JPH06217990A - レーザー装置 - Google Patents
レーザー装置Info
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- JPH06217990A JPH06217990A JP5010741A JP1074193A JPH06217990A JP H06217990 A JPH06217990 A JP H06217990A JP 5010741 A JP5010741 A JP 5010741A JP 1074193 A JP1074193 A JP 1074193A JP H06217990 A JPH06217990 A JP H06217990A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザーエネルギー変換効率のアップし、消費
電力の少ないレーザー装置を提供することにある。 【構成】複数個のＬＤ素子１と、これらＬＤ素子１の個
々に電力を入力する電源６と、この電源６を制御し、出
力設定装置８によるレーザー出力値に応じて前記ＬＤ素
子１への電力の入力を個別に制御する制御装置７とを具
備したことにある。出力設定装置８によってレーザー出
力値を設定すると、その出力値に応じて制御装置７によ
って電源６を制御し、ＬＤ素子１へ入力する個々の電力
を制御する。
電力の少ないレーザー装置を提供することにある。 【構成】複数個のＬＤ素子１と、これらＬＤ素子１の個
々に電力を入力する電源６と、この電源６を制御し、出
力設定装置８によるレーザー出力値に応じて前記ＬＤ素
子１への電力の入力を個別に制御する制御装置７とを具
備したことにある。出力設定装置８によってレーザー出
力値を設定すると、その出力値に応じて制御装置７によ
って電源６を制御し、ＬＤ素子１へ入力する個々の電力
を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はレーザー光により生体
組織を切開・止血・凝固・蒸散するためのレーザー装置
に関する。
組織を切開・止血・凝固・蒸散するためのレーザー装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により生体組織を切開・止血
・凝固・蒸散するレーザーメスが広く使用されている。
現在、レーザーメスにはＮｄ：ＹＡＧレーザーが多く使
用されているが、装置が大きく、大重量で、高価であ
り、また大容量の電源が必要であるという欠点があり、
普及を妨げる要因となっている。
・凝固・蒸散するレーザーメスが広く使用されている。
現在、レーザーメスにはＮｄ：ＹＡＧレーザーが多く使
用されているが、装置が大きく、大重量で、高価であ
り、また大容量の電源が必要であるという欠点があり、
普及を妨げる要因となっている。
【０００３】これに対し、最近、半導体レーザー（Ｌａ
ｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ：以下ＬＤ素子という）が高出力化
され、レーザーメスへの応用が可能となってきている。
しかし、高出力されたといっても、ＭＡＸ１Ｗ〜数Ｗ程
度であり、レーザーメスとして必要な数十ワットを得る
のは困難である。
ｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ：以下ＬＤ素子という）が高出力化
され、レーザーメスへの応用が可能となってきている。
しかし、高出力されたといっても、ＭＡＸ１Ｗ〜数Ｗ程
度であり、レーザーメスとして必要な数十ワットを得る
のは困難である。
【０００４】そこで、ＬＤ素子を複数個使用して、高出
力化を実現することが試みられている。例えば、ＰＣＴ
９２／０２８４４には、３２個のＬＤ素子を使用し、２
５Ｗの出力を得る例が示されている。また、特開平４−
１１０９１６号公報には、最大４個のＬＤ素子を使用す
る場合の効率的なレーザー光合成手段が示されている。
力化を実現することが試みられている。例えば、ＰＣＴ
９２／０２８４４には、３２個のＬＤ素子を使用し、２
５Ｗの出力を得る例が示されている。また、特開平４−
１１０９１６号公報には、最大４個のＬＤ素子を使用す
る場合の効率的なレーザー光合成手段が示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬＤ素子
は、入力電力を上げること（たとえば電圧一定で電流を
上げていく）により、レーザー出力も上がっていくが、
ＬＤ素子がレーザー光を発生し始めるしきい値電流があ
る。これは、ある一定の電流値まではレーザー光は発生
せず、その値を超えると、レーザー光が発生し始める電
流値であり、しきい値電流以下では電力消費はしてもレ
ーザー光は得られないこととなる。
は、入力電力を上げること（たとえば電圧一定で電流を
上げていく）により、レーザー出力も上がっていくが、
ＬＤ素子がレーザー光を発生し始めるしきい値電流があ
る。これは、ある一定の電流値まではレーザー光は発生
せず、その値を超えると、レーザー光が発生し始める電
流値であり、しきい値電流以下では電力消費はしてもレ
ーザー光は得られないこととなる。
【０００６】多くのＬＤ素子を使用し、個々のＬＤ素子
に同じ値の電流値を与えることにより、任意のレーザー
出力を得ることができるが、この場合、どのＬＤ素子に
もしきい値電流分の電力を消費しており、レーザーエネ
ルギーへの変換効率が良くない。このレーザーエネルギ
ー変換効率の値は、必要とするレーザー光の出力が低い
程全体電流のうち、しきい値電流の割合が多くなるの
で、悪い値（低い値）となる。
に同じ値の電流値を与えることにより、任意のレーザー
出力を得ることができるが、この場合、どのＬＤ素子に
もしきい値電流分の電力を消費しており、レーザーエネ
ルギーへの変換効率が良くない。このレーザーエネルギ
ー変換効率の値は、必要とするレーザー光の出力が低い
程全体電流のうち、しきい値電流の割合が多くなるの
で、悪い値（低い値）となる。
【０００７】１個のＬＤ素子のＭＡＸ出力は１２００ｍ
Ｗであり、これを３０個使用することにより、ＭＡＸ１
２００ｍＷ×３０個＝３６Ｗの出力が可能なレーザー装
置である。
Ｗであり、これを３０個使用することにより、ＭＡＸ１
２００ｍＷ×３０個＝３６Ｗの出力が可能なレーザー装
置である。
【０００８】したがって、仮に、１８Ｗの出力を得たい
場合、３０個のＬＤ素子より均等に出力を得ると、１個
当り６００ｍＷで６００ｍＷ×３０個＝１８Ｗとなり、
この時の１個のＬＤ素子当りの電流値は、図５（ＬＤ素
子の電流−出力特性）に示すように、１２００ｍＡであ
り、電圧を２Ｖとすると、１２００ｍＡ×２Ｖ＝２．４
Ｗの入力となる。３０個全部の入力は、２．４Ｗ×３０
個＝７２Ｗである。
場合、３０個のＬＤ素子より均等に出力を得ると、１個
当り６００ｍＷで６００ｍＷ×３０個＝１８Ｗとなり、
この時の１個のＬＤ素子当りの電流値は、図５（ＬＤ素
子の電流−出力特性）に示すように、１２００ｍＡであ
り、電圧を２Ｖとすると、１２００ｍＡ×２Ｖ＝２．４
Ｗの入力となる。３０個全部の入力は、２．４Ｗ×３０
個＝７２Ｗである。
【０００９】したがって、レーザー出力で１８Ｗを得る
ために７２Ｗの入力を必要としたこととなり、レーザー
エネルギー変換効率は、１８Ｗ／７２Ｗ＝０．２５、つ
まり２５％と低い。
ために７２Ｗの入力を必要としたこととなり、レーザー
エネルギー変換効率は、１８Ｗ／７２Ｗ＝０．２５、つ
まり２５％と低い。
【００１０】この発明は、前記事情に着目してなされた
もので、その目的とするところは、複数のＬＤ素子を使
用して、高出力のレーザー光を得るようにした装置にお
いて、レーザーエネルギー変換効率高く、消費電力が少
なくすむレーザー装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、複数のＬＤ素子を使
用して、高出力のレーザー光を得るようにした装置にお
いて、レーザーエネルギー変換効率高く、消費電力が少
なくすむレーザー装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段および作用】この発明は前
記目的を達成するために、複数個の半導体レーザーと、
これら半導体レーザーの個々に電力を入力する電源と、
この電源を制御し、出力設定手段によるレーザー出力値
に応じて前記半導体レーザーへの電力の入力を個別に制
御する制御手段とから構成したことにある。出力設定手
段によってレーザー出力値を設定すると、その出力値に
応じて制御手段によって電源を制御し、半導体レーザー
へ入力する個々の電力を制御する。
記目的を達成するために、複数個の半導体レーザーと、
これら半導体レーザーの個々に電力を入力する電源と、
この電源を制御し、出力設定手段によるレーザー出力値
に応じて前記半導体レーザーへの電力の入力を個別に制
御する制御手段とから構成したことにある。出力設定手
段によってレーザー出力値を設定すると、その出力値に
応じて制御手段によって電源を制御し、半導体レーザー
へ入力する個々の電力を制御する。
【００１２】
【実施例】図１はレーザメス等のレーザー装置の第１の
実施例を示すもので、１はＬＤ素子であり、１個のＬＤ
素子１のＭＡＸ出力は１２００ｍＷを複数個（例えば、
ここでは３０個とする）を使用している。各々のＬＤ素
子１…はレンズ２によりファイバー３にカップリングさ
れている。すなわち、図示しないが、ＬＤ素子１とレン
ズ２は一体的に保持され、ファイバー３はコネクタによ
り着脱される構造となっている。複数本のファイバー３
…は他端で束ねられ、集光レンズ４により、ファイバー
からなるレーザプローブ５に導光されるように構成され
ている。
実施例を示すもので、１はＬＤ素子であり、１個のＬＤ
素子１のＭＡＸ出力は１２００ｍＷを複数個（例えば、
ここでは３０個とする）を使用している。各々のＬＤ素
子１…はレンズ２によりファイバー３にカップリングさ
れている。すなわち、図示しないが、ＬＤ素子１とレン
ズ２は一体的に保持され、ファイバー３はコネクタによ
り着脱される構造となっている。複数本のファイバー３
…は他端で束ねられ、集光レンズ４により、ファイバー
からなるレーザプローブ５に導光されるように構成され
ている。
【００１３】また、ＬＤ素子１は各々に個別に入力を与
える電源６に電気的に接続され、電源６は制御装置７に
電気的に接続されている。さらに、制御装置７は所望の
出力を設定し、表示する出力設定手段としての出力設定
装置８が電気的に接続され、この出力設定装置８には出
力設定ボタン９および表示部１０が設けられている。
える電源６に電気的に接続され、電源６は制御装置７に
電気的に接続されている。さらに、制御装置７は所望の
出力を設定し、表示する出力設定手段としての出力設定
装置８が電気的に接続され、この出力設定装置８には出
力設定ボタン９および表示部１０が設けられている。
【００１４】前記ＬＤ素子１個のＭＡＸ出力は１２００
ｍＷであり、これを３０個使用することにより、ＭＡ
Ｘ．１２００ｍＷ×３０個＝３６Ｗの出力が可能なレー
ザー装置である。
ｍＷであり、これを３０個使用することにより、ＭＡ
Ｘ．１２００ｍＷ×３０個＝３６Ｗの出力が可能なレー
ザー装置である。
【００１５】したがって、仮に１８Ｗの出力を得たい場
合、従来は３０個のＬＤ素子１より均等に出力させ、１
個当り６００ｍＷで６００ｍＷ×３０個＝１８Ｗとし、
１個のＬＤ素子１当りの電流値は、１２００ｍＡである
ことから、電圧を２Ｖとすると、１２００ｍＡ×２Ｖ＝
２．４Ｗの入力となる。３０個全部の入力は、２．４Ｗ
×３０個＝７２Ｗであった。したがって、従来は、レー
ザー出力で１８Ｗを得るために７２Ｗの入力を必要とし
たこととなり、レーザーエネルギー変換効率は、１８Ｗ
／７２Ｗ＝０．２５、つまり２５％と低い。
合、従来は３０個のＬＤ素子１より均等に出力させ、１
個当り６００ｍＷで６００ｍＷ×３０個＝１８Ｗとし、
１個のＬＤ素子１当りの電流値は、１２００ｍＡである
ことから、電圧を２Ｖとすると、１２００ｍＡ×２Ｖ＝
２．４Ｗの入力となる。３０個全部の入力は、２．４Ｗ
×３０個＝７２Ｗであった。したがって、従来は、レー
ザー出力で１８Ｗを得るために７２Ｗの入力を必要とし
たこととなり、レーザーエネルギー変換効率は、１８Ｗ
／７２Ｗ＝０．２５、つまり２５％と低い。
【００１６】しかし、この実施例においては、制御装置
７によって電源６を制御し、各々のＬＤ素子１の電流値
を制御して最少のＬＤ素子１で１８Ｗを得る場合、ＬＤ
素子１のＭＡＸ出力は１２００ｍＷなので、１８Ｗ／１
２００ｍＷ＝１５個のＬＤ素子１を最大出力で発生する
こととなり、この時のＬＤ素子１の１個当りの電流値は
図５に示すように、２０００ｍＡである。
７によって電源６を制御し、各々のＬＤ素子１の電流値
を制御して最少のＬＤ素子１で１８Ｗを得る場合、ＬＤ
素子１のＭＡＸ出力は１２００ｍＷなので、１８Ｗ／１
２００ｍＷ＝１５個のＬＤ素子１を最大出力で発生する
こととなり、この時のＬＤ素子１の１個当りの電流値は
図５に示すように、２０００ｍＡである。
【００１７】電圧２Ｖなので、２０００ｍＡ×２Ｖ＝４
Ｗの入力となる。１５個全部の入力は、４Ｗ×１５個＝
６０Ｗである。つまりレーザー出力で１８Ｗを得るため
に６０Ｗの入力を必要としたこととなり、レーザーエネ
ルギー変換効率は１８Ｗ／６０Ｗ＝０．３、つまり従来
の２５％に対し、この実施例によれば、３０％となり、
５％のレーザーエネルギー変換効率のアップとなる。
Ｗの入力となる。１５個全部の入力は、４Ｗ×１５個＝
６０Ｗである。つまりレーザー出力で１８Ｗを得るため
に６０Ｗの入力を必要としたこととなり、レーザーエネ
ルギー変換効率は１８Ｗ／６０Ｗ＝０．３、つまり従来
の２５％に対し、この実施例によれば、３０％となり、
５％のレーザーエネルギー変換効率のアップとなる。
【００１８】このように、使用するＬＤ素子１が少なく
なったため、しきい値電流分の入力が使用してないＬＤ
素子１の個数だけ減少したことによる。よってレーザー
エネルギー変換効率は、使用したいレーザー出力が低い
程（低出力で使用する場合程）アップすることになる。
このため、レーザーエネルギー変換効率が向上し、少な
い電力（入力）で高出力レーザーが得られるという効果
がある。
なったため、しきい値電流分の入力が使用してないＬＤ
素子１の個数だけ減少したことによる。よってレーザー
エネルギー変換効率は、使用したいレーザー出力が低い
程（低出力で使用する場合程）アップすることになる。
このため、レーザーエネルギー変換効率が向上し、少な
い電力（入力）で高出力レーザーが得られるという効果
がある。
【００１９】図２は第２の実施例を示す。この実施例に
おいては１９個のＬＤ素子１と同数のファイバー３を使
用している。各々のＬＤ素子１の光を導くファイバー３
を束にした状態を示す。
おいては１９個のＬＤ素子１と同数のファイバー３を使
用している。各々のＬＤ素子１の光を導くファイバー３
を束にした状態を示す。
【００２０】ファイバー３を束にした状態で、ＬＤ素子
１からレーザーを放射する場合、どのファイバー３から
レーザーが照射されるかにより、出力分布が異なり、照
射対象の加工状態に影響を与えるが、この実施例は、図
２の（ａ）に示すように、ファイバー３を丸棒状のファ
イバ束１１の中心部の番号(1) を第１群１２とし、この
第１群１２の周囲の番号(2) 〜(7) のファイバー３を第
２群１３とし、さらにその外周の番号(8) 〜(19)のファ
イバー３を第３群１４とし、第１，第２，第３群１２，
１３，１４に分けて、各ＬＤ素子１群１２の電源６の入
力を制御することとした。
１からレーザーを放射する場合、どのファイバー３から
レーザーが照射されるかにより、出力分布が異なり、照
射対象の加工状態に影響を与えるが、この実施例は、図
２の（ａ）に示すように、ファイバー３を丸棒状のファ
イバ束１１の中心部の番号(1) を第１群１２とし、この
第１群１２の周囲の番号(2) 〜(7) のファイバー３を第
２群１３とし、さらにその外周の番号(8) 〜(19)のファ
イバー３を第３群１４とし、第１，第２，第３群１２，
１３，１４に分けて、各ＬＤ素子１群１２の電源６の入
力を制御することとした。
【００２１】つまり、番号(1) のファイバー３（第１群
１２）に対応するＬＤ素子１を出力させると、図２の
（ｂ）の第１の出力分布１２ａとなり、次に、より高い
出力を得るために、番号(2) 〜(7) のファイバー３（第
２群１３）に対応するＬＤ素子１も出力させると、第１
と第２の出力分布１２ａ，１３ａとなる。
１２）に対応するＬＤ素子１を出力させると、図２の
（ｂ）の第１の出力分布１２ａとなり、次に、より高い
出力を得るために、番号(2) 〜(7) のファイバー３（第
２群１３）に対応するＬＤ素子１も出力させると、第１
と第２の出力分布１２ａ，１３ａとなる。
【００２２】さらに、より高い出力を得るために、番号
(8) 〜(19)のファイバー３（第３群１４）に対応するＬ
Ｄ素子１も出力させると、第１〜第３の出力分布１２
ａ，１３ａ，１４ａとなる。したがって、バンドルファ
イバーを用い、その中心軸に均等に分布するレーザー光
を得ることができ、照射対象を均等、一様に照射できる
という効果がある。
(8) 〜(19)のファイバー３（第３群１４）に対応するＬ
Ｄ素子１も出力させると、第１〜第３の出力分布１２
ａ，１３ａ，１４ａとなる。したがって、バンドルファ
イバーを用い、その中心軸に均等に分布するレーザー光
を得ることができ、照射対象を均等、一様に照射できる
という効果がある。
【００２３】図３は第３の実施例を示し、４個のＬＤ素
子を用いたものである。すなわち、第１のＬＤ素子１ａ
（７８０ｎｍ，Ｐ波）と第２のＬＤ素子１ｂ（８１０ｎ
ｍ，Ｐ波）を合成する第１のダイクロイックミラー１５
が設けられている。また、第３ＬＤ素子１ｃ（７８０ｎ
ｍ，Ｓ波）と第４のＬＤ素子１ｄ（８１ｎｍ，Ｓ波）を
合成する第２のダイクロイックミラー１６が設けられて
いる。
子を用いたものである。すなわち、第１のＬＤ素子１ａ
（７８０ｎｍ，Ｐ波）と第２のＬＤ素子１ｂ（８１０ｎ
ｍ，Ｐ波）を合成する第１のダイクロイックミラー１５
が設けられている。また、第３ＬＤ素子１ｃ（７８０ｎ
ｍ，Ｓ波）と第４のＬＤ素子１ｄ（８１ｎｍ，Ｓ波）を
合成する第２のダイクロイックミラー１６が設けられて
いる。
【００２４】さらに、第１と第２のダイクロイックミラ
ー１５，１６により合成されたレーザー光Ｌ1 ，Ｌ2 を
合成するＰＢＳ（Ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ Ｂｅａｍ Ｓ
ｐｌｉｆｆｅｒｓ）１７が設けられ、このＰＢＳ１７の
光軸ｏ上に集光レンズ１８とファイバー１９が設置され
ている。なお、第１〜第４のＬＤ素子１ａ〜１ｄには出
力センサー（図示しない）が設けられている。
ー１５，１６により合成されたレーザー光Ｌ1 ，Ｌ2 を
合成するＰＢＳ（Ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ Ｂｅａｍ Ｓ
ｐｌｉｆｆｅｒｓ）１７が設けられ、このＰＢＳ１７の
光軸ｏ上に集光レンズ１８とファイバー１９が設置され
ている。なお、第１〜第４のＬＤ素子１ａ〜１ｄには出
力センサー（図示しない）が設けられている。
【００２５】したがって、第１のＬＤ素子１ａと第２の
ＬＤ素子１ｂからのレーザー光は波長の違いにより第１
のダイクロイックミラー１５により合成され、また、第
３のＬＤ素子１ｃと第４のＬＤ素子１ｄからのレーザー
光は第２のダイクロイックミラー１６により同じく波長
の違いにより合成される。
ＬＤ素子１ｂからのレーザー光は波長の違いにより第１
のダイクロイックミラー１５により合成され、また、第
３のＬＤ素子１ｃと第４のＬＤ素子１ｄからのレーザー
光は第２のダイクロイックミラー１６により同じく波長
の違いにより合成される。
【００２６】合成された２つのレーザー光Ｌ1 ，Ｌ
2 は、ＰＢＳ１７により波形の違いにより合成される。
この波長と波形の違いを利用し、第１〜第４のＬＤ素子
１ａ〜１ｄを選択的に出力させることができるととも
に、効率よく合成することができる。
2 は、ＰＢＳ１７により波形の違いにより合成される。
この波長と波形の違いを利用し、第１〜第４のＬＤ素子
１ａ〜１ｄを選択的に出力させることができるととも
に、効率よく合成することができる。
【００２７】ここで、第１〜第４のＬＤ素子１ａ〜１ｄ
のうち任意のＬＤ素子、例えば第１のＬＤ素子１ａが一
定出力に達した時、別のＬＤ素子、例えば第２のＬＤ素
子１ｂの出力を開始するように制御し、順次第１〜第４
のＬＤ素子１ａ〜１ｄを出力させ、所望の出力を得るこ
とを説明する。なお、第１〜第４のＬＤ素子１ａ〜１ｄ
の出力を各々５Ｗとする。
のうち任意のＬＤ素子、例えば第１のＬＤ素子１ａが一
定出力に達した時、別のＬＤ素子、例えば第２のＬＤ素
子１ｂの出力を開始するように制御し、順次第１〜第４
のＬＤ素子１ａ〜１ｄを出力させ、所望の出力を得るこ
とを説明する。なお、第１〜第４のＬＤ素子１ａ〜１ｄ
の出力を各々５Ｗとする。
【００２８】第１のＬＤ素子１ａの出力を上げていき、
５Ｗになったことを出力センサーで検知し、それにより
第２のＬＤ素子１ｂの電源を制御して出力開始する。第
１のＬＤ素子１ａの出力はＭＡＸのままで第２のＬＤ素
子１ｂの出力を上げていくため、全体では１０Ｗまで出
力制御が可能である。
５Ｗになったことを出力センサーで検知し、それにより
第２のＬＤ素子１ｂの電源を制御して出力開始する。第
１のＬＤ素子１ａの出力はＭＡＸのままで第２のＬＤ素
子１ｂの出力を上げていくため、全体では１０Ｗまで出
力制御が可能である。
【００２９】同様に１５Ｗまでは、第３のＬＤ素子１ｃ
を加えて出力させ、２０Ｗまでは第４のＬＤ素子１ｄを
加えて出力させる。つまり、第１のＬＤ素子１ａでは０
〜５Ｗまでの出力範囲をカバーし、第１、第２のＬＤ素
子１ａ＋１ｂで５〜１０Ｗ、第１〜第３のＬＤ素子１ａ
＋１ｂ＋１ｃで１０〜１５Ｗ、第１〜第４のＬＤ素子１
ａ＋１ｂ＋１ｃ＋１ｄで１５〜２０Ｗの範囲をカバーす
ることができ、第１および第２の実施例と同様にしきい
値電流分の入力を減少させることができる。
を加えて出力させ、２０Ｗまでは第４のＬＤ素子１ｄを
加えて出力させる。つまり、第１のＬＤ素子１ａでは０
〜５Ｗまでの出力範囲をカバーし、第１、第２のＬＤ素
子１ａ＋１ｂで５〜１０Ｗ、第１〜第３のＬＤ素子１ａ
＋１ｂ＋１ｃで１０〜１５Ｗ、第１〜第４のＬＤ素子１
ａ＋１ｂ＋１ｃ＋１ｄで１５〜２０Ｗの範囲をカバーす
ることができ、第１および第２の実施例と同様にしきい
値電流分の入力を減少させることができる。
【００３０】図４は、複数個、例えば９個のＬＤ素子２
０…を使用する場合、各ＬＤ素子２０…をペルチェ素子
２１上に配置を示したものである。ＬＤ素子２０は発熱
するためペルチェ素子２１によって冷却する必要がある
が、複数個のＬＤ素子２０…１つのペルチェ素子２１上
に並べた場合、出力させるＬＤ素子２０が片寄ると発熱
も片寄ってしまい、ＬＤ素子２０…を良好に冷却でき
ず、ＬＤ素子２０の破損や出力ダウンまたは波長のバラ
ツキを生じてしまう。
０…を使用する場合、各ＬＤ素子２０…をペルチェ素子
２１上に配置を示したものである。ＬＤ素子２０は発熱
するためペルチェ素子２１によって冷却する必要がある
が、複数個のＬＤ素子２０…１つのペルチェ素子２１上
に並べた場合、出力させるＬＤ素子２０が片寄ると発熱
も片寄ってしまい、ＬＤ素子２０…を良好に冷却でき
ず、ＬＤ素子２０の破損や出力ダウンまたは波長のバラ
ツキを生じてしまう。
【００３１】そこで、図４に示すように、番号(1) 〜
(9) の９個のＬＤ素子２０…を番号が若い順に出力させ
るようにした。つまり、９個のＬＤ素子２０…の配列
は、出力させるＬＤ素子２０…を出力させる順番にペル
チェ素子２１上で、各々最も遠い位置に配したものであ
る。これにより、ＬＤ素子２０…の発熱がペルチェ素子
２１上で集中することなく一様に冷却できる。
(9) の９個のＬＤ素子２０…を番号が若い順に出力させ
るようにした。つまり、９個のＬＤ素子２０…の配列
は、出力させるＬＤ素子２０…を出力させる順番にペル
チェ素子２１上で、各々最も遠い位置に配したものであ
る。これにより、ＬＤ素子２０…の発熱がペルチェ素子
２１上で集中することなく一様に冷却できる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、レーザー出力値に応じて複数個の半導体レーザーへ
の電圧の入力を個別に制御するようにしたから、レーザ
ーエネルギー変換効率高く、消費電力が少なくすむレー
ザー装置を提供することができるという効果がある。
ば、レーザー出力値に応じて複数個の半導体レーザーへ
の電圧の入力を個別に制御するようにしたから、レーザ
ーエネルギー変換効率高く、消費電力が少なくすむレー
ザー装置を提供することができるという効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例を示すレーザー装置の
構成図。
構成図。
【図２】この発明の第２の実施例を示し、（ａ）は束ね
たファイバーの端面図、（ｂ）は出力分布図。
たファイバーの端面図、（ｂ）は出力分布図。
【図３】この発明の第３の実施例を示すレーザ装置の構
成図。
成図。
【図４】ＬＤ素子をペルチェ素子に配置した状態の平面
図および正面図。
図および正面図。
【図５】ＬＤ素子の電流−出力特性図。
１…ＬＤ素子、６…電源、７…制御装置。
Claims (1)
- 【請求項１】 複数個の半導体レーザーと、これら半導
体レーザーの個々に電力を入力する電源と、この電源を
制御し、出力設定手段によるレーザー出力値に応じて前
記半導体レーザーへの電力の入力を個別に制御する制御
手段とを具備したことを特徴とするレーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010741A JPH06217990A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010741A JPH06217990A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06217990A true JPH06217990A (ja) | 1994-08-09 |
Family
ID=11758731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5010741A Withdrawn JPH06217990A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06217990A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030081668A (ko) * | 2002-04-12 | 2003-10-22 | 이재웅 | 레이저광을 이용한 치료장치 및 그 치료방법 |
| JP2006049788A (ja) * | 2004-08-08 | 2006-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | レーザ光源装置 |
-
1993
- 1993-01-26 JP JP5010741A patent/JPH06217990A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030081668A (ko) * | 2002-04-12 | 2003-10-22 | 이재웅 | 레이저광을 이용한 치료장치 및 그 치료방법 |
| JP2006049788A (ja) * | 2004-08-08 | 2006-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | レーザ光源装置 |
| JP4622396B2 (ja) * | 2004-08-08 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | レーザ光源装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |