JPH06216075A - Evacuation equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、真空排気装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum exhaust device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセスでは、エッチング、
アッシング、スパッタリング、イオン注入あるいは減圧
ＣＶＤなど種々の真空処理が行われる。この種の真空処
理装置においては、真空処理室内を一旦大気圧に戻して
しまうと真空排気に長い時間を要するため、真空処理室
に比べて容積の小さいロードロック室（真空予備室）を
真空処理室に接続し、このロードロック室のみを大気圧
に戻し、あるいは真空排気することでスループットを向
上させるようにしている。2. Description of the Related Art In semiconductor manufacturing processes, etching,
Various vacuum treatments such as ashing, sputtering, ion implantation or low pressure CVD are performed. In this type of vacuum processing system, once the vacuum processing chamber is returned to atmospheric pressure, it takes a long time to evacuate the vacuum processing chamber, so the load lock chamber (vacuum preliminary chamber), which has a smaller volume than the vacuum processing chamber, is vacuum processed. The load lock chamber is connected to the chamber and returned to atmospheric pressure, or vacuum exhaust is performed to improve the throughput.
【０００３】図６は従来のエッチング装置、特にロード
ロック室の構成を示す図であり、この例では、例えばエ
ッチングを行うための真空処理室１に、搬送アーム２１
を備えたロードロック室２がゲートバルブＧ１を介して
接続されている。前記ロードロック室２の底壁には、真
空排気手段２２及びバルブＶが介挿された排気管２３を
接続すると共に、清浄な気体例えば窒素ガスを供給する
ためのガス供給管２４が接続されており、またロードロ
ック室２の側壁には外部（大気圧雰囲気）との間を開閉
するゲートバルブＧ２が設けられている。FIG. 6 is a view showing the structure of a conventional etching apparatus, particularly a load lock chamber. In this example, a transfer arm 21 is provided in a vacuum processing chamber 1 for etching, for example.
The load lock chamber 2 provided with is connected via a gate valve G1. The bottom wall of the load lock chamber 2 is connected to a vacuum exhaust means 22 and an exhaust pipe 23 in which a valve V is inserted, and a gas supply pipe 24 for supplying a clean gas such as nitrogen gas. A gate valve G2 is provided on the side wall of the load lock chamber 2 to open and close the outside (atmospheric pressure atmosphere).
【０００４】このような構成のエッチング装置では、真
空処理室１を予め所定の真空度に維持してゲートバルブ
Ｇ１を閉じておき、半導体ウエハ（以下「ウエハ」とい
う。）を装置内に搬入、搬出するにあたってはロードロ
ック室２を通して行われる。そしてロードロック室２を
外部に開放するときには窒素ガスをガス供給管２４より
ロードロック室２内に供給して大気の室内への侵入を防
ぐと共に、常時真空排気手段２２を作動させておき、ウ
エハＷを搬入してゲートバルブＧ２を閉じた後バルブＶ
を開いてロードロック室２内を真空排気するようにして
いる。In the etching apparatus having such a structure, the vacuum processing chamber 1 is maintained at a predetermined degree of vacuum in advance, the gate valve G1 is closed, and a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") is carried into the apparatus. When it is carried out, it is carried out through the load lock chamber 2. When the load lock chamber 2 is opened to the outside, nitrogen gas is supplied into the load lock chamber 2 through the gas supply pipe 24 to prevent atmospheric air from entering the chamber, and the vacuum evacuation means 22 is always activated to keep the wafer After loading W and closing the gate valve G2, the valve V
Is opened to evacuate the inside of the load lock chamber 2.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとしている課題】ところでロードロ
ック室２内には、真空処理室１内でのエッチングで発生
した反応生成物や、ゲートバルブＧ１、Ｇ２や搬送アー
ム２１などの駆動部分から発生したパーティクルが多数
存在する。ここでロードロック室２の真空排気時には、
バルブＶの下流側（真空排気手段２２側）が減圧されて
いる状態でバルブＶを開くため、室内の気体が排気管２
３の接続端開口部に一気に引き寄せられて排気管２３内
に引き込まれ、しかもバルブＶの下流側と室内との圧力
差が大きいためバルブＶを開いた直後は図７に示すよう
に排気口を中心にして横に膨んだ曲面に沿って流れる大
きな乱気流が発生していた。この結果底面に堆積してい
るパーティクルＰが舞い上がってウエハに付着し、これ
により品質が低下して歩留まり低下の一要因になってい
た。By the way, in the load lock chamber 2, reaction products generated by etching in the vacuum processing chamber 1 and driving parts such as the gate valves G1 and G2 and the transfer arm 21 are generated. There are many particles. Here, when the load lock chamber 2 is evacuated,
Since the valve V is opened in a state where the downstream side of the valve V (vacuum exhaust means 22 side) is depressurized, the gas in the room is exhausted from the exhaust pipe 2.
3 is drawn into the exhaust pipe 23 at once by the connecting end opening, and since the pressure difference between the downstream side of the valve V and the chamber is large, the exhaust port is opened immediately after the valve V is opened as shown in FIG. A large turbulence was generated along the curved surface that bulged laterally around the center. As a result, the particles P deposited on the bottom surface fly up and adhere to the wafer, which deteriorates the quality and contributes to a decrease in yield.
【０００６】またこのような乱気流の発生を抑えるため
にゆっくり排気できる機能をもったスローバルブも使用
されているが、この場合どの程度のスロー排気に設定し
たらよいのかを試行錯誤的に検討しなければならないの
で、設計が難しく、またスロー排気によってもやはり底
壁に沿った乱気流が発生するので、サブミクロンオーダ
のパーティクルＰの舞い上がりを抑えることは難しく、
高集積化の増大に伴ってサブミクロンオーダの微細加工
が要求されるデバイスに対しては、パーティクルの付着
に伴う歩留まりの低下を避けることが困難である。Further, a slow valve having a function of slowly exhausting is also used to suppress the generation of such a turbulent air flow. In this case, however, it is necessary to examine by trial and error how much slow exhaust should be set. Since it is necessary to design, it is difficult to design, and turbulent airflow along the bottom wall is also generated by slow exhaust, so it is difficult to suppress the rise of particles P in the submicron order.
It is difficult to avoid a decrease in yield due to adhesion of particles for a device that requires microfabrication on the order of submicrons as the degree of integration increases.
【０００７】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、真空排気に伴うパーティク
ルの舞い上がりを抑えて、真空処理の被処理体の歩留ま
りを向上させることのできる真空排気装置を提供するこ
とを目的としている。The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to suppress the rise of particles caused by vacuum evacuation and improve the yield of objects to be vacuum-processed. An object is to provide a vacuum exhaust device.
【０００８】[0008]
【発明を解決するための手段】請求項１の発明は、真空
処理の被処理体が搬入される真空室内を排気管により真
空排気する装置において、前記排気管の吸引側に形成さ
れ、多数の微細な穴を備えた排気面を真空内に設けたこ
とを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, in a device for evacuating the inside of a vacuum chamber into which an object to be vacuum-processed is carried by an exhaust pipe, the device is formed on the suction side of the exhaust pipe, It is characterized in that an exhaust surface provided with fine holes is provided in a vacuum.
【０００９】請求項２の発明は、真空処理の被処理体が
搬入される真空室内を排気管により真空排気する装置に
おいて、多孔質体を前記真空室の雰囲気に接触するよう
に前記排気管の吸引側に設け、この多孔質体を介して真
空室を真空排気するように構成したことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in an apparatus for evacuating the inside of a vacuum chamber, into which an object to be vacuum-processed is carried, by an exhaust pipe, the exhaust pipe of the exhaust pipe is brought into contact with the atmosphere of the porous chamber. It is characterized in that it is provided on the suction side, and the vacuum chamber is evacuated through this porous body.
【００１０】請求項３の発明は、真空処理の被処理体が
搬入される真空室内を排気管により真空排気する装置に
おいて、先端部に排気孔が形成されると共に、基端部側
が排気管に接続された多数の針状の排気細管を真空室内
に突出して設けたことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in a device for evacuating the inside of a vacuum chamber into which an object to be vacuum-processed is carried by an exhaust pipe, an exhaust hole is formed at a tip end portion and a base end side is an exhaust pipe. It is characterized in that a large number of connected needle-shaped exhaust capillaries are provided so as to project into the vacuum chamber.
【００１１】[0011]
【作用】請求項１の発明において、排気面は多数の微細
な穴を有しているのでコンダクタンスが大きく、従って
排気管の管径に比べて排気面を広くとることにより気体
をこの排気面全体を通して排気することができる。そこ
で例えば請求項２の発明のように、多孔質体を真空室の
例えば底壁のほぼ全面に配置して、この多孔質体の裏面
側から排気管により真空排気すると、縦方向の流れが多
孔質体の表面全体に形成され、このためパーティクルの
舞い上がりが抑えられる。In the invention of claim 1, since the exhaust surface has a large number of fine holes, the conductance is large. Therefore, by making the exhaust surface wider than the diameter of the exhaust pipe, the gas is entirely discharged. Can be exhausted through. Therefore, for example, as in the invention of claim 2, when the porous body is disposed on substantially the entire surface of, for example, the bottom wall of the vacuum chamber and the vacuum is evacuated from the back surface side of the porous body by the exhaust pipe, the vertical flow is porous. It is formed on the entire surface of the body, which suppresses the particles from rising.
【００１２】また請求項３の発明では、各排気細管毎に
気流が形成されて、大きな乱流が発生しない上、排気孔
が壁部から浮いた位置にあるので、パーティクルの舞い
上がりを一層効果的に抑えることができる。According to the third aspect of the present invention, an air flow is formed in each of the exhaust thin tubes so that a large turbulent flow is not generated and the exhaust hole is located at a position floating from the wall portion, so that the particles are more effectively lifted. Can be suppressed to
【００１３】[0013]
【実施例】図１は、本発明を半導体ウエハの枚葉式のエ
ッチング装置に適用した実施例を示す図、図２はこの実
施例の要部を示す図であり、図６と同符号のものは同一
部分を示している。このエッチング装置は、上部及び下
部に夫々上部電極をなす処理ガス供給部１１及び下部電
極をなすウエハ載置台１２を備えると共に底壁に排気管
１３が接続された真空処理室１に、例えば真空処理の被
処理体であるウエハを搬入、搬出するためのロードロッ
ク室２がゲートバルブＧ１を介して接続されている。ロ
ードロック室としては例えば搬入用のもの、搬出用のも
のを別体として２個用いられることもあるが、この例で
は搬入、搬出を兼用しているものとして説明している。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a single wafer type etching apparatus for semiconductor wafers, and FIG. 2 is a diagram showing the main part of this embodiment, which is the same as that in FIG. The thing shows the same part. This etching apparatus is provided with, for example, a vacuum processing chamber 1 in which a processing gas supply unit 11 serving as an upper electrode and a wafer mounting table 12 serving as a lower electrode are provided at upper and lower portions, respectively, and an exhaust pipe 13 is connected to a bottom wall. A load lock chamber 2 for loading and unloading a wafer, which is the object to be processed, is connected via a gate valve G1. As the load lock chamber, for example, two for carrying in and one for carrying out may be used as separate bodies, but in this example, it is described as carrying out both loading and unloading.
【００１４】前記ロードロック室２内には、例えば多関
節ロボットよりなる搬送アーム２１が配設されると共
に、ロードロック室２の底部には、搬送アーム２１の支
持台２１ａを除いて底面全体に亘って、底壁２０との間
に通気室３１をなす空間を介して板状の多孔質体３が配
置されている。そしてこの多孔質体３は、ロードロック
室２の側壁及び前記支持台２１ａの外周面に気密に接合
されており、従って通気室３１はこの多孔質体３を介し
てのみロードロック室２内の雰囲気と連通することにな
る。前記多孔質体３は、例えば焼結体やグラスウールな
どよりなり、通気したときのコンダクタンスが適切な大
きさとなるように適宜厚さが設定される。A transfer arm 21 composed of, for example, an articulated robot is provided in the load lock chamber 2, and the entire bottom surface of the load lock chamber 2 except the support 21a of the transfer arm 21 is provided at the bottom of the load lock chamber 2. The plate-shaped porous body 3 is disposed across the space forming the ventilation chamber 31 between the porous body 3 and the bottom wall 20. The porous body 3 is airtightly joined to the side wall of the load lock chamber 2 and the outer peripheral surface of the support base 21a. Therefore, the ventilation chamber 31 is provided inside the load lock chamber 2 only through the porous body 3. It will communicate with the atmosphere. The porous body 3 is made of, for example, a sintered body or glass wool, and has a thickness appropriately set so that the conductance when aerated is an appropriate size.
【００１５】前記ロードロック室３の底壁２０には、第
１の排気管４１が前記通気室３１に連通するように接続
されると共に、例えばロードロック室３の側壁には、第
２の排気管４２がロードロック室３内の雰囲気と直接連
通するように接続されており、これら排気管４１、４２
は、夫々バルブＶ１、Ｖ２を介して共通の排気管４に接
続されている。この排気管４には、真空排気手段をなす
ターボポンプ４３及びロータリポンプ４４が介挿されて
おり、ターボポンプ４３の吸引側にはバルブＶ３が設け
られると共に、ターボポンプ４３の両端にはバルブＶ４
を備えた迂回配管４５が接続されている。なお２４は、
図６で詳述したように例えば窒素ガスを供給するガス供
給管である。A first exhaust pipe 41 is connected to the bottom wall 20 of the load lock chamber 3 so as to communicate with the ventilation chamber 31, and a second exhaust pipe is provided on the side wall of the load lock chamber 3, for example. The pipe 42 is connected so as to directly communicate with the atmosphere in the load lock chamber 3, and the exhaust pipes 41, 42 are connected to each other.
Are connected to a common exhaust pipe 4 via valves V1 and V2, respectively. A turbo pump 43 and a rotary pump 44, which are vacuum evacuation means, are inserted in the exhaust pipe 4, a valve V3 is provided on the suction side of the turbo pump 43, and a valve V4 is provided at both ends of the turbo pump 43.
The detour pipe 45 including is connected. 24 is
As described in detail in FIG. 6, it is a gas supply pipe for supplying nitrogen gas, for example.
【００１６】また前記バルブＶ１、Ｖ２の開閉制御を行
うための制御部５が設けられており、この制御部５は、
ロードロック室２内の圧力を検出する圧力検出部５１の
圧力検出値に応じて、バルブＶ１、Ｖ２の一方を選択し
て図示しないバルブの駆動部に開信号または閉信号を出
力する機能を有する。A control unit 5 for controlling the opening and closing of the valves V1 and V2 is provided, and this control unit 5 is
It has a function of selecting one of the valves V1 and V2 and outputting an open signal or a closed signal to a drive unit of a valve (not shown) according to the pressure detection value of the pressure detection unit 51 that detects the pressure in the load lock chamber 2. .
【００１７】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずゲートバルブＧ１を閉じておいて、真空処理室１内を
排気管１３により所定の真空度例えば１０-6Ｔｏｒｒ程
度の圧力まで真空排気しておく。そしてガス供給管２４
から窒素ガスをロードロック室２内に供給して陽圧状態
にしながら、ロードロック室２の外部側のゲートバルブ
Ｇ２を開き、搬送アーム２１により外部から処理前のウ
エハＷを当該ロードロック室２内に搬入し、ゲートバル
ブＧ２を閉じる。Next, the operation of the above embodiment will be described. First, the gate valve G1 is closed, and the inside of the vacuum processing chamber 1 is evacuated by the exhaust pipe 13 to a predetermined vacuum degree, for example, a pressure of about 10 −6 Torr. And gas supply pipe 24
While supplying nitrogen gas from the load lock chamber 2 to the positive pressure state, the gate valve G2 on the outside of the load lock chamber 2 is opened, and the wafer W before processing is externally processed by the transfer arm 21. It is carried in and the gate valve G2 is closed.
【００１８】次いでバルブＶ２、Ｖ３を閉状態、バルブ
Ｖ１、Ｖ４を開状態とすることにより第１の排気管４１
を介して通気室３１内の圧力が急激に低下し、これによ
りロードロック室２内の気体（この場合は窒素ガス）
が、排気面である多孔質体３の表面全体に亘って吸引さ
れ、多孔質体３のコンダクタンスの大きさに応じた遅れ
をもってロードロック室２内の圧力が低下する。この圧
力が所定の値例えば約１ｍＴｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒに
なると、圧力検出部５１よりの検出信号にもとずいて制
御部５がバルブＶ１を閉じ、バルブＶ２を開き、その後
は第２の排気管４２により直接ロードロック室２内が真
空排気され、所定の圧力例えば１０-4〜-5Ｔｏｒｒにな
ったときにゲートバルブＧ１を開いて、搬送アーム２１
によりウエハＷを真空処理室１の載置台１２に受け渡
す。なおロードロック室２内が所定の圧力例えば１０-3
ＴｏｒｒになったときにバルブＶ４を閉じ、バルブＶ３
を開いてターボポンプ４３による排気も行われる。Next, the valves V2 and V3 are closed, and the valves V1 and V4 are opened, whereby the first exhaust pipe 41 is closed.
The pressure in the ventilation chamber 31 suddenly drops through the gas, which causes the gas in the load lock chamber 2 (nitrogen gas in this case).
Is sucked over the entire surface of the porous body 3, which is the exhaust surface, and the pressure in the load lock chamber 2 decreases with a delay according to the magnitude of the conductance of the porous body 3. When this pressure reaches a predetermined value, for example, about 1 mTorr to 100 Torr, the control unit 5 closes the valve V1 and opens the valve V2 based on the detection signal from the pressure detection unit 51, and then the second exhaust pipe 42 causes When the load lock chamber 2 is directly evacuated to a predetermined pressure, for example, 10 -4 to -5 Torr, the gate valve G1 is opened and the transfer arm 21 is opened.
Thus, the wafer W is transferred to the mounting table 12 of the vacuum processing chamber 1. The load lock chamber 2 has a predetermined pressure, for example, 10 −3.
When it becomes Torr, the valve V4 is closed and the valve V3 is closed.
Is opened and the exhaust by the turbo pump 43 is also performed.
【００１９】真空処理室１内では、処理ガス供給部（上
部電極）１１及び載置台１２（下部電極）間の電圧によ
り処理ガス供給部１１からの処理ガスをプラズマ化し、
このプラズマによりウエハＷの表面をエッチングする。
しかる後ゲートバルブＧ１を開いて、搬送アーム２１に
より処理後のウエハＷをロードロック室２内に搬入し、
ゲートバルブＧ１を閉じて、ガス供給管２３からの窒素
ガスによりロードロック室２内を常圧に戻した後当該ウ
エハＷが外部に搬出される。In the vacuum processing chamber 1, the processing gas from the processing gas supply unit 11 is turned into plasma by the voltage between the processing gas supply unit (upper electrode) 11 and the mounting table 12 (lower electrode).
The surface of the wafer W is etched by this plasma.
Then, the gate valve G1 is opened, and the processed wafer W is loaded into the load lock chamber 2 by the transfer arm 21.
After closing the gate valve G1 and returning the inside of the load lock chamber 2 to the normal pressure by the nitrogen gas from the gas supply pipe 23, the wafer W is carried out to the outside.
【００２０】このような実施例によれば、ロードロック
室２内の真空排気初期に排気管４１内の圧力は急激に下
がるが、当該排気管４１とロードロック室２内の雰囲気
とは、底壁に沿って配置された多孔質体３により区画さ
れているため、ロードロック室２内の気流は図３に示す
ように上から多孔質体３の表面全体に向かうように形成
され、その表面に沿った横方向の流れが少ないため、
「従来例」の項で説明した図７と比較してもわかるよう
に、底部に堆積した、実施例では多孔質体３の表面に堆
積したパーティクルの舞い上がりが抑えられる。According to such an embodiment, the pressure in the exhaust pipe 41 sharply drops at the initial stage of vacuum exhaust in the load lock chamber 2, but the exhaust pipe 41 and the atmosphere in the load lock chamber 2 are at the bottom. Since it is partitioned by the porous body 3 arranged along the wall, the air flow in the load lock chamber 2 is formed from above to the entire surface of the porous body 3 as shown in FIG. Because there is little lateral flow along
As can be seen from comparison with FIG. 7 described in the section “Conventional example”, soaring of particles deposited on the bottom portion, in the example, deposited on the surface of the porous body 3 is suppressed.
【００２１】また多孔質体３を介して真空排気を行う場
合には、多孔質体３のコンダクタンスの大きさに応じて
排気速度が小さくなるが、この実施例では真空排気の初
期段階においてのみ多孔質体３を通じて排気し、所定の
圧力になった後は第２の排気管４２を通して高速に排気
しているので、真空排気に要する時間はそれ程長くなら
ず、スループットの低下が抑えられる。なお本発明者
は、真空排気初期の急激な圧力低下時にパーティクルの
舞い上がりが起こり、ある程度まで真空排気した後はパ
ーティクルの舞い上がりが全くあるいはほとんど起こら
ないことを把握しているので、上述実施例ではウエハに
対するパーティクルの付着を効果的に抑えることができ
る。Further, when the vacuum evacuation is performed through the porous body 3, the evacuation speed becomes smaller depending on the magnitude of the conductance of the porous body 3, but in this embodiment, the porosity is reduced only in the initial stage of the vacuum evacuation. Since the gas is exhausted through the mass body 3 and is exhausted at a high speed through the second exhaust pipe 42 after reaching a predetermined pressure, the time required for vacuum exhaust is not so long, and the decrease in throughput is suppressed. Note that the present inventor has understood that particles rise up when a sudden pressure drop occurs in the initial stage of vacuum evacuation, and that particles evacuation does not occur at all after vacuum evacuation to a certain degree. It is possible to effectively suppress the adhesion of particles to the.
【００２２】以上において多孔質体３がロードロック室
３の底部を占める割合は、ロ−ドロック室の上面あるい
は壁面あるいは底部のそれぞれの全体でなくともよい
が、従来の排気管の開口面積よりは大きくすることが必
要である。具体的にはロードロック室３の形状やウエハ
上に形成されるデバイスの微細加工の程度などに応じて
適宜決定される。In the above, the ratio of the porous body 3 occupying the bottom of the load lock chamber 3 need not be the entire top surface, wall surface or bottom of the load lock chamber, but it is more than the opening area of the conventional exhaust pipe. It needs to be large. Specifically, it is appropriately determined according to the shape of the load lock chamber 3 and the degree of fine processing of the device formed on the wafer.
【００２３】また上述の実施例では通気室３１を形成し
ているが、多孔質体３を直接底壁２０に接触させて、多
孔質体３の下面の例えば複数個所に排気管を直接接続し
てもよい。更にまた図４に示すように多孔質体３と通気
室３１とを備えた多孔質体ユニット７を、ロードロック
室２の底壁２０から上方に離れた位置にて、排気管４０
の端部に結合して設けてもよい。Although the ventilation chamber 31 is formed in the above-described embodiment, the porous body 3 is brought into direct contact with the bottom wall 20 and exhaust pipes are directly connected to, for example, a plurality of places on the lower surface of the porous body 3. May be. Further, as shown in FIG. 4, the porous body unit 7 including the porous body 3 and the ventilation chamber 31 is provided at a position apart from the bottom wall 20 of the load lock chamber 2 in the upward direction and the exhaust pipe 40 is provided.
It may be provided by being coupled to the end portion of.
【００２４】そしてまた本発明では、多数の微細な穴
（上述実施例では多孔質体３の空隙部に相当する）を備
えた排気面が排気管の吸引側に形成されていればよいの
で、上述のように多孔質体を用いる代りに微細な穴を多
数備えた例えば金属板を用いてもよい。Further, in the present invention, since the exhaust surface provided with a large number of fine holes (corresponding to the voids of the porous body 3 in the above-mentioned embodiment) may be formed on the suction side of the exhaust pipe, Instead of using the porous body as described above, for example, a metal plate having many fine holes may be used.
【００２５】ここで本発明は、図５に示すように、図示
しない真空排気手段に基端部側が接続された排気管６の
吸引側を例えば櫛歯状に複数分岐して、その分岐管６１
に針状の排気細管６２を多数植設し、この細管６２の先
端部を介してロードロック室２内を真空排気してもよ
い。このような構成では、排気口である微細な穴が多数
分散されているので、従来のように横に膨んだ曲面に沿
った大きな乱流の発生を抑えることができる上、排気細
管６２の先端がロードロック室２の底壁２０よりも高い
位置にあるので、真空排気時に形成される乱流が底壁か
ら離れ、従ってパーティクルの舞い上がりを効果的に抑
えることができる。In the present invention, as shown in FIG. 5, the suction side of the exhaust pipe 6 whose base end side is connected to a vacuum exhaust means (not shown) is branched into a plurality of comb teeth, for example, and the branch pipe 61 is provided.
It is also possible to implant a large number of needle-shaped exhaust thin tubes 62 and to evacuate the inside of the load lock chamber 2 through the tip of the thin tubes 62. In such a configuration, since a large number of fine holes that are exhaust ports are dispersed, it is possible to suppress the occurrence of a large turbulent flow along a laterally swollen curved surface as in the conventional case, and at the same time, the exhaust thin tube 62 can be prevented. Since the tip is located at a position higher than the bottom wall 20 of the load lock chamber 2, the turbulent flow formed during vacuum evacuation separates from the bottom wall, and therefore particle rising can be effectively suppressed.
【００２６】更にまた図１、図２の実施例における多孔
質体３の代りに例えば金属よりなる通常の板状体を設
け、この板状体に前記排気細管６２を植設するようにし
てもよいし、あるいは、図５の実施例において分岐管６
１に排気細管６２を植設せずに多数の穴を形成するよう
にしてもよい。Further, instead of the porous body 3 in the embodiment of FIGS. 1 and 2, a normal plate-shaped body made of, for example, metal is provided, and the exhaust pipe 62 is implanted in this plate-shaped body. Alternatively, or in the embodiment of FIG. 5, the branch pipe 6
A large number of holes may be formed without implanting the exhaust thin tube 62 in 1.
【００２７】そして本発明の真空排気装置はロードロッ
ク室でなくとも真空処理室などの真空室に適用してもよ
いし、上述のような多孔質体３や排気細管６２は、真空
室の底壁に限らず例えば側壁に設けてもよいし、あるい
はまた底壁及び側壁に設けてもよい。なお本発明が適用
される真空処理装置としては、エッチング装置に限ら
ず、減圧ＣＶＤ装置、アッシング装置、イオン注入装置
あるいはスパッタ装置などに適用することができる。The vacuum evacuation device of the present invention may be applied to a vacuum chamber such as a vacuum processing chamber instead of the load lock chamber, and the porous body 3 and the exhaust thin tube 62 as described above are the bottom of the vacuum chamber. It may be provided not only on the wall but also on the side wall, or may be provided on the bottom wall and the side wall. The vacuum processing apparatus to which the present invention is applied is not limited to the etching apparatus, and can be applied to a low pressure CVD apparatus, an ashing apparatus, an ion implantation apparatus, a sputtering apparatus, or the like.
【００２８】[0028]
【発明の効果】請求項１の発明によれば、排気面は多数
の微細な穴を有しているのでコンダクタンスが大きく、
従って排気管の管径に比べて排気面を広くとることによ
り気体をこの排気面全体を通して排気することができる
ため、排気面の面積を真空室の大きさに応じて設定する
ことにより、真空排気に伴う真空室内の乱流を抑えるこ
とができ、この結果パーティクルの舞い上がりを抑える
ことができ、被処理体の歩留まりを向上することができ
る。According to the invention of claim 1, since the exhaust surface has many fine holes, the conductance is large,
Therefore, by making the exhaust surface wider than the diameter of the exhaust pipe, the gas can be exhausted through the entire exhaust surface.Therefore, by setting the area of the exhaust surface according to the size of the vacuum chamber, the vacuum exhaust can be performed. As a result, turbulent flow in the vacuum chamber can be suppressed, and as a result, particle rising can be suppressed, and the yield of the object to be processed can be improved.
【００２９】請求項２の発明によれば、多孔質体を介し
て真空排気するようにしているため、多孔質体のコンダ
クタンスが大きいことから広い排気面に亘って均一に気
体を吸引することができ、従って真空室内の乱流を効果
的に抑えることができ、また請求項１の排気面の製作が
容易である。According to the second aspect of the invention, since the gas is evacuated through the porous body, the conductance of the porous body is large, so that the gas can be uniformly sucked over a wide exhaust surface. Therefore, turbulent flow in the vacuum chamber can be effectively suppressed, and the exhaust surface according to claim 1 can be easily manufactured.
【００３０】請求項３の発明によれば、多数の針状の排
気細管を突出して設けているため、請求項１と同様の作
用が得られる上、排気孔が壁部から浮いた位置にあるの
で、パーティクルの舞い上がりを一層効果的に抑えるこ
とができる。According to the invention of claim 3, since a large number of needle-shaped exhaust capillaries are provided so as to project, the same effect as in claim 1 can be obtained, and the exhaust hole is located at a position floating from the wall. Therefore, the rise of particles can be suppressed more effectively.
【図１】本発明を真空処理装置に適用した実施例を示す
全体構成図である。FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a vacuum processing apparatus.
【図２】図１の実施例の要部を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a main part of the embodiment shown in FIG.
【図３】図１の実施例の作用を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing the operation of the embodiment of FIG.
【図４】本発明の他の実施例の要部を示す断面図であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the main parts of another embodiment of the present invention.
【図５】本発明の更に他の実施例の要部を示す斜視図で
ある。FIG. 5 is a perspective view showing a main part of still another embodiment of the present invention.
【図６】従来の真空排気装置を適用した真空処理装置の
一例を示す縦断側面図である。FIG. 6 is a vertical sectional side view showing an example of a vacuum processing apparatus to which a conventional vacuum exhaust apparatus is applied.
【図７】従来装置における真空排気の様子を示す説明図
である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing how vacuum is evacuated in the conventional apparatus.
１ 真空処理装置 ２ ロードロック室 ３ 多孔質体 ３１ 通気室 ４１、４２ 排気管 ４３ ターボポンプ ４４ ロータリポンプ ５ 制御部 ６１ 分岐管 ６２ 排気細管 ７ 多孔質体ユニット 1 Vacuum processing device 2 Load lock chamber 3 Porous body 31 Vent chamber 41, 42 Exhaust pipe 43 Turbo pump 44 Rotary pump 5 Control part 61 Branch pipe 62 Exhaust narrow pipe 7 Porous body unit
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265 Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display area H01L 21/265
Claims (3)
内を排気管により真空排気する装置において、 前記排気管の吸引側に形成され、多数の微細な穴を備え
た排気面を真空室内に設けたことを特徴とする真空排気
装置。1. An apparatus for evacuating a vacuum chamber into which an object to be vacuum-processed is carried by an exhaust pipe, wherein an exhaust surface formed on the suction side of the exhaust pipe and having a large number of fine holes is provided in the vacuum chamber. A vacuum exhaust device, which is provided in the.
内を排気管により真空排気する装置において、 多孔質体を前記真空室の雰囲気に接触するように前記排
気管の吸引側に設け、この多孔質体を介して真空室を真
空排気するように構成したことを特徴とする真空排気装
置。2. An apparatus for evacuating an inside of a vacuum chamber into which an object to be vacuum-processed is carried by an exhaust pipe, wherein a porous body is provided on the suction side of the exhaust pipe so as to come into contact with the atmosphere of the vacuum chamber, An evacuation device characterized in that the vacuum chamber is evacuated through the porous body.
内を排気管により真空排気する装置において、 先端部に排気孔が形成されると共に、基端部側が排気管
に接続された多数の針状の排気細管を真空室内に突出し
て設けたことを特徴とする真空排気装置。3. An apparatus for evacuating an inside of a vacuum chamber into which an object to be vacuum-processed is carried by an exhaust pipe, wherein a plurality of exhaust holes are formed at a tip end portion and a base end side is connected to the exhaust pipe. A vacuum exhaust device, characterized in that a needle-shaped exhaust thin tube is provided so as to project into the vacuum chamber.
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|---|---|---|---|
| JP02376793A JP3173681B2 (en) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | Evacuation apparatus and method |
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| JP (1) | JP3173681B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149948A (en) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum treatment device |
| US7517429B2 (en) | 2006-04-04 | 2009-04-14 | Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus |
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| JP2016035086A (en) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 株式会社アルバック | Vacuum processing apparatus and method for vacuum-exhausting the same |
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-
1993
- 1993-01-18 JP JP02376793A patent/JP3173681B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149948A (en) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum treatment device |
| JP4634918B2 (en) * | 2005-11-28 | 2011-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Vacuum processing equipment |
| US8623457B2 (en) | 2005-11-28 | 2014-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing system |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3173681B2 (en) | 2001-06-04 |
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