JPH06217322A - Ｘ線像形成要素および該要素上に放射線像を形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 Ｘ線像を形成するにおいて、ＳＮ比の向上
と、形成方法の簡易化を図る。 【構成】 層状構造を持つパネルから構成され、該パネ
ルは、像の画素が占める範囲と同一の寸法を持つ複数の
離散したマイクロプレートから成る導電層と、該パネル
上に設けられた複数のアクセス電極と電子部材を備えて
おり、該マイクロプレートにアクセスし、貯蔵電荷の形
で該パネル中に得られたＸ線潜像を形成し、読み取る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、デジタルＸ線像を形成
するための方法および装置に関するものである。さらに
詳しくは、独特のマイクロコンデンサマトリックスパネ
ルにＸ線潜像を表わす電荷を得、これを読取ることによ
り、Ｘ線像を表わす電気信号を得るための方法および関
連装置に関するものである。

【０００２】なお、本明細書の記述は、本件出願の優先
権の基礎たる米国特許出願０７／７７６，２７９号と、
この出願の継続出願である米国特許出願号との両明細書
の記載に基づくものであって、当該各米国特許出願の番
号を参照することによって当該各米国特許出願の明細書
の記載内容が本明細書の一部分を構成するものとする。

【０００３】

【従来の技術】伝統的Ｘ線撮影は、ハロゲン化銀感光フ
ィルムを遮光性カセット容器で用い、Ｘ線潜像を得、そ
の後化学現像と定着により可視化する。ハロゲン化銀フ
ィルムはＸ線にあまり感度がよくなく、像を得るために
は多くの露光を必要とするので、蛍光層から成る増倍ス
クリーンとハロゲン化銀フィルムとの組み合わせを用い
て、露光を少なくすることが多い。

【０００４】Ｘ線像は、また、ゼロラジオグラフィー法
による光導電板を用いて放射線潜像を得ることによって
も、得られる。この場合、導電性支持層上に塗布された
光導電層から少なくともなる、Ｘ線に感度のある光導電
板を、典型的にはコロナ放電ワイヤーからなる電荷ステ
ーションの下を通すことにより、まず電荷させる。陽電
荷または陰電荷が前記板表面に均一に与えられる。次
に、この板をＸ線で露光する。入射線の強度により、Ｘ
線により生じた電子正孔対が前記板表面を覆う電荷に入
射する電場によって分離され、前記電場に沿って移動し
て前記板表面の電荷と再結合する。Ｘ線露光後、様々な
大きさの電荷の形をした潜像が、前記板表面上に残り、
静電放射線潜像を表わす。この潜像は、次に調色により
可視化され、好ましくは受容面に転写されてより見やす
くなる。

【０００５】より最近の方法の中には、Ｘ線潜像を得る
ための静電像形成要素を用いる方法がある。この要素
は、導電性支持体上の絶縁層が光導電層で覆われ、前記
光導電層も誘電層で覆われ、該誘電層が透明電極で覆わ
れてなるものである。バイアス電圧が、前記透明電極と
導電性支持体の間に与えられ、大きな平行板コンデンサ
である該要素が電荷される。このバイアス電圧が印加さ
れている間、該要素は画像に従って変調変調されたＸ線
に露光される。露光後、前記バイアスが除去されて、潜
像が、前記誘電層中にストアされた電荷分布として保存
される。この要素構造で生起する問題点は、局部的な電
荷の変化で表わされる潜像が極めて小さい信号電荷であ
り、この信号電荷を、全板中の総電荷容量に含まれる不
規則雑音の存在下で引き出さなければならないことであ
る。ＳＮ比は典型的に低い。

【０００６】ＳＮ比を改善するため、前記誘電層上に前
記透明電極を置く。この透明電極は、像中の解像可能な
最小要素の面積と比例する面積を持つ画素の大きさの複
数のマイクロプレートとして置かれる。このようにし
て、該板の総静電容量は減るので、１つの画素につき引
き出される信号は、より高いＳＮ比を持つ。潜像を読み
取る方法の中でも、特に、前記マイクロプレートと導電
板との間に形成されたマイクロコンデンサの各々からの
電荷流を読み取りながら、レーザービームで帯状電極を
長さ方向に走査する方法がある。この要素は、板全体を
カバーする連続電極構造よりはるかに優れているが、こ
の板の使用法は、特にマイクロプレートを始めに電荷す
る方法に関しては、幾分複雑である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、前記
従来の問題点を解決したＸ線像形成要素と、この要素の
上に放射線像を形成する方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のＸ線像形成要素
は、第１の導電性の支持層と、前記支持層上を実質的に
覆って延びており、前記支持層に接触する裏面と、該裏
面に対向する前面を有する、化学線およびＸ線の両方に
応答する第２の光導電層と、実質的に化学線およびＸ線
の両方に対し透明であり、裏面と前面とを有し、該誘電
性裏面が実質的に前記光導電層の前面を覆うとともに接
触している、第３の誘電層と、実質的に化学線およびＸ
線の両方に対し透明な複数の離散した外部導電性マイク
ロプレートであって、該外部マイクロプレートは隣接し
たマイクロプレートとの間に間隔を置いて前記誘電層の
前面上に配置されており、該外部マイクロプレートの各
々は解像可能な最小の画素と同一の範囲を占める寸法を
持っている、該外部マイクロプレートと、前記外部マイ
クロプレートに沿って延びている第１の複数の離散した
導電性Ｘｎアドレスラインと、前記外部マイクロプレー
トに沿って前記Ｘｎアドレスラインを横切る方向に延び
ている第２の複数の離散した導電性Ｙｎ感知ラインと、
を有し、各外部マイクロプレートは、前記複数のＸｎア
ドレスラインとＹｎ感知ラインと少なくとも一つのトラ
ンジスタを介して接続されている、ことを特徴とする。

【０００９】前記構成において、さらに、前記外部マイ
クロプレートによって覆われた領域、一般的に前記Ｘｎ
およびＹｎラインの下の領域の外側のスペースに配列さ
れた前記光導電層の前面上に接触して延びている前記誘
電層の下に導電グリッドを有してもよい。

【００１０】また、実質的に化学線とＸ線との両方に透
明であり、前記光導電層の前面上に配列されるとともに
該前面に接触され、また、最小解像画素と同じ範囲の寸
法を有し、前記外部マイクロプレートのほぼ真下に位置
する、複数の離散した導電性の内部マイクロプレート
を、さらに有してもよい。

【００１１】また、前記各外部マイクロプレートが、ソ
ース、ゲートおよびドレインを有するＦＥＴトランジス
タに隣接した前記ＸｎおよびＹｎラインと接続され、前
記ソースが前記マイクロプレートに接続され、前記ドレ
インがＹｎ感知ラインに接続され、前記ゲートがＸｎア
ドレスラインに接続されるようにしてもよい。

【００１２】また、前記パネルの外部から前記グリッド
にコンタクトする手段を、さらに有してもよい。

【００１３】また、前記光導電層と前記支持層との間に
延びる電荷障壁層を、さらに有してもよい。

【００１４】また、前記導電層がアルミニウムからな
り、前記光導電層が前記導電層の表面を実質的に覆って
いる酸化アルミニウム層上に設けてもよい。

【００１５】また、前記複数のＸｎおよびＹｎラインの
各々を第１の荷電状態から第２の読み出し状態にスイッ
チするための手段をさらに有してもよい。

【００１６】本発明のＸ線像形成要素の上に放射線像を
形成する方法は、第１の導電性の支持層と、実質的に前
記支持層を覆って延びており、化学線およびＸ線の両方
に応答する第２の光導電層と、実質的に化学線およびＸ
線の両方に対し透明であり、実質的に前記光導電層を覆
うとともに接触している裏面と、前面とを持つ第３の誘
電層と、実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明な
複数の離散した導電性マイクロプレートであって、該マ
イクロプレートは隣接したマイクロプレートとの間に間
隔を置いて該前面上に配置されており、該マイクロプレ
ートの各々は解像可能な最小の画素と同一の範囲を占め
る寸法を持っており、該マイクロプレート、誘電体、光
導電体と支持板は、複数のマイクロコンデンサを形成し
ている、該マイクロプレートと、前記マイクロプレート
に沿って延びている第１の複数の離散した導電性Ｘｎア
ドレスラインと、前記マイクロプレートに沿って前記Ｘ
ｎラインを横切る方向に延びている第２の複数の離散し
た導電性Ｙｎ感知ラインと、を有し、各マイクロプレー
トは前記複数のＸｎおよびＹｎラインのうちの隣接した
１つのラインとトランジスタを介して結合されいる、Ｘ
線像形成要素の上に放射線像を形成する方法であって、
（ａ） 該要素に化学線が当たることを防止し、（ｂ）
前記複数のＸｎおよびＹｎラインを第１の荷電位置へ
スイッチし、バイアス電圧を前記トランジスタを介して
同時に全ての前記マイクロプレートに印加して、前記複
数の離散した導電性マイクロプレートと前記支持層との
間の電位差を発生させ、（ｃ） 前記第１の時間だけ該
要素に画像に従って変調されたＸ線を照射し、（ｄ）
該第１の時間の経過後、前記バイアス電圧の印加工程を
停止して、該マイクロプレートに照射されたＸ線の強度
に比例する電荷を該マイクロコンデンサ中にストアし、
（ｅ） 前記複数のＸｎおよびＹｎラインを第２の読み
出し位置にスイッチし、（ｆ） 必要に応じて、該要素
に第２の時間だけ均一な放射線に露光し、（ｇ） 前記
パネルを化学線に露光するとともに、前記複数のＸｎラ
インの一つを、トリガー電圧によりアドレスして、導電
性状態の前記トランジスタにスイッチし、前記アドレス
されたＸｎラインを複数のマイクロプレートに接続し、
該マイクロプレートを前記Ｙｎラインに接続し、（ｈ）
前記アドレスされた複数のＹｎ感知ラインに接続され
た各マイクロプレート用の出力信号を、逐次、検出し、
（ｉ） 前記各複数のＸｎおよびＹｎアドレスラインに
対して、全てのマイクロプレートからの全ての信号が検
出されるまで、前記工程（ｇ）および（ｈ）を繰り返
す、各工程を有することを特徴とする。

【００１７】前記構成において、さらに、（ｊ） 全て
のＸｎアドレスラインと全てのＹｎ感知ラインを相互に
接続し、（ｋ） バイアス電圧を前記Ｘｎアドレスライ
ンに印加するとともに、該要素に化学線を照射し、前記
Ｙｎ感知ラインの出力を前記支持プレートに接続する、
各工程を有してもよい。

【００１８】また、前記Ｘ線像形成要素が、さらに、前
記誘電層の下に導電性グリッドを有し、このグリッド
は、前記光導電層の前面上に延び、前記外部マイクロプ
レートにより覆われた領域の外側の領域に配列され、一
般に、前記複数のＸｎおよびＹｎラインの下に位置し、
前記光導電層の表面と接触してなり、前記工程（ｅ）の
後に、前記導電性グリッドが第１の導電性支持層に接続
されるようにしてもよい。

【００１９】また、前記Ｘ線像形成要素が、さらに、前
記光導電層の前面上の前記誘電性層の下に前記前面に接
触し、前記複数の外部マイクロプレートのほぼ真下に配
置された、複数の内部マイクロプレートを有するととも
に、前記誘電層の下に前記各内部マイクロプレート間の
スペースに拡がり、一般に、前記複数のＸｎおよびＹｎ
ラインの下に位置し、また前記光導電層の表面に接触し
ている、導電性グリッドを有し、前記工程（ｅ）の後
に、前記導電性グリッドが第１の導電性支持層に電気的
に接続するようにしてもよい。

【００２０】

【作用】本発明によれば、Ｘ線像を形成するにおいて、
高いＳＮ比を得ることができ、その形成方法もいたって
簡単である。

【００２１】

【実施例】以下の詳細な説明において、全ての図面中に
用いた同様の参照数字は同様の部材を示す。

【００２２】図１を参照すると、Ｘ線像形成装置、要素
またはパネル１６は、第１の導電性支持層１２を持つも
のとして示されている。この導電性支持層１２は導電性
素材から作られており、硬質または軟質、透過性または
非透過性でよい。好ましくは、この層１２は、Ｘ線像形
成装置１６に含まれる他の層の支持体として用いられる
のに十分な厚みと硬さを持った導電性素材から作られた
連続層である。簡単な構造の場合、導電性支持層１２と
接触した裏面と、前面とを持つ光導電層８が導電性支持
層１２上にコーティングされている。光導電層８は、好
ましくは極めて高い暗抵抗率を示す。

【００２３】光導電層８は、光導電性を示すアモルファ
スセレン、酸化鉛、硫化カドミウム、ヨウ化第二水銀ま
たはその他のこのような物質（好ましくはＸ線吸収性化
合物を充填した光導電性重合体等の有機物質を含む）か
らなってよい。

【００２４】本発明中においては、光導電性を示すと
は、化学線またはＸ線に露光されると、その材料がその
ような露光がない場合と比べより低い抵抗率を示すこと
をいう。この低減抵抗率は、実際には、入射した光線に
よりその材料中に作られた電子正孔対の影響である。好
ましくは、見掛抵抗率の変化は、入射光線の強度に比例
する。化学線とは、本発明を説明する目的においては、
紫外線（Ｕ．Ｖ．）、赤外線（Ｉ．Ｒ．）、可視光線、
またはガンマ線を指すが、Ｘ線を除く。

【００２５】光導電層８は、入射Ｘ線またはその実質的
部分を吸収するのに十分な厚みを持ち、高い光線検出効
率を与えられるようなものから選ぶべきである。選択さ
れる材料の特定の種類は、目的とする電荷保持時間と望
ましい簡易な製造工程にも依存すると思われる。セレン
はそのような好ましい物質の１つである。

【００２６】光導電層８の前面の上に誘電層６が設けら
れる。誘電層６は、Ｘ線と化学線の両方に対して透明で
なければならず、電荷の漏れを防ぐのに十分な厚みを持
たなければならない。本発明の好ましい実施態様におい
ては、誘電層６は、１００オングストロームより大きな
厚みを持つ必要がある。５０マイクロメータの厚みを持
つＭｙｌａｒ（商品名；すなわちポリエチレンテレフタ
レート）シートが層６として使用できるが、より薄い層
が適当である。

【００２７】図２により良く示したように、誘電層６上
には、複数の離散した微小な導電性電極４（即ち４ａ，
４ｂ，４ｃ，…４ｎ、本明細書中では外部マイクロプレ
ート４として示した）が形成される。この外部マイクロ
プレート４の寸法は、要素１６により解像可能な最小の
画像要素（画素）を規定する。該外部マイクロプレート
４は、実質的に化学線とＸ線との両方に対し透明であ
る。これらの電極は、典型的には（必ずしもそうではな
いが）、真空蒸着または化学的堆積を用いて誘電層６上
に堆積され、金、銀、アルミニウム、銅、クロム、チタ
ン、白金、等の金属の極めて薄い膜から作ることができ
る。好ましくは、該外部マイクロプレート４は、透明な
酸化インジウムから作られる。該外部マイクロプレート
４は、連続層として堆積されることができ、この連続層
は、次にエッチングされて、解像可能な最小の画素と同
一の範囲の寸法を持つ複数の個々の離散マイクロプレー
ト４となる。これらのマイクロプレートはレーザーアブ
レーションまたはホトエッチングで作ることもできる。
このようなマイクロプレート４を製造する方法は当業者
の間でよく知られているので、ここでは詳しい説明は加
えない。光微細加工技術については、“Imaging Proces
sing & Materials” Chapter 18 の“Imagingfor Micro
fabrication”（J. M. Shaw, IBM Watson Research Cen
ter）に詳しい説明がある。

【００２８】中間の誘電性層６、光導電層８を持った外
部マイクロプレート４ａ，４ｂ，４ｃ，…４ｎの各々１
つと、導電性支持層１２とは、直列の２つのマイクロコ
ンデンサを形成する。この際、第１のマイクロコンデン
サは、マイクロプレート４と光導電層８の前面との間に
形成され、第２のマイクロコンデンサは、同様の前面と
導電性支持層１２との間に形成される。

【００２９】好ましい他の構造では、随意の電荷障壁層
１０（図１ではその上面を点線で示す）を導電層１２の
上面に加えてもよい。好ましくは、支持プレートまたは
層１２はアルミニウムのような酸化物を形成する金属で
作られる。電荷障壁層１０は、支持層１２の表面に形成
された酸化アルミニウム層で提供される。この場合、そ
の表面をセレン光導電層８でコーティングすると、ブロ
ッキングダイオードとして振る舞い、１方向への電荷の
流れを阻止する障壁層が得られる。

【００３０】電荷障壁層１０は、誘電層６と等しい寸法
を持ったポリエチレンテレフタレート等の単純な絶縁層
であってもよい。

【００３１】マイクロプレート４ａ，４ｂ，４ｃ，…４
ｎの間のスペースに、導電性電極またはアドレスライン
Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎおよび導電性電極または感知ライン
Ｙ１，Ｙ２，…Ｙｎが、敷設される。ＸｎおよびＹｎラ
インは、一般に、マイクロプレート４の間のスペース
に、互いに直交して敷設されて示されている。Ｘｎおよ
びＹｎラインは、特に図面に示されてはいない導線また
はコネクターを介して、パネル１６の側面または端部に
沿って、個々にアクセスできる。

【００３２】加工の目的には、ＸｎおよびＹｎライン
は、外部マイクロプレート４を形成するのに用いられた
と同様のインジウムスズ酸化物層から構成されていても
よく、マイクロプレート４を作るのに使用できる前述の
エッチングの過程で製造されてもよい。前記Ｘｎおよび
Ｙｎラインは、それらが交差する部分では、電気的に接
触してはならないので、Ｘｎライン上に絶縁層17を置い
た後、Ｙｎラインを形成するのがよい。もちろん、その
逆も可能である。

【００３３】各外部マイクロプレート４ｎをＸｎライン
に接続しているのは、少なくとも一つのトランジスター
５であり、典型的には、ＦＥＴトランジスタ５が、その
ゲートをＸｎラインに、そのソースとドレーンを、外部
マイクロプレート４とＹｎラインに、それぞれ接続させ
ている。このＦＥＴトランジスター５は、トリガー電圧
がアドレスラインＸｎを介して該トランジスターのゲー
トに印加されているかどうかに依存して、前記Ｙｎ感知
ラインと前記外部マイクロプレート４との間に電流が流
れるのを可能にする２方向スイッチとして、働く。この
ＦＥＴトランジスタ５は、水素添加アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、絶縁層１５、および導電性電極
１１，１１′，１１″からなっており、これらの電極１
１，１１′，１１″は、図１，図３および図５に示すよ
うに、それぞれ、ゲート、ドレーン、ソースを構成して
いる。このＦＥＴトランジスタ５を形成する方法は、当
業者によく知られており、本発明の課題ではない。それ
については、例えば、R. C. Jaeger, Introduction to
Microelectronics Fabrication (Addison-Wesley出版、
1988), Vol. 5,“Modular Series on Solid Devices ”
を参照されたい。

【００３４】最後のカバー層９は、誘電体であり、ガラ
ス板または類似の保護板でもよい。この層は、マイクロ
プレート４、FET トランジスタ５、導電性ラインＸｎ，
Ｙｎ上に設けられてよく、各種部材を保護し、取り扱い
を容易にする。

【００３５】図３は、本発明にしたがうＸ線形成要素ま
たはパネル１６′の他の実施態様を模式的正面断面図で
示したものである。パネル１６′も、導電性支持体また
は層１２からなり、その上に障壁層１０を持っていても
よい。光導電層８は場合により導電層１２または随意の
障壁層１０上にコーティングされる。光導電層８の表面
上に、直交する導電ラインまたは一端が接続されている
平行なラインの導電性グリッド１３が形成される。グリ
ッド１３の間隔としては、前記外部マイクロプレート４
間の間隙に対応した間隔で敷設される程度が、好まし
い。該グリッド１３を形成する導電体は、前記Ｘｎおよ
びＹｎライン方向にほぼ沿って、配列している。該グリ
ッド１３は、前記外部マイクロプレート４とＸｎおよび
Ｙｎラインの形成に際して以前に参照した技術と同様の
技術を用いて、構成され、前記光導電層８の前面と電気
的に接触される。

【００３６】図１の説明に関連して前に説明した構造で
のように、前記グリッド１３と光導電層８の上に絶縁層
６がコーティングされる。複数の導電性外部マイクロプ
レート４ａ，４ｂ，４ｃ，…４ｎが、前述と同様に、前
記絶縁層６の上に、形成される。

【００３７】図５は、さらに他のパネル１６″を示して
おり、このパネル１６″においては、第２の複数の導電
性内部マイクロプレート７ｎが、前記グリッドの複数の
開口部のスペース中に、配置されており、前記外部マイ
クロプレート４の下に、それらの範囲内に、配列されて
いる。前記内部マイクロプレート７ｎは、互いにまたは
前記グリッド１３に接続されていないが、前記光導電性
層８の前面に接触している。

【００３８】前記要素１６または１６′または１６″の
全体は、基板上に、次々に、導電体、絶縁体、光導電
体、絶縁体、そして導電体の層を、堆積させることによ
り、作ることができる。次に、複数のＦＥＴトランジス
タ５を、誘電層６上のマイクロプレート４同士の間のス
ペース内に、形成する。組立は、イオン注入、蒸着、真
空蒸着、貼合わせ、スパッタ、または均一な厚さの膜を
沈着させるのに有用な他の既知技術により、達成でき
る。

【００３９】実際には、ここに説明したようなパネル１
６または１６′または１６″は、前記カバー層９、前記
外部マイクロプレート４、トランジスター５、そしてＸ
ｎおよびＹｎラインからなる市販の薄膜トランジスター
パネルを用いて、初めに、容易に形成することができ
る。これらの市販のパネルは、液晶ディスプレイの製造
に使用されており、ここでの開示に従って、パネル１６
または１６′または１６″を構成するための有用な開始
材料となるものである。前記誘電性層６は、次に、この
ようなパネルの開放面上に、例えば、前記マイクロプレ
ート４とＸｎおよびＹｎラインとの上に、コーティング
される。この誘電性層６の上に、前記光導電性層８がコ
ーティングされる。最後に、この光導電性層８の上に、
中間ブロック層１０を介して、あるいは該層１０なし
で、導電性層１２が堆積され、パネル１６が完成する。
前記誘電性層６の上に、前記光導電性層８をコーティン
グする前に、前記グリッド１３および内部マイクロプレ
ート７ｎを形成してもよい。

【００４０】好ましい実施態様では、導電性支持層１
２, 電荷障壁層１０, 光導電層８、誘電層６は全て連続
層である。しかしながら、上に述べたような構造であっ
て、以下のような態様のＸ線形成要素を製造するのも、
本発明の範囲内である。即ち、前記外部マイクロプレー
ト４の下の層の１つ以上をエッチングして、マイクロプ
レート４の下層として、該プレート４と位置合わせされ
た状態で、複数の離散した誘電部分、光導電部分、障壁
層部分、または導電部分も形成される態様である。さら
に、連続層をエッチングしてマイクロプレート４を形成
するのでなく、マスキング法を用いてマイクロプレート
４を直接堆積させる方法を用いることもできる。いずれ
にしても、製造法は本発明の必須構成要件でなく、利用
できる資源とコストを考慮して撰択すべきものである。

【００４１】図２および図４により良く示されているよ
うに、前記ＸｎおよびＹｎラインは、第１の複数のスイ
ッチ３２と第２の複数のスイッチ３８とからなるスイッ
チング手段に終点している。これらスイッチ３２，３８
は、前記Ｘｎ，Ｙｎラインを第１に、Ａ位置に、第２
に、Ｂ位置に、スイッチングさせる。好ましくは、該ス
イッチング手段は、外部に設けられるか、前記パネル１
６，１６′または１６″に積層される、電気的にアドレ
ス可能なソリッドステートスイッチから、構成される。
前記Ｘｎアドレスラインが前記第１の位置にスイッチさ
れると、トリガー電圧が、ライン３３を越えて、全ての
Ｘｎラインに同時に印加され、さらに、このＸｎライン
を通って、トランジスター５を導電性状態に切り変えて
電流をソースとドレインの間に流させる前記全てのＦＥ
Ｔトランジスター５のゲートに印加される。前記Ｙｎ感
知ラインが前記第１の位置にスイッチされると、それら
は全て相互に接続され、また、ＤＣバイアス電圧を前記
Ｙｎラインと前記支持プレートまたは支持層１２の間に
印加するために、ＤＣバイアス電圧源３０に接続され
る。前記Ｘｎラインを前記第１の位置にスイッチし、前
記Ｙｎラインを前記第１の位置にスイッチすると、前記
バイアス電圧３０が全ての前記外部マイクロプレート４
に印加される。

【００４２】前記スイッチ３２が第２の位置にある場合
は、ラインＸｎは、独立して、ライン３５上をアドレス
可能であり、もはや相互接続もない。このような一連の
スイッチングを効率的に行なうために、不図示の手段を
用いることができる。このような手段は、当業者には良
く知られており、本発明にとって、特に重要と言う訳で
はない。というのは、本発明の範囲を変更することな
く、全ての周知のスイッチング配列を選択することがで
きるからである。これらスイッチ３２および３８は、そ
れぞれ、ライン３７および３９を制御することができ
る。

【００４３】スイッチ３８が第２の位置にある場合は、
ラインＹｎはもはや相互接続されず、ラインＹｎの出力
は複数の電荷検出器３６に向かう。各電荷検出器３６
は、Ｙｎラインに接続されている。

【００４４】前記電荷検出器３６は、内部に前記マイク
ロコンデンサーから電荷が送られるとともに該電荷に比
例して電圧を出力する容量性回路中の電荷を測定するた
めに結線されている演算増幅器から構成してもよい。電
荷検出器３６の出力は、出力信号を得るために、逐次的
にサンプリング可能であり、これを行なう技術は当業者
に周知の事柄である。

【００４５】また、図６に示すように、サンプリングネ
ットワーク配列を持つ単一の電荷検出器を用いて、前記
Ｙｎラインの出力を該単一の電荷検出器の入力に逐次に
印加することも、可能である。この場合、スイッチ３８
は、前述の二つの位置に加えて、該Ｙｎラインを何処に
も接続しない、第３の、待機位置を有する３つの位置を
持つ。スイッチ３８は、通常は、第３の位置にあり、ラ
イン３９からアドレスされると、第１または第２の位置
に移行する。前記スイッチ３８をアドレスして、逐次
に、独立して、すべて第２の位置にスイッチし、ライン
Ｙｎを前記単一電荷検出器３６の入力に接続するため
に、不図示の手段が用いられる。各スイッチ３８は、次
のスイッチがアドレスされる前に、第３の位置に復帰す
る。

【００４６】図３および図５に示されたパネル１６，１
６′または１６″の場合、該パネル１６，１６′または
１６″とラインＣｎに接続された前述の回路と、上述の
ラインＸｎと、Ｙｎアドレス手段とに加え、導電性グリ
ッド１３にアクセスするために付加的接続が形成されて
いる。スイッチング手段２７により、前記グリッド１３
を前記支持プレートまたは層１２に接続することができ
る。

【００４７】実際の使用において、パネル１６，１６′
または１６″は、カセットまたは容器２２を含んでいて
よく、それにより、カセットがＸ線フィルムを遮蔽する
のとほぼ同様に、該要素を化学線への露光から遮蔽す
る。図７にカセットまたは容器２２が用いられるそのよ
うな構成を示す。カセット２２は、周囲の化学線に対し
不透明であるが、Ｘ線には透明である材料から作られて
いる。周囲のガンマ線量は、普通は露光問題を引き起こ
すほど高くはないので、その材料がガンマ線に対し不透
明である必要はない。同様に、周囲に赤外線がなけれ
ば、容器はそれに対し不透明である必要はない。

【００４８】容器２２は、上部２５と底部２６を回動自
在に結合したヒンジ２４を含んでいてもよく、そうすれ
ば、カセット２２は開閉自在である。手段３４が含まれ
て、スイッチ３２および３８、それらのそれぞれの制御
ライン３７および３９、グリッド接地スイッチ２７、お
よび電圧供給ライン３０のためのスイッチ端子に電気的
のアクセスすることを可能にしている。

【００４９】Ｘ線潜像を得るには、要素１６，１６′ま
たは１６″が、カセット２２に入れられる。カセット２
２は、カセットに感光フィルムを入れた伝統的な組立体
が置かれるのと同様に、情報変調Ｘ線の経路内に置かれ
る。この構成は、図８に模式的に示されており、ここで
はＸ線ビームを放出するＸ線源４４が見られる。標的４
８、すなわち医療分野の画像診断法の場合には、患者が
Ｘ線ビームの経路に置かれる。患者４８を通過して現わ
れる光線は、標的４８のＸ線吸収度に差があるので強度
変調される。次に、変調されたＸ線ビーム４６は、要素
１６，１６′または１６″を収容したカセット２２で遮
断される。Ｘ線は、容器２２に浸透し、最終的に光導電
層８に吸収される。

【００５０】操作では、第１に、スイッチ３２および３
８の両方が、前記第１の位置に置かれ、その位置では、
トリガー電圧が全てのＸｎラインに同時に印加され、第
２に、電荷ＤＣバイアス電圧３０が全てのＹｎラインに
印加される。第１のバイアス電圧が前記ＦＥＴトランジ
スター５をトリガーし、該トランジスターは導電性を帯
び、Ｙｎライン上に出現する電電荷圧は同時に全ての外
部マイクロプレート４に印加され、該プレート４は、全
てのマイクロコンデンサーを前記パネル１６，１６′お
よび１６″を横切って均一に電荷する。

【００５１】次に、Ｘ線が露光され、像に従って調整さ
れたＸ線が、パネル１６，１６′または１６″に照射さ
れる。このＸ線によって、電子孔対の流れが発生され、
電子が移動し、前記マイクロプレート４の下の領域の前
記光導電性層８と誘電性層６との間の界面に蓄積する。

【００５２】所定の第１の時間の経過後、Ｘ線束は遮断
され、Ｘ線はもはや要素１６，１６′または１６″に当
たらない。それと同時またはその直後で、前記要素１
６，１６′または１６″が化学線に露光される前に、バ
イアス電圧３０の印加は、スイッチ３２を第２の位置に
スイッチし、前記トリガー電圧を前記ＦＥＴトランジス
ター５から除去し、それで各マイクロプレート４をバイ
アス電圧３０の電荷と互いの電荷とから絶縁することに
より、要素１６，１６′または１６″から取り除かれ
る。

【００５３】光導電性層 要素１６，１６′または１６″からバイアス電電荷圧３
０を取り除いた後、カセット２２を今や開くことができ
る。要素１６，１６′または１６″は、化学線の存在下
で扱うことができ、誘電層６内のマイクロコンデンサに
電荷分布として貯えられた画像情報の損失は、起こらな
い。というのは、マイクロプレート４は互いに絶縁され
ているからである。随意に、しかし、好ましくは、この
時点で、要素１６，１６′または１６″を意図的に大き
な線量の化学線に露光し（例えばフラッシュ露光によ
り）、一時的に光導電層８を実質的に導電性にすること
により、該層８に貯えられた電荷を除去する。層８が実
質的に導電性として振る舞うのは、豊富な発光が電子正
孔対の豊富な供給源となり、光導電層８に貯えられた電
荷を中和するからである。露光は、好ましくは化学線を
用いてなされるのであるが、追加的に、非変調Ｘ線を用
いて実施できることは、勿論、明らかなことである。

【００５４】前記要素１６，１６′または１６″が均一
な化学線に露光されている間、Ｘｎラインの各々は、次
に、トリガー電圧を該ラインに印加し、そして、アドレ
スされたＸｎラインに接続しているＦＥＴトランジスタ
５のゲートに印加することによって、逐次にアドレスさ
れる。これにより前記ＦＥＴトランジスター５は再び導
電性となり、対応するマイクロコンデンサーにストアさ
れた電荷は、Ｙｎラインへと流れる。スイッチ３８がす
べて第２の位置になると、これらの電荷は、電荷検出器
３６の入力に印加される。電荷検出器３６は、検出され
た電荷に比例する各一つの電圧出力を前記ラインＹｎ上
に生成する。電荷検出器３６の出力は、次に、逐次にサ
ンプリングされ、増幅器４１で増幅されて、前記アドレ
スされたＸｎラインに沿ったマイクロコンデンサー内の
電荷分布を示す電気信号を得ることができ、各マイクロ
コンデンサーは一画素を示す。そして、次のＸｎライン
がアドレスされ、該処理が全てのマイクロコンデンサー
がサンプリングされ、像全体が読み出されるまで繰り返
される。前記電気信号出力は、ストアされるか、表示さ
れるか、あるいはストアされ、表示される。

【００５５】前記電荷検出器３６から得た信号は、好ま
しくは、図９に示すように、Ａ／Ｄ変換器１１０でデジ
タル信号に変換される。このＡ／Ｄ変換器から、信号
は、ライン１４０を越えてコンピュータ１４２に送られ
る。コンピュータ１４２は、とりわけ、前記信号を、内
部ＲＡＭメモリーまたは長期保管メモリーまたはその両
方である好適な貯蔵手段に送る。このプロセスにおい
て、放射線像を示すデータは、濾過、コントラスト増感
および類似の処理などのイメージ処理を受け、その像は
即認のためにＣＲＴ１４６上に表示されるか、ハードコ
ピー１５０を得るためにプリンター１４８に用いられ
る。

【００５６】信号がリカバーされた後は、パネル１６，
１６′または１６″は、全てのＹｎラインを相互に接続
し、それらの出力を前記支持パネルまたは層１２に接続
することによって、如何なる電荷も残らないように除電
され、その後、再び、Ｘｎラインにトリガー電圧を印加
してＦＥＴトランジスター５を導電性とし、それによ
り、すべてのマイクロコンデンサーを完全に除電する。

【００５７】図３および５に示された要素１６′または
１６″が使用される場合は、像を得るプロセスは、前述
のプロセスと同様である。Ｘ線露光工程では、グリッド
スイッチ２７が開けられ、グリッド１３は電源に接続さ
れない。読み出し工程が起きる場合、すなわち、スイッ
チ３８が切り変えられて第２の位置になり、パネル１
６′または１６″が化学線により照射される場合、スイ
ッチ２７は閉じられ、グリッド１３は支持プレート１２
に接続される。読み出しが完了した後で、要素１６′ま
たは１６″が他の像形成に再び使用される前に、グリッ
ド１３の支持プレート１２への接続は、切断され、スイ
ッチ２７は電源に接続されていない状態に戻る。

【００５８】グリッド１３および／または内部マイクロ
プレート４が存在することにより、前述のような構造に
おける複数のマイクロコンデンサー中の電荷分布の形態
の放射線像の形成に、影響が出る。この影響は、暗部消
失時定数、ピクセルキャパシタンスの生成およびセレニ
ウムの暗部抵抗率を、実質的に、Ｘ線露光時間またはＤ
Ｃバイアス時間よりも高くなるように、該構造を設計す
ることによって、低減できる。しかしながら、このグリ
ッド１３が存在することにより、以下に説明するよう
に、読み出し時に得られる出力像の品質が大幅に改善さ
れる。

【００５９】前記外部マイクロプレート４と前記外部マ
イクロプレート４の下の誘電性の導電性層６，８とによ
って形成されているマイクロコンデンサー中にストアさ
れた電荷に形態で、放射線像が該パネル１６，１６′ま
たは１６″に形成される。

【００６０】導電性マイクロプレート４のうちの各々の
１つと支持層１２との間の誘電性層６および光導電性層
８の組み合わせは、直列の２つのコンデンサとして振る
舞い、図１０に示したように、そのうち１つは誘電体６
として、他は光導電体８として機能する。この図におい
ては、それらは、透明電極４、誘電層６、光導電層８、
支持導電層１２の組み合わせからなる簡単化した等価電
気回路として、示されている。光導電層８と平行に可変
抵抗が点線で示され、光導電層８における電子正孔対形
成の影響を表わしている。

【００６１】図１０に示すように、電圧供給源３０が化
学線やＸ線の非存在下で該要素１６，１６′または１
６″と接続されると、マイクロコンデンサは全て均一に
電荷され、この時の電荷は、各コンデンサの静電容量の
関数である。全てのコンデンサが同一面積の板を持つ本
態様の場合には、静電容量は、板同士の間隔と板の間の
材料の誘電率に依存すると思われる。その結果、ここに
述べた構造では、コンデンサには２種類の電圧が現われ
る。その１つは光導電層８を表わすコンデンサに現われ
る電圧であり、もう１つは誘電層６を表わすマイクロコ
ンデンサに現われる電圧である。例えば、バイアス電源
３０からの印加電圧差が２，０００ボルトなら、それら
２つのコンデンサに誘電体６には１００ボルト、光導電
体８には１，９００ボルトが分配される。

【００６２】要素１６，１６′または１６″がエックス
線に露光されると、総電圧は変化しないが、電子正孔対
が形成され移動するので、マイクロコンデンサの各々に
入射する線の強度に依存してマイクロコンデンサの各々
において新しい電荷の分布が生まれる。それにより、直
列に接続された２つのマイクロコンデンサの間に新しい
電圧分布が作られる。図１１は、そのような仮想的電圧
再分布を模式的に示す。

【００６３】Ｘ線露光が終了すると、電荷はマイクロコ
ンデンサー中に捕らえられたままで残る。この場合の追
加の電荷障壁層１０は、長時間に亙って前記電荷を均等
化してしまう電荷漏洩が生じないことを確実にする役を
果たす。

【００６４】Ｘ線露光の終了後、前記ＦＥＴトランジス
ター５のゲートにおけるバイアスを、スイッチ３２を第
２の位置に切り変えて電源３０を要素１６から遮断する
ことによって、除去する。図１２はこの時点での電圧分
布を示す。他の場所に行けない電荷は、Ｘ線露光時間の
終了時、そのままである。この時、スイッチ３２は第２
の位置に切り変えられてもよい。

【００６５】各コンデンサ対を通って現われる総電圧
は、まだ２，０００ボルトである。しかしながら、各コ
ンデンサ対の誘電部分６における電荷は、要素１６また
は１６″の全表面で均一ではなく、変化して、放射線潜
像を表わす。もし、総電圧を低下させるために、追加の
露光が行なわれると、結果は、図１３に示すようにな
る。フラッシュ露光の結果、本質的に光導電層８を表わ
すマイクロコンデンサの各々を放電させ、誘電マイクロ
コンデンサの各々の一端を本質的に接地電位にする。こ
れには次のような利点がある。即ち、各マイクロコンデ
ンサを逐次的に放電させることがある像の読み取り時、
十分に放電されたマイクロコンデンサの外部マイクロプ
レート４と隣接したまだ放電されていないマイクロコン
デンサの外部マイクロプレート４との間の電位差が、フ
ラッシュ露光が起こらなかった場合の電位差より小さい
という利点である。これはまた、マイクロコンデンサ間
の望ましくないアーク発生の危険性を減らすことにな
る。

【００６６】読み出しの間、パネル１６，１６′または
１６″が照射され、外部マイクロプレート４が電荷検出
器３６に接続する。理想状態では、照射下で、光導電性
層８は、短絡回路として挙動すべきであり、この短絡回
路は、本質的には、外部マイクロプレート４に対応する
マイクロコンデンサー、誘電性層６および自身の電荷を
電荷検出器３６中に放電する単一コンデンサーである光
導電性層８の前面とを形成する、回路である。しかしな
がら、実際は、この理想は、本ケースではない。第１
に、光導電性層８中の電子と正孔の移動度は、制限され
ている。さらに、光導電性層８の厚みを、そのＸ線補足
効率を向上させるために、増加させると、化学線により
不透明になり、その結果、除電サイクル中の照射は、そ
の厚み中で不均一であり、さらに、光導電性層８を導電
体として低い挙動のものとしてしまう。そのため、実際
は、前記信号電荷を電荷検出器３６に搬送するマイクロ
コンデンサーに直列に連結されている第２のコンデンサ
ーが、存在する。これにより、信号電荷として電荷検出
器３６に送られるより小さな電荷が、二つのコンデンサ
ー、すなわち、コンデンサーまたは電荷検出器３６と、
マイクロコンデンサーとの間ばかりでなく、そのうちの
一つが光導電性層８で表わされる３つのコンデンサー間
に、再分布される。

【００６７】接地されたグリッド１３の存在によって、
実際に、前記信号電荷耐圧マイクロコンデンサーに物理
的に閉鎖接地が、与えられる。露光下で、特に、光導電
性層の前面上で、導電性はきわめて高くなり、実際に、
光伝導性層８を短絡させ、渦流のキャパシタンスを除去
する接地低抵抗体として働く。この作用は、内部マイク
ロプレート７ｎが使用される場合に、さらに促進され
る。というのは、マイクロコンデンサー中で、光導電性
体の表面が、導電性の内部マイクロプレートで置き替わ
るので、さらに、マイクロコンデンサー板と接地との間
の経路の抵抗率を低減するからである。

【００６８】本明細書中に図示し論じた実施例と望まし
いシステムは、単に、本発明者が分かっている限りの最
良の発明の製造 および使用法を当業者に教示するため
のものである。したがって、本明細書の特定の実施態様
は、本発明の範囲を制限するものでなく、例示するもの
として考えるべきである。当業者は、これまで述べたよ
うな本発明の教示を利用し、本発明に対し多くの変更を
加えることができる。これらの変更は、添付の請求範囲
に述べたような本発明の範囲内に含まれるものと考える
べきである。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、層状構
造のパネルから構成され、該パネルは、像の画素が占め
る範囲と同一の寸法を持つ複数の離散したマイクロプレ
ートからなる導電層と、該パネル上に設けられた複数の
アクセス電極と電子部材を備えているので、該マイクロ
プレートにアクセスし、貯蔵電荷の形で該パネル中に得
られたＸ線潜像を形成し、読みとることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にしたがうＸ線形成要素の模式的正断面
図である。

【図２】図１に示されたＸ線形成要素の実施態様を示す
模式的平面図である。

【図３】本発明にしたがうＸ線形成要素の、誘電性層の
下に導電性グリッドを含む、他の実施態様を示す模式的
正断面図である。

【図４】図３に示されたＸ線形成要素の実施態様を示す
模式的平面図である。

【図５】本発明にしたがうＸ線形成要素の、誘電性層の
下に複数の内部マイクロプレートと導電性グリッドを含
む、さらに他の実施態様を示す模式的正断面図である。

【図６】本発明にしたがうパネルであって、複数のＹｎ
感知ラインが３分岐スイッチに繋がっているパネルを示
す回路図である。

【図７】本発明にしたがうＸ線パネルを用いてＸ線潜像
を得るためのカセット状装置を模式的に示した断面図で
ある。

【図８】本発明にしたがうＸ線パネルを用いてＸ線潜像
を得るための構成を模式的に示した説明図である。

【図９】本発明にかかるＸ線像の形成および表示のため
の配列のブロック図である。

【図１０】Ｘ線に露光する前の本発明にしたがう要素の
等価電気回路を示す回路図である。

【図１１】Ｘ線に露光した直後の本発明にしたがう要素
の等価電気回路を示す回路図である。

【図１２】Ｘ線への露光とバイアス電圧の除去の直後の
本発明にしたがう要素の等価電気回路を示す回路図であ
る。

【図１３】Ｘ線への露光とバイアス源の除去の後に均一
な化学線への露光を行った直後の、本発明にかかる要素
の等価電気回路を示す回路図である。

【符号の説明】

４，４ａ，４ｂ，４ｃ，…４ｎ 導電性電極（外部マイ
クロプレート） ５ ＦＥＴトランジスタ ６ 誘電層（誘電性層，誘電体，コンデンサ対の誘電部
分） ７ｎ 導電性内部マイクロプレート ８ 光導電性層（光導電体，光導電層） ９ カバー層 １０ 電荷障壁層（中間ブロック層） １１，１１′，１１″ 導電性電極 １２ （第１の）導電性支持層（導電層，支持プレート
または層） １３ 導電性グリッド １５ 絶縁層 １６，１６′，１６″ Ｘ線像形成装置、要素またはパ
ネル ２２ 容器（カセット） ２５ 上部 ２６ 底部 ２７ スイッチング手段（グリッド接地スイッチ） ３０ ＤＣバイアス電圧源（バイアス電圧，電圧供給ラ
イン） ３２ スイッチ ３３ ライン ３６ 電荷検出器 ３８ スイッチ ３７，３９ 制御ライン ４１ 増幅器 ４４ Ｘ線源 ４６ Ｘ線ビーム ４８ 標的（患者） １１０ Ａ／Ｄ変換器 １４０ ライン １４２ コンピュータ １４６ ＣＲＴ １４８ プリンター １５０ ハードコピー Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎ アドレスライン Ｙ１，Ｙ２，…Ｙｎ 感知ライン Ｘｎ，Ｙｎ 導電性ライン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０５Ｇ 1/00 // Ｇ２１Ｋ 4/00 Ｚ 8607−2Ｇ (72)発明者 ローサー ジークフリート ジェロミン アメリカ合衆国 19711 デラウェア州 ニューアーク ブランチ ロード 912

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の導電性の支持層と、 前記支持層上を実質的に覆って延びており、前記支持層
   に接触する裏面と、該裏面に対向する前面を有する、化
   学線およびＸ線の両方に応答する第２の光導電層と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明であり、裏
   面と前面とを有し、該誘電性裏面が実質的に前記光導電
   層の前面を覆うとともに接触している、第３の誘電層
   と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明な複数の離
   散した外部導電性マイクロプレートであって、該外部マ
   イクロプレートは隣接したマイクロプレートとの間に間
   隔を置いて前記誘電層の前面上に配置されており、該外
   部マイクロプレートの各々は解像可能な最小の画素と同
   一の範囲を占める寸法を持っている、該外部マイクロプ
   レートと、 前記外部マイクロプレートに沿って延びている第１の複
   数の離散した導電性Ｘｎアドレスラインと、 前記外部マイクロプレートに沿って前記Ｘｎアドレスラ
   インを横切る方向に延びている第２の複数の離散した導
   電性Ｙｎ感知ラインと、 を有し、 各外部マイクロプレートは、前記複数のＸｎアドレスラ
   インとＹｎ感知ラインと少なくとも一つのトランジスタ
   を介して接続されている、 ことを特徴とするＸ線像形成要素。
2. 【請求項２】 第１の導電性の支持層と、 実質的に前記支持層を覆って延びており、化学線および
   Ｘ線の両方に応答する第２の光導電層と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明であり、実
   質的に前記光導電層を覆うとともに接触している裏面
   と、前面とを持つ第３の誘電層と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明な複数の離
   散した導電性マイクロプレートであって、該マイクロプ
   レートは隣接したマイクロプレートとの間に間隔を置い
   て該前面上に配置されており、該マイクロプレートの各
   々は解像可能な最小の画素と同一の範囲を占める寸法を
   持っており、該マイクロプレート、誘電体、光導電体と
   支持板は、複数のマイクロコンデンサを形成している、
   該マイクロプレートと、 前記マイクロプレートに沿って延びている第１の複数の
   離散した導電性Ｘｎアドレスラインと、 前記マイクロプレートに沿って前記Ｘｎラインを横切る
   方向に延びている第２の複数の離散した導電性Ｙｎ感知
   ラインと、 を有し、 各マイクロプレートは前記複数のＸｎおよびＹｎライン
   のうちの隣接した１つのラインとトランジスタを介して
   結合されいる、 Ｘ線像形成要素の上に放射線像を形成する方法であっ
   て、 （ａ） 該要素に化学線が当たることを防止し、 （ｂ） 前記複数のＸｎおよびＹｎラインを第１の荷電
   位置へスイッチし、バイアス電圧を前記トランジスタを
   介して同時に全ての前記マイクロプレートに印加して、
   前記複数の離散した導電性マイクロプレートと前記支持
   層との間の電位差を発生させ、 （ｃ） 前記第１の時間だけ該要素に画像に従って変調
   されたＸ線を照射し、 （ｄ） 該第１の時間の経過後、前記バイアス電圧の印
   加工程を停止して、該マイクロプレートに照射されたＸ
   線の強度に比例する電荷を該マイクロコンデンサ中にス
   トアし、 （ｅ） 前記複数のＸｎおよびＹｎラインを第２の読み
   出し位置にスイッチし、 （ｆ） 必要に応じて、該要素に第２の時間だけ均一な
   放射線に露光し、 （ｇ） 前記パネルを化学線に露光するとともに、前記
   複数のＸｎラインの一つを、トリガー電圧によりアドレ
   スして、導電性状態の前記トランジスタにスイッチし、
   前記アドレスされたＸｎラインを複数のマイクロプレー
   トに接続し、該マイクロプレートを前記Ｙｎラインに接
   続し、 （ｈ） 前記アドレスされた複数のＹｎ感知ラインに接
   続された各マイクロプレート用の出力信号を、逐次、検
   出し、 （ｉ） 前記各複数のＸｎおよびＹｎアドレスラインに
   対して、全てのマイクロプレートからの全ての信号が検
   出されるまで、前記工程（ｇ）および（ｈ）を繰り返
   す、 各工程を有することを特徴とするＸ線像形成要素の上に
   放射線像を形成する方法。