JPH06224164A - Manufacture of semiconductor wafer - Google Patents
Manufacture of semiconductor waferInfo
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハ全面の厚さバラツキを劣化させることな
く、スライス工程で発生する“反り”を矯正し、加工精
度に優れたＧａＡｓウエハを提供することを可能とす
る。
【構成】スライス、エッチング後の半導体ウエハ１を研
磨プレートに貼付してラッピングする工程を有する半導
体ウエハの製造方法において、スライス、エッチング後
の半導体ウエハ１を研磨プレートに貼付するのに加圧力
ゼロで貼付するようにしたことを特徴とする。
【効果】スライス、エッチング後のウエハは形状がその
ままで研磨プレートに貼付されるようになる。
(57) [Summary] [Objective] It is possible to provide a GaAs wafer having excellent processing accuracy by correcting the "warp" generated in the slicing process without deteriorating the thickness variation of the entire surface of the wafer. A method of manufacturing a semiconductor wafer having a step of laminating and slicing a semiconductor wafer 1 after slicing and etching onto a polishing plate, wherein no pressure is applied to the semiconductor wafer 1 after slicing and etching onto the polishing plate. It is characterized by being attached. [Effect] The wafer after slicing and etching can be attached to the polishing plate in its original shape.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハの製造方法
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＧａＡｓウエハの研磨方式には、両面同
時研磨方式と片面研磨方式があり、夫々品種により使い
わけられている。両面研磨方式では表面研磨の際に一
度、片面研磨方式では裏面研磨、及び表面研磨の際に二
度ウエハを研磨プレートに貼付て研磨する。2. Description of the Related Art As a polishing method for GaAs wafers, there are a double-sided simultaneous polishing method and a single-sided polishing method, each of which is properly used depending on its type. In the double-sided polishing method, the wafer is attached once to the polishing plate once for the front surface polishing, and once in the single-sided polishing method for the back surface polishing and the front surface polishing.
【０００３】このウエハの貼付作業はワックスを用いて
行う。通常、研磨プレートを約１００℃前後に加熱し、
ワックスを研磨プレートに塗布するか又はウエハにワッ
クスを塗布するかいずれかの方法でウエハを研磨プレー
トに貼付る。Wax sticking work is performed using wax. Usually, the polishing plate is heated to around 100 ° C,
The wafer is attached to the polishing plate by either applying wax to the polishing plate or applying wax to the wafer.
【０００４】ウエハの貼付作業においては研磨後のウエ
ハの全面の厚さバラツキを極力小さくする為に、ワック
ス厚さを均一にすることが作業のポイントである。この
為、ウエハがプレート上にセットされた後に約１００ｇ
／ｃｍ2〜５００ｇ／ｃｍ2の圧力を加え、ウエハを貼付
るのが通常である。In the operation of sticking the wafers, the point of the work is to make the wax thickness uniform in order to minimize the thickness variation of the entire surface of the wafer after polishing. Therefore, about 100g after the wafer is set on the plate
It is usual to apply a pressure of / cm 2 to 500 g / cm 2 to attach the wafer.
【０００５】なお、ＧａＡｓウエハは異方性材料であ
り、両面同時研磨においては面内での研磨量に差が生じ
る為“反り”を増大させる。この為“反り”の規格の厳
しい製品に関しては片面研磨方式で研磨している。The GaAs wafer is an anisotropic material, and in simultaneous double-sided polishing, there is a difference in the amount of polishing within the surface, which increases "warpage". For this reason, products with strict "warp" specifications are polished by the single-sided polishing method.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、ウ
エハの全面の厚さバラツキ（ＴＴＶ）は良好なウエハが
得られるが、スライス工程で発生する“反り”を矯正
し、小さくすることができなかった。その為“反り”は
スライス工程でほぼ決定されることになる。しかし、ス
ライス工程での“反り”はバラツキが大きく、“反り”
の規格の厳しい製品では製品歩留まりが低下する欠点が
あった。According to the above-mentioned prior art, a wafer having a good thickness variation (TTV) on the entire surface of the wafer can be obtained, but the "warp" generated in the slicing process can be corrected and reduced. There wasn't. Therefore, the "warp" is almost determined in the slicing process. However, the "warp" in the slicing process varies greatly, and "warp"
However, there is a drawback that the product yield is lowered in the product with strict standards.
【０００７】本発明は以上の点に鑑みなされたものであ
り、ウエハ全面の厚さバラツキを劣化させることなく、
スライス工程で発生する“反り”を矯正し、加工精度に
優れたＧａＡｓウエハを提供することを可能とした半導
体ウエハの製造方法を提供することを目的とするもので
ある。The present invention has been made in view of the above points, and does not deteriorate the thickness variation of the entire surface of the wafer,
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor wafer, which is capable of correcting "warpage" generated in the slicing process and providing a GaAs wafer having excellent processing accuracy.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的は、スライス、
エッチング後の半導体ウエハを研磨プレートに貼付する
のに加圧力ゼロで貼付することにより、達成される。[Means for Solving the Problems]
This is achieved by sticking the etched semiconductor wafer to the polishing plate with zero pressing force.
【０００９】また、スライス、エッチング後の半導体ウ
エハの表面を研磨プレートに加圧力ゼロでワックスを介
して貼付し、表面貼付後のウエハの裏面を所定量ラッピ
ングして平滑にし、次いでこの裏面を平滑にしたウエハ
を研磨プレートより取外し、取外したウエハに付いてい
るワックスを除去してからウエハをエッチングし、エッ
チング後は平滑な裏面を研磨プレートに所定の加圧力で
ワックスを介して貼付し、裏面貼付後のウエハの表面を
所定量ラッピング、ポリッシングして平滑にし、平滑後
は表面ポリッシング後のウエハを研磨プレートより取外
し、取外したウエハに付いているワックスを除去、洗浄
することにより、達成される。Further, the front surface of the semiconductor wafer after slicing and etching is adhered to a polishing plate via wax with no pressing force, and the rear surface of the wafer after front surface adhesion is lapped by a predetermined amount to be smooth, and then the rear surface is smoothed. Remove the removed wafer from the polishing plate, remove the wax attached to the removed wafer, and then etch the wafer, and after etching, attach the smooth back surface to the polishing plate with wax with a predetermined pressure Achieved by lapping a predetermined amount of the surface of the wafer after attachment and polishing to smooth it, and after smoothing, removing the wafer after surface polishing from the polishing plate and removing and cleaning the wax attached to the removed wafer. .
【００１０】[0010]
【作用】上記手段を設けたので、スライス、エッチング
後のウエハは形状がそのままで研磨プレートに貼付され
るようになる。Since the above-mentioned means is provided, the wafer after slicing and etching can be attached to the polishing plate in its original shape.
【００１１】[0011]
【実施例】次に本発明を実施例により具体的に説明す
る。EXAMPLES Next, the present invention will be specifically described by way of examples.
【００１２】〔実施例１〕図１から図８には本発明の一
実施例が示されている。同図に示されているようにスラ
イス、エッチング後のＧａＡｓウエハ１を研磨プレート
２に貼付してラッピングする工程を有する半導体ウエハ
の製造方法において、本実施例ではスライス、エッチン
グ後のＧａＡｓウエハ１を研磨プレート２に貼付するの
に加圧力ゼロで貼付するようにした。すなわちスライ
ス、エッチング後のＧａＡｓウエハ１の表面Ｈを研磨プ
レート２に加圧力ゼロでワックス３を介して貼付し、表
面貼付後のウエハ１の裏面Ｒを所定量ラッピングして平
滑にし、次いでこの裏面Ｒを平滑にしたウエハ１を研磨
プレート２より取外し、取外したウエハ１に付いている
ワックス３を除去してからウエハ１をエッチングし、エ
ッチング後は平滑な裏面Ｒを研磨プレート２に所定の加
圧力でワックス３を介して貼付し、裏面貼付後のウエハ
１の表面Ｈを所定量ラッピング、ポリッシングして平滑
にし、平滑後は表面ポリッシング後のウエハ１を研磨プ
レート２より取外し、取外したウエハ１に付いているワ
ックス３を除去、洗浄するようにした。このようにする
ことによりスライス、エッチング後のウエハ１は形状が
そのままで研磨プレート２に貼付されるようになって、
ウエハ１の“反り”を小さくでき、製品歩留を大幅に向
上できるようになり、ウエハ全面の厚さバラツキを劣化
させることなく、スライス工程で発生する“反り”を矯
正し、加工精度に優れたＧａＡｓウエハ１を提供するこ
とを可能とした半導体ウエハの製造方法を得ることがで
きる。[Embodiment 1] FIGS. 1 to 8 show an embodiment of the present invention. As shown in the figure, in the method of manufacturing a semiconductor wafer having a step of lapping the GaAs wafer 1 after slicing and etching to the polishing plate 2 and lapping, in this embodiment, the GaAs wafer 1 after slicing and etching is The polishing plate 2 was applied with zero pressure. That is, the front surface H of the GaAs wafer 1 after slicing and etching is attached to the polishing plate 2 through the wax 3 with no pressing force, and the back surface R of the wafer 1 after the front surface attachment is lapped by a predetermined amount to make it smooth, and then the back surface The wafer 1 with R smoothed is removed from the polishing plate 2, the wax 3 attached to the removed wafer 1 is removed, and the wafer 1 is etched. After the etching, the smooth back surface R is applied to the polishing plate 2 in a predetermined manner. Wafer 3 is pasted with pressure, and surface H of wafer 1 after backside lapping is lapped and polished by a predetermined amount to be smoothed. After smoothing, wafer 1 after surface polishing is removed from polishing plate 2 and wafer 1 removed Wax 3 attached to was removed and washed. By doing so, the wafer 1 after slicing and etching can be attached to the polishing plate 2 with the same shape,
The "warp" of the wafer 1 can be reduced, the product yield can be greatly improved, the "warp" generated in the slicing process is corrected without deteriorating the thickness variation of the entire surface of the wafer, and the processing accuracy is excellent. It is possible to obtain a method for manufacturing a semiconductor wafer that makes it possible to provide the GaAs wafer 1.
【００１３】試料としてスライス、エッチング後の“反
り”の値が約１０μｍのφ３″ＧａＡｓウエハ１を使用
した。研磨工程のフローは図１に示すように、まず該当
ウエハ１（図２参照）をφ３０４ｍｍ、ｔ＝１５ｍｍの
セラミック製研磨プレート２に表面Ｈの貼付を行った。
貼付時加圧力はゼロとした。この場合、図３に示すよう
にウエハ形状そのままにウエハ１は貼付けられる。この
貼付けたウエハ１をラッピングで約５０μｍ除去した。
ラッピングで除去した後のウエハ形状は図４に示すよう
に研磨面は平坦となる。その後プレート２を加温しプレ
ート２からウエハ１を取外した。貼付用のワックス３を
有機溶剤で除去した後にエッチングを施した。エッチン
グを施した後のウエハ形状は図５に示すように裏面Ｒは
平坦であり、表面Ｈは非平坦である。次ぎに裏面Ｒの貼
付を行った。この時はワックス３の厚さを均一にする為
に約２００ｇ／ｃｍ2の圧力をウエハ１に加えた。裏面
貼付後のウエハ形状を図６に示した。その後ラッピン
グ、ポリッシングを施し、表面Ｈは平坦に仕上げられ
る。表面研磨後のウエハ形状を図７に示した。ポリッシ
ング完了後研磨プレート２を加温し、ウエハ１をプレー
ト２から取外し、有機溶剤でワックス３の除去、洗浄を
実施した。完成後のウエハ形状は図８に示した。このよ
うにして製造したウエハ１の“反り”を調べたところ約
２〜４μｍ、ウエハ面内の厚さバラツキ（ＴＴＶ）は≦
３μｍであった。As a sample, a φ3 ″ GaAs wafer 1 having a “warp” value of about 10 μm after slicing and etching was used. As shown in FIG. 1, the polishing process is performed on the wafer 1 (see FIG. 2). The surface H was attached to a ceramic polishing plate 2 having a diameter of 304 mm and t = 15 mm.
The pressure applied during application was zero. In this case, as shown in FIG. 3, the wafer 1 is attached with the wafer shape unchanged. About 50 μm of the attached wafer 1 was removed by lapping.
After removal by lapping, the wafer has a flat polished surface as shown in FIG. Thereafter, the plate 2 was heated and the wafer 1 was removed from the plate 2. After removing the wax 3 for sticking with an organic solvent, etching was performed. As shown in FIG. 5, the back surface R of the wafer after etching is flat and the front surface H is non-flat. Next, the back surface R was attached. At this time, in order to make the thickness of the wax 3 uniform, a pressure of about 200 g / cm 2 was applied to the wafer 1. The shape of the wafer after attaching the back surface is shown in FIG. After that, lapping and polishing are performed, and the surface H is finished flat. The wafer shape after surface polishing is shown in FIG. After polishing was completed, the polishing plate 2 was heated, the wafer 1 was removed from the plate 2, and the wax 3 was removed and washed with an organic solvent. The shape of the completed wafer is shown in FIG. When the “warpage” of the wafer 1 manufactured in this way was examined, it was about 2 to 4 μm, and the thickness variation (TTV) within the wafer surface was ≦
It was 3 μm.
【００１４】このように本実施例によればウエハの“反
り”を大幅に少なくすることが可能であり、製造歩留を
大幅に向上させることができる。As described above, according to this embodiment, the "warp" of the wafer can be significantly reduced, and the manufacturing yield can be greatly improved.
【００１５】[0015]
【発明の効果】上述のように本発明は、スライス、エッ
チング後の半導体ウエハを研磨プレートに貼付するのに
加圧力ゼロで貼付したので、スライス、エッチング後の
ウエハは形状がそのままで研磨プレートに貼付されるよ
うになって、ウエハの“反り”を小さくでき、製品歩留
を大幅に向上できるようになり、ウエハ全面の厚さバラ
ツキを劣化させることなく、スライス工程で発生する
“反り”を矯正し、加工精度に優れたＧａＡｓウエハを
提供することを可能とした半導体ウエハの製造方法を得
ることができる。As described above, according to the present invention, since the semiconductor wafer after slicing and etching is attached to the polishing plate with no pressing force, the wafer after slicing and etching remains on the polishing plate with the same shape. As it is pasted, the "warp" of the wafer can be reduced and the product yield can be greatly improved, and the "warp" generated in the slicing process can be prevented without deteriorating the thickness variation of the entire wafer. It is possible to obtain a method for manufacturing a semiconductor wafer that can correct and provide a GaAs wafer with excellent processing accuracy.
【図１】本発明の半導体ウエハの製造方法の一実施例の
加工工程フローを示す工程図である。FIG. 1 is a process diagram showing a processing process flow of an embodiment of a semiconductor wafer manufacturing method of the present invention.
【図２】同じく一実施例のスライス、エッチング後のウ
エハの反り形状を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing a warp shape of a wafer after slicing and etching in the same embodiment.
【図３】同じく一実施例の表面貼付後のウエハの形状を
示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing the shape of the wafer after the surface is stuck in the same example.
【図４】同じく一実施例の裏面研磨後のウエハ形状を示
す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a wafer shape after back surface polishing in the same example.
【図５】同じく一実施例の裏面ラップ、エッチング後の
ウエハ形状を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a back surface wrap and a wafer shape after etching in the same example.
【図６】同じく一実施例の裏面貼付後のウエハ形状を示
す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing the shape of a wafer after being attached to the back surface of the same embodiment.
【図７】同じく一実施例の表面研磨後のウエハ形状を示
す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a wafer shape after surface polishing in the same example.
【図８】同じく一実施例の完成後のウエハ形状を示す説
明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a wafer shape after completion of the same example.
１ ＧａＡｓウエハ ２ 研磨プレート ３ ワックス 1 GaAs wafer 2 Polishing plate 3 Wax
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大西 正哉 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masaya Ohnishi 5-1-1 Hidaka-cho, Hitachi-shi, Ibaraki Hitachi Cable Ltd. Hidaka Plant
Claims (2)
研磨プレートに貼付してラッピングする工程を有する半
導体ウエハの製造方法において、前記スライス、エッチ
ング後の半導体ウエハを前記研磨プレートに貼付するの
に加圧力ゼロで貼付するようにしたことを特徴とする半
導体ウエハの製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor wafer, comprising a step of laminating a semiconductor wafer after slicing and etching to a polishing plate and lapping, and applying pressure to the semiconductor wafer after slicing and etching to the polishing plate. A method for manufacturing a semiconductor wafer, characterized in that it is stuck at zero.
表面を研磨プレートに加圧力ゼロでワックスを介して貼
付し、表面貼付後のウエハの裏面を所定量ラッピングし
て平滑にし、次いでこの裏面を平滑にしたウエハを前記
研磨プレートより取外し、取外したウエハに付いている
ワックスを除去してからウエハをエッチングし、エッチ
ング後は平滑な裏面を研磨プレートに所定の加圧力でワ
ックスを介して貼付し、裏面貼付後のウエハの表面を所
定量ラッピング、ポリッシングして平滑にし、平滑後は
表面ポリッシング後のウエハを研磨プレートより取外
し、取外したウエハに付いているワックスを除去、洗浄
するようにしたことを特徴とする半導体ウエハの製造方
法。2. A surface of a semiconductor wafer after slicing and etching is adhered to a polishing plate through a wax with no pressing force, and a back surface of the wafer after surface adhesion is lapped by a predetermined amount to be smooth, and then the rear surface is smoothed. The wafer is removed from the polishing plate, the wax attached to the removed wafer is removed, and then the wafer is etched, and after etching, the smooth back surface is attached to the polishing plate with wax under a predetermined pressing force, After laminating the back surface of the wafer by a predetermined amount and polishing it to make it smooth, after smoothing, the wafer after surface polishing was removed from the polishing plate, and the wax attached to the removed wafer was removed and washed. A method for manufacturing a characteristic semiconductor wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201193A JPH06224164A (en) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | Manufacture of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201193A JPH06224164A (en) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | Manufacture of semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224164A true JPH06224164A (en) | 1994-08-12 |
Family
ID=11793653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201193A Pending JPH06224164A (en) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | Manufacture of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224164A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062561A (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Siltronic Ag | Method of polishing semiconductor wafer |
-
1993
- 1993-01-27 JP JP1201193A patent/JPH06224164A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062561A (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Siltronic Ag | Method of polishing semiconductor wafer |
| USRE44986E1 (en) | 2008-09-03 | 2014-07-01 | Siltronic Ag | Method for polishing a semiconductor wafer |
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