JPH06233338A - 光ａｔｍ集線装置の集線方式 - Google Patents
光ａｔｍ集線装置の集線方式Info
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- JPH06233338A JPH06233338A JP1992093A JP1992093A JPH06233338A JP H06233338 A JPH06233338 A JP H06233338A JP 1992093 A JP1992093 A JP 1992093A JP 1992093 A JP1992093 A JP 1992093A JP H06233338 A JPH06233338 A JP H06233338A
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- Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ＡＴＭ集線装置の出線数を減少し、又、大
容量化に伴う光ＡＴＭ集線装置の出線数の増大を抑制す
る。 【構成】 予め光伝送路＃１１〜＃nmをグループ化して
おき、光伝送路毎にバッファメモリ５１11〜５１nmを設
けると共に、グループ毎に互いに異なる出力波長の１つ
の波長変換スイッチ５３1〜５３nを設け、各バッファメ
モリ出力を対応する波長変換スイッチ５３1〜５３nに入
力して波長変換し、各波長変換スイッチから出力される
光信号を合波器５５で波長多重して１本の出線（光伝送
路）＃１に出力する。あるいは、光伝送路＃１１〜＃nm
毎に、バッファメモリ６１11〜６１nmと入力信号波長を
ｎ種類の任意の出力波長に変換する波長可変型の波長変
換スイッチ６２11〜６２nmを設け、各バッファメモリ出
力を対応する波長変換スイッチに入力して所定の波長に
変換し、各波長変換スイッチから出力される光信号を合
波器６３で波長多重して１本の出線（光伝送路）に出力
する。
容量化に伴う光ＡＴＭ集線装置の出線数の増大を抑制す
る。 【構成】 予め光伝送路＃１１〜＃nmをグループ化して
おき、光伝送路毎にバッファメモリ５１11〜５１nmを設
けると共に、グループ毎に互いに異なる出力波長の１つ
の波長変換スイッチ５３1〜５３nを設け、各バッファメ
モリ出力を対応する波長変換スイッチ５３1〜５３nに入
力して波長変換し、各波長変換スイッチから出力される
光信号を合波器５５で波長多重して１本の出線（光伝送
路）＃１に出力する。あるいは、光伝送路＃１１〜＃nm
毎に、バッファメモリ６１11〜６１nmと入力信号波長を
ｎ種類の任意の出力波長に変換する波長可変型の波長変
換スイッチ６２11〜６２nmを設け、各バッファメモリ出
力を対応する波長変換スイッチに入力して所定の波長に
変換し、各波長変換スイッチから出力される光信号を合
波器６３で波長多重して１本の出線（光伝送路）に出力
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ＡＴＭ集線装置の集線
方式に係わり、特にセル多重された光伝送路を複数本収
容する光ＡＴＭ集線装置の集線方式に関する。音声通
信、データ通信だけでなく動画像通信も含めたマルチメ
ディア通信のニーズが高まりつつあり、そのような広帯
域（broadband)の通信の実現手段として、非同期転送モ
ード（Asynchronous Transfer Mode:ＡＴＭ）を基本と
するＢ−ＩＳＤＮ（Ｂroadband−ＩＳＤＮ）の交換技術
がＣＣＩＴＴで合意され、実用化されつつある。又、最
近はセルを光伝送路を使ってＡＴＭ伝送する光ＡＴＭ方
式も研究されている。
方式に係わり、特にセル多重された光伝送路を複数本収
容する光ＡＴＭ集線装置の集線方式に関する。音声通
信、データ通信だけでなく動画像通信も含めたマルチメ
ディア通信のニーズが高まりつつあり、そのような広帯
域（broadband)の通信の実現手段として、非同期転送モ
ード（Asynchronous Transfer Mode:ＡＴＭ）を基本と
するＢ−ＩＳＤＮ（Ｂroadband−ＩＳＤＮ）の交換技術
がＣＣＩＴＴで合意され、実用化されつつある。又、最
近はセルを光伝送路を使ってＡＴＭ伝送する光ＡＴＭ方
式も研究されている。
【０００２】
【従来の技術】ＡＴＭ方式では物理回線上に多重に論理
リンクを張ることにより回線を複数の呼に割り当てる。
そして、各呼に応じた端末からの動画像データや音声デ
ータ等を固定長の情報単位（セルという）に分解し、順
次回線に送り出して多重化を実現する。セルは５３バイ
トの固定長ブロックで構成され、その内５バイトがヘッ
ダ部ＨＤ、４８バイトがインフォメーションフィールド
（情報部）ＤＴである。ヘッダ部ＨＤには、データがブ
ロックに分解された後でも宛先が判るように呼識別用の
仮想チャンネル番号（Virtual Channel Identifier：Ｖ
ＣＩ）が含まれ、そのほか方路を特定する仮想パスの識
別子（Virtual Path Identifier：ＶＰＩ）や、リンク
間のフロー制御に用いられるジェネリックフローコント
ロールＧＦＣ（Generic Flow Control）や、ペイロード
ＰＴ（Payload Type)やヘッダのエラー訂正用符号ＨＥ
Ｃ（Header Error Control)等が含まれている。
リンクを張ることにより回線を複数の呼に割り当てる。
そして、各呼に応じた端末からの動画像データや音声デ
ータ等を固定長の情報単位（セルという）に分解し、順
次回線に送り出して多重化を実現する。セルは５３バイ
トの固定長ブロックで構成され、その内５バイトがヘッ
ダ部ＨＤ、４８バイトがインフォメーションフィールド
（情報部）ＤＴである。ヘッダ部ＨＤには、データがブ
ロックに分解された後でも宛先が判るように呼識別用の
仮想チャンネル番号（Virtual Channel Identifier：Ｖ
ＣＩ）が含まれ、そのほか方路を特定する仮想パスの識
別子（Virtual Path Identifier：ＶＰＩ）や、リンク
間のフロー制御に用いられるジェネリックフローコント
ロールＧＦＣ（Generic Flow Control）や、ペイロード
ＰＴ（Payload Type)やヘッダのエラー訂正用符号ＨＥ
Ｃ（Header Error Control)等が含まれている。
【０００３】図５はＡＴＭ方式の説明図であり、１１，
１２は端末装置、２１〜２４はＡＴＭ交換機であり、２
１ａ〜２４ａはＡＴＭスイッチ、２１ｂ〜２４ｂは制御
部（ＣＰＵ）である。発信端末１１が着信端末１２を呼
び出すための発呼操作を行うと、発信端末内のセル組立
部は発信番号、着信番号、端末の種別、伝送速度（帯
域）等を含むデータをセル単位に分割し、各分割データ
に信号用ＶＣＩ（端末毎に予め定まっている）を付して
信号セルを生成し、該信号セルをＡＴＭ交換機２１に送
り出す。
１２は端末装置、２１〜２４はＡＴＭ交換機であり、２
１ａ〜２４ａはＡＴＭスイッチ、２１ｂ〜２４ｂは制御
部（ＣＰＵ）である。発信端末１１が着信端末１２を呼
び出すための発呼操作を行うと、発信端末内のセル組立
部は発信番号、着信番号、端末の種別、伝送速度（帯
域）等を含むデータをセル単位に分割し、各分割データ
に信号用ＶＣＩ（端末毎に予め定まっている）を付して
信号セルを生成し、該信号セルをＡＴＭ交換機２１に送
り出す。
【０００４】ＡＴＭ交換機（発側交換機）２１の図示し
ない信号装置は信号セルを受信すれば、該信号セルに含
まれる情報を組立ててＣＰＵ２１ｂに通知する。ＣＰＵ
は発信者サービス分析処理、課金処理、着信者数字翻訳
処理等の呼処理を行なうと共に、着信端末１２への複数
の方路（ＶＰＩ）を求め、所定のＶＰＩの帯域に情報を
伝送するための余裕があるか調べ、余裕があれば該ＶＰ
Ｉ及びコネクション用に所定の呼識別情報（ＶＣＩ）を
決定し、次の中継交換機２２に発信番号、着信番号、Ｖ
ＰＩ、ＶＣＩ、その他のデータを含む接続情報を送出す
る。以後、中継ＡＴＭ交換機２２は同様な処理を行な
い、最終的に発側交換機２１から着信端末１２が接続さ
れた着側ＡＴＭ交換機２４までのパス及び中継ＡＴＭ交
換機２１〜２４が決定される。着側ＡＴＭ交換機２４は
発信番号、着信番号、上位ＡＴＭ交換機のＶＣＩを含む
接続情報を受信すれば、着信端末１２に所定ＶＣＩを割
り当てると共に、着信端末１２が通話可能であるか調べ
る。通話可能であれば、通話可能な旨を発側ＡＴＭ交換
機２１に通知し、発側ＡＴＭ交換機は発信端末１１に所
定のＶＣＩを割り当てる。尚、パス上の各ＡＴＭ交換機
２１〜２４はそれぞれ以上と並行して上位ＡＴＭ交換機
のＶＣＩに対応させて、(1) 該ＶＣＩを有するセルの出
力パス（出ハイウェイ）を特定するための接続情報（タ
グ情報）と、(2) 出力するセルに付加する新たなＶＣ
Ｉ、ＶＰＩを内蔵のルーチングテーブルに登録する。
ない信号装置は信号セルを受信すれば、該信号セルに含
まれる情報を組立ててＣＰＵ２１ｂに通知する。ＣＰＵ
は発信者サービス分析処理、課金処理、着信者数字翻訳
処理等の呼処理を行なうと共に、着信端末１２への複数
の方路（ＶＰＩ）を求め、所定のＶＰＩの帯域に情報を
伝送するための余裕があるか調べ、余裕があれば該ＶＰ
Ｉ及びコネクション用に所定の呼識別情報（ＶＣＩ）を
決定し、次の中継交換機２２に発信番号、着信番号、Ｖ
ＰＩ、ＶＣＩ、その他のデータを含む接続情報を送出す
る。以後、中継ＡＴＭ交換機２２は同様な処理を行な
い、最終的に発側交換機２１から着信端末１２が接続さ
れた着側ＡＴＭ交換機２４までのパス及び中継ＡＴＭ交
換機２１〜２４が決定される。着側ＡＴＭ交換機２４は
発信番号、着信番号、上位ＡＴＭ交換機のＶＣＩを含む
接続情報を受信すれば、着信端末１２に所定ＶＣＩを割
り当てると共に、着信端末１２が通話可能であるか調べ
る。通話可能であれば、通話可能な旨を発側ＡＴＭ交換
機２１に通知し、発側ＡＴＭ交換機は発信端末１１に所
定のＶＣＩを割り当てる。尚、パス上の各ＡＴＭ交換機
２１〜２４はそれぞれ以上と並行して上位ＡＴＭ交換機
のＶＣＩに対応させて、(1) 該ＶＣＩを有するセルの出
力パス（出ハイウェイ）を特定するための接続情報（タ
グ情報）と、(2) 出力するセルに付加する新たなＶＣ
Ｉ、ＶＰＩを内蔵のルーチングテーブルに登録する。
【０００５】発信端末１１と着信端末１２間にパスが形
成されると、発信端末１１は送信すべきデータを所定バ
イト長に分解すると共に、前記割り当てられたＶＣＩを
含むヘッダを付けてセルを生成し、該セルをＡＴＭ交換
機２１に送り出す。各ＡＴＭ交換機２１〜２４は上位交
換機から所定の入ハイウェイを介してセルが入力される
と、ルーチングテーブルに基づいて入力されたセルのＶ
ＣＩを付け変えると共に、タグ情報により所定の出ハイ
ウェイにルーチングして送り出す。この結果、発信端末
１１から出力されたセルは呼制御で決定したパスを介し
て着側ＡＴＭ交換機２４に到達する。着側ＡＴＭ交換機
２４はルーチングテーブルに基づいて、入力されたセル
に付加されているＶＣＩを着信端末に割り当てたＶＣＩ
に付け変えた後、着信端末１２が接続されている回線に
送出する。以後、発信端末１１はセルを順次着信端末１
２に送り、着信端末は受信したセルに含まれる情報部Ｄ
Ｔを組立て、元のデータを復元する。
成されると、発信端末１１は送信すべきデータを所定バ
イト長に分解すると共に、前記割り当てられたＶＣＩを
含むヘッダを付けてセルを生成し、該セルをＡＴＭ交換
機２１に送り出す。各ＡＴＭ交換機２１〜２４は上位交
換機から所定の入ハイウェイを介してセルが入力される
と、ルーチングテーブルに基づいて入力されたセルのＶ
ＣＩを付け変えると共に、タグ情報により所定の出ハイ
ウェイにルーチングして送り出す。この結果、発信端末
１１から出力されたセルは呼制御で決定したパスを介し
て着側ＡＴＭ交換機２４に到達する。着側ＡＴＭ交換機
２４はルーチングテーブルに基づいて、入力されたセル
に付加されているＶＣＩを着信端末に割り当てたＶＣＩ
に付け変えた後、着信端末１２が接続されている回線に
送出する。以後、発信端末１１はセルを順次着信端末１
２に送り、着信端末は受信したセルに含まれる情報部Ｄ
Ｔを組立て、元のデータを復元する。
【０００６】図６は光ＡＴＭ交換機の構成図であり、３
１は各入線（光伝送路）＃１〜＃ｋに設けられた入力イ
ンターフェース回路、３２は光ＡＴＭスイッチである。
光ＡＴＭスイッチにおいて、３３は各入力インターフェ
ース回路対応に設けられたセルセレクタ、３４は各出線
（光伝送路）＃１〜＃ｋにセルを送出するバッファメモ
リ（ＦＩＦＯバッファ）である。入力インターフェース
回路３１は図７に示すように、光セルのヘッダ部を電気
信号に変換するＯ／Ｅ変換部３１ａと、ＶＣＩ付け替え
及びタグ情報付加制御を行なう信号処理部３１ｂを有
し、信号処理部３１ｂには制御回路３１ｃとＶＣＩ変換
部３１ｄとタグ付加部３１ｅが設けられている。制御回
路３１ｃはルーチングテーブルを内蔵し、入力された光
セルのＶＣＩに応じたＶＣＩとタグ情報を求め、ＶＣＩ
をＶＣＩ変換部３１ｄに入力すると共に、タグ情報をタ
グ付加部３１ｅに出力する。ＶＣＩ変換部３１ｄは入力
された光セルのＶＣＩを制御回路３１ｃから指示された
ＶＣＩに付け替えて次段のセルセレクタに入力し、又、
タグ付加部３１ｅは制御回路３１ｃから入力されたタグ
情報（ＴＡＧ）を光または電気信号で次段のセルセレク
タに入力する。
１は各入線（光伝送路）＃１〜＃ｋに設けられた入力イ
ンターフェース回路、３２は光ＡＴＭスイッチである。
光ＡＴＭスイッチにおいて、３３は各入力インターフェ
ース回路対応に設けられたセルセレクタ、３４は各出線
（光伝送路）＃１〜＃ｋにセルを送出するバッファメモ
リ（ＦＩＦＯバッファ）である。入力インターフェース
回路３１は図７に示すように、光セルのヘッダ部を電気
信号に変換するＯ／Ｅ変換部３１ａと、ＶＣＩ付け替え
及びタグ情報付加制御を行なう信号処理部３１ｂを有
し、信号処理部３１ｂには制御回路３１ｃとＶＣＩ変換
部３１ｄとタグ付加部３１ｅが設けられている。制御回
路３１ｃはルーチングテーブルを内蔵し、入力された光
セルのＶＣＩに応じたＶＣＩとタグ情報を求め、ＶＣＩ
をＶＣＩ変換部３１ｄに入力すると共に、タグ情報をタ
グ付加部３１ｅに出力する。ＶＣＩ変換部３１ｄは入力
された光セルのＶＣＩを制御回路３１ｃから指示された
ＶＣＩに付け替えて次段のセルセレクタに入力し、又、
タグ付加部３１ｅは制御回路３１ｃから入力されたタグ
情報（ＴＡＧ）を光または電気信号で次段のセルセレク
タに入力する。
【０００７】セルセレクタ３３は図８に示すように、タ
グ情報（光）を電気信号に変換するＯ／Ｅ変換部３３ａ
と、タグ情報にもとづいて光セルを所定の出線にルーチ
ングするルーチング部３３ｂを備え、ルーチング部３３
ｂには制御回路３３ｃと光スイッチ３３ｄが設けられて
いる。制御回路３３ｃはタグ情報に基づいて光スイッチ
３３ｄを制御し、１本の入線より入力された光セルを所
定の出線＃１〜＃ｋに対応するバッファメモリ３４（図
６）にルーチングし、該バッファメモリから光セルを順
次対応する出線に送出する。ところで、ＡＴＭ交換機の
構成を経済的にするために、光ＡＴＭ交換機の前段には
光ＡＴＭ集線装置が設けられる。光ＡＴＭ集線装置はｍ
本の光伝送路から入力された光セルを集線して１本の出
線に出力する。図９は従来の光ＡＴＭ集線装置４１の構
成図であり、入線（光伝送路）＃１１〜＃ｎｍ毎に１つ
のバッファメモリ４２が設けられ、ｍ個のバッファメモ
リ毎に１つのカプラー４３が設けられている。各入線よ
り入力された光セルはバッファメモリ４２に滞留後、順
次対応するカプラー４３を介して対応する出線（光伝送
路）＃１〜＃ｎに出力される。
グ情報（光）を電気信号に変換するＯ／Ｅ変換部３３ａ
と、タグ情報にもとづいて光セルを所定の出線にルーチ
ングするルーチング部３３ｂを備え、ルーチング部３３
ｂには制御回路３３ｃと光スイッチ３３ｄが設けられて
いる。制御回路３３ｃはタグ情報に基づいて光スイッチ
３３ｄを制御し、１本の入線より入力された光セルを所
定の出線＃１〜＃ｋに対応するバッファメモリ３４（図
６）にルーチングし、該バッファメモリから光セルを順
次対応する出線に送出する。ところで、ＡＴＭ交換機の
構成を経済的にするために、光ＡＴＭ交換機の前段には
光ＡＴＭ集線装置が設けられる。光ＡＴＭ集線装置はｍ
本の光伝送路から入力された光セルを集線して１本の出
線に出力する。図９は従来の光ＡＴＭ集線装置４１の構
成図であり、入線（光伝送路）＃１１〜＃ｎｍ毎に１つ
のバッファメモリ４２が設けられ、ｍ個のバッファメモ
リ毎に１つのカプラー４３が設けられている。各入線よ
り入力された光セルはバッファメモリ４２に滞留後、順
次対応するカプラー４３を介して対応する出線（光伝送
路）＃１〜＃ｎに出力される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
光ＡＴＭ集線方式は空間分割型による集線方式である。
このため、大容量化に伴い集線装置に入ってくる入線
（光伝送路）が増加すると、集線装置の出線（光伝送
路）を増やさずをえなくなる。光ＡＴＭ交換機では複数
の集線装置の出線を収容するため、集線装置の出線が多
くなると光ＡＴＭ交換機への入線が多くなり光ＡＴＭ交
換機のハードウェアが増大する問題が生じる。以上から
本発明の目的は、光ＡＴＭ集線装置の出線数を減少で
き、しかも、大容量化に伴って光ＡＴＭ集線装置に入っ
てくる入線（光伝送路）が増加しても出線数の増加を抑
制できる光ＡＴＭ集線装置の集線方式を提供することで
ある。
光ＡＴＭ集線方式は空間分割型による集線方式である。
このため、大容量化に伴い集線装置に入ってくる入線
（光伝送路）が増加すると、集線装置の出線（光伝送
路）を増やさずをえなくなる。光ＡＴＭ交換機では複数
の集線装置の出線を収容するため、集線装置の出線が多
くなると光ＡＴＭ交換機への入線が多くなり光ＡＴＭ交
換機のハードウェアが増大する問題が生じる。以上から
本発明の目的は、光ＡＴＭ集線装置の出線数を減少で
き、しかも、大容量化に伴って光ＡＴＭ集線装置に入っ
てくる入線（光伝送路）が増加しても出線数の増加を抑
制できる光ＡＴＭ集線装置の集線方式を提供することで
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図１(a)において、５０は光ＡＴＭ集線装
置、５１11〜５１nmは各入線（光伝送路）＃１１〜＃ｎ
ｍ毎に設けられたバッファメモリ（ＦＩＦＯメモリ）、
５２ 1〜５２nは光信号を合流して出力するカプラー、５
３1〜５３nは光伝送路をｍ本づつグループ化した場合に
グループ毎に設けられ、対応するカプラーから入力され
た光信号の波長λ0を所定の波長λ1〜λnの光信号に変
換する波長変換スイッチ（ＣＮＶ）、５５は各波長変換
スイッチから出力される光信号を合波して出線（光伝送
路）＃１に送出する合波器である。又、図１(b)におい
て、６０は光ＡＴＭ集線装置、６１11〜６１nmは各入線
（光伝送路）＃１１〜＃ｎｍ毎に設けられたバッファメ
モリ（ＦＩＦＯメモリ）、６２11〜６２nmは各バッファ
メモリに対応して設けられ、入力信号波長λ0をｎ種類
の任意の出力波長λ1〜λnに変換する波長可変型の波長
変換スイッチ、６３は各波長変換スイッチから出力され
る光信号を合波して出線（光伝送路）＃１に送出する合
波器である。
図である。図１(a)において、５０は光ＡＴＭ集線装
置、５１11〜５１nmは各入線（光伝送路）＃１１〜＃ｎ
ｍ毎に設けられたバッファメモリ（ＦＩＦＯメモリ）、
５２ 1〜５２nは光信号を合流して出力するカプラー、５
３1〜５３nは光伝送路をｍ本づつグループ化した場合に
グループ毎に設けられ、対応するカプラーから入力され
た光信号の波長λ0を所定の波長λ1〜λnの光信号に変
換する波長変換スイッチ（ＣＮＶ）、５５は各波長変換
スイッチから出力される光信号を合波して出線（光伝送
路）＃１に送出する合波器である。又、図１(b)におい
て、６０は光ＡＴＭ集線装置、６１11〜６１nmは各入線
（光伝送路）＃１１〜＃ｎｍ毎に設けられたバッファメ
モリ（ＦＩＦＯメモリ）、６２11〜６２nmは各バッファ
メモリに対応して設けられ、入力信号波長λ0をｎ種類
の任意の出力波長λ1〜λnに変換する波長可変型の波長
変換スイッチ、６３は各波長変換スイッチから出力され
る光信号を合波して出線（光伝送路）＃１に送出する合
波器である。
【００１０】
【作用】予め光伝送路＃１１〜＃nmをグループ化してお
き、光伝送路毎にバッファメモリ５１11〜５１nmを設け
ると共に、グループ毎に互いに異なる出力波長の１つの
波長変換スイッチ５３1〜５３nを設け、各バッファメモ
リ出力を対応する波長変換スイッチ５３1〜５３nに入力
して波長変換し、各波長変換スイッチから出力される光
信号を合波器５５で波長多重して１本の出線（光伝送
路）＃１に出力する。このように、波長多重すれば出線
数を減少でき、又、大容量化に伴う集線装置の出線数の
増大を抑制できる。又、光伝送＃１１〜＃nm毎に、バッ
ファメモリ６１11〜６１nmと入力信号波長をｎ種類の任
意の出力波長に変換する波長可変型の波長変換スイッチ
６２11〜６２nmを設け、各バッファメモリ出力を対応す
る波長変換スイッチに入力して所定の波長に変換し、各
波長変換スイッチから出力される光信号を合波器６３で
波長多重して１本の出線（光伝送路）に出力する。この
ようにすれば、同様に波長多重できるため出線数を減少
でき、大容量化に伴う集線装置の出線数の増大を抑制で
きる。又、この方式によれば、空いている波長のところ
にセルを送出して集線できるため、出線の帯域を有効に
利用でき、バッファの容量を少なくできる。
き、光伝送路毎にバッファメモリ５１11〜５１nmを設け
ると共に、グループ毎に互いに異なる出力波長の１つの
波長変換スイッチ５３1〜５３nを設け、各バッファメモ
リ出力を対応する波長変換スイッチ５３1〜５３nに入力
して波長変換し、各波長変換スイッチから出力される光
信号を合波器５５で波長多重して１本の出線（光伝送
路）＃１に出力する。このように、波長多重すれば出線
数を減少でき、又、大容量化に伴う集線装置の出線数の
増大を抑制できる。又、光伝送＃１１〜＃nm毎に、バッ
ファメモリ６１11〜６１nmと入力信号波長をｎ種類の任
意の出力波長に変換する波長可変型の波長変換スイッチ
６２11〜６２nmを設け、各バッファメモリ出力を対応す
る波長変換スイッチに入力して所定の波長に変換し、各
波長変換スイッチから出力される光信号を合波器６３で
波長多重して１本の出線（光伝送路）に出力する。この
ようにすれば、同様に波長多重できるため出線数を減少
でき、大容量化に伴う集線装置の出線数の増大を抑制で
きる。又、この方式によれば、空いている波長のところ
にセルを送出して集線できるため、出線の帯域を有効に
利用でき、バッファの容量を少なくできる。
【００１１】
【実施例】(a) 本発明の第１の実施例 図２は本発明の第１の実施例にかかわる光ＡＴＭ集線装
置の構成図である。５０は光ＡＴＭ集線装置であり、入
線（光伝送路）＃１１〜＃ｎｍは予めｍ本づつ第１〜第
ｎグループにグループ化されている。５１11〜５１nmは
各入線＃１１〜＃ｎｍ毎に設けられたバッファメモリ
（ＦＩＦＯメモリ）で、例えば、光遅延ファイバ、光半
導体メモリ等により構成されるもの、５２1〜５２nはグ
ループ毎に設けられ、各ＦＩＦＯメモリからの光信号を
合流するカプラー、５３1〜５３nはグループ毎に設けら
れ、対応するカプラーから入力された光信号の波長λ0
をそれぞれ波長λ1〜λnの光信号に変換する光半導体を
ベースにした波長変換スイッチ（ＣＮＶ）、５４1〜５
４nは各グループ毎に設けられたスキップポーリング部
で、循環的に各ＦＩＦＯメモリをポイントし、ポイント
されたＦＩＦＯメモリにセルが蓄積されている時、１セ
ル分読み出するもの、５５は各波長変換スイッチ５３1
〜５３nから出力される光信号を合波して出線（光伝送
路）＃１に送出する合波器である。
置の構成図である。５０は光ＡＴＭ集線装置であり、入
線（光伝送路）＃１１〜＃ｎｍは予めｍ本づつ第１〜第
ｎグループにグループ化されている。５１11〜５１nmは
各入線＃１１〜＃ｎｍ毎に設けられたバッファメモリ
（ＦＩＦＯメモリ）で、例えば、光遅延ファイバ、光半
導体メモリ等により構成されるもの、５２1〜５２nはグ
ループ毎に設けられ、各ＦＩＦＯメモリからの光信号を
合流するカプラー、５３1〜５３nはグループ毎に設けら
れ、対応するカプラーから入力された光信号の波長λ0
をそれぞれ波長λ1〜λnの光信号に変換する光半導体を
ベースにした波長変換スイッチ（ＣＮＶ）、５４1〜５
４nは各グループ毎に設けられたスキップポーリング部
で、循環的に各ＦＩＦＯメモリをポイントし、ポイント
されたＦＩＦＯメモリにセルが蓄積されている時、１セ
ル分読み出するもの、５５は各波長変換スイッチ５３1
〜５３nから出力される光信号を合波して出線（光伝送
路）＃１に送出する合波器である。
【００１２】各入線＃１１〜＃ｎｍより到来した光セル
（波長はλ0）は対応するＦＩＦＯメモリ５１11〜５１n
mに蓄積される。これと並行して、スキップポーリング
部５４1〜５４nは自グループの各ＦＩＦＯメモリを循環
的にポイントし（５１i1→５１i2→・・・→５１im→５
１i1→５１i2→・・・)、ポイントされたＦＩＦＯメモ
リにセルが蓄積されていれば１セル分読み出し、対応す
るカプラー５２1〜５２nを介して波長変換スイッチ５３
1〜５３nに入力する。各波長変換スイッチ５３1〜５３n
はそれぞれ波長λ0の光信号が入力されると波長λ1〜λ
nの光信号に変換して合波域５５に入力する。すなわ
ち、波長変換スイッチ５３1は波長λ1の光信号に変換
し、波長変換スイッチ５３2は波長λ2の光信号に変換
し、・・・同様に、波長変換スイッチ５３nは波長λnの
光信号に変換して合波域５５に入力する。合波器５５は
各波長変換スイッチ５３1〜５３nから出力される光信号
を波長多重して１本の出線（光伝送路）＃１に出力す
る。このように、ｍ本の入線からのセルをグループ毎に
空間分割型により集線し、しかる後、各グループにより
集線された光信号を波長多重するため、出線数を減少で
き、又、大容量化に伴う集線装置の出線数の増大を抑制
できる。
（波長はλ0）は対応するＦＩＦＯメモリ５１11〜５１n
mに蓄積される。これと並行して、スキップポーリング
部５４1〜５４nは自グループの各ＦＩＦＯメモリを循環
的にポイントし（５１i1→５１i2→・・・→５１im→５
１i1→５１i2→・・・)、ポイントされたＦＩＦＯメモ
リにセルが蓄積されていれば１セル分読み出し、対応す
るカプラー５２1〜５２nを介して波長変換スイッチ５３
1〜５３nに入力する。各波長変換スイッチ５３1〜５３n
はそれぞれ波長λ0の光信号が入力されると波長λ1〜λ
nの光信号に変換して合波域５５に入力する。すなわ
ち、波長変換スイッチ５３1は波長λ1の光信号に変換
し、波長変換スイッチ５３2は波長λ2の光信号に変換
し、・・・同様に、波長変換スイッチ５３nは波長λnの
光信号に変換して合波域５５に入力する。合波器５５は
各波長変換スイッチ５３1〜５３nから出力される光信号
を波長多重して１本の出線（光伝送路）＃１に出力す
る。このように、ｍ本の入線からのセルをグループ毎に
空間分割型により集線し、しかる後、各グループにより
集線された光信号を波長多重するため、出線数を減少で
き、又、大容量化に伴う集線装置の出線数の増大を抑制
できる。
【００１３】(b) 本発明の第２の実施例 図３は本発明の第２の実施例にかかわる光ＡＴＭ集線装
置の構成図であり、６０は光ＡＴＭ集線装置である。
尚、説明を簡単にするために入線数を４本、波長数を２
種類（λ1，λ2）としている。６１1〜６１4は入線（光
伝送路）＃１〜＃４毎に設けられたバッファメモリ（Ｆ
ＩＦＯメモリ）、６２1〜６２4は各バッファメモリに対
応して設けられ、光信号の波長λ0を２種類の任意の波
長λ1〜λ2に変換する波長可変型の波長変換スイッチで
ある。波長変換スイッチ６２1〜６２4は光半導体をベー
スにしており、駆動電流を変えることにより出力波長を
変えることができる。６３は各波長変換スイッチ６２1
〜６２4から出力される光信号を合波して出線（光伝送
路）＃１に送出する合波器、６４1〜６４4はＦＩＦＯメ
モリ６１1〜６１4毎に設けられたスキップポーリング部
である。スキップポーリングとは、複数のＦＩＦＯメモ
リ間で読み出しポインタを巡回させ、ポインタが回って
きた時にセルがＦＩＦＯメモリに蓄積されていれば、１
セル読み出し、読み出した後にポインタを次に送り、セ
ルが蓄積されていない場合には読み出しポインタを次の
ＦＩＦＯに送る制御である。
置の構成図であり、６０は光ＡＴＭ集線装置である。
尚、説明を簡単にするために入線数を４本、波長数を２
種類（λ1，λ2）としている。６１1〜６１4は入線（光
伝送路）＃１〜＃４毎に設けられたバッファメモリ（Ｆ
ＩＦＯメモリ）、６２1〜６２4は各バッファメモリに対
応して設けられ、光信号の波長λ0を２種類の任意の波
長λ1〜λ2に変換する波長可変型の波長変換スイッチで
ある。波長変換スイッチ６２1〜６２4は光半導体をベー
スにしており、駆動電流を変えることにより出力波長を
変えることができる。６３は各波長変換スイッチ６２1
〜６２4から出力される光信号を合波して出線（光伝送
路）＃１に送出する合波器、６４1〜６４4はＦＩＦＯメ
モリ６１1〜６１4毎に設けられたスキップポーリング部
である。スキップポーリングとは、複数のＦＩＦＯメモ
リ間で読み出しポインタを巡回させ、ポインタが回って
きた時にセルがＦＩＦＯメモリに蓄積されていれば、１
セル読み出し、読み出した後にポインタを次に送り、セ
ルが蓄積されていない場合には読み出しポインタを次の
ＦＩＦＯに送る制御である。
【００１４】図３は波長数が２種類（λ1，λ2）の場合
であり、２つのλ1用、λ2用の読み出しポインタが使用
される。従って、各スキップポーリング部６４1〜６４4
は読み出しポインタ毎にλ1用制御回路６５1〜６５
4と、λ2用制御回路６６1〜６６4と、波長変換スイッチ
６２1〜６２4を駆動して波長λ0の信号を所定の波長の
光信号に変換する駆動回路６７1〜６７4を有している。
各制御回路６５1〜６５4、６６1〜６６4はそれぞれ、読
み出しポインタが回ってきた時に、セルが対応するＦ
ＩＦＯバッファ６１1〜６１4に蓄えられていて、かつ、
他の波長でセルを送出していない場合にのみ、リード
信号Ｒ1，Ｒ2を発生して駆動回路６７1〜６７4に入力す
る。駆動回路６７1〜６７4はリード信号Ｒ1が入力され
ると波長変換スイッチ６２1〜６２4を制御し、波長λ0
の光信号（セル）を波長λ1の光信号（セル）に変換し
て送出させる。又、リード信号Ｒ2が入力されると波長
変換スイッチ６２1〜６２4を制御し、波長λ0の光信号
（セル）を波長λ2の光信号（セル）に変換して送出さ
せる。尚、においてセルがＦＩＦＯメモリに蓄えられ
ているかどうかは、ＦＩＦＯメモリからのフラグを監視
することにより認識し、又、において他の波長でセル
が送出されているかどうかは、他の波長の制御回路から
発生するリード信号を監視することにより認識する。
であり、２つのλ1用、λ2用の読み出しポインタが使用
される。従って、各スキップポーリング部６４1〜６４4
は読み出しポインタ毎にλ1用制御回路６５1〜６５
4と、λ2用制御回路６６1〜６６4と、波長変換スイッチ
６２1〜６２4を駆動して波長λ0の信号を所定の波長の
光信号に変換する駆動回路６７1〜６７4を有している。
各制御回路６５1〜６５4、６６1〜６６4はそれぞれ、読
み出しポインタが回ってきた時に、セルが対応するＦ
ＩＦＯバッファ６１1〜６１4に蓄えられていて、かつ、
他の波長でセルを送出していない場合にのみ、リード
信号Ｒ1，Ｒ2を発生して駆動回路６７1〜６７4に入力す
る。駆動回路６７1〜６７4はリード信号Ｒ1が入力され
ると波長変換スイッチ６２1〜６２4を制御し、波長λ0
の光信号（セル）を波長λ1の光信号（セル）に変換し
て送出させる。又、リード信号Ｒ2が入力されると波長
変換スイッチ６２1〜６２4を制御し、波長λ0の光信号
（セル）を波長λ2の光信号（セル）に変換して送出さ
せる。尚、においてセルがＦＩＦＯメモリに蓄えられ
ているかどうかは、ＦＩＦＯメモリからのフラグを監視
することにより認識し、又、において他の波長でセル
が送出されているかどうかは、他の波長の制御回路から
発生するリード信号を監視することにより認識する。
【００１５】次に、第２実施例の動作を説明する。各入
線＃１〜＃４より到来した光セル（波長はλ0）は対応
するＦＩＦＯメモリ６１1〜６１4に蓄積される。これと
並行して、各スキップポーリング部６４1〜６４4は波長
λ1，λ2毎にスキップポーリング制御を行なう。図４は
波長λ1のスキップポーリング制御のフロー図である。
初期時、波長λ1用のリードポインタＲＰ1を例えばλ1
用制御回路６５1にセットする（ステップ１０１）。各
λ1用制御回路６５1〜６５4はリードポインタＲＰ1がセ
ットされているかチェックし（ステップ１０２）、セッ
トされていなければ該リードポインタＲＰ1が巡回して
くるまで待つ。セットされていれば、対応するＦＩＦＯ
メモリ６１1〜６１4からのフラグを監視し、その有無を
チェックする（ステップ１０３）。フラグが無ければλ
1用のリードポインタＲＰ1を次のλ1用制御回路へ送り
（ステップ１０４）、ステップ１０２に戻りリードポイ
ンタＲＰ1が巡回してくるまで待つ。
線＃１〜＃４より到来した光セル（波長はλ0）は対応
するＦＩＦＯメモリ６１1〜６１4に蓄積される。これと
並行して、各スキップポーリング部６４1〜６４4は波長
λ1，λ2毎にスキップポーリング制御を行なう。図４は
波長λ1のスキップポーリング制御のフロー図である。
初期時、波長λ1用のリードポインタＲＰ1を例えばλ1
用制御回路６５1にセットする（ステップ１０１）。各
λ1用制御回路６５1〜６５4はリードポインタＲＰ1がセ
ットされているかチェックし（ステップ１０２）、セッ
トされていなければ該リードポインタＲＰ1が巡回して
くるまで待つ。セットされていれば、対応するＦＩＦＯ
メモリ６１1〜６１4からのフラグを監視し、その有無を
チェックする（ステップ１０３）。フラグが無ければλ
1用のリードポインタＲＰ1を次のλ1用制御回路へ送り
（ステップ１０４）、ステップ１０２に戻りリードポイ
ンタＲＰ1が巡回してくるまで待つ。
【００１６】一方、フラグが有れば、他の波長（λ2）
でセルを読み出しているかチェックし（ステップ１０
５）、読み出し中であれば、λ1用のリードポインタＲ
Ｐ1を次のλ1用制御回路へ送り（ステップ１０６）、ス
テップ１０２に戻りリードポインタＲＰ1が巡回してく
るまで待つ。読み出し中でなければ、リード信号Ｒ1を
対応する駆動回路６７1〜６７4に入力すると共に（ステ
ップ１０７）、対応するＦＩＦＯバッファより１セル分
読み出し、波長変換スイッチで該セルの波長をλ1に変
換して送出させる（ステップ１０８）。ついで、リード
ポインタＲＰ1を次のλ1用制御回路へ送り（ステップ１
０９）、ステップ１０２に戻りリードポインタＲＰ1が
巡回してくるまで待つ。同様に、各λ2用制御回路６６1
〜６６4は動作し、適宜、波長変換スイッチ６２1〜６２
4でセルの波長をλ2に変換して送出させる。
でセルを読み出しているかチェックし（ステップ１０
５）、読み出し中であれば、λ1用のリードポインタＲ
Ｐ1を次のλ1用制御回路へ送り（ステップ１０６）、ス
テップ１０２に戻りリードポインタＲＰ1が巡回してく
るまで待つ。読み出し中でなければ、リード信号Ｒ1を
対応する駆動回路６７1〜６７4に入力すると共に（ステ
ップ１０７）、対応するＦＩＦＯバッファより１セル分
読み出し、波長変換スイッチで該セルの波長をλ1に変
換して送出させる（ステップ１０８）。ついで、リード
ポインタＲＰ1を次のλ1用制御回路へ送り（ステップ１
０９）、ステップ１０２に戻りリードポインタＲＰ1が
巡回してくるまで待つ。同様に、各λ2用制御回路６６1
〜６６4は動作し、適宜、波長変換スイッチ６２1〜６２
4でセルの波長をλ2に変換して送出させる。
【００１７】合波器６３は各波長変換スイッチ６２1〜
６２4から出力される光信号を波長多重して１本の出線
（光伝送路）＃１に出力する。このように、第２実施例
では各入線毎にＦＩＦＯバッファと波長可変型の波長変
換スイッチを設け、空いている波長のところにセルを送
出して集線するため、出線（光伝送路）の帯域を有効に
利用でき、各ＦＩＦＯバッファの容量を少なくできる。
又、波長多重により集線するため、出線数を減少でき、
又、大容量化に伴う集線装置の出線数の増大を抑制でき
る。以上では、波長数が２種類(λ1,λ2)の場合につい
て説明したが、波長数がｎ種類あっても良く、かかる場
合にはｎ波長分の制御回路を設ける。以上、本発明を実
施例により説明したが、本発明は請求の範囲に記載した
本発明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明は
これらを排除するものではない。
６２4から出力される光信号を波長多重して１本の出線
（光伝送路）＃１に出力する。このように、第２実施例
では各入線毎にＦＩＦＯバッファと波長可変型の波長変
換スイッチを設け、空いている波長のところにセルを送
出して集線するため、出線（光伝送路）の帯域を有効に
利用でき、各ＦＩＦＯバッファの容量を少なくできる。
又、波長多重により集線するため、出線数を減少でき、
又、大容量化に伴う集線装置の出線数の増大を抑制でき
る。以上では、波長数が２種類(λ1,λ2)の場合につい
て説明したが、波長数がｎ種類あっても良く、かかる場
合にはｎ波長分の制御回路を設ける。以上、本発明を実
施例により説明したが、本発明は請求の範囲に記載した
本発明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明は
これらを排除するものではない。
【００１８】
【発明の効果】以上本発明によれば、予め光伝送路をグ
ループ化しておき、光伝送路毎にバッファメモリを設け
ると共に、グループ毎に互いに異なる出力波長の１つの
波長変換スイッチを設け、かつ、各波長変換スイッチか
ら出力される光信号を合波する合波器を設け、各バッフ
ァメモリ出力を対応する波長変換スイッチに入力して波
長変換し、各波長変換スイッチから出力される光信号を
合波器で波長多重して１本の光伝送路に出力するように
構成したから、入力セルをグループ毎に空間分割型によ
り集線し、しかる後、各グループにより集線された光信
号を波長多重するため、出線数を減少でき、又、大容量
化に伴う集線装置の出線数の増大を抑制できる。
ループ化しておき、光伝送路毎にバッファメモリを設け
ると共に、グループ毎に互いに異なる出力波長の１つの
波長変換スイッチを設け、かつ、各波長変換スイッチか
ら出力される光信号を合波する合波器を設け、各バッフ
ァメモリ出力を対応する波長変換スイッチに入力して波
長変換し、各波長変換スイッチから出力される光信号を
合波器で波長多重して１本の光伝送路に出力するように
構成したから、入力セルをグループ毎に空間分割型によ
り集線し、しかる後、各グループにより集線された光信
号を波長多重するため、出線数を減少でき、又、大容量
化に伴う集線装置の出線数の増大を抑制できる。
【００１９】又、本発明によれば、光伝送路毎に、バッ
ファメモリと入力信号波長をｎ種類の任意の出力波長に
変換する波長可変型の波長変換スイッチを設け、かつ、
各波長変換スイッチから出力される光信号を合波する合
波器を設け、各バッファメモリ出力を対応する波長変換
スイッチに入力して所定の波長に変換し、各波長変換ス
イッチから出力される光信号を合波器で波長多重して１
本の光伝送路に出力するように構成したから、空いてい
る波長のところにセルを送出して集線できるため、出線
（光伝送路）の帯域を有効に利用でき、各ＦＩＦＯバッ
ファの容量を少なくできる。又、波長多重により集線す
るため、出線数を減少でき、又、大容量化に伴う集線装
置の出線数の増大を抑制できる。
ファメモリと入力信号波長をｎ種類の任意の出力波長に
変換する波長可変型の波長変換スイッチを設け、かつ、
各波長変換スイッチから出力される光信号を合波する合
波器を設け、各バッファメモリ出力を対応する波長変換
スイッチに入力して所定の波長に変換し、各波長変換ス
イッチから出力される光信号を合波器で波長多重して１
本の光伝送路に出力するように構成したから、空いてい
る波長のところにセルを送出して集線できるため、出線
（光伝送路）の帯域を有効に利用でき、各ＦＩＦＯバッ
ファの容量を少なくできる。又、波長多重により集線す
るため、出線数を減少でき、又、大容量化に伴う集線装
置の出線数の増大を抑制できる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】第１の実施例にかかわる光ＡＴＭ集線装置の構
成図である。
成図である。
【図３】第２の実施例にかかわる光ＡＴＭ集線装置の構
成図である。
成図である。
【図４】スキップポーリングのフロー図である。
【図５】ＡＴＭ方式の説明図である。
【図６】光ＡＴＭ交換機の構成図である。
【図７】入力インターフェース回路の構成図である。
【図８】セレクタの構成図である。
【図９】従来の光ＡＴＭ集線装置の構成図である。
５０・・光ＡＴＭ集線装置 ５１11〜５１nm・・バッファメモリ（ＦＩＦＯメモリ） ５２1〜５２n・・カプラー ５３1〜５３n・・波長変換スイッチ（ＣＮＶ） ５５・・合波器 ６０・・光ＡＴＭ集線装置 ６１11〜６１nm・・バッファメモリ（ＦＩＦＯメモリ） ６２11〜６２nm・・波長可変型の波長変換スイッチ ６３・・合波器
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｍ 3/00 Ｂ 8426−5Ｋ Ｈ０４Ｑ 3/60 7190−5Ｋ
Claims (2)
- 【請求項１】 セル多重された光伝送路を複数本収容す
る光ＡＴＭ集線装置の集線方式において、 予め光伝送路をグループ化しておき、光伝送路毎にバッ
ファメモリを設けると共に、グループ毎に互いに異なる
出力波長の１つの波長変換スイッチを設け、かつ、各波
長変換スイッチから出力される光信号を合波する合波器
を設け、 各バッファメモリ出力を対応する波長変換スイッチに入
力して波長変換し、各波長変換スイッチから出力される
光信号を合波器で波長多重して１本の光伝送路に出力す
ることを特徴とする光ＡＴＭ集線装置の集線方式。 - 【請求項２】 セル多重された光伝送路を複数本収容す
る光ＡＴＭ集線装置の集線方式において、 光伝送路毎に、バッファメモリと入力信号波長をｎ種類
の任意の出力波長に変換する波長可変型の波長変換スイ
ッチを設け、かつ、各波長変換スイッチから出力される
光信号を合波する合波器を設け、 各バッファメモリ出力を対応する波長変換スイッチに入
力して所定の波長に変換し、各波長変換スイッチから出
力される光信号を合波器で波長多重して１本の光伝送路
に出力することを特徴とする光ＡＴＭ集線装置の集線方
式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992093A JPH06233338A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 光ａｔｍ集線装置の集線方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992093A JPH06233338A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 光ａｔｍ集線装置の集線方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06233338A true JPH06233338A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12012662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992093A Withdrawn JPH06233338A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 光ａｔｍ集線装置の集線方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06233338A (ja) |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP1992093A patent/JPH06233338A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |