JPH062261Y2 - Mound crash device - Google Patents
Mound crash deviceInfo
- Publication number
- JPH062261Y2 JPH062261Y2 JP1986160323U JP16032386U JPH062261Y2 JP H062261 Y2 JPH062261 Y2 JP H062261Y2 JP 1986160323 U JP1986160323 U JP 1986160323U JP 16032386 U JP16032386 U JP 16032386U JP H062261 Y2 JPH062261 Y2 JP H062261Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plate
- crush
- mound
- semiconductor wafer
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は半導体ウェーハの表面にエピタキシャル成長に
て単結晶のシリコン層を成長させる際に、その成長面に
寄生成長するマウンド（微細な粒状突起）を除去する装
置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial field of application] The present invention is a mound (fine granular projections) that is parasitically grown on the growth surface of a single-crystal silicon layer grown by epitaxial growth on the surface of a semiconductor wafer. The present invention relates to a device for removing.
［従来の技術］ 上記のようなマウンドを除去するために用いる装置は種
々あるが、それら従来のマウンド除去装置のうちの一例
を第４図に示す。[Prior Art] Although there are various devices used for removing the mound as described above, one example of these conventional mound removing devices is shown in FIG.
第４図においてアルミナ等の硬質材でできているクラッ
シュ板１を真空吸着溝2aを介してホルダー２に吸着固定
する。半導体ウェーハ３はウェーハ載置台14に真空吸着
し、シリンダー７を空気圧により、矢印16の方向に上昇
させて半導体ウェーハ３をクラッシュ板１に押しつけ、
ウェーハ３上に成長したシリコンマウンドを除去してい
た。In FIG. 4, the crush plate 1 made of a hard material such as alumina is suction-fixed to the holder 2 through the vacuum suction groove 2a. The semiconductor wafer 3 is vacuum-adsorbed on the wafer mounting table 14, the cylinder 7 is pneumatically raised in the direction of the arrow 16 to press the semiconductor wafer 3 against the crash plate 1,
The silicon mound grown on the wafer 3 was removed.
シリンダー７とウェーハ載置台14とはエコライズ部15を
介して一体となっており、ウェーハ３がクラッシュ板１
下面に押し当てられると、エコライズ部15によりウェー
ハ３がクラッシュ板１の姿勢に応じて規制され、ウェー
ハ３とクラッシュ板１との平行が出てウェーハ３の全面
がクラッシュ板１に密着する構造になっていた。The cylinder 7 and the wafer mounting table 14 are integrated with each other via the equalizing section 15, and the wafer 3 has the crash plate 1.
When pressed against the lower surface, the wafer 3 is regulated by the equalizing portion 15 according to the posture of the crash plate 1, and the wafer 3 and the crash plate 1 become parallel to each other so that the entire surface of the wafer 3 adheres to the crash plate 1. Was becoming.
［考案が解決しようとする問題点］ 上述した従来のマウンドクラッシュ装置においては、シ
リンダー７を上昇させてウェーハ３とクラッシュ板１と
を押しつけた後に、ウェーハ３とクラッシュ板１との平
行が得られるような機構になっていたために、ウェーハ
自身の形状のそり又は真空吸着によるウェーハの形状変
化等が生じると、ウェーハ３とクラッシュ板１が傾いた
状態でシリンダー７を上昇させていくことになり、ウェ
ーハ３の片端からクラッシュ板１に接触して平行になる
までにウェーハ３がクラッシュ板１上をすべり、ウェー
ハ表面上にキズが発生するという問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] In the above-described conventional mound crush device, the parallelism between the wafer 3 and the crush plate 1 is obtained after the cylinder 7 is lifted and the wafer 3 and the crush plate 1 are pressed against each other. Due to such a mechanism, when the warp of the shape of the wafer itself or the shape change of the wafer due to vacuum suction occurs, the cylinder 7 is raised while the wafer 3 and the crush plate 1 are inclined, There is a problem that the wafer 3 slips on the crush plate 1 from one end of the wafer 3 until it comes into contact with the crush plate 1 and becomes parallel to each other, causing scratches on the wafer surface.
本考案の目的は前記問題点を解消したマウンドクラッシ
ュ装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a mound crush device that solves the above problems.
［考案の従来技術に対する相違点］ 従来技術ではクラッシュ板とウェーハの傾きを補正せず
にクラッシュ動作を行なっていたのに対し、本考案では
非接触方式にてその傾きを補正した後に、クラッシュ動
作を行なうことにより、クラッシュ動作時にウェーハ表
面にキズが発生することがなく品質の向上が計れるとい
う独創的な内容を有する。[Differences from the conventional technology of the invention] In the conventional technology, the crash operation is performed without correcting the inclination of the crash plate and the wafer, whereas in the present invention, the crash operation is performed after the inclination is corrected by the non-contact method. By performing the above, it has an original content that the quality of the wafer can be improved without causing a scratch on the wafer surface during the crash operation.
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本案によるマウンドクラッシ
ュ装置においては、傾き検出装置と、傾き補正装置と、
クラッシュ板とを有し、半導体ウェーハ上に形成された
突起物を除去するマウンドクラッシュ装置であって、 半導体ウェーハは、ウェーハ載置台上に搭載され、クラ
ッシュ板はその上方に向き合せに設置されたものであ
り、 ウェーハ載置台と、クラッシュ板とは、向き合わせ方向
に相対変位可能であり、 傾き検出装置は、クラッシュ板の板面に対する半導体ウ
ェーハ表面の傾きを非接触で検出する装置であり、 傾き補正装置は、ウェーハ載置台の傾きを調整して半導
体ウェーハの表面をクラッシュ板の板面と平行の姿勢に
補正する装置であり、 クラッシュ板は、半導体ウェーハの表面に押し付けて該
半導体ウェーハ上に成長した突起物を潰すものである。[Means for Solving Problems] In order to achieve the above object, in a mound crush device according to the present invention, a tilt detection device, a tilt correction device,
A mound crushing device having a crush plate and removing projections formed on the semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer is mounted on a wafer mounting table, and the crush plate is installed face to face above it. The wafer mounting table and the crash plate can be relatively displaced in the facing direction, and the tilt detection device is a device that detects the tilt of the semiconductor wafer surface with respect to the plate surface of the crash plate in a non-contact manner, The tilt correction device is a device that adjusts the tilt of the wafer mounting table to correct the surface of the semiconductor wafer in a posture parallel to the plate surface of the crush plate. It is to crush the protrusions that have grown to.
［実施例］ 次に本考案の実施例を図により説明する。[Embodiment] Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
（実施例１） 第１図(a)〜(c)は本考案の実施例１のマウンドクラッシ
ュ装置を示す断面図である。第１図(a)において、クラ
ッシュ板１はホルダー２に真空吸着溝2aを介して真空吸
着により保持され、エピタキシャル成長後のウェーハ３
はウェーハ載置台４上に真空吸着で固着されている。本
考案においては、クラッシュ板１と非接触にウェーハ３
の傾きを検出する傾き検出装置と、その検出信号に基づ
きウェーハの姿勢をクラッシュ板１の板面と平行に補正
する傾き補正装置とを有するものである。(Embodiment 1) FIGS. 1 (a) to 1 (c) are sectional views showing a mound crush device according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1 (a), the crush plate 1 is held by the holder 2 by vacuum suction through the vacuum suction groove 2a, and the wafer 3 after the epitaxial growth is performed.
Are fixed on the wafer mounting table 4 by vacuum suction. In the present invention, the wafer 3 is brought into non-contact with the crash plate 1.
And a tilt correction device that corrects the attitude of the wafer in parallel with the plate surface of the crash plate 1 based on the detection signal.
傾き検出装置としてクラッシュ板１は、その板面に一定
間隔を置いて３つのエアー孔１ａ及び各孔内にエアーセ
ンサS1〜S3を有している。各エアー孔１ａからウェーハ
３上の外周部３点にエアー９を吹付け、その背圧をホル
ダー２に組込まれたエアーセンサS1，S2，S3で検知し、
各々のエアー孔１ａの位置での背圧の差からウェーハ３
の傾きを検出して検出信号を出力する。Crash plate 1 as the slope detection device has an air sensor S 1 to S 3 three air holes 1a and in the holes at regular intervals on the plate surface. Air 9 is blown from each air hole 1a to three points on the outer periphery of the wafer 3, and the back pressure is detected by the air sensors S 1 , S 2 and S 3 incorporated in the holder 2,
Based on the difference in back pressure at each air hole 1a, the wafer 3
The inclination of is detected and a detection signal is output.
傾き補正装置は、ウェーハ載置台４上でのウェーハ３の
姿勢を調整する装置であり、傾き検出装置に得られた検
出信号で制御され、ウェーハ載置台４を３点支持するカ
ム６ａを有している。すなわち、第１図(a)，第２図に
示すようにシリンダー７上部のカムモーターハウジング
５には３つのカムモーター６が設置され、カムモーター
６に取付けたカム6aよりウェーハ載置台４を３点支持し
ている。The tilt correction device is a device that adjusts the attitude of the wafer 3 on the wafer mounting table 4, and has a cam 6a that is controlled by a detection signal obtained by the tilt detection device and that supports the wafer mounting table 4 at three points. ing. That is, as shown in FIGS. 1 (a) and 2, two cam motors 6 are installed in the cam motor housing 5 above the cylinder 7, and the wafer mounting table 4 is mounted on the wafer mounting table 4 by the cams 6a attached to the cam motors 6. Supports points.
第１図(a)においてシリンダー７によりウェーハ載置台
４を矢印８の方向に上昇させ、第１図(b)に示すように
ウェーハ３とクラッシュ板１とが特定の間隔になる位置
にてシリンダー７の駆動を停止させ、クラッシュ板に設
けた３つのエアー孔1aよりエアー９をウェーハ３上に吹
きつける。エアー孔1aより吹き出されたエアー９はウェ
ーハ３の外周部３点に当たり、その背圧を３つのエアー
センサーS1，S2，S3にて検出することにより、ウェーハ
外周３点でのクラッシュ板１との間隔を測定し、それら
３点での間隔が等しくなるようにカムモーター６の動作
を制御し、クラッシュ板１に対してウェーハ載置台４上
のウェーハ３の傾きを矢印10のように補正する。In FIG. 1 (a), the cylinder 7 is used to raise the wafer mounting table 4 in the direction of the arrow 8, and as shown in FIG. 1 (b), the wafer 3 and the crush plate 1 are positioned at a specific distance between the cylinders. The driving of 7 is stopped, and the air 9 is blown onto the wafer 3 through the three air holes 1a provided in the crash plate. Air 9 blown out from the air hole 1a hits the outer peripheral portion 3 points of the wafer 3, by detecting at its three air sensors back pressure S 1, S 2, S 3, crash plate in the wafer outer periphery 3 points 1 is measured, the operation of the cam motor 6 is controlled so that the intervals at these three points are equal, and the inclination of the wafer 3 on the wafer mounting table 4 with respect to the crash plate 1 is indicated by an arrow 10. to correct.
上記動作によりウェーハ３とクラッシュ板１との傾きが
補正された後に、第１図(b)の矢印11の方向にウェーハ
載置台４をシリンダー７により下降させる。After the inclination between the wafer 3 and the crash plate 1 is corrected by the above operation, the wafer mounting table 4 is lowered by the cylinder 7 in the direction of arrow 11 in FIG. 1 (b).
このような状態で第１図(c)に示すように再度シリンダ
ー７を空気圧により矢印12の方向に上昇させてウェーハ
３をクラッシュ板１に押しつけ、ウェーハ３上に成長し
たシリコンマウンドを除去するが、すでにウェーハ３と
クラッシュ板１の傾きが補正されているため、ウェーハ
表面にキズが付くことがない。In this state, as shown in FIG. 1 (c), the cylinder 7 is again pneumatically raised in the direction of the arrow 12 to press the wafer 3 against the crush plate 1 to remove the silicon mound grown on the wafer 3. Since the inclinations of the wafer 3 and the crush plate 1 are already corrected, the surface of the wafer is not scratched.
（実施例２） 第３図は本考案の実施例２を示すものである。(Embodiment 2) FIG. 3 shows Embodiment 2 of the present invention.
第３図に示すようにクラッシュ板ホルダー２の内部に容
量センサー13を設け、実施例１にて説明した様にウェー
ハ３とクラッシュ板１とを特定の間隔に保った状態にて
容量センサー検出孔16を通してウェーハ３とクラッシュ
板１との間隔をウェーハ３の外周部３点に対して静電容
量の変化として測定するものである。As shown in FIG. 3, a capacitance sensor 13 is provided inside the crush plate holder 2, and the capacitance sensor detection hole is provided with the wafer 3 and the crush plate 1 kept at a specific distance as described in the first embodiment. The distance between the wafer 3 and the crush plate 1 is measured through 16 as the change in capacitance with respect to three points on the outer peripheral portion of the wafer 3.
［考案の効果］ 以上説明した様に本考案はホルダーに吸着保持されたク
ラッシュ板とウェーハ載置台上のウェーハとの傾きを非
接触方式にて補正した後に、クラッシュ動作を行なうよ
うにしたことにより、クラッシュ時にウェーハ表面のキ
ズの発生を防止できる効果がある。[Effects of the Invention] As described above, the present invention is configured to perform the crash operation after correcting the inclination between the crush plate sucked and held by the holder and the wafer on the wafer mounting table by the non-contact method. It is effective in preventing the occurrence of scratches on the wafer surface during a crash.
第１図(a)，(b)，(c)は本考案の実施例１のマウンドク
ラッシュ装置を示す断面図、第２図はカムモーターハウ
ジング，カムモーターを示す平面図、第３図は本考案の
実施例２のマウンドクラッシュ装置の断面図、第４図は
従来のマウンドクラッシュ装置の一例の断面図である。 １…クラッシュ板、1a…エアー孔 1b…容量センサー検出孔 ２…クラッシュ板ホルダー 2a…真空吸着溝、３…ウェーハ ４…ウェーハ載置台 ５…カムモーターハウジング ６…カムモーター、７…シリンダー ９…エアー、13…容量センサー1 (a), (b) and (c) are sectional views showing a mound crush device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a cam motor housing and a cam motor, and FIG. Second Embodiment FIG. 4 is a sectional view of a mound crush device according to a second embodiment of the invention, and FIG. 4 is a sectional view of an example of a conventional mound crush device. 1 ... Crash plate, 1a ... Air hole 1b ... Capacity sensor detection hole 2 ... Crash plate holder 2a ... Vacuum suction groove, 3 ... Wafer 4 ... Wafer mounting table 5 ... Cam motor housing 6 ... Cam motor, 7 ... Cylinder 9 ... Air , 13 ... Capacity sensor
Claims (1)
シュ板とを有し、半導体ウェーハ上に形成された突起物
を除去するマウンドクラッシュ装置であって、 半導体ウェーハは、ウェーハ載置台上に搭載され、クラ
ッシュ板はその上方に向き合せに設置されたものであ
り、 ウェーハ載置台と、クラッシュ板とは、向き合わせ方向
に相対変位可能であり、 傾き検出装置は、クラッシュ板の板面に対する半導体ウ
ェーハ表面の傾きを非接触で検出する装置であり、 傾き補正装置は、ウェーハ載置台の傾きを調整して半導
体ウェーハの表面をクラッシュ板の板面と平行の姿勢に
補正する装置であり、 クラッシュ板は、半導体ウェーハの表面に押し付けて該
半導体ウェーハ上に成長した突起物を潰すものであるこ
とを特徴とするマウンドクラッシュ装置。1. A mound crushing device having an inclination detecting device, an inclination correcting device, and a crush plate for removing protrusions formed on a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer is placed on a wafer mounting table. The crush plate is mounted on the upper surface of the crush plate, and the crush plate is installed above the crush plate.The wafer mounting table and the crush plate can be displaced relative to each other in the facing direction. A device that detects the tilt of the semiconductor wafer surface in a non-contact manner, and the tilt correction device is a device that adjusts the tilt of the wafer mounting table to correct the surface of the semiconductor wafer to a posture parallel to the plate surface of the crash plate, The crush plate is a mound crusher characterized by being pressed against the surface of a semiconductor wafer to crush the protrusions grown on the semiconductor wafer. Apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986160323U JPH062261Y2 (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Mound crash device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986160323U JPH062261Y2 (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Mound crash device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365220U JPS6365220U (en) | 1988-04-30 |
| JPH062261Y2 true JPH062261Y2 (en) | 1994-01-19 |
Family
ID=31085598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986160323U Expired - Lifetime JPH062261Y2 (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Mound crash device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062261Y2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4339732B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-10-07 | 株式会社タムラ製作所 | Precision grinding apparatus and precision grinding method |
| JP5482994B2 (en) * | 2009-09-09 | 2014-05-07 | キクカワエンタープライズ株式会社 | Workpiece plate holding device and distortion material processing table using the same |
| CN118122903A (en) * | 2024-05-08 | 2024-06-04 | 江天精密制造科技（苏州）有限公司 | Self-locking protection mechanism for die stamping |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP1986160323U patent/JPH062261Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6365220U (en) | 1988-04-30 |
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