JPH06236838A - Semiconductor exposure device - Google Patents

Semiconductor exposure device

Info

Publication number
JPH06236838A
JPH06236838A JP5041694A JP4169493A JPH06236838A JP H06236838 A JPH06236838 A JP H06236838A JP 5041694 A JP5041694 A JP 5041694A JP 4169493 A JP4169493 A JP 4169493A JP H06236838 A JPH06236838 A JP H06236838A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
reticle
plate
exposure apparatus
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5041694A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Kuroki
洋一 黒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP5041694A priority Critical patent/JPH06236838A/en
Publication of JPH06236838A publication Critical patent/JPH06236838A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To obtain highly precise transmittivity of a reticle from density data by a method wherein the transfer image of the reticle, formed on a plate by projection exposure, is converted to image data, it is taken in an image treatment device and the data is treated there. CONSTITUTION:The surface of a plate 6 is coincided with the autofocus position of a projection lens 3 using the same autofocus mechanism as one which is used when a wafer is exposed, and the image of a reticle 2 is projected on the plate 6. The image of a reticle 2 is transferred to the area on the plate 6 where photochromic-agent is spread. Then, the image data of the area part of the reticle 2 image formed on the plate 6 is taken in an image treatment device 9 through the intermediary of an off-axis microscope 7 and a CCD camera 8. The average density data in each area is measured, the average density of the entire picture is computed, and the transmittivity of the reticle 2 is calculated. As a result, the transmittivity of the reticle 2 can be computed in a short period of time by conducting only one exposing operation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レチクルの透過率を自
動的に測定する機能を有する半導体露光装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor exposure apparatus having a function of automatically measuring the transmittance of a reticle.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体露光装置、特にステッパに
おいては、レチクルの透過率を測定する場合、例えば、
図3に示すように、レチクル2のパターンを投影レンズ
3を介して、移動ステージ4上に投影し、この投影像の
光量を、移動ステージ4上に設けられたフォトディテク
タ11によって、移動ステージ4を微小移動しながら測
定するという方法が用いられている。このフォトディテ
クタ11には、一般に装置の照度むらを測定するための
ディテクタが用いられ、その構成は、例えば図4に示す
ように、ディテクタ41の上方に、0.3mmφ程度の
ピンホール43を配置したものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor exposure apparatus, especially a stepper, when measuring the transmittance of a reticle, for example,
As shown in FIG. 3, the pattern of the reticle 2 is projected onto the moving stage 4 via the projection lens 3, and the light quantity of this projected image is moved to the moving stage 4 by the photodetector 11 provided on the moving stage 4. A method of measuring while moving a little is used. A detector for measuring the illuminance unevenness of the apparatus is generally used as the photodetector 11, and its configuration is, for example, as shown in FIG. 4, in which a pinhole 43 of about 0.3 mmφ is arranged above the detector 41. It is a thing.

【0003】上記構成において、例えばレチクル2の1
00mm□のエリアの透過率を測定する場合、図5に示
すように、例えばX、Y方向各々0.2mmのピッチで
移動ステージ4を移動しながら、P1点、P2点、P3
点…といった順に最後のPn点まで各点の光量を測定
し、そしてこれら測定点の合計とレチクル2がない場合
の光量とを比較することによりレチクルの透過率が測定
される。
In the above structure, for example, 1 of the reticle 2
When measuring the transmittance of the area of 00 mm □, as shown in FIG. 5, while moving the moving stage 4 at a pitch of 0.2 mm in each of the X and Y directions, P1, P2, P3
The reticle transmittance is measured by measuring the light amount of each point up to the last Pn point in the order of points ... And comparing the total of these measurement points with the light amount in the absence of the reticle 2.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、例えばレチクルの100mm□(投影レンズ
の縮率が1/5の場合、ウエハ面上では20mm□)の
エリアを、レチクル上1mmピッチ(ウエハ上では0.
2mmピッチ)で測定する場合、10,000ポイント
の測定が必要で、特にエキシマステッパの場合は、レー
ザの発振周波数を400Hz、1ポイントの測定に10
0パルスの露光が必要としても、10,000ポイント
の測定に露光のみで2,500秒必要とする。更にステ
ージの駆動時間を1ポイント当り0.3秒とすると、レ
チクルの透過率測定全体では100mm□を測定するの
に合計5,200秒もかかるという問題がある。
However, in the above-mentioned conventional example, for example, an area of 100 mm □ of the reticle (20 mm □ on the wafer surface when the reduction ratio of the projection lens is ⅕) is set to 1 mm pitch on the reticle ( 0.
(2 mm pitch), 10,000 points must be measured. Especially, in the case of excimer stepper, the laser oscillation frequency is 400 Hz and 10 points are required for 1 point measurement.
Even if 0 pulse exposure is required, it takes 2,500 seconds to measure 10,000 points by exposure alone. Further, if the stage drive time is set to 0.3 seconds per point, there is a problem that it takes a total of 5,200 seconds to measure 100 mm square in the entire reticle transmittance measurement.

【0005】レチクルの透過率は、マスキングブレード
の開口を変えると、測定し直す必要があり、特にASI
Cのようにレチクルをひんぱんに交換する場合、従来方
法では測定時間が長すぎるという問題がある。また、経
済性の面でも、特にエキシマステッパの場合はガスの消
費が多くなり、効率の良い方法ではない。
The transmittance of the reticle needs to be remeasured when the opening of the masking blade is changed.
When the reticle is frequently exchanged as in C, the conventional method has a problem that the measurement time is too long. Also, in terms of economic efficiency, particularly in the case of the excimer stepper, gas consumption is large, and this is not an efficient method.

【0006】本発明の目的は、このような従来技術の問
題に鑑み、半導体露光装置においてレチクルの透過率を
短時間で測定できるようにすることにある。
An object of the present invention is to allow the semiconductor exposure apparatus to measure the transmittance of a reticle in a short time in view of the problems of the prior art.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、レチクルのパターンを移動ステージ上に配
置した半導体ウエハ上に投影し露光転写する半導体露光
装置において、前記移動ステージ上に配置され露光光に
より像を形成し得る表面を有するプレートと、このプレ
ート上に露光光により形成された前記レチクルパターン
の転写像の画像データを撮像手段を介して得る画像取込
み手段と、これによて得られた画像データに基き前記レ
チクルの透過率を求めるデータ処理手段とを具備するこ
とを特徴とする。
To achieve this object, according to the present invention, in a semiconductor exposure apparatus for projecting and transferring a reticle pattern onto a semiconductor wafer arranged on a moving stage, the reticle pattern is arranged on the moving stage. A plate having a surface capable of forming an image by exposure light, an image capturing means for obtaining image data of a transfer image of the reticle pattern formed on the plate by the exposure light via an image capturing means, and an image capturing means obtained thereby. Data processing means for obtaining the transmittance of the reticle based on the obtained image data.

【0008】前記プレートとしては、例えば、フォトク
ロミック剤を塗布したプレートや、フォトクロミック剤
を塗布したウエハを用いることができる。本装置は通
常、前記半導体ウエハをプリアライメントする際のマー
ク検出用の顕微鏡を有し、前記撮像手段はこの顕微鏡を
一部に含み、この顕微鏡を介して得られる前記転写像の
像を画像データに変換して出力するものとして構成する
ことができる。この場合、顕微鏡は倍率切換え機構を有
するようにしてもよい。前記画像取込み手段は、前記移
動ステージを移動させながら前記画像データを分割して
取り込むものであても、また一度に取り込むものであっ
てもよい。
As the plate, for example, a plate coated with a photochromic agent or a wafer coated with a photochromic agent can be used. This apparatus usually has a microscope for mark detection at the time of pre-aligning the semiconductor wafer, the image pickup means includes this microscope as a part, and the image of the transfer image obtained through this microscope is used as image data. Can be configured to be converted to and output. In this case, the microscope may have a magnification switching mechanism. The image capturing means may capture the image data while dividing the image data while moving the moving stage, or may capture the image data all at once.

【0009】[0009]

【作用】この構成において、レチクルパターンの転写像
の形成は、通常の露光と同様にして、移動ステージによ
りプレートを露光位置に位置させ、プレート上にレチク
ルのパターンを投影し露光することにより行われる。形
成された転写像は、撮像手段によって画像データに変換
され、画像取込み手段のメモリ等に蓄えられる。そし
て、この画像データを処理することによってレチクルの
透過率が得られる。したがって、その間に要する時間
は、1ポイントの測定に100パルスもの露光が必要な
従来に比べ、かなり短縮されたものとなる。
In this structure, the transfer image of the reticle pattern is formed by positioning the plate at the exposure position by the moving stage and projecting and exposing the reticle pattern on the plate in the same manner as in ordinary exposure. . The formed transfer image is converted into image data by the image pickup means and stored in the memory or the like of the image capturing means. Then, the reticle transmittance is obtained by processing this image data. Therefore, the time required during that time is considerably shortened as compared with the conventional case in which exposure of 100 pulses is required to measure one point.

【0010】[0010]

【実施例】図1は本発明の一実施例に係るステッパの構
成図であり、1は露光光を発する照明装置、2はこれに
よって照明されるレチクル、3は照明されたレチクル2
のパターンをウエハ上に投影する投影レンズ、4は移動
ステージ、5は移動ステージ4上に設けられた、ウエハ
をのせるためのチャック、6は移動ステージ4上に設け
られた、フォトクロミック剤を塗布したプレート、7は
オフアクシス顕微鏡、8はオフアクシス顕微鏡7を介し
て得られる像を画像データに変換する1024×102
4のCCDカメラ、9はCCDカメラ8が出力する画像
データを処理して濃度データを出力する画像処理装置、
10は画像処理装置9からの濃度データに基きレチクル
2の透過率を求めるとともに、照明装置1や移動ステー
ジ4の駆動制御を行う制御用CPUである。オフアクシ
ス顕微鏡7は、TV(CCDカメラ8)によるウエハの
プリアライメント(プリアライメントマーク計測)用の
もので、これを介して、ウエハ面上1mm□(レチクル
面上1mm□)のエリアの画像が1000×1000画
素の画像フレームメモリに取り込まれる。
1 is a block diagram of a stepper according to an embodiment of the present invention, in which 1 is an illuminating device which emits exposure light, 2 is a reticle illuminated by the illuminating device, and 3 is an illuminated reticle 2.
A projection lens for projecting the above pattern onto the wafer, 4 is a moving stage, 5 is a chuck for placing the wafer on the moving stage 4, and 6 is a photochromic agent applied on the moving stage 4. Plate, 7 is an off-axis microscope, 8 is an image obtained through the off-axis microscope 7 and is converted into image data 1024 × 102.
4 is a CCD camera, 9 is an image processing device that processes the image data output by the CCD camera 8 and outputs density data,
Reference numeral 10 denotes a control CPU that obtains the transmittance of the reticle 2 based on the density data from the image processing device 9 and controls the drive of the illumination device 1 and the moving stage 4. The off-axis microscope 7 is for pre-alignment (pre-alignment mark measurement) of the wafer by the TV (CCD camera 8), and an image of the area of 1 mm □ on the wafer surface (1 mm □ on the reticle surface) is passed through this. It is captured in an image frame memory of 1000 × 1000 pixels.

【0011】上記構成において、レチクルの透過率を測
定する場合、CPU10はまずプレート6が投影レンズ
3の下に位置するように移動ステージ4を駆動する。プ
レート6は100mm□(ウエハ面上20mm□)のレ
チクルの像全体を投影するに充分なフォトクロミック剤
を塗布した面を有している。次に、不図示の通常のウエ
ハ露光時に用いるものと同じオートフォーカス機構を用
い、プレート6の面を投影レンズ3のフォーカス位置に
合わせる。そして、照明装置1をオンし、レチクルの像
をプレート6上に投影する。これにより、プレート6の
フォトクロミック剤を塗布した面上には、図2に示すよ
うに、レチクルの像21が転写され、この像は数秒〜数
分間保持される。ここでは、フォトクロミック剤は露光
後3分程度像が残るタイプのものを用いている。次に、
移動ステージ4を駆動し、プレート6上に形成されたレ
チクル像21のエリアa1(1mm□)の部分の画像を
オフアクシス顕微鏡7下に位置させ、その画像データを
オフアクシス顕微鏡7およびCCDカメラ8を介して画
像処理装置9に取り込む。この画像データに基き画像処
理装置9から出力されるエリアa1の平均濃度データを
CPU10はメモリ(不図示)に記憶する。次に、CP
U10は移動ステージ4を再び駆動し、エリアa2の平
均濃度データを同様にして読み取り記憶する。以後同様
に、エリアa3から最後のエリアanまで各エリアにお
ける平均濃度データを計測して記憶する。そして、CP
U10は記憶された各エリアの濃度データから、画面全
体(この場合20mm□)の平均濃度を求め、レチクル
2の透過率を算定する。この場合、1画素当たりの分解
能はレチクル面上5μm□ということになる。
In the above structure, when measuring the transmittance of the reticle, the CPU 10 first drives the moving stage 4 so that the plate 6 is located below the projection lens 3. The plate 6 has a surface coated with a photochromic agent sufficient to project the entire image of a 100 mm square (20 mm square on the wafer surface) reticle. Next, the surface of the plate 6 is aligned with the focus position of the projection lens 3 by using the same autofocus mechanism as that used for normal wafer exposure (not shown). Then, the illumination device 1 is turned on, and the image of the reticle is projected on the plate 6. As a result, an image 21 of the reticle is transferred onto the surface of the plate 6 coated with the photochromic agent as shown in FIG. 2, and this image is held for several seconds to several minutes. Here, as the photochromic agent, a type in which an image remains for about 3 minutes after exposure is used. next,
The moving stage 4 is driven, the image of the area a1 (1 mm □) of the reticle image 21 formed on the plate 6 is positioned under the off-axis microscope 7, and the image data is stored in the off-axis microscope 7 and the CCD camera 8. It is taken into the image processing device 9 via. The CPU 10 stores the average density data of the area a1 output from the image processing device 9 based on the image data in a memory (not shown). Next, CP
U10 drives the moving stage 4 again, and similarly reads and stores the average density data of the area a2. Thereafter, similarly, the average density data in each area from the area a3 to the last area an is measured and stored. And CP
U10 obtains the average density of the entire screen (in this case, 20 mm □) from the stored density data of each area, and calculates the transmittance of the reticle 2. In this case, the resolution per pixel is 5 μm □ on the reticle surface.

【0012】これによれば、透過率を求めるまでの処理
時間は、ステージの駆動時間が0.2秒、画像を取り込
んで処理する時間が0.1秒であるとすると、120秒
である。
According to this, the processing time until the transmittance is obtained is 120 seconds, assuming that the driving time of the stage is 0.2 seconds and the time of capturing and processing the image is 0.1 seconds.

【0013】なお、前記実施例ではプレート上に形成し
た20mm□のレチクル像を1mm□づつに分割して画
像処理装置で読み込んだが、処理時間を更に短縮するに
は、オフアクシス顕微鏡の倍率を下げていけば良い。現
状ではレチクルの透過率の測定精度は10%程度もあれ
ば充分であるので、プレート6上に形成したレチクル像
21の20mm□のエリア全体を、一括して画像処理装
置で入力できるような専用の倍率への切換え機構をオフ
アクシス顕微鏡に7設けても良い。この場合、測定は一
回の露光時間と一回の画像処理時間、それに2回のステ
ージ駆動時間を要するだけで終了する。
In the above embodiment, the reticle image of 20 mm square formed on the plate is divided into 1 mm square and read by the image processing apparatus. You should go. At present, it is sufficient that the measurement accuracy of the reticle transmittance is about 10%. Therefore, the entire area of 20 mm □ of the reticle image 21 formed on the plate 6 can be collectively input by the image processing apparatus. The off-axis microscope may be provided with a mechanism for switching to the magnification of 7. In this case, the measurement is completed by only one exposure time, one image processing time, and two stage driving times.

【0014】また前記実施例では移動ステージ4上に用
いた専用のフォトクロミック剤を塗布したプレート6を
用いたが、レチクル像を投影するためのプレートはこれ
に限られず、例えば同様のフォトクロミック剤を塗布し
たウエハを用いてもよい。
Although the plate 6 coated with the dedicated photochromic agent used on the moving stage 4 is used in the above embodiment, the plate for projecting the reticle image is not limited to this and, for example, the same photochromic agent is coated. A wafer may be used.

【0015】また顕微鏡7の感度を上げ、通常のレジス
トを塗布したウエハにレチクル像を露光し、その潜像を
画像処理手段によって解析し、その濃淡からレチクルの
透過率を求めることもできる。
It is also possible to increase the sensitivity of the microscope 7, expose a reticle image on a wafer coated with a normal resist, analyze the latent image by image processing means, and obtain the reticle transmittance from the density.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
チクルのパターンを、ステージ上に載置されたプレート
上に転写し、このプレート上に形成されたレチクルの投
影像を画像データとして画像処理装置に取り込み、これ
に基きレチクルの透過率を算定するようにしたため、レ
チクルの透過率を高精度で且つ一回の露光で、短時間の
うちに求めることが可能となる。
As described above, according to the present invention, the pattern of the reticle is transferred onto the plate placed on the stage, and the projection image of the reticle formed on the plate is used as image data. The transmittance of the reticle is calculated based on the data taken into the processing device, so that the transmittance of the reticle can be obtained with high accuracy and once exposure in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係るステッパの構成図で
ある。
FIG. 1 is a configuration diagram of a stepper according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の装置において観察される、プレート上
のレチクルパターンの転写像を示す模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a transferred image of a reticle pattern on a plate, which is observed in the apparatus of FIG.

【図3】 従来例に係るステッパの構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a stepper according to a conventional example.

【図4】 図3の装置において透過率を測定するための
フォトディテクタを示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a photodetector for measuring transmittance in the device of FIG.

【図5】 図3の装置において透過率を測定する方法を
説明するための説明図である。
5 is an explanatory diagram for explaining a method of measuring transmittance in the apparatus of FIG.

【符号の説明】 1:照明装置、2:レチクル、3:投影レンズ、4:移
動ステージ、5:ウエハチャック、6:フォトクロミッ
ク剤を塗布したプレート、7:オフアクシス顕微鏡、
8:CCDカメラ、9:画像処理装置、10:ステッパ
の制御用CPU。
[Description of Reference Signs] 1: Illuminator, 2: Reticle, 3: Projection lens, 4: Moving stage, 5: Wafer chuck, 6: Plate coated with photochromic agent, 7: Off-axis microscope,
8: CCD camera, 9: image processing device, 10: CPU for controlling stepper.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レチクルのパターンを移動ステージ上に
配置した半導体ウエハ上に投影し露光転写する半導体露
光装置において、前記移動ステージ上に配置され露光光
により像を形成し得る表面を有するプレートと、このプ
レート上に露光光により形成された前記レチクルパター
ンの転写像の画像データを撮像手段を介して得る画像取
込み手段と、これによて得られた画像データに基き前記
レチクルの透過率を求めるデータ処理手段とを具備する
ことを特徴とする半導体露光装置。
1. A semiconductor exposure apparatus for projecting and transferring a reticle pattern onto a semiconductor wafer arranged on a moving stage, the plate being provided on the moving stage and having a surface capable of forming an image by exposure light, Image capturing means for obtaining image data of the transfer image of the reticle pattern formed on the plate by exposure light through the image pickup means, and data for obtaining the transmittance of the reticle based on the image data obtained thereby. A semiconductor exposure apparatus comprising: a processing unit.
【請求項2】 前記プレートはフォトクロミック剤を塗
布したプレートであることを特徴とする請求項1記載の
半導体露光装置。
2. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein the plate is a plate coated with a photochromic agent.
【請求項3】 前記プレートはフォトクロミック剤を塗
布したウエハであることを特徴とする請求項1記載の半
導体露光装置。
3. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein the plate is a wafer coated with a photochromic agent.
【請求項4】 前記半導体ウエハをプリアライメントす
る際のマーク検出用の顕微鏡を有し、前記撮像手段はこ
の顕微鏡を一部に含み、この顕微鏡を介して得られる前
記転写像の像を画像データに変換して出力するものであ
ることを特徴とする請求項1記載の半導体露光装置。
4. A microscope for mark detection at the time of pre-aligning the semiconductor wafer, wherein the image pickup means includes this microscope as a part, and the image of the transfer image obtained through the microscope is used as image data. 2. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor exposure apparatus is converted into and output.
【請求項5】 前記顕微鏡は倍率切換え機構を有するこ
とを特徴とする請求項4記載の半導体露光装置。
5. The semiconductor exposure apparatus according to claim 4, wherein the microscope has a magnification switching mechanism.
【請求項6】 前記画像取込み手段は、前記移動ステー
ジを移動させながら前記画像データを分割して取り込む
ものであることを特徴とする請求項1記載の半導体露光
装置。
6. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein the image capturing means captures the image data in a divided manner while moving the moving stage.
JP5041694A 1993-02-08 1993-02-08 Semiconductor exposure device Pending JPH06236838A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5041694A JPH06236838A (en) 1993-02-08 1993-02-08 Semiconductor exposure device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5041694A JPH06236838A (en) 1993-02-08 1993-02-08 Semiconductor exposure device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06236838A true JPH06236838A (en) 1994-08-23

Family

ID=12615538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5041694A Pending JPH06236838A (en) 1993-02-08 1993-02-08 Semiconductor exposure device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06236838A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982628A (en) * 1995-09-12 1997-03-28 Canon Inc Exposure method and device using the same
JP2006135325A (en) * 2004-11-03 2006-05-25 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and method of manufacturing device
CN105511232A (en) * 2014-09-30 2016-04-20 精工半导体有限公司 Reticle transmittance measurement method, projection exposure device, and projection exposure method
JP2016072598A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 Reticle transmissivity measuring method, projection exposure device and projection exposure method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982628A (en) * 1995-09-12 1997-03-28 Canon Inc Exposure method and device using the same
JP2006135325A (en) * 2004-11-03 2006-05-25 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and method of manufacturing device
CN105511232A (en) * 2014-09-30 2016-04-20 精工半导体有限公司 Reticle transmittance measurement method, projection exposure device, and projection exposure method
JP2016072598A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 Reticle transmissivity measuring method, projection exposure device and projection exposure method
CN105511232B (en) * 2014-09-30 2018-09-28 艾普凌科有限公司 Reticle mask transmissivity measurement method, projection aligner and exposure method
JP2019091065A (en) * 2014-09-30 2019-06-13 エイブリック株式会社 Projection exposure method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2893778B2 (en) Exposure equipment
JP3093528B2 (en) Scanning exposure equipment
JPS63269022A (en) Apparatus for measuring illuminance irregularity
JP4206396B2 (en) System and method for inspecting and controlling the performance of a maskless lithography tool
JPH09148215A (en) Exposure device
JPH11211415A (en) Position detecting device and manufacture of device using it
JPH06236838A (en) Semiconductor exposure device
JP2705609B2 (en) Exposure apparatus and exposure method
JPH03211812A (en) Exposure aligner
JP3445047B2 (en) Illumination device and observation device using the same
JP2881062B2 (en) Substrate alignment method and apparatus
JP2006128447A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and information managing method
JP2873755B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP2004294088A (en) Image acquiring device and image acquisition method
JPH0225016A (en) Aligner
JP3337823B2 (en) Projection exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same
JPH1092729A (en) Illumination device and scanning projection aligner using the same
JPH1097988A (en) Aligner
JPH10326739A (en) Alignment method and exposure method
JPH08321463A (en) Device for exposing needless resist
JPH09223662A (en) Illumination device and scanning exposure device, and fabrication method of device using them
Hansen et al. Simple method for characterizing photoresist dissolution properties
KR20010063162A (en) Apparatus for displaying contamination state of wafer
JPS62213123A (en) Measurement of distribution of intensity of illumination and its equipment
JPH11251230A (en) Position detecting device, aligner, and position detecting method