JPH06235478A - パイロット式電磁弁 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 異物咬み込みが起こりにくく、仮に異物を咬
み込んでもその影響が少ない、パイロット式電磁弁を提
供すること。 【構成】 ピストンリング（３６１、３６２）のシリ
ンダ内壁と接する部分の軸方向長さが異物の径と同程度
なので、ピストンリング（３６１、３６２）とシリンダ
内壁との間に咬み込まれた異物は吹き飛びやすい。ま
た、ピストンリングと環状溝とが２組（３６１と３５
１、３６２と３５２）設けられているので、環状溝（３
５１、３５２）幅のクリアランスを過大にとる必要がな
く、ピストンリング（３６１、３６２）とピストン３１
との間への異物咬み込みも起こりにくく、さらに、一方
に異物が咬み込まれても、全体での漏れ流量はほとんど
変化なく、良好な作動を維持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はパイロット式電磁弁に関
し、さらに詳細にはパイロット圧の増減に応じて移動す
るピストンを備え、そのピストンの外周にピストンリン
グが設けられたパイロット式電磁弁に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、小電力にて大容量流の開閉を行う
ための電磁弁として、主弁体と別に副弁体としてパイロ
ット弁体を設け、通電励磁によりパイロット弁の開閉を
行うことで主弁体にかかる圧力を変化させ、かかる圧力
変化により主弁体を移動させて主弁の開閉を行う、いわ
ゆるパイロット式電磁弁が使用されている。かかるパイ
ロット式電磁弁においては、主弁体たるピストンの摺動
抵抗および外周部からの漏れ流量が大きいと、電磁弁と
して重要な機能である動作の安定性、弁開閉時間の安定
性が著しく損なわれる。そして、ピストン摺動抵抗およ
びピストン外周面からの漏れ流量は、ウェアリングある
いはピストンリングの形状により、大きく左右されるの
である。

【０００３】そのため、従来のこの種の電磁弁として
は、図６に部分的に示されるように、弁本体内に形成さ
れたシリンダ７１内に移動可能に設けられた主弁組立体
のピストン７２の外周にピストン７２の傾きを抑制する
とともにピストン７２の外周とシリンダ７１の内壁（い
ずれも金属）とが摺り合ってかじりを起こさないため
に、ウェアリング７３を設けるとともに、ピストン７２
の外周面からの漏れ流量を少なくするためにピストン７
２の外周の別の位置にピストンリング７４を設けてその
内側に内張リング７５を挿入したものがある。あるい
は、ピストンリングとして図７に示されるように逆Ｖ字
形断面の樹脂製リップパッキン７６を用いたもの等があ
る。また、実公昭５９−１０４５８号公報に別の例が提
案されている。すなわち、図８（ａ）に示されるよう
に、ピストン６１の軸方向長さを短くしてウェアリング
を不要とするとともに、１のピストンリング６５溝内に
複数のＣ字形断面のピストンリング（６６１および６６
２）と１の内張リング６７を設けたもの等がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のパイロット式電磁弁では、ゴミ等異物のピスト
ンリングへの咬み込みが起こりやすい。そして、異物を
咬み込むと正常時と比べて、ピストン外周面からの漏れ
流量が大きくなること、ピストンの摺動抵抗が大きくな
ること等の弊害があり、結果として前述したように動作
の安定性、弁開閉時間の安定性が著しく損なわれるので
ある。特に、高温蒸気を扱う場合は必然的に配管等に錆
が発生しやすく、発生した錆の粒子を異物として咬み込
むことによる作動不良が起こりやすい。

【０００５】まず、ピストンリングへの異物の咬み込み
について説明する。例えば図８（ａ）に示すものでは、
ピストンリング（６６１および６６２）とシリンダ内壁
との接触箇所を複数にすることで、ピストン６１の傾き
を防止することおよび多段シールによる漏れ流量低減を
主なねらいとしている。しかし、ピストンリング（６６
１および６６２）とシリンダ内壁との間に異物が咬み込
まれる（図８（ｂ））と、前述したようにピストン６１
外周面からの漏れ流量およびピストン６１の摺動抵抗の
増大が起こる。その結果として一次圧が主弁上室へ吹抜
けたり、摺動がロックされてピストン６１が動かなくな
ったりする。そして一旦咬み込まれた異物は吹き飛びに
くい。

【０００６】またこの例では単一の溝６５に複数のピス
トンリング（６６１および６６２）を配設しているた
め、工作精度上の問題からピストンリング幅の合計に対
する溝幅のクリアランス（図８中ｃ）を大きくとらざる
を得ないので、ピストンリング（６６１および６６２）
とピストン６１との隙間にも異物が侵入しうる（図８
（ｃ））。これも一次圧吹抜けにつながる漏れ流量増大
を引き起こすのである。このように、従来のパイロット
式電磁弁では異物咬み込みの発生機会が多い。これらの
ことから、従来のパイロット式電磁弁は異物咬み込みの
発生機会が多く、しかも異物咬み込みが発生すると作動
不良となってしまうことがわかる。

【０００７】本発明は前記従来技術の問題点を解決する
ためになされたものであり、一次圧の吹抜けや摺動抵抗
の増加につながる異物咬み込みが起こりにくく、かつ、
仮に異物咬み込みが起こっても正常時と比較しての一次
圧の吹抜けや摺動抵抗の増加が少なく使用可能な状態を
維持する、信頼性の高いパイロット式電磁弁を提供する
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るための本発明者らによる実験の結果、上記錆による異
物は０．０５ｍｍ〜１ｍｍ程度の大きさのものが大半で
あるが判明した。また、この種の異物は咬み込んでも吹
飛んでしまえばほとんど弊害は残らないことが判明し
た。そして、ピストンリングのシリンダ内壁と接触する
部分の軸方向長さを、異物の大きさと同程度またはそれ
以下にすれば咬み込まれた異物が吹飛びやすくなること
が判明した。また、複数のピストンリングを配設する場
合、ピストンリング毎に溝を形成し１の溝に１のピスト
ンリングを配設することとすれば、個々の溝幅クリアラ
ンスを大きくとる必要がなく、したがってピストンリン
グと主弁との隙間への異物侵入が起こりにくくなること
が実験により確認された。

【０００９】したがって本発明のパイロット式電磁弁
は、弁本体内に形成されたシリンダ内に移動可能に設け
られた主弁体たるピストンと、ピストンの上室と出口ポ
ートとをコイルに通電励磁されることにより連通させる
副弁体とを有し、コイルを励磁することによりピストン
を移動させ入口ポートと出口ポートとの連通遮断を制御
するパイロット式電磁弁であって、ピストンの外周に形
成された環状溝と、環状溝に配設されたピストンリング
と、ピストンリングの内周側に嵌合された内張リングと
を有し、ピストンリングのシリンダ内壁と接触する部分
の軸方向長さが０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下として構成
される。

【００１０】また、上記パイロット式弁において、ピス
トンの外周に形成された２以上の環状溝と、各環状溝に
配設されたピストンリングと、各ピストンリングの内周
側に嵌合された内張リングとを有し、ピストンリングの
少なくとも１つのシリンダ内壁と接触する部分の軸方向
長さが０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下であることを特徴と
して構成される。

【００１１】

【作用】上記構成を有する本発明のパイロット式電磁弁
では、コイルに通電されていないとき、バネにより可動
鉄心が主弁組立体に押圧され、シール部材が弁座体と係
合してパイロットポートを閉じる。このため入口ポート
からパイロットパスを介してパイロット室内の圧力は入
口ポートの圧力と同圧になりピストンを下方に押圧し、
弁体が弁座と係合して主弁を閉じる。したがって入口ポ
ートと出口ポートとは連通していない。

【００１２】コイルに通電すると電磁力により可動鉄心
は固定鉄心に吸引され、シール部材が弁座体から離れて
パイロットポートが開く。よってパイロット室内の圧力
はパイロットポートを介して出口ポートへ逃げ、パイロ
ット室内の圧力が低下する。このため主弁組立体は下側
から作用する入口ポートの圧力により押上られ弁体が弁
座から離れ、主弁を開く。これにより入口ポートと出口
ポートとが連通する。コイルの通電を切ると可動鉄心は
バネにより主弁組立体側に押圧され、前述のように主弁
を閉じ、入口ポートと出口ポートとの連通が遮断され
る。ここにおいて主弁のピストンリングのシリンダ内壁
と接触する部分の軸方向長さを０．０５ｍｍ以上１ｍｍ
以下としたことにより、異物咬み込みによる弊害が起こ
りにくい。そして該ピストンリング溝とピストンリング
の組合せを複数組設けてあるので、異物咬み込みが起こ
ってもその影響が小さく、使用可能状態を維持する。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を具体化したパイロット式電磁
弁の実施例を図面を参照して説明する。図１は本実施例
のパイロット式電磁弁の断面図である。図１に示すパイ
ロット式電磁弁１は、上部分２１と下部分２２とからな
る弁本体２、主弁組立体３、ソレノイド装置４からな
り、主弁組立体３は弁本体２の上部分２１に設けられた
シリンダ２６内に、軸方向（図中上下方向）に移動可能
に挿入されている。かかるパイロット式電磁弁１におい
て、本発明の主要部分をなすのは主弁組立体３のピスト
ン３１のシール機構であるが、説明の便宜上、パイロッ
ト式電磁弁１全体の構成およびその動作について説明
し、しかるのちに本発明の主要部分たるピストン３１の
シール機構について説明することとする。

【００１４】したがってまず、パイロット式電磁弁１全
体の構成について説明する。弁本体２の下部分２２に
は、弁座２５、図示しない流体源につながる入口ポート
２３、および図示しない負荷につながる出口ポート２４
が形成されている。弁本体２の上部分２１には、パイロ
ット室２７、パイロット室２７と入口ポート２３とを連
通するブリードポート２８が形成されている。主弁組立
体３は、シリンダ２６内で摺動するピストン３１と、ピ
ストン３１の下面に取り付けられていて弁座２５と係合
可能な弁体３２とを有している。ピストン３１は、図８
に示すもの同様軸方向長さを短くしてウェアリングを不
要としている。ピストン３１の中心には、パイロット室
２７と出口ポート２４とを連通可能なパイロットポート
３３が形成された弁座体３４が取り付けられている。ピ
ストン３１の外周には環状溝３５１および環状溝３５２
が形成されており、環状溝３５１および環状溝３５２内
には、それぞれピストンリング３６１およびピストンリ
ング３６２が挿入されている。ピストンリング３６１お
よびピストンリング３６２については後述する。

【００１５】ソレノイド装置４は、コイルボビン４５、
コイルボビン４５に巻回されたコイル４１、コイルボビ
ン４５に固定して設置された固定鉄心４２、コイルボビ
ン４５の中空部に嵌入されたパイプ４０、パイプ４０内
に摺動可能に摺動可能に嵌合された可動鉄心４３を有し
ており、可動鉄心４３はバネ４４により主弁組立体３に
向かって押圧されている。可動鉄心４３の先端には、弁
座体３４に当接してパイロットポート３３を閉じるシー
ル部材４６が取り付けられている。

【００１６】次に、上記構成を有するパイロット式電磁
弁１全体の動作について説明する。まず、コイル４１に
通電されていないとき、可動鉄心４３はバネ４４により
主弁組立体３側に押圧されてシール部材４６が弁座体３
４と係合してパイロットポート３３を閉じる。このため
入口ポート２３からブリードポート２８を介してパイロ
ット室２７内の圧力は入口ポート２３の圧力と同圧にな
りピストン３１を下方に押圧し、弁体３２が弁座２５と
係合して主弁を閉じる。したがってこの状態では、入口
ポート２３と出口ポート２４とは連通していない。図１
はこの状態を示している。

【００１７】そしてコイル４１に通電すると電磁力によ
り可動鉄心４３は、バネ４４の押圧力に逆らって固定鉄
心４２に吸引される。このためシール部材４６が弁座体
３４から離れてパイロットポート３３が開くので、パイ
ロット室２７内の圧力はパイロットポート３３を介して
出口ポート２４へ逃げ、パイロット室２７内の圧力が低
下する。このため主弁組立体３は下側から作用する入口
ポート２３の圧力により押上られ弁体３２が弁座２５か
ら離れ、主弁を開く。これにより入口ポート２３と出口
ポート２４とが連通する。この状態を図２に示す。コイ
ル４１の通電を切ると可動鉄心４３はバネ４４により主
弁組立体３側に押圧され、前述のように主弁を閉じ、入
口ポート２３と出口ポート２４との連通が遮断される。

【００１８】続いて本発明の主要部分たるピストンリン
グ３６について図３および図４を参照して説明する。図
３および図４は、それぞれ本実施例のパイロット式電磁
弁における２種類のピストンリング、内張リング、環状
溝、およびその周辺の断面図であり、図１および図２の
全体断面図は、図４のものを採用したものである。図３
および図４について、以下順次説明する。

【００１９】最初に図３に示す断面図について説明す
る。図３では、内張リング３７を内周側に嵌合したピス
トンリング３６がピストン３１の環状溝３５に配設され
ている。この内張リング３７はピストンリング３６を内
側から半径方向外方に押圧するようになっている。ここ
において、ピストンリング３６および内張リング３７
は、その図示しないスリットが互いに重ならないように
嵌合されるべきであることは周知のとおりである。さら
にピストン３１においては、従来技術によるパイロット
式電磁弁の例である図６に示すもののような、ピストン
７２の傾き防止のためのウェアリング７３を不要とする
ために、ピストン３１の軸方向長さが短くされている。
図３に示す以外の部分については、むろん図１および図
２に示すものと同様である。

【００２０】そしてこの例では、ピストンリング３６の
シリンダ内壁と接触する部分の軸方向長さ（図３中ａ）
が０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下とされている。その理由
は、この種の電磁弁を高温蒸気等の断続に用いる場合、
異物の大半は配管等で発生した錆の粒子であって、該錆
粒子の大きさは概ね０．０５ｍｍ〜１ｍｍ程度であり、
ａがこれと同程度かそれ以下であれば、咬み込んだ異物
が吹飛びやすく、異物咬みによる不良発生が起こりにく
いことを利用するためである。図３中ｂの場所に空間が
あり、ここを流体が流れ得ることも、咬み込んだ異物の
吹飛びやすさに貢献している。

【００２１】すなわち、ａが１ｍｍ以上あると一旦咬み
込んだ異物が吹飛びにくいので、使用している間に多数
の異物が咬み込んだ状態になりやすいのである。もちろ
んそのような状態ではピストンリング３６からの圧力漏
れが大きく、電磁弁としての動作は不良である。ここで
ａを０．０５ｍｍ以上とした理由は、ａを過度に小さく
するとピストンリング３６の正常時のシール能力が落
ち、結局圧力漏れが発生してしまうからである。

【００２２】続いて図４に示す断面図について説明す
る。本例ではピストン３１の外周に環状溝３５１と環状
溝３５２とが形成されており、環状溝３５１には内張リ
ング３７１を内周側に嵌合したピストンリング３６１
が、環状溝３５２には内張リング３７２を内周側に嵌合
したピストンリング３６２が、それぞれ設けられてい
る。そして、ピストンリング３６１とピストンリング３
６２とは、ともに図３に示すピストンリング３６と同様
の断面形状を有している。

【００２３】本例では、ピストンリング３６１およびピ
ストンリング３６２のシリンダ内壁と接触する部分の軸
方向長さが０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下であるため、ピ
ストンリング３６１またはピストンリング３６２に異物
が咬み込まれても、咬み込んだ異物は吹き飛びやすく、
不良発生には至りにくい。そしてピストンリング、内張
リング、環状溝の組合せが２組設けられているので、仮
に一方のピストンリングでシール能力低下が起こって
も、他のピストンリングがシール能力を維持し、また、
ピストンリングの軸方向長さに対する溝幅クリアランス
が小さいので、ピストンリング（３６１または３６２）
とピストン３１との隙間への異物の侵入（図８（ｃ）参
照）が起こりにくく、全体として漏れ流量が大幅に増加
することはない。すなわち、図３に示す例の効果を有
し、さらにピストンリング、内張リング、環状溝の組合
せを２組有することにより、シール能力低下を防ぐ効果
をも有している。

【００２４】本例において、１のピストンリングにのみ
図３に示す断面形状のものを採用し、他のピストンリン
グは通常の断面形状のものを使うことも考えられる。ま
た、ピストンリング、内張リング、環状溝の組合せは２
組に限る必要はなく、３組以上としてもよい。ただし過
度に組数を増やすと、ピストン３１の軸方向長さをその
分大きくしなければならないので、ウェアリングを不要
とするためにピストン３１の軸方向長さを短くした意義
を没却するとともに、電磁弁全体のサイズが大きくなる
こと、およびコストの増大は避けられない。

【００２５】ここで、この種のパイロット式電磁弁にお
ける作動良好性が、主として主弁開動作が適正に起こる
かどうかによることについて、本実施例と従来技術の例
とを引用しながら説明する。この種のパイロット式電磁
弁における主弁開動作は、出口ポート側に開放され低下
した主弁上室圧力Ｐp によるピストン７２押下力に、一
次圧Ｐ1 によるピストン７２押上力が打ち勝つことによ
り行われる（図６参照）が、単純に主弁上室圧力Ｐp が
一次圧Ｐ1 より低下するだけではピストン７２は上昇し
ない。その理由として、ピストン７２押下力は主弁上室
圧力Ｐp によるものだけでなく、バネ７０による押し付
け力ｗ、ピストン７２の自重力Ｗがあること、さらに、
主弁上室圧力Ｐp はピストン７２の面積全体に作用する
のに対し、一次圧Ｐ1 はピストン７２のうち弁座７６の
外側部分の面積のみに作用することが挙げられる。した
がって主弁上室圧力Ｐp は一次圧Ｐ1 と比べて相当程度
低下しなければ開動作が起こらず、作動良好であるとは
いえないのである。

【００２６】ここで開動作が起こるために求められる主
弁上室圧力（出口ポート側に開放され低下した状態での
圧力をいう、以下同じ）Ｐp と一次圧Ｐ1 との関係を図
５のグラフを参照して説明する。図５では横軸が一次圧
Ｐ1 を、縦軸が主弁上室圧力Ｐp を示している。実際の
パイロット式電磁弁は、５〜７ｋｇｆ／ｃｍ² 程度の一
次圧Ｐ1 にて使用されるのが普通である。このグラフで
は原点を通る直線ｆ〜ｉが、実際のパイロット式電磁弁
における一次圧と主弁上室圧力との関係であり、直線ｆ
のように傾きが低いものはピストンリング７４のシール
能力がよく、一次圧Ｐ1 と比べて主弁上室圧力Ｐp は充
分低下していることを意味する。逆に直線ｉのように傾
きが高いものは、ピストンリング７４のシール能力が悪
く、一次圧Ｐ1 と比べて主弁上室圧力Ｐp が充分低下し
ないことを示す。

【００２７】次に、図５中の直線ｅが作動良好と作動不
良との臨界であることについて説明する。前述したよう
にピストン７２にかかる下向きの力として主弁上室圧力
Ｐp、バネ７０による押し付け力ｗ、ピストン７２の自
重力Ｗがあり、主弁上室圧力Ｐp はピストン７２の面積
全体に作用するので、下向きの力の合計Ｆd は、 Ｆd ＝（π／４）Ｄ² Ｐp ＋Ｗ＋ｗ となる。ここにＤはピストン７２の直径である。一方、
一次圧Ｐ1 はピストン７２のうち弁座７６より外側のみ
に作用するので上向きの力Ｆu は、 Ｆu ＝（π／４）（Ｄ² −ｄ² ）Ｐ1 となる。ここにｄは弁座７６の径を示す。

【００２８】したがって開動作、すなわちピストン７２
の上向きの動きが起こるためには、下向きの力Ｆd が上
向きの力Ｆu より小さくならなければならないので、 （π／４）（Ｄ² −ｄ² ）Ｐ1 ＞（π／４）Ｄ² Ｐp ＋
Ｗ＋ｗ なる不等式が成り立たなければならず、これを圧力Ｐp
について解けば Ｐp ＜｛１−（ｄ／Ｄ）² ｝Ｐ1 −（４／πＤ² ）（Ｗ
＋ｗ） となり、これを図５中に表したのが直線ｅである。すな
わち直線ｅより上の領域では、主弁上室の圧力Ｐp が充
分低下していないので一次圧Ｐ1 による押上げ力ではピ
ストン７２が上昇しないのである。

【００２９】図５中の直線ｈは、図８に示すピストンお
よびピストンリングを有するパイロット式電磁弁、すな
わち従来技術に基づくパイロット式電磁弁の正常時にお
ける一次圧Ｐ1 と主弁上室圧力Ｐp との関係であり、直
線ｅの作動限界より傾きが低く、したがって作動は良好
である。しかしこのパイロット式電磁弁は、異物を咬み
込むと直線ｉの関係を示すようになる。直線ｉの場合傾
きが高く、一次圧Ｐ1が約１．５ｋｇｆ／ｃｍ² で直線
ｅと交差している。したがって約１．５ｋｇｆ／ｃｍ²
以下の一次圧でしか使用できず、前記した普通に使用さ
れる一次圧範囲である５〜７ｋｇｆ／ｃｍ² では使用で
きないので作動不良である。

【００３０】本実施例にかかるパイロット式電磁弁１
の、一次圧（入口ポート２３の圧力）Ｐ1 と主弁上室圧
力Ｐp との関係を図５のグラフの直線ｆおよび直線ｇに
示す。直線ｆは正常時におけるもので傾きが低く作動が
非常に良好であることを示している。異物咬み込み時は
直線ｇの関係となり、直線ｆよりは傾きが高くなるが直
線ｅの作動限界にはまだ余裕がある。このことから本実
施例のパイロット式電磁弁は異物を咬み込んでもなお、
良好な作動を維持することがわかる。

【００３１】以上詳細に説明したとおり本実施例にかか
るパイロット式電磁弁１では、ピストンリング３６１お
よびピストンリング３６２のシリンダ内壁と接触する部
分の軸方向長さを０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下とし、そ
れぞれを別々の環状溝（３５１および３５２）に配設す
ることとしたので、ピストンリング（３６１または３６
２）に異物が咬み込まれることによる作動不良が起こり
にくい。これにより、ピストンリングとシリンダ内壁と
の間からの、一次圧（入口ポート２３の圧力）の主弁上
室への吹抜けが極めて起こりにくい、信頼性の高いパイ
ロット式電磁弁を提供できる。

【００３２】なお、前記実施例は本発明を限定するもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種
々の変形、改良が可能であることはもちろんである。例
えば変形の例として、前記実施例ではシール部材４６が
係合する弁座体３４は主弁組立体３の一部として組込ま
れており、弁座体３４の中心にパイロットポート３３が
形成されている構造をとっている（図１参照）が、弁座
体３４およびパイロットポート３３を弁本体２の上部分
２１に固定して形成する構造のものにも適用できる。さ
らには、以上述べたものはいずれもコイル４１に通電さ
れているときに主弁が開となる通電時開形のものである
が、固定鉄心４２と可動鉄心４３との位置と形状を変更
してコイル４１に通電されているときに主弁が閉となる
通電時閉形としたものにも適用できる。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したことから明かなように本発
明のパイロット式電磁弁では、一次圧の吹抜けや摺動抵
抗の増加につながる異物咬み込みが起こりにくく、そし
て複数のピストンリングを有しているので、仮に一方の
ピストンリングに異物咬み込みが起こっても、正常時と
比較しての一次圧の吹抜けや摺動抵抗の増加が少なく使
用可能な状態を維持する、信頼性の高いパイロット式電
磁弁を提供でき、その奏する効果は大である。特に、錆
による異物発生が多い、高温蒸気を扱うパイロット式電
磁弁において有益度が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるパイロット式電磁弁全体の閉状
態における断面図である。

【図２】本発明にかかるパイロット式電磁弁全体の開状
態における断面図である。

【図３】本発明の第１の実施例にかかるパイロット式電
磁弁の主弁部分のピストンリングおよびその周囲の断面
図である。

【図４】本発明の第２の実施例にかかるパイロット式電
磁弁の主弁部分のピストンリングおよびその周囲の断面
図である。

【図５】パイロット式電磁弁における、一次圧と主弁上
室圧との関係を示すグラフである。

【図６】従来技術にかかる第１のパイロット式電磁弁の
主弁部分およびその周囲の断面図である。

【図７】従来技術にかかる第２のパイロット式電磁弁の
主弁部分のピストンリングの断面図である。

【図８】従来技術にかかる第３のパイロット式電磁弁の
主弁部分のピストンリングおよびその周囲の断面図であ
る。

【符号の説明】

１ パイロット式電磁弁 ２ 弁本体 ２３ 入口ポート ２４ 出口ポート ２６ シリンダ ３ 主弁組立体 ３１ ピストン ３３ パイロットポート ３５、３５１、３５２ 環状溝 ３６、３６１、３６２ ピストンリング ３７、３７１、３７２ 内張リング

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 弁本体内に形成されたシリンダ内に移動
   可能に設けられた主弁体たるピストンと、ピストンの上
   室と出口ポートとをコイルに通電励磁されることにより
   連通させる副弁体とを有し、コイルを励磁することによ
   りピストンを移動させ入口ポートと出口ポートとの連通
   遮断を制御するパイロット式電磁弁において、 前記ピストンの外周に形成された環状溝と、 前記環状溝に配設されたピストンリングと、 前記ピストンリングの内周側に嵌合された内張リングと
   を有し、 前記ピストンリングの前記シリンダ内壁と接触する部分
   の軸方向長さが０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下であること
   を特徴とするパイロット式電磁弁。
2. 【請求項２】 請求項１に記載するパイロット式電磁弁
   において、 前記ピストンの外周に形成された２以上の環状溝と、 前記各環状溝に配設されたピストンリングと、 前記各ピストンリングの内周側に嵌合された内張リング
   とを有し、 前記ピストンリングのうちの少なくとも１つが前記シリ
   ンダ内壁と接触する部分の軸方向長さが０．０５ｍｍ以
   上１ｍｍ以下であることを特徴とするパイロット式電磁
   弁。