JPH06223577A - Sram - Google Patents

Sram

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Publication number
JPH06223577A
JPH06223577A JP5010526A JP1052693A JPH06223577A JP H06223577 A JPH06223577 A JP H06223577A JP 5010526 A JP5010526 A JP 5010526A JP 1052693 A JP1052693 A JP 1052693A JP H06223577 A JPH06223577 A JP H06223577A
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JP
Japan
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address
serial
register
access
raster
Prior art date
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Pending
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JP5010526A
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English (en)
Inventor
Jun Kitahara
潤 北原
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Image Input (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】アドレス入力部1、3とデータ入出力部5と制
御信号7を外部とのインタフェースとして持ち、行及び
列の各デコーダ2、4と入力データ制御部6と入出力制
御部8とメモリセルアレイ9と列I/O10から成るS
RAMに、シリアル読み出しカウンタ11と行及び列デ
コーダ12、13と列OUT14とシリアルデータ出力
部15とシリアル読み出しカウンタ制御信号16を設け
る。 【効果】ランダムアクセスポートからのアクセスタイム
を高速にできるため、表示装置の描画が高速に行えるよ
うになり、使用者から見て心地良い操作環境を提供でき
る。ランダムアクセスが高速に行えるために、一度に取
り扱うデータ量を小さくしても従来の性能を実現できる
ため、データ処理回路の規模を小さくでき、システムを
小型化できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は情報処理装置の表示装置
における画像データの記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】画像用のデュアルポートメモリとしては
DRAMが一般的である。
【0003】この画像用のデュアルポートDRAMを用
いた表示装置の例としては、特開昭59−131979
がある。
【0004】この画像用のデュアルポートメモリは、D
RAMで構成されており、DRAMの構造上メモリセル
アレイを行と列の2段階でアクセスする。行のアクセス
が起きるとアクセスされた1行の全データをバッファに
転送し、列アクセスにより1行の中の1列を特定し読み
書きする。
【0005】ランダムアクセスには行及び列アクセスが
必要であるが、同一行内のアクセスならば、行アクセス
は毎回行う必要はなく、バッファに転送されたデータを
列アクセスのみで高速にアクセスすることが可能であ
る。
【0006】CRTなどのディスプレイ装置には、表示
データを順次転送する必要がある。DRAMを表示用の
メモリに用いた場合、表示専用のバッファを設け一行文
のデータを順次転送することで可能になる。
【0007】また、この画像用のデュアルポートDRA
Mの制御方法としては特開昭62−254181があ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】表示装置のメモリにマ
ルチポートのDRAMを用いた場合、ランダムアクセス
メモリ部からシリアルアクセスメモリ部へのデータ転送
サイクルが必要であり、データ転送サイクルは描画より
優先されるため、描画が待たされることになり、オーバ
ヘッドとなる問題があった。また、メモリ幅を任意にす
るためには、リアルタイムデータ転送やスプリット転送
を用いる必要があり、制御が複雑であった。 表示装置
のメモリにDRAMを用いた場合、リフレッシュが必要
であり、リフレッシュは描画より優先されるため、描画
時が待たされることになり、オーバヘッドとなる問題が
あった。データ転送サイクルも、リフレッシュサイクル
も、ランダムアクセスポートから起動をかけるため、非
表示期間を検出し、非表示期間内にデータ転送サイクル
と、リフレッシュサイクルを描画サイクルを止めて優先
的に行う必要がある。このため、表示タイミングと描画
タイミングを完全に独立にすることができず、描画時の
オーバヘッドとなる問題があった。
【0009】表示装置のメモリにマルチポートのDRA
Mを用いた場合、ランダムアクセスを行うためには、行
アクセス、列アクセスの2段階のアクセスが必要であ
り、アクセスサイクルを高速に行えない問題があった。
【0010】表示装置のメモリにマルチポートのDRA
Mを用いた場合、ラスタ方向にアクセスするときでDR
AMを高速アクセスするためには、高速ページモードな
どのアクセス手法を用いる必要がある。また、高速ペー
ジで効率良くDRAMをアクセスするためには、連続し
たアドレスのデータを連続して読み出し、また連続して
書き込むために、大容量のバッファが必要であった。
【0011】また、高速ページモードを用いてアクセス
することができる範囲が同一行内しかないという制限が
存在した。
【0012】
【課題を解決するための手段】SRAMにシリアル読み
出しカウンタと、行デコーダと、列デコーダと、列OU
Tと、シリアルデータ出力部を設ける。
【0013】シリアル読み出しカウンタ内には、シリア
ルアクセス開始アドレスと第一及び第二のオフセット値
とラスタ開始アドレスを格納するレジスタをSRAM内
のシリアル読み出しカウンタ内に設ける。
【0014】SRAMの各メモリセルにトランジスタ1
個を追加しランダムアクセスポートと独立にデータを読
みだす経路を設け、さらにSRAMの各メモリセルに接
続されているワード線とデータ線の1本をもう1系統設
けて、ランダムアクセスポートと独立にデータをメモリ
セルアレイから読みだす経路を設け制御する。
【0015】シリアル読み出しアドレスの更新制御を、
ドットクロックと、水平同期信号と、垂直同期信号に相
当する3信号の入力端子を設ける。
【0016】
【作用】SRAMの各メモリセルにトランジスタ1個を
追加しランダムアクセスポートと独立にデータを読みだ
す経路を設け、さらにSRAMの各メモリセルに接続さ
れているワード線とデータ線の1本をもう1系統設けた
ために、CPUからのランダムアクセスポートを介して
行われる描画と独立に、表示のための読み出しが可能と
なる。
【0017】シリアル読み出し開始アドレスを管理する
アドレスレジスタと、1ドット分のデータを読み出した
ときにアドレスレジスタを更新する第一のオフセットレ
ジスタと、1ラスタ分のデータを読み出したときに次の
ラスタの開始アドレスを求めるアドレスレジスタを更新
する第二のオフセットレジスタを持ち、ドットクロック
に相当する信号が入力される毎にアドレスレジスタと第
一のオフセットレジスタで次のドットのアドレスを求め
アドレスレジスタを更新し、水平同期信号に相当する信
号が入力される毎にラスタスタートレジスタと第二のオ
フセットレジスタで次のラスタスタートアドレスを求め
アドレスレジスタを更新し、垂直同期信号に相当する信
号が入力される毎にアドレスレジスタに初期値レジスタ
の値を転送することによりCRTなどのディスプレイに
表示するデータの読み出しが行える。
【0018】レジスタ選択信号によって選択されたレジ
スタをランダムアクセスポート側から書き込むことによ
り、レジスタの初期化が行える。
【0019】
【実施例】本発明の第一の実施例を図1、2、3、4を
用いて説明する。
【0020】図1は、本発明の第一の実施例を示したも
のであり、行アドレスの入力部1、行デコーダ2、列ア
ドレスの入力部3、列デコーダ4、データの入出力部
5、入力データ制御部6、入出力制御信号7と入出力制
御部8、メモリセルアレイ9、列I/O 10から成る
SRAMに、シリアル読み出しカウンタ11とその出力
を入力とする行デコーダ12、列デコーダ13、列OU
T 14、シリアル出力部15、シリアルカウンタ制御
信号16を設けた構成を取る。
【0021】図1では、データバス幅4ビット、256
kワードのSRAMを例に取っているがデータバス幅、
ワード数共にこの値に限ったものではない。
【0022】行アドレスの入力部1、列アドレスの入力
部3、データの入出力部5、入出力制御信号7から成る
パラレルポート側は、それぞれを情報処理装置のアドレ
スバス、データバス、コントロール信号に接続し、CP
Uからは通常のSRAMとしてアクセスが可能である。
シリアル出力部15、シリアルカウンタ制御信号16か
ら成るシリアル読み出しポート側からは、シリアル読み
出しカウンタによって示されるアドレスのデータを読み
だす。
【0023】図2は、図1のシリアル読み出しカウンタ
11の第一の構成例を示したものであり、初期値レジス
タ17、ラスタスタート位置レジスタ18、第一のオフ
セットレジスタ19、第2のオフセットレジスタ20、
アドレスレジスタ21、セレクタ22、23、加算器2
4、25、アドレスレジスタ制御部26、ラスタスター
ト位置レジスタ制御部27、レジスタ選択部30から成
る。
【0024】シリアル読み出しアドレスには、アドレス
レジスタ21で示された値を用いる。次のシリアル読み
出しアドレスは、アドレスレジスタ21の値と第一のオ
フセットレジスタ19の値とを加算することにより求
め、アドレスレジスタを更新する。つまり、アドレスレ
ジスタ21に第一のオフセットレジスタ19の値を加え
てシリアルアドレスを計算していく。この動作はシリア
ル読み出しクロックであるSC信号28が入力される毎
に行われる。通常、セレクタ22は第一のオフセットレ
ジスタ19側になっており、ラスタ更新時と画面更新時
にラスタスタート位置レジスタ18側に切り替わる。こ
の制御はアドレスレジスタ制御部26で行う。図3のよ
うに2048×1024ピクセル×1ビットのメモリ空
間をこのメモリ素子2個で構成し、1個の素子の1アド
レスの4ビットを画面の4ピクセルに割当て、上下51
2ラスタずつ2個の素子に割当てた場合、表示画面のラ
スタ方向(図上では右方向)にピクセルアドレスが増加
していくようにメモリアドレスをマッピングすると、第
一のオフセットレジスタに設定する値は”1”になる。
図3では2048×1024ピクセルの空間のうち11
20×780ピクセルを表示する場合を示している。
【0025】図3では、ピクセル34を4つ組みにした
データ35を同一アドレスに割り当ててある。よって、
アドレスレジスタ21に第一のオフセットレジスタ19
の値を加えて次のシリアル読み出しアドレスを生成する
動作が36になる。また、但し、図4のように画面の縦
方向にピクセルアドレスが増加するようにメモリアドレ
スをマッピングすると、第一のオフセットレジスタの値
は”1024”になる。
【0026】つぎに、一ラスタ分のシリアル読み出しが
終了したら、次のラスタの先頭アドレスを求める必要が
ある。これは、水平同期信号に相当するLoad信号2
9が入力される毎に、第二のオフセットレジスタ20の
値とラスタスタート位置レジスタ18の値とを加算して
求め、ラスタスタート位置レジスタ18を更新すると共
にアドレスレジスタ21にも値を書き込む。つまり、第
二のオフセットレジスタ20はあるラスタの開始アドレ
スと、次のラスタの開始アドレスの差異を設定してお
き、ラスタスタート位置レジスタ18にその値を加えな
がら次のラスタスタートアドレスを求める。通常、セレ
クタ23は第二のオフセットレジスタ20側になってお
り、画面更新時のみ初期値レジスタ17側に切り替わ
る。この制御はラスタスタート位置レジスタ制御部27
で行う。図3の場合、第二のオフセットレジスタ20に
設定する値は4ピクセル分が1アドレスであるため”5
12”である。ラスタスタート位置レジスタ18に第二
のオフセットレジスタ20の値を加えて次のラスタスタ
ートアドレスを生成する動作が37になる。
【0027】一画面分のシリアル読み出しが終了した
ら、ラスタスタート位置レジスタ18とアドレスレジス
タ21を初期化する必要がある。これらの初期値は、R
eset信号30が入力されたときに、初期値レジスタ
17の値が転送される。ラスタスタート位置レジスタ1
8とアドレスレジスタ21とを初期化する動作が38に
なる。
【0028】一度に読みだす画素単位のクロックをSC
信号28に入力し、水平同期信号等の表示ラスタ単位の
クロックをLoad信号29に入力し、垂直同期信号等
の位置画面単位のクロック信号をReset信号30に
入力することで表示読み出しが可能になる。図3のよう
なマッピングの場合、SC信号28にはドットクロック
の4分の1の周波数のクロックをいれることになる。
【0029】CRTCは水平同期信号、垂直同期信号、
ドットクロックを作るだけで良く、表示アドレスを発生
する必要がなくなり回路を簡略化できる。
【0030】ランダムアクセスポートも、シリアルアク
セスポートも、SRAMのアクセスタイムでアクセスで
きるため、数ns〜数十nsでアクセスが可能となり、
DRAMより高速にアクセスが可能となる。また、DR
AMのようにモードによってアクセス方式が異なった
り、アクセススピードが異なることがないため制御回路
を簡略化できる。
【0031】初期値レジスタ17、第一及び第二のオフ
セットレジスタ19、20の設定は、ランダムアクセス
ポート側から行う。このときRS1レジスタ選択信号3
1、RS2レジスタ選択信号32信号線を用いる。デー
タはデータ入力部5を通して行うが、ビット数が少ない
ため、複数ワードに分けて書き込む。または行及び列ア
ドレス入力部1、3の信号線を用いて書き込んでも良
い。
【0032】このレジスタ選択用の信号線をレジスタア
クセス識別信号を設けて、ランダムアクセスポートのア
ドレス線と共用しても良い。
【0033】通常、第一及び第二のオフセットレジスタ
に設定する値は表示が面の解像度によっていくつかに限
定されている。よって、解像度のモードをいくつか持
ち、使用者がモードを指定するだけでレジスタ設定を自
動的に行う機構を備えていても良い。
【0034】図3、4は1ピクセル当たり1ビットを割
り当てた1プレン構成を例に挙げているが、本発明は1
プレン構成に限ったものではない。
【0035】本発明の第二の実施例を図5、6を用いて
説明する。図5は、図1のシリアル読み出しカウンタ1
1の構成例を改良したものであり、図1の構成例と異な
るところはラスタスタート位置レジスタ18と、加算器
25を省略できるところにある。この場合、一ラスタ分
のシリアル読み出しが終了したら、現在のアドレスレジ
スタ21と、次のラスタのスタートアドレスとの差異を
第二のオフセットレジスタ20に設定しておく必要があ
る。つまり、図2のような各ラスタのスタートアドレス
を計算しているラスタスタート位置レジスタ18がない
ために、一ラスタ分のデータを読み出し終えたらその時
点でのアドレスレジスタ19の値をもとに次のラスタの
スタート位置を計算しなければならない。よって、次の
ラスタの先頭アドレスまでの差異を第二のオフセットレ
ジスタ20に設定しておく。図6の場合、第二のオフセ
ットレジスタ20に設定する値は”233”になる。第
二のオフセットレジスタ20の値をアドレスレジスタ2
1に加えて次のラスタのスタートアドレスを求める動作
が39になる。図2の構成例ではメモリ幅を変更しなけ
れば表示画面の解像度を変更しても第二のオフセットレ
ジスタ20の値を設定し直す必要がないが、図5の構成
例では表示画面の解像度を変更する度に第二のオフセッ
トレジスタの値20を設定し直す必要がある。
【0036】しかし、通常の情報処理装置の使用法では
表示画面の解像度を頻繁に切り換えることはないため、
ラスタスタート位置レジスタ18と、加算器25を削減
することにより小型化に効果がある。
【0037】一画面分のシリアル読み出しを終えたとき
のレジスタの初期化は、Reset信号30が入力され
たときに、初期値レジスタ17の値がアドレスレジスタ
21に転送される。
【0038】一度に読みだす画素単位のクロックをSC
信号28に入力し、水平同期信号等の表示ラスタ単位の
クロックをLoad信号29に入力し、垂直同期信号等
の位置画面単位のクロック信号をReset信号30に
入力することで表示読み出しが可能になる。
【0039】また、第一のオフセットレジスタは通常”
1”であるため、アドレスレジスタを値の設定可能なカ
ウンタで構成し、第一のオフセットレジスタを省略して
も良い。但し、このとき2分割の液晶表示パネルなどへ
の対応は難しくなる。
【0040】本発明の第三の実施例を図7、8を用いて
説明する。図7ではドットクロックに相当するSC信号
28が入力される毎に更新されるアドレスレジスタのオ
フセットレジスタを上画面用39と下画面用40の2組
にし、SC信号28の奇数回目偶数回目によってアドレ
スレジスタを更新する際のオフセットレジスタをセレク
タ41で切り替えて使用する。奇数回目偶数回目の判断
は、セレクタ制御部42で行う。これにより、2分割の
液晶表示パネルなどにも簡単に対応できる。
【0041】2分割の液晶表示パネルには、図8のよう
に上画面/下画面の2つの画面があり、上画面用/下画
面用の表示データを交互に転送する必要がある。そのた
め、図8のように上画面用/下画面用の表示データを離
れたメモリアドレスから読みだす必要がある。そのた
め、第一のオフセットレジスタ19内に上画面用39/
下画面用40の2本のレジスタを設けて、SC28の奇
数回目/偶数回目によってアドレスレジスタを更新する
際のオフセットレジスタを切り替えて使用する。上画面
用39の値とアドレスレジスタ21でシリアル読み出し
アドレスを更新する動作が43になり、下画面用39の
値とアドレスレジスタ21でシリアル読み出しアドレス
を更新する動作が44になる。
【0042】また、2分割の液晶表示パネルに対応する
ために、シリアス読み出しカウンタ全部をもう一組設け
て読み出しアドレスを交互にカウンタから取り出す方式
でも良い。このとき各シリアル読み出しカウンタに入力
するSC信号は、基のSC信号を2分周したものでなけ
ればならない。
【0043】本発明の第四の実施例を図9、10を用い
て説明する。図9はシリアル読み出しカウンタの初期値
レジスタを二組持ち、垂直同期信号に相当するRese
t信号の奇数回目/偶数回目の違いにより画面のスター
トアドレスを切り替える構成を取ったものである。CR
Tへの表示では、飛び越し走査と呼ばれるインタレース
表示がある。これは、1画面を奇数ラスタの画面と偶数
ラスタの画面の2画面に分け、奇数ラスタの画面と偶数
ラスタの画面を交互に表示して、比較的低い周波数によ
って高い解像度を得る手法である。奇数ラスタの画面に
対して偶数ラスタの画面は、2分の1ラスタ分縦にずれ
て表示される。つまり、奇数ラスタの画面のラスタの間
を偶数ラスタの画面で走査する。
【0044】このとき、図10のように画面の表示読み
出しスタートアドレスが、奇数ラスタの画面のスタート
アドレス49と偶数ラスタの画面スタートアドレス50
と異なる。そこで、図9のように初期値レジスタを二組
設け、垂直同期信号に相当するReset信号30によ
り、セレクタ制御部45がセレクタ46を切り替えて、
奇数ラスタの画面と偶数ラスタの画面で初期値レジスタ
切り分けて使用する。初期値レジスタ1 48による初
期化動作が52であり、初期値レジスタ2 47による
初期化動作が51である。ラスタ更新時に使用する第二
のオフセットレジスタに設定する値は、ノンインタレー
ス時の2倍にすれば飛び越し走査となる。
【0045】これによりインタレース表示にも容易に対
応が可能になる。
【0046】本発明の基本となるメモリセルについて図
11を用いて説明する。一般的に、SRAMのメモリセ
ルは2個の抵抗と、4個のトランジスタで構成されてい
る。抵抗の変わりにトランジスタを用いた構成でも良
い。SRAMのメモリセルの制御は、図11のようにR
1 53、R2 54、Q1 55、Q2 56で構成
したフリップフロップをワード線59とデータ線60、
61を用いてQ3 57、Q4 58を制御し、データ
の書き込みと読み出しの制御を行う。このメモリセルに
Q5 62とシリアル読み出しワード線63とシリアル
読み出しデータ線64を設け、ランダムアクセスポート
と独立にデータを読みだす経路を設ける。
【0047】本発明では、表示装置の画像データを記憶
する素子がSRAMで構成されているためバッテリーバ
ックアップが容易に行える。これにより小型上層機器の
機能で重要なレジューム機能の中で表示画面の保存に関
して、表示していたデータをそのまま保存できるため簡
単に実現できる。
【0048】
【発明の効果】ランダムアクセスポートからのアクセス
タイムを高速にできるため、表示装置の描画が高速に行
えるようになり、使用者から見て心地良い操作環境を提
供できる。
【0049】ランダムアクセスが高速に行えるために、
一度に取り扱うデータ量を小さくしても従来の性能を実
現できるため、データ処理回路の規模を小さくでき、シ
ステムを小型化できる。
【0050】列アドレス、行アドレスやモード別のDR
AM特有のアクセス制御の必要がなくなり制御回路が簡
略化できる。
【0051】リフレッシュ動作が不要になりバッテリー
バックアップも容易に行えるために、レジューム機能が
簡単に実現でき情報処理装置の使い勝手が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例を示す図である。
【図2】第一のシリアル読み出しカウンタの構成図であ
る。
【図3】シリアル読み出しカウンタの動作を示す図であ
る。
【図4】メモリマッピングの違いを示す図である。
【図5】本発明の第二の実施例を示す図である。
【図6】シリアル読み出しカウンタの動作を示す図であ
る。
【図7】本発明の第三の実施例を示す図である。
【図8】2分割パネル表示順序を示す図である。
【図9】本発明の第四の実施例を示す図である。
【図10】インタレース表示を示す図である。
【図11】メモリセルの構造図である。
【符号の説明】
1…行アドレス入力部、 2…行デコーダ、 3…列アドレス入力部、 4…列デコーダ、 5…データ入出力部、 6…入力データ制御部、 7…制御信号入力部、 8…入出力制御部、 9…メモリアレイ、 10…列I/O、 11…シリアル読み出しカウンタ、 12…第2の列デコーダ、 13…第2の行デコーダ、 14…列OUT、 15…シリアルデータ出力部、 16…シリアル読み出しカウンタ制御信号、 17…初期値レジスタ、 18…ラスタスタート位置レジスタ、 19…第一のオフセットレジスタ、 20…第二のオフセットレジスタ、 21…アドレスレジスタ、 22、23…データ選択回路、 24、25…加算器、 26…アドレスレジスタ制御部、 27…ラスタスタート位置レジスタ制御部、 28…SC信号、 29…Load信号、 30…Reset信号、 31…RS1レジスタ選択信号、 32…RS2レジスタ選択信号、 33…レジスタ選択部、 34…ピクセル、 35…単位データ、 36…シリアル読み出しアドレス更新、 37…ラスタスタートアドレス更新、 38…ラスタスタートアドレス初期化、 39…上画面用オフセットレジスタ、 40…下画面用オフセットレジスタ、 41…セレクタ、 42…セレクタ制御部、 43…シリアル読み出しアドレス更新、 44…シリアル読み出しアドレス更新、 45…インタレースフレーム制御部、 46…セレクタ、 47…初期値レジスタ1、 48…初期値レジスタ2、 49…奇数ラスタ画面スタートアドレス、 50…偶数ラスタ画面スタートアドレス、 51…初期値レジスタ2による初期化、 52…初期値レジスタ1による初期化、 53…抵抗R1、 54…抵抗R2、 55…トランジスタQ1、 56…トランジスタQ2、 57…トランジスタQ3、 58…トランジスタQ4、 59…ワード線、 60…データ線(正論理)、 61…データ線(負論理)、 62…トランジスタQ5、 63…シリアル読み出しワード線、 64…シリアル読み出しデータ線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G09G 5/36 8121−5G G11C 11/401

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】CPUなどからのアクセスを受け付ける少
    なくとも1つのランダムアクセスポートと、CRTなど
    の表示装置への出力を取り出せる少なくとも1つのシリ
    アル読み出しポートを備えたことを特徴とするSRA
    M。
  2. 【請求項2】シリアルアクセスアドレスと、第一及び第
    二の更新アドレスと、ラスタ開始位置と、初期アドレス
    とを保持するレジスタを含むシリアル読み出しのための
    アドレス発生手段を有することを特徴とする請求項1記
    載のSRAM。
  3. 【請求項3】シリアルアクセスアドレスと、第一及び第
    二の更新アドレスと、初期アドレスとを保持するレジス
    タを含むシリアル読み出しのためのアドレス発生手段を
    有することを特徴とする請求項1記載のSRAM。
  4. 【請求項4】第一のオフセットレジスタを二組持ち、2
    画面方式の液晶パネルに対応することを特徴とする請求
    項1、2又は3記載のSRAM。
  5. 【請求項5】初期値レジスタを二組持ち、CRTのイン
    タレース表示に対応することを特徴とする請求項1、2
    又は3記載のSRAM。
  6. 【請求項6】シリアル読み出しアドレスの更新制御を、
    ドットクロックと、水平同期信号と、垂直同期信号に相
    当する3信号で行うことを特徴とする請求項2、3、4
    又は5記載のSRAM
  7. 【請求項7】少なくとも1つのCPUと主記憶装置と周
    辺I/OとCRTや液晶パネルを含む表示装置とを持つ
    情報処理装置において、該表示装置の輝度や色情報の画
    像情報の記憶装置に請求項1、2、3、4、5又は6記
    載のSRAMを用いたことを特徴とする表示装置。
  8. 【請求項8】アクセス制御のワード線と、正論理と不論
    理のデータ線2本で接続されているメモリセルに、シリ
    アル読み出し制御のワード線とシリアル読み出しデータ
    線とトランジスタ1個を設けたことを特徴とするSRA
    M。
JP5010526A 1993-01-26 1993-01-26 Sram Pending JPH06223577A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5010526A JPH06223577A (ja) 1993-01-26 1993-01-26 Sram

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5010526A JPH06223577A (ja) 1993-01-26 1993-01-26 Sram

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06223577A true JPH06223577A (ja) 1994-08-12

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004538596A (ja) * 2001-08-08 2004-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ダイオード付きバッファを有するランダムアクセスメモリデバイス

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JP2004538596A (ja) * 2001-08-08 2004-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ダイオード付きバッファを有するランダムアクセスメモリデバイス

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