JPH06234531A - 石英ガラスの製造方法 - Google Patents
石英ガラスの製造方法Info
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- JPH06234531A JPH06234531A JP5022294A JP2229493A JPH06234531A JP H06234531 A JPH06234531 A JP H06234531A JP 5022294 A JP5022294 A JP 5022294A JP 2229493 A JP2229493 A JP 2229493A JP H06234531 A JPH06234531 A JP H06234531A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 不純物濃度が低く、かつ屈折率の均質性の高
い石英ガラスの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】Si化合物ガスとO2ガスとH2ガスとをバーナ
ー1から噴出して燃焼させ、ターゲット3上に石英ガラ
スを堆積しインゴット7を形成する石英ガラスの製造方
法において、インゴット7のヘッド部の温度分布を計測
して得られた情報によりバーナー1とインゴット7とを
XYステージを用いて相対的に平面移動させ、インゴッ
トの温度分布を屈折率の均質性に最適なものとする。
い石英ガラスの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】Si化合物ガスとO2ガスとH2ガスとをバーナ
ー1から噴出して燃焼させ、ターゲット3上に石英ガラ
スを堆積しインゴット7を形成する石英ガラスの製造方
法において、インゴット7のヘッド部の温度分布を計測
して得られた情報によりバーナー1とインゴット7とを
XYステージを用いて相対的に平面移動させ、インゴッ
トの温度分布を屈折率の均質性に最適なものとする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、石英ガラスの製造方法
に関するものであり、特に高均質性が要求される合成石
英ガラス部材を必要とする分野、例えば光リソグラフィ
ー、高精度分光器、レーザー等の精密光学機器等に有用
とされる高均質な光学用合成石英ガラスに関するもので
ある。
に関するものであり、特に高均質性が要求される合成石
英ガラス部材を必要とする分野、例えば光リソグラフィ
ー、高精度分光器、レーザー等の精密光学機器等に有用
とされる高均質な光学用合成石英ガラスに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来、シリコン等のウエハ上に集積回路
の微細パターンを露光・転写する光リソグラフィー技術
においては、ステッパーと呼ばれる露光装置が用いられ
ている。このステッパーの光源は、近年のLSIの高集
積化にともなってg線(436nm)からi線(365
nm)、さらにはKrF(248nm)やArF(19
3nm)エキシマレーザーへと短波長化が進められてい
る。
の微細パターンを露光・転写する光リソグラフィー技術
においては、ステッパーと呼ばれる露光装置が用いられ
ている。このステッパーの光源は、近年のLSIの高集
積化にともなってg線(436nm)からi線(365
nm)、さらにはKrF(248nm)やArF(19
3nm)エキシマレーザーへと短波長化が進められてい
る。
【0003】一般に、ステッパーの照明系あるいは投影
レンズとして用いられる光学ガラスは、i線よりも短い
波長領域では光透過率が低下するため、従来の光学ガラ
スにかえて合成石英ガラスやCaF2(蛍石)等のフッ
化物単結晶を用いることが提案されている。このよう
に、紫外線リソグラフィー用の光学素子として用いられ
る石英ガラスには、紫外域の高透過性と屈折率の高均質
性が要求されている。紫外域の高透過性を実現するため
には、石英ガラス中の不純物濃度を抑える必要がある。
そこで、石英ガラスの原料となるSi化合物ガス(Si
化合物ガスを送り出すために、O2、H2等のキャリアガ
スが用いられる)と加熱のための燃焼ガス(O2ガスと
H2ガス)とをバーナーから流出し、火炎内で石英ガラ
スを堆積させる火炎加水分解法が一般的に行なわれてい
る。
レンズとして用いられる光学ガラスは、i線よりも短い
波長領域では光透過率が低下するため、従来の光学ガラ
スにかえて合成石英ガラスやCaF2(蛍石)等のフッ
化物単結晶を用いることが提案されている。このよう
に、紫外線リソグラフィー用の光学素子として用いられ
る石英ガラスには、紫外域の高透過性と屈折率の高均質
性が要求されている。紫外域の高透過性を実現するため
には、石英ガラス中の不純物濃度を抑える必要がある。
そこで、石英ガラスの原料となるSi化合物ガス(Si
化合物ガスを送り出すために、O2、H2等のキャリアガ
スが用いられる)と加熱のための燃焼ガス(O2ガスと
H2ガス)とをバーナーから流出し、火炎内で石英ガラ
スを堆積させる火炎加水分解法が一般的に行なわれてい
る。
【0004】この方法は、原料、燃焼ガスの不純物を抑
えることが容易なため、高純度の石英ガラスが得られる
ことが知られている。
えることが容易なため、高純度の石英ガラスが得られる
ことが知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、火炎加
水分解法により製造された石英ガラスは、不純物濃度は
抑えられているが、屈折率の均質性に関しては満足のい
くものが得られていなかった。本発明は、このような問
題点を解決し、不純物濃度が低く、かつ屈折率の均質性
の高い石英ガラスの製造方法を提供することを目的とす
る。
水分解法により製造された石英ガラスは、不純物濃度は
抑えられているが、屈折率の均質性に関しては満足のい
くものが得られていなかった。本発明は、このような問
題点を解決し、不純物濃度が低く、かつ屈折率の均質性
の高い石英ガラスの製造方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】屈折率の均質性は、ター
ゲット上にインゴットが形成されるときの径方向から見
た温度分布に依存すると考えられる。そこで、従来は、
バーナーの先端部の形状や、原料ガス、燃焼ガス(O2
ガスとH2ガス)の量や比をあらかじめ均質化に最適な
温度分布になるように予測して設定していた。
ゲット上にインゴットが形成されるときの径方向から見
た温度分布に依存すると考えられる。そこで、従来は、
バーナーの先端部の形状や、原料ガス、燃焼ガス(O2
ガスとH2ガス)の量や比をあらかじめ均質化に最適な
温度分布になるように予測して設定していた。
【0007】しかしながら、温度分布は必ずしも予測ど
おりにはならず、また、どの程度の均質性の石英ガラス
が得られるかは、実際に製造して均質性を測定するまで
わからなかった。本発明者らは、このような状況を踏ま
えた上で、屈折率の均質性を最適化するようにインゴッ
トのヘッド部の温度分布を調整すべく鋭意研究を重ねた
結果、ヘッド部の温度分布を計測し、その情報に応じて
合成中のインゴットのバーナーに対する位置関係を相対
的に平面移動させることにより上記問題を解決できるこ
とを見い出し、本発明を成すに至った。
おりにはならず、また、どの程度の均質性の石英ガラス
が得られるかは、実際に製造して均質性を測定するまで
わからなかった。本発明者らは、このような状況を踏ま
えた上で、屈折率の均質性を最適化するようにインゴッ
トのヘッド部の温度分布を調整すべく鋭意研究を重ねた
結果、ヘッド部の温度分布を計測し、その情報に応じて
合成中のインゴットのバーナーに対する位置関係を相対
的に平面移動させることにより上記問題を解決できるこ
とを見い出し、本発明を成すに至った。
【0008】よって、本発明は、Si化合物ガスとO2
ガスとH2ガスとをバーナーから噴出して燃焼させ、タ
ーゲット上に石英ガラスを堆積しインゴットを形成する
石英ガラスの製造方法において、インゴットのヘッド部
の温度分布に応じてバーナーとインゴットとを相対的に
平面移動させることを特徴とする石英ガラスの製造方法
を提供するものである(請求項1)。
ガスとH2ガスとをバーナーから噴出して燃焼させ、タ
ーゲット上に石英ガラスを堆積しインゴットを形成する
石英ガラスの製造方法において、インゴットのヘッド部
の温度分布に応じてバーナーとインゴットとを相対的に
平面移動させることを特徴とする石英ガラスの製造方法
を提供するものである(請求項1)。
【0009】また、本発明は、好ましくは、インゴット
をXYステージにより平面移動させるものであることを
特徴とする石英ガラスの製造方法を提供するものである
(請求項2)。
をXYステージにより平面移動させるものであることを
特徴とする石英ガラスの製造方法を提供するものである
(請求項2)。
【0010】
【作用】従来の石英ガラスの製造方法においては、原料
の拡散を目的としたインゴットの回転運動及び平面移動
と、堆積速度に見合った上下移動のみを行なっていた。
本発明は、これらの運動に加えて、インゴットのヘッド
部の温度分布を計測して得られた情報に応じてバーナー
とインゴットを平面移動させることを特徴とする。より
端的に言えば、バーナーの形状やガス量等によって決定
される温度分布パターンと、平面移動によって与えられ
る温度分布パターンを組み合わせることにより屈折率の
均質性を最適化するような温度分布を形成し、結果とし
て均質性の向上した石英ガラスを得るものである。
の拡散を目的としたインゴットの回転運動及び平面移動
と、堆積速度に見合った上下移動のみを行なっていた。
本発明は、これらの運動に加えて、インゴットのヘッド
部の温度分布を計測して得られた情報に応じてバーナー
とインゴットを平面移動させることを特徴とする。より
端的に言えば、バーナーの形状やガス量等によって決定
される温度分布パターンと、平面移動によって与えられ
る温度分布パターンを組み合わせることにより屈折率の
均質性を最適化するような温度分布を形成し、結果とし
て均質性の向上した石英ガラスを得るものである。
【0011】本発明によれば、インゴットとバーナーと
の相対的な位置関係を、XYステージ等により微細に制
御できる。そして、インゴットのヘッド部の温度分布を
計測し、オンラインで位置関係にフィードバックするこ
とにより、絶えず屈折率の均質化に最適な温度分布を形
成することが可能である。また、火炎加水分解法の場
合、バーナーの火炎内にてインゴットが形成されるた
め、ヘッド部の温度分布は火炎のゆらぎ等の影響を受け
やすく、火炎そのものにより温度分布を細かく制御する
ことは非常に困難であったが、この点についても解決す
ることができる。
の相対的な位置関係を、XYステージ等により微細に制
御できる。そして、インゴットのヘッド部の温度分布を
計測し、オンラインで位置関係にフィードバックするこ
とにより、絶えず屈折率の均質化に最適な温度分布を形
成することが可能である。また、火炎加水分解法の場
合、バーナーの火炎内にてインゴットが形成されるた
め、ヘッド部の温度分布は火炎のゆらぎ等の影響を受け
やすく、火炎そのものにより温度分布を細かく制御する
ことは非常に困難であったが、この点についても解決す
ることができる。
【0012】本発明の石英ガラスの製造方法により製造
された石英ガラスは、主としてレンズ、プリズム、反射
板等の光学部材の母材として用いられる。この母材の外
周部分は削り取られ、必要に応じて切断、再成形されて
任意の形状に加工される。そして、内部歪をなくすため
にアニール(熱処理)した後、研磨、コーティング工程
を経て光学部材となる。
された石英ガラスは、主としてレンズ、プリズム、反射
板等の光学部材の母材として用いられる。この母材の外
周部分は削り取られ、必要に応じて切断、再成形されて
任意の形状に加工される。そして、内部歪をなくすため
にアニール(熱処理)した後、研磨、コーティング工程
を経て光学部材となる。
【0013】
【実施例】以下、火炎加水分解法を用いた本発明の石英
ガラスの製造方法の一実施例について説明するが、本発
明はこれに限られるものではない。図1は本実施例の製
造装置の概念図である。バーナー1は、炉2の上部から
ターゲット3にその先端部を向けて設置されている。炉
壁には観察用の窓4と、IRカメラ観察用の窓5と、排
気孔6とがそれぞれ設けられている。さらに、炉の下部
には、インゴット7形成用のターゲット3が設置されて
おり、支軸を介して炉外部のXYステージ8に接続され
ている。
ガラスの製造方法の一実施例について説明するが、本発
明はこれに限られるものではない。図1は本実施例の製
造装置の概念図である。バーナー1は、炉2の上部から
ターゲット3にその先端部を向けて設置されている。炉
壁には観察用の窓4と、IRカメラ観察用の窓5と、排
気孔6とがそれぞれ設けられている。さらに、炉の下部
には、インゴット7形成用のターゲット3が設置されて
おり、支軸を介して炉外部のXYステージ8に接続され
ている。
【0014】図2は、バーナー先端部の概略図である。
石英管11からSiCl4ガスおよびキャリアガスであ
るO2ガスが、加熱のための燃焼ガスとして石英管12
及び13からそれぞれO2ガスとH2ガスとが流出され
る。それぞれのガスの流量は、バーナー先端部の形状等
によっても異なるが、本実施例の場合はSiCl4ガス
5〜50g/min.、O2ガス20〜250l/min.、H2
ガス40〜500l/min.程度である。
石英管11からSiCl4ガスおよびキャリアガスであ
るO2ガスが、加熱のための燃焼ガスとして石英管12
及び13からそれぞれO2ガスとH2ガスとが流出され
る。それぞれのガスの流量は、バーナー先端部の形状等
によっても異なるが、本実施例の場合はSiCl4ガス
5〜50g/min.、O2ガス20〜250l/min.、H2
ガス40〜500l/min.程度である。
【0015】燃焼ガスによる火炎によりSiCl4ガス
が酸化されて熔融石英となり、ターゲット上に堆積しイ
ンゴットを形成する。インゴットのヘッド部は燃焼ガス
による火炎に覆われている。インゴットのヘッド部の温
度計測にはIRカメラ9を使用し、画面をデータ処理す
るためのコンピュータ10、及びリニアガイドで保持さ
れたサーボモータ駆動のXYステージ8で構成されてい
る。コンピュータは、処理された画面データから最適な
位置関係を計算し、サーボアンプに信号を送ることによ
り、オンラインでのXYステージの制御が可能になって
いる。
が酸化されて熔融石英となり、ターゲット上に堆積しイ
ンゴットを形成する。インゴットのヘッド部は燃焼ガス
による火炎に覆われている。インゴットのヘッド部の温
度計測にはIRカメラ9を使用し、画面をデータ処理す
るためのコンピュータ10、及びリニアガイドで保持さ
れたサーボモータ駆動のXYステージ8で構成されてい
る。コンピュータは、処理された画面データから最適な
位置関係を計算し、サーボアンプに信号を送ることによ
り、オンラインでのXYステージの制御が可能になって
いる。
【0016】図3、図4には、実験的にXYステージに
よりバーナーとインゴットとを相対的に平面移動させた
際に得られるインゴットのヘッド部の温度分布と屈折率
の均質性の結果を示す。ここで、X軸、Y軸はバーナー
の中心と原点が一致するXYステージの位置を基準とす
る。このように、XYステージによる平面移動により得
られる温度分布は変化し、これに依存して均質性も変化
する。
よりバーナーとインゴットとを相対的に平面移動させた
際に得られるインゴットのヘッド部の温度分布と屈折率
の均質性の結果を示す。ここで、X軸、Y軸はバーナー
の中心と原点が一致するXYステージの位置を基準とす
る。このように、XYステージによる平面移動により得
られる温度分布は変化し、これに依存して均質性も変化
する。
【0017】本実施例においては、バーナーの形状やガ
ス量等によって決定される温度分布パターンと平面移動
によって得られる温度分布パターンとを組み合わせるこ
とにより、均質性の向上した石英ガラスが得られた。ま
た、温度分布を一定にするように平面移動を高精度に制
御することにより、長時間にわたって同じ均質性の石英
ガラスを得ることができた。
ス量等によって決定される温度分布パターンと平面移動
によって得られる温度分布パターンとを組み合わせるこ
とにより、均質性の向上した石英ガラスが得られた。ま
た、温度分布を一定にするように平面移動を高精度に制
御することにより、長時間にわたって同じ均質性の石英
ガラスを得ることができた。
【0018】
【発明の効果】以上のように、本発明の石英ガラスの製
造方法によれば、インゴットの径方向から見た温度分布
を計測し、バーナーとインゴットとを平面移動すること
により屈折率の均質性を最適化するような温度分布とす
ることができ、結果として不純物濃度が低く、かつ均質
性の高い石英ガラスが得られる。
造方法によれば、インゴットの径方向から見た温度分布
を計測し、バーナーとインゴットとを平面移動すること
により屈折率の均質性を最適化するような温度分布とす
ることができ、結果として不純物濃度が低く、かつ均質
性の高い石英ガラスが得られる。
【図1】 本発明の石英ガラスの製造方法に用いられる
製造装置の一例を示す図である。
製造装置の一例を示す図である。
【図2】 図1の製造装置のバーナー先端部の概略図で
ある。
ある。
【図3】 バーナーとインゴットとを平面移動させて得
られるインゴットのヘッド部の温度分布と屈折率の均質
性の結果を示す説明図である。
られるインゴットのヘッド部の温度分布と屈折率の均質
性の結果を示す説明図である。
【図4】 バーナーとインゴットとを平面移動させて得
られるインゴットのヘッド部の温度分布と屈折率の均質
性の結果を示す説明図である。
られるインゴットのヘッド部の温度分布と屈折率の均質
性の結果を示す説明図である。
1 バーナー 2 炉 3 ターゲット 4 観察用窓 5 IRカメラ観察用窓 6 排気孔 7 インゴット 8 XYステージ 9 IRカメラ 10 コンピュータ 11 SiCl4+キャリアガス(O2もしくはH2)用
石英管 12 O2(もしくはH2)ガス用石英管 13 H2(もしくはO2)ガス用石英管
石英管 12 O2(もしくはH2)ガス用石英管 13 H2(もしくはO2)ガス用石英管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神保 宏樹 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内 (72)発明者 平岩 弘之 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内
Claims (2)
- 【請求項1】Si化合物ガスとO2ガスとH2ガスとをバ
ーナーから噴出して燃焼させ、ターゲット上に石英ガラ
スを堆積しインゴットを形成する石英ガラスの製造方法
において、前記インゴットのヘッド部の温度分布に応じ
て前記バーナーと前記インゴットとを相対的に平面移動
させることを特徴とする石英ガラスの製造方法。 - 【請求項2】請求項1に記載の石英ガラスの製造方法に
おいて、前記平面移動は、XYステージによるものであ
ることを特徴とする石英ガラスの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5022294A JP2814867B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 石英ガラスの製造方法 |
US08/479,130 US5702495A (en) | 1993-02-10 | 1995-06-07 | Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production |
US08/484,863 US5699183A (en) | 1993-02-10 | 1995-06-07 | Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production |
US08/509,223 US5703712A (en) | 1993-02-10 | 1995-07-31 | Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production |
US08/648,867 US5696624A (en) | 1993-02-10 | 1996-05-16 | Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production |
US08/711,471 US5719698A (en) | 1993-02-10 | 1996-09-06 | Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5022294A JP2814867B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 石英ガラスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06234531A true JPH06234531A (ja) | 1994-08-23 |
JP2814867B2 JP2814867B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=12078733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5022294A Expired - Lifetime JP2814867B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 石英ガラスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2814867B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0735006A1 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-02 | Nikon Corporation | Method for producing silica glass used for photolithography, and silica glass and optical members produced by the method |
US5696038A (en) * | 1995-09-12 | 1997-12-09 | Corning Incorporated | Boule oscillation patterns in methods of producing fused silica glass |
US5698484A (en) * | 1995-09-12 | 1997-12-16 | Corning Incorporated | Method and containment vessel for producing fused silica glass and the fused silica blank produced |
JPH1067521A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-10 | Nikon Corp | フッ素含有石英ガラス、その製造方法、及び投影露光装置 |
EP0861812A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-02 | Nikon Corporation | Quartz glass manufacturing apparatus and method |
EP0905094A1 (en) * | 1997-09-29 | 1999-03-31 | Nikon Corporation | Synthetic silica glass manufacturing apparatus |
US5951730A (en) * | 1995-09-12 | 1999-09-14 | Corning Incorporated | Furnace for producing fused silica glass |
EP1069083A1 (en) * | 1999-07-05 | 2001-01-17 | Agilent Technologies, Inc., a corporation of the State of Delaware | Process and apparatus for depositing silica glass on a planar substrate using a plasma torch |
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