JPH06222234A - 光導波路とその製造方法 - Google Patents
光導波路とその製造方法Info
- Publication number
- JPH06222234A JPH06222234A JP30161493A JP30161493A JPH06222234A JP H06222234 A JPH06222234 A JP H06222234A JP 30161493 A JP30161493 A JP 30161493A JP 30161493 A JP30161493 A JP 30161493A JP H06222234 A JPH06222234 A JP H06222234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilane
- optical waveguide
- core
- refractive index
- linear
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓｉ系の光導波路であって、製造が容易で、
集積化が向上できる光導波路を提供する。 【構成】 コア１２に直鎖状のポリシランを使用した。
これにより、ポリシランの製造が容易であり、可視光領
域で優れた伝搬特性を有しており、さらに１μｍ以下の
光導波路が可能であるため集積化が向上できる。
集積化が向上できる光導波路を提供する。 【構成】 コア１２に直鎖状のポリシランを使用した。
これにより、ポリシランの製造が容易であり、可視光領
域で優れた伝搬特性を有しており、さらに１μｍ以下の
光導波路が可能であるため集積化が向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光回路に用いられる光
導波路とその製造方法に関する。
導波路とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光回路は、電子回路と同様に将来的には
集積化が必要となる。そのため、ＯＥＩＣ（オプトロエ
レクトロニクスＩＣ）に代表される光集積回路の開発が
進められている。
集積化が必要となる。そのため、ＯＥＩＣ（オプトロエ
レクトロニクスＩＣ）に代表される光集積回路の開発が
進められている。
【０００３】その中でも、光デバイスの小型化や、他の
光デバイスとの接続において重要な光導波路の集積化が
ある。現在においてはこの光導波路としては、光ファイ
バやＬｉＮｂＯ３を用いたものが主流である。
光デバイスとの接続において重要な光導波路の集積化が
ある。現在においてはこの光導波路としては、光ファイ
バやＬｉＮｂＯ３を用いたものが主流である。
【０００４】しかし、光ファイバーは、遠距離に光を伝
える場合には都合がよいが、光集積回路のような小型光
デバイスにおいては、その接続に難点がありこれに使用
するのは不向きである。また、ＬｉＮｂＯ３系光導波路
を考えると、現在の光源としてＧａＡｓであり、受光素
子がＳｉである点を考慮すると、その材料がそれぞれ異
なりデバイスシステムとしては得策でない。
える場合には都合がよいが、光集積回路のような小型光
デバイスにおいては、その接続に難点がありこれに使用
するのは不向きである。また、ＬｉＮｂＯ３系光導波路
を考えると、現在の光源としてＧａＡｓであり、受光素
子がＳｉである点を考慮すると、その材料がそれぞれ異
なりデバイスシステムとしては得策でない。
【０００５】そのため、光源にＧａＡｓを用い、電子集
積回路技術の応用ができるＳｉ系の光導波路が望まれて
いる。このような光導波路の例としては、「Polymers fo
r Lightwave and Integrated Optics」(Marcel Dekken,I
nc,New York,1991) に記載されているように、架橋より
なるポリシラン（ポリシリン）で形成されたものがあ
る。
積回路技術の応用ができるＳｉ系の光導波路が望まれて
いる。このような光導波路の例としては、「Polymers fo
r Lightwave and Integrated Optics」(Marcel Dekken,I
nc,New York,1991) に記載されているように、架橋より
なるポリシラン（ポリシリン）で形成されたものがあ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記架
橋よりなるポリシランの光導波路であると下記のような
問題がある。
橋よりなるポリシランの光導波路であると下記のような
問題がある。
【０００７】 架橋よりなるポリシランの材料が高価
である。
である。
【０００８】 架橋よりなるポリシランは、６００ｎ
ｍ付近まで吸収があり、伝搬損失の波長域が大きい。
ｍ付近まで吸収があり、伝搬損失の波長域が大きい。
【０００９】 架橋よりなるポリシランの製造方法と
しては、アルカリ金属を用いてトリクロロシラン類を脱
塩素縮合される方法（キッピング法）が知られている
が、この方法であると超音波の照射したり(J.Am.Chem.S
oc.,110,124(1988)) 、クラウンエーテルを添加したり
することが必要であり(Macromolecules,23,3423(199
0))、製造が困難である。
しては、アルカリ金属を用いてトリクロロシラン類を脱
塩素縮合される方法（キッピング法）が知られている
が、この方法であると超音波の照射したり(J.Am.Chem.S
oc.,110,124(1988)) 、クラウンエーテルを添加したり
することが必要であり(Macromolecules,23,3423(199
0))、製造が困難である。
【００１０】 同じ架橋構造のものが得にくい。
【００１１】 集積化に難点がある。
【００１２】そこで、本発明は、Ｓｉ系の光導波路であ
って、その光導波路の製造が容易で、集積化が向上でき
る光導波路とその製造方法を提供するものである。
って、その光導波路の製造が容易で、集積化が向上でき
る光導波路とその製造方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段と作用】本発明の請求項１
の光導波路は、コアに直鎖状のポリシランを使用したも
のである。
の光導波路は、コアに直鎖状のポリシランを使用したも
のである。
【００１４】直鎖状のポリシランとしては、下記のよう
なものである。
なものである。
【００１５】
【化１】 但し、式中のＲは、水素原子、炭素数１〜１４のアルキ
ル基、アリ―ル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ア
ミノ基、シリル基またはその誘導体を示し、ｎは、１０
〜１００００程度である。また、上記ポリマーで、Ｓｉ
の全部または一部がＧｅであるポリマーでもよい。な
お、これらのポリマーは、公知であり、それぞれの構造
単位を有するモノマーを原料として、公知の方法により
製造される。より具体的には、アルカリ金属の存在下に
クロロシラン類を脱塩素重縮合させる方法（キッピング
法 J.Am.Chem.Soc.,103,7352(1981))、電極還元により
クロロシラン類を脱塩素重縮合させる方法(J.Am.Chem.S
oc.,Chem.Commun.,1160(1990))、金属触媒の存在下にヒ
ドロシラン類を脱水素重縮合させる方法(J.Am.Chem.So
c.,108,4059(1986)) 、ビフェニルなどで架橋されたジ
シレンのアニオン重合による方法(J.Am.Chem.Soc.,111,
7641(1986))、環状シラン類の開環重合による方法（特開
平５−１７０９１３号）などが例示される。
ル基、アリ―ル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ア
ミノ基、シリル基またはその誘導体を示し、ｎは、１０
〜１００００程度である。また、上記ポリマーで、Ｓｉ
の全部または一部がＧｅであるポリマーでもよい。な
お、これらのポリマーは、公知であり、それぞれの構造
単位を有するモノマーを原料として、公知の方法により
製造される。より具体的には、アルカリ金属の存在下に
クロロシラン類を脱塩素重縮合させる方法（キッピング
法 J.Am.Chem.Soc.,103,7352(1981))、電極還元により
クロロシラン類を脱塩素重縮合させる方法(J.Am.Chem.S
oc.,Chem.Commun.,1160(1990))、金属触媒の存在下にヒ
ドロシラン類を脱水素重縮合させる方法(J.Am.Chem.So
c.,108,4059(1986)) 、ビフェニルなどで架橋されたジ
シレンのアニオン重合による方法(J.Am.Chem.Soc.,111,
7641(1986))、環状シラン類の開環重合による方法（特開
平５−１７０９１３号）などが例示される。
【００１６】上記構成の光導波路であると、コアに直鎖
状のポリシランを使用していることにより、ポリシラン
の製造が容易であり、可視光領域で優れた伝搬特性を有
しており、さらに１μｍ以下の光導波路が可能であるた
め集積化が向上できる。
状のポリシランを使用していることにより、ポリシラン
の製造が容易であり、可視光領域で優れた伝搬特性を有
しており、さらに１μｍ以下の光導波路が可能であるた
め集積化が向上できる。
【００１７】請求項２の光導波路の製造方法は、直鎖状
のポリシランを、この直鎖状のポリシランより屈折率の
小さい基板状に積層し、前記ポリシランのコアに該当す
る箇所にマスクを施し、前記ポリシランに光を照射して
前記マスクを施していない箇所をクラッドとして屈折率
を変化させる。
のポリシランを、この直鎖状のポリシランより屈折率の
小さい基板状に積層し、前記ポリシランのコアに該当す
る箇所にマスクを施し、前記ポリシランに光を照射して
前記マスクを施していない箇所をクラッドとして屈折率
を変化させる。
【００１８】そして、必要であれば、請求項３記載のよ
うに、直鎖状のポリシランを、この直鎖状のポリシラン
より屈折率の小さい基板状に積層し、前記ポリシランの
コアに該当する箇所にマスクを施し、前記ポリシランに
光を照射して前記マスクを施していない箇所をクラッド
として屈折率を変化させ、その上部にコアより屈折率の
小さい材料を積層してもよい。
うに、直鎖状のポリシランを、この直鎖状のポリシラン
より屈折率の小さい基板状に積層し、前記ポリシランの
コアに該当する箇所にマスクを施し、前記ポリシランに
光を照射して前記マスクを施していない箇所をクラッド
として屈折率を変化させ、その上部にコアより屈折率の
小さい材料を積層してもよい。
【００１９】基板としては、直鎖状のポリシランより屈
折率が小さければ、特に限定されずポリシロキサンやポ
リイミド等がある。また、直鎖状のポリシランの変化す
る屈折率は、光照射量で決定されるが、基板の屈折率と
同じにするのが好ましい。
折率が小さければ、特に限定されずポリシロキサンやポ
リイミド等がある。また、直鎖状のポリシランの変化す
る屈折率は、光照射量で決定されるが、基板の屈折率と
同じにするのが好ましい。
【００２０】本発明の請求項４の光導波路の製造方法
は、直鎖状のポリシランのコアに該当する箇所にマスク
を施し、前記ポリシランに光を照射して前記マスクを施
していない箇所をクラッドとして屈折率を変化させる。
は、直鎖状のポリシランのコアに該当する箇所にマスク
を施し、前記ポリシランに光を照射して前記マスクを施
していない箇所をクラッドとして屈折率を変化させる。
【００２１】そして、必要であれば請求項５のように、
直鎖状のポリシランのコアに該当する箇所にマスクを施
し、前記ポリシランに光を照射して前記マスクを施して
いない箇所をクラッドとして屈折率を変化させ、その上
部にコアより屈折率の小さい材料を積層する。
直鎖状のポリシランのコアに該当する箇所にマスクを施
し、前記ポリシランに光を照射して前記マスクを施して
いない箇所をクラッドとして屈折率を変化させ、その上
部にコアより屈折率の小さい材料を積層する。
【００２２】上記４つの製造方法において、照射する光
源としては、ポリシランを変化させる波長域の光源であ
れば、特に限定されないが、ＫｒＦ，ＸｅＣｌ，ＡｒＦ
等のエキシマレーザ、Ｎ2 レーザ、水銀ランプ（Deep U
V)等が例示される。
源としては、ポリシランを変化させる波長域の光源であ
れば、特に限定されないが、ＫｒＦ，ＸｅＣｌ，ＡｒＦ
等のエキシマレーザ、Ｎ2 レーザ、水銀ランプ（Deep U
V)等が例示される。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
【００２４】図１は、本発明の一実施例を示す光導波路
１０の斜視図である。
１０の斜視図である。
【００２５】符号１２は、光導波路１０のコアである。
コア１２は、メチルフェニルポリシランよりなり、屈折
率ｎは、ヘリウム・ネオンの波長（６３２．８ｎｍ）に
対して１．６５である。また、伝搬特性は、吸収係数α
0 が他の材料に比べて小さいため高分子中でも非常に
優れている。例えば、可視域において伝送損失１ｄＢ／
ｋｍ以下が可能である。メチルフェニルポリシランは、
下記のような構造を有している。
コア１２は、メチルフェニルポリシランよりなり、屈折
率ｎは、ヘリウム・ネオンの波長（６３２．８ｎｍ）に
対して１．６５である。また、伝搬特性は、吸収係数α
0 が他の材料に比べて小さいため高分子中でも非常に
優れている。例えば、可視域において伝送損失１ｄＢ／
ｋｍ以下が可能である。メチルフェニルポリシランは、
下記のような構造を有している。
【００２６】
【化２】 また、コア１２には、下記のようなシクロヘキシルメチ
ルポリシランを使用してもよい。屈折率ｎは、ヘリウム
・ネオンの波長（６３２．８ｎｍ）に対して１．５７で
ある。
ルポリシランを使用してもよい。屈折率ｎは、ヘリウム
・ネオンの波長（６３２．８ｎｍ）に対して１．５７で
ある。
【００２７】
【化３】 符号１４は、光導波路１０のクラッドであって、ポリシ
ロキサンより形成されている。ポリシロキサンの屈折率
ｎは、ヘリウム・ネオンの波長（６３２．８ｎｍ）に対
して１．４７である。
ロキサンより形成されている。ポリシロキサンの屈折率
ｎは、ヘリウム・ネオンの波長（６３２．８ｎｍ）に対
して１．４７である。
【００２８】上記構成の光導波路１０であると、コア１
２とクラッド１４との屈折率の差が大きいため、幅Ｗの
狭い光導波路１０が実現できる。例えば、ヘリウム・ネ
オンの波長における単一モード導波路のためには、下記
のような条件が満たされなければならない。
２とクラッド１４との屈折率の差が大きいため、幅Ｗの
狭い光導波路１０が実現できる。例えば、ヘリウム・ネ
オンの波長における単一モード導波路のためには、下記
のような条件が満たされなければならない。
【００２９】
【数１】 上式は、ステップ型三次元導波路のものであり、λは波
長を示し、ｎはクラッドの屈折率を示し、Δｎは、屈折
率差を示している。
長を示し、ｎはクラッドの屈折率を示し、Δｎは、屈折
率差を示している。
【００３０】そして、コアの幅Ｗとコアの高さＴとの比
率を仮に２（すなわち、Ｗ／Ｔ＝２）として、従来技術
で記載したＬｉＮｂＯ３系導波路、ポリシリン系（架橋
したポリシラン）の導波路、メチルフェニルポリシラン
の光導波路及びシクロヘキシルメチルポリシランの光導
波路におけるコアの幅Ｗと高さＴの寸法を図２の表に示
した。
率を仮に２（すなわち、Ｗ／Ｔ＝２）として、従来技術
で記載したＬｉＮｂＯ３系導波路、ポリシリン系（架橋
したポリシラン）の導波路、メチルフェニルポリシラン
の光導波路及びシクロヘキシルメチルポリシランの光導
波路におけるコアの幅Ｗと高さＴの寸法を図２の表に示
した。
【００３１】図２より明らかなように、本実施例の２つ
の光導波路１０の場合には、従来のものとは異なり、１
μｍ以下の光導波路が形成できる。そのため、高集積化
が容易で、シリコン系での集積回路化にもつながる。
の光導波路１０の場合には、従来のものとは異なり、１
μｍ以下の光導波路が形成できる。そのため、高集積化
が容易で、シリコン系での集積回路化にもつながる。
【００３２】上記光導波路１０の第１の製造方法につい
て図３に基づいて説明する。
て図３に基づいて説明する。
【００３３】 板部材２０の上にポリシロキサン１４
ａを塗る。
ａを塗る。
【００３４】 前記ポリシロキサン１４ａに直鎖状の
ポリシラン（メチルフェニルポリシランまたはシクロヘ
キシルメチルポリシラン）を積層する。
ポリシラン（メチルフェニルポリシランまたはシクロヘ
キシルメチルポリシラン）を積層する。
【００３５】 直鎖状のポリシランのコア１２に該当
する箇所にマスク２２をする。
する箇所にマスク２２をする。
【００３６】 直鎖状のポリシランの上面から光を照
射する。これにより、マスク２２をしていない箇所は、
直鎖状のポリシランからポリシロキサン１４ｂに変化す
る。
射する。これにより、マスク２２をしていない箇所は、
直鎖状のポリシランからポリシロキサン１４ｂに変化す
る。
【００３７】 ポリシロキサン１４ｂの上部及びコア
１２に不図示のポリシロキサンを積層して、コア１２を
ポリシロキサンで囲みクラッド１４を構成する。
１２に不図示のポリシロキサンを積層して、コア１２を
ポリシロキサンで囲みクラッド１４を構成する。
【００３８】図４の表は、直鎖状のポリシランとしてメ
チルフェニルポリシランを使用し、ＡｒＦレーザを照射
した場合の照射エネルギー（ｍＪ／ｃｍ2 ）と６３３ｎ
ｍの波長の光を照射した場合の屈折率ｎの関係を示して
いる。いずれの場合でも、屈折率ｎが、光の照射により
変化し、クラッドとコアとの役割が果たせる。
チルフェニルポリシランを使用し、ＡｒＦレーザを照射
した場合の照射エネルギー（ｍＪ／ｃｍ2 ）と６３３ｎ
ｍの波長の光を照射した場合の屈折率ｎの関係を示して
いる。いずれの場合でも、屈折率ｎが、光の照射により
変化し、クラッドとコアとの役割が果たせる。
【００３９】上記光導波路１０の第２の製造方法につい
て図３に基づいて説明する。
て図３に基づいて説明する。
【００４０】 板部材２０の上に直鎖状のポリシラン
（メチルフェニルポリシランまたはシクロヘキシルメチ
ルポリシラン）を積層する。
（メチルフェニルポリシランまたはシクロヘキシルメチ
ルポリシラン）を積層する。
【００４１】 直鎖状のポリシランの側面におけるコ
ア１２に該当する箇所にマスク２２をする。
ア１２に該当する箇所にマスク２２をする。
【００４２】 直鎖状のポリシランの側面から光を照
射する。これにより、マスク２２をしていない箇所は、
直鎖状のポリシランからポリシロキサンに変化してクラ
ッド１４が構成される。
射する。これにより、マスク２２をしていない箇所は、
直鎖状のポリシランからポリシロキサンに変化してクラ
ッド１４が構成される。
【００４３】なお、図６のように直鎖状のポリシランに
おけるコア１２が上面に露出した形状で光導波路１０を
形成してもよい。
おけるコア１２が上面に露出した形状で光導波路１０を
形成してもよい。
【００４４】
【発明の効果】本発明の請求項１の光導波路であると、
直鎖状のポリシランであると、製造が容易であり、ま
た、可視光領域で優れた伝搬特性を有しているため、光
導波路として非常に好適であり、さらに、１μｍ以下の
導波路形状を実現できて高集積化が容易である。
直鎖状のポリシランであると、製造が容易であり、ま
た、可視光領域で優れた伝搬特性を有しているため、光
導波路として非常に好適であり、さらに、１μｍ以下の
導波路形状を実現できて高集積化が容易である。
【００４５】本発明の請求項２〜５の光導波路の製造方
法であると、光を照射するだけで容易にポリシランの光
導波路が製造できる。
法であると、光を照射するだけで容易にポリシランの光
導波路が製造できる。
【図１】本発明の一実施例を示す光導波路の斜視図であ
る。
る。
【図２】本実施例と従来の光導波路との集積化を比較し
た表である。
た表である。
【図３】本発明の一実施例を示す光導波路の第１の製造
方法を示す図面である。
方法を示す図面である。
【図４】直鎖状のポリシランとしてメチルフェニルポリ
シランを使用し、ＡｒＦレーザを照射した場合の屈折率
の表である。
シランを使用し、ＡｒＦレーザを照射した場合の屈折率
の表である。
【図５】本発明の一実施例を示す光導波路の第２の製造
方法を示す斜視図である。
方法を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施例を示す光導波路の第２の製造
方法の変更例を示す斜視図である。
方法の変更例を示す斜視図である。
１０……光導波路 １２……コア １４……クラッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 良行 京都市伏見区向島四ッ谷池14−８ 向島団 地６−２−1404 (72)発明者 川田 浩二 京都市右京区太秦海正寺町３−２ 西京都 マンション703号 (72)発明者 横尾 雅一 京都市西京区山田平尾町43−１ ダイアパ レスロイヤル京都・桂508号
Claims (5)
- 【請求項１】コアに直鎖状のポリシランを使用したこと
を特徴とする光導波路。 - 【請求項２】直鎖状のポリシランを、この直鎖状のポリ
シランより屈折率の小さい基板状に積層し、 前記ポリシランのコアに該当する箇所にマスクを施し、 前記ポリシランに光を照射して前記マスクを施していな
い箇所をクラッドとして屈折率を変化させることを特徴
とする光導波路の製造方法。 - 【請求項３】直鎖状のポリシランを、この直鎖状のポリ
シランより屈折率の小さい基板状に積層し、 前記ポリシランのコアに該当する箇所にマスクを施し、 前記ポリシランに光を照射して前記マスクを施していな
い箇所をクラッドとして屈折率を変化させ、 その上部にコアより屈折率の小さい材料を積層すること
を特徴とする光導波路の製造方法。 - 【請求項４】直鎖状のポリシランのコアに該当する箇所
にマスクを施し、 前記ポリシランに光を照射して前記マスクを施していな
い箇所をクラッドとして屈折率を変化させることを特徴
とする光導波路の製造方法。 - 【請求項５】直鎖状のポリシランのコアに該当する箇所
にマスクを施し、 前記ポリシランに光を照射して前記マスクを施していな
い箇所をクラッドとして屈折率を変化させ、 その上部にコアより屈折率の小さい材料を積層すること
を特徴とする光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30161493A JPH06222234A (ja) | 1992-12-02 | 1993-12-01 | 光導波路とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32326992 | 1992-12-02 | ||
| JP4-323269 | 1992-12-02 | ||
| JP30161493A JPH06222234A (ja) | 1992-12-02 | 1993-12-01 | 光導波路とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06222234A true JPH06222234A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=26562777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30161493A Pending JPH06222234A (ja) | 1992-12-02 | 1993-12-01 | 光導波路とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06222234A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008919A (en) * | 1996-03-08 | 1999-12-28 | Nec Corporation | Optical receiving apparatus |
| WO2003087905A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Polysilane thin films for directly patternable waveguides |
| US6830818B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-12-14 | Hitachi Cable, Ltd. | Polymer material and polymer film |
| US6847773B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide and method for manufacturing the same |
| WO2005071451A1 (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光デバイス，及びフォトニック結晶スラブの製造方法 |
| WO2005114278A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 屈折率分布型光学部材、および屈折率分布型光学部材の製造方法 |
| JP2006091759A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光接続の調節装置及び調節方法、並びに光配線の製造方法 |
| US7035518B2 (en) | 2001-04-13 | 2006-04-25 | Hitachi Cable, Ltd. | Polymer waveguides and process for producing the same |
| WO2006077889A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 屈折率分布型レンズ、および屈折率分布型レンズの製造方法 |
-
1993
- 1993-12-01 JP JP30161493A patent/JPH06222234A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008919A (en) * | 1996-03-08 | 1999-12-28 | Nec Corporation | Optical receiving apparatus |
| US7035518B2 (en) | 2001-04-13 | 2006-04-25 | Hitachi Cable, Ltd. | Polymer waveguides and process for producing the same |
| US6830818B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-12-14 | Hitachi Cable, Ltd. | Polymer material and polymer film |
| WO2003087905A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Polysilane thin films for directly patternable waveguides |
| US7190871B2 (en) | 2002-04-09 | 2007-03-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Polysilane thin films for directly patternable waveguides |
| US6847773B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide and method for manufacturing the same |
| WO2005071451A1 (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光デバイス，及びフォトニック結晶スラブの製造方法 |
| US7693381B2 (en) | 2004-01-22 | 2010-04-06 | Panasonic Corporation | Optical device, and production method for photonic crystal slab |
| WO2005114278A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 屈折率分布型光学部材、および屈折率分布型光学部材の製造方法 |
| JPWO2005114278A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2008-03-27 | 松下電器産業株式会社 | 屈折率分布型光学部材、屈折率分布型光学部材の製造方法、光モジュール、および光モジュールの製造方法 |
| US7653278B2 (en) | 2004-05-21 | 2010-01-26 | Panasonic Corporation | Refractive index distribution type optical member, and production method for refractive index distribution type optical member |
| JP2006091759A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光接続の調節装置及び調節方法、並びに光配線の製造方法 |
| WO2006077889A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 屈折率分布型レンズ、および屈折率分布型レンズの製造方法 |
| US7710657B2 (en) | 2005-01-19 | 2010-05-04 | Panasonic Corporation | Distributed refractive index lens and method for manufacturing the same |
| JP5374021B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2013-12-25 | パナソニック株式会社 | 屈折率分布型レンズ、屈折率分布型レンズの製造方法、立体画像撮像装置、および立体画像再生装置 |
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