４を示す構成図である。

【図５】この発明の実施例５を示す構成図である。

【図６】この発明の実施例６を示す構成図である。

【図７】従来の弾性表面波装置を示す構成図である。

【符号の説明】

１半導体基板２絶縁体薄膜３圧電体薄膜４，５入力トランスデューサ６ゲート電極７接地電極８ソース電極９ドレイン電極

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年７月５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】

【作用】請求項１または請求項２の発明によれば、弾性
表面波が互いに作用し合う領域の圧電体層の面上または
半導体基板にゲート電極を設けるとともに、半導体基板
にソース電極とドレイン電極を設け、ソース電極とドレ
イン電極の間に所定のバイアス電圧を印加してソース電
極またはドレイン電極から出力信号を取り出すので、ゲ
ート電極に発生するコンボリューション出力は増幅され
てソース電極またはドレイン電極から取り出される。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１３】請求項４の発明によれば、少なくとも半導
体基板に設ける電極は入力トランスデューサから励振さ
れた弾性表面波が伝搬する方向に合わせて形成したの
で、ソース電極およびドレイン電極などによる圧電体層
から半導体基板へ漏れ出して伝搬する弾性表面波の散乱
を低減する。

【手続補正３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三須幸一郎鎌倉市大船五丁目１番１号三菱電機株式会社電子システム研究所内 (72)発明者永塚勉鎌倉市大船五丁目１番１号三菱電機株式会社電子システム研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板と、半導体基板上に直接また
は絶縁体層を介して形成された圧電体層を備え、上記圧
電体層の一面に、少なくとも１対の入力トランスデュー
サを、上記各対の入力トランスデューサから励振された
弾性表面波が互いに作用し合って伝搬するように設け、
上記弾性表面波が互いに作用し合う領域の上記圧電体層
の面上にゲート電極を設け、上記半導体基板にソース電
極とドレイン電極を設け、上記ソース電極とドレイン電
極の間に所定のバイアス電圧を印加し、上記ソース電極
またはドレイン電極から出力信号を取り出すことを特徴
とする弾性表面波装置。
【請求項２】半導体基板と、半導体基板上に直接また
は絶縁体層を介して形成された圧電体層を備え、上記圧
電体層の一面に、少なくとも１対の入力トランスデュー
サを、上記各対の入力トランスデューサから励振された
弾性表面波が互いに作用し合って伝搬するように設け、
少なくとも上記弾性表面波が互いに作用し合う領域に対
向する上記半導体基板にソース電極とドレイン電極を設
けるとともにゲート電極を設け、上記ソース電極とドレ
イン電極の間に所定のバイアス電圧を印加し、上記ソー
ス電極またはドレイン電極から出力信号を取り出すこと
を特徴とする弾性表面波装置。
【請求項３】半導体基板と、半導体基板上に直接また
は絶縁体層を介して形成された圧電体層を備え、上記圧
電体層の一面に、少なくとも１対の入力トランスデュー
サを、上記各対の入力トランスデューサから励振された
弾性表面波が互いに作用し合って伝搬するように設け、
上記弾性表面波が互いに作用し合う領域の上記圧電体層
の面上または少なくとも上記弾性表面波が互いに作用し
合う領域に対向する上記半導体基板にゲート電極を設
け、上記半導体基板に少なくとも部分的に電気的に分離
された複数対のソース電極とドレイン電極を設け、上記
複数対のソース電極とドレイン電極の間にそれぞれの対
毎に所定のバイアス電圧を印加し、上記ソース電極また
はドレイン電極から出力信号を取り出すことを特徴とす
る弾性表面波装置。
【請求項４】半導体基板と、半導体基板上に直接また
は絶縁体層を介して形成された圧電体層を備え、上記圧
電体層の一面に、少なくとも１対の入力トランスデュー
サを、上記各対の入力トランスデューサから励振された
弾性表面波が互いに作用し合って伝搬するように設け、
上記弾性表面波が互いに作用し合う領域の上記圧電体層
または上記半導体基板にゲート電極を設け、上記半導体
基板にソース電極とドレイン電極を設け、かつ、少なく
とも上記半導体基板に設ける電極は入力トランスデュー
サから励振された弾性表面波が伝搬する方向に合わせて
形成し、上記ソース電極とドレイン電極の間に所定のバ
イアス電圧を印加し、上記ソース電極またはドレイン電
極から出力信号を取り出すことを特徴とする弾性表面波
装置。