JPH0621536A - 光ファイバ・レーザ構造およびその製造方法 - Google Patents
光ファイバ・レーザ構造およびその製造方法Info
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Abstract
する光導波路または光ファイバに形成されたレーザを備
えた光通信システムを与える。 【構成】 1つの実施例においては、コアの一部分に形
成された分散型ブラッグ反射器(10、20)によっ
て、レーザの光共振洞の境界が少なくとも部分的に定め
られる。従来の技術と対比して光共振洞の長さは、約5
cm以下である。
Description
関し、さらに詳細には、光ファイバ中に形成された1つ
以上の分布形ブラッグ反射器によって光共振洞の輪郭が
少なくとも部分的に定義されるような希土類ドープ光フ
ァイバ・レーザに関する。
おいて輪郭が定められる光学的に活性な共振洞、および
その共振洞内部の電磁放射を部分的に制限する反射手段
が一般に含まれる。「光学に活性である」とは、(一般
に所望のレーザ波長より短い)ポンプ波長または範囲の
あるポンプ波長の電磁放射によってポンピングを行うと
所望のレーザ波長で誘導放射を示すことができるイオン
または原子を分布させることによって共振洞の少なくと
も一部がドープされていることを意味する。シリカを基
本とする光ファイバ(即ち、少なくとも80%の二酸化
ケイ素からなるコアを有する光ファイバ)の場合、この
目的に対し有用なドーパント(添加材)は、Er+3のよ
うな希土類イオンである。反射手段は、少なくとも1つ
の、一般的には2つの分布形ブラッグ反射器(DBR)
の形式で都合よく与えられる。DBRは、ファイバに屈
折率の変化を起こさせるために、例えば、少なくとも幾
らかは感光性を有する光ファイバを有効波長の紫外放射
にさらすことによって作られる。ほぼ単色放射のビーム
対を重ね合わせて干渉パタンを生成することによって、
入射する放射エネルギーに周期的なパタンを与える。こ
のようにパタン化された放射エネルギーの場が適度な感
光性の光ファイバに入ると、対応するパタンが、コアの
屈折率の周期的な(または準周期的な)変動のかたちで
光ファイバのコアに与えられる。このような反射器を作
り出す技術は、米国特許第4,725,110号(発明者:W.
H.グレン(Genn)他、1988年2月16日発行)お
よび米国特許第4,807,950号(発明者:W.H.グレン
他、1989年2月28日発行)に説明がある。光ファ
イバに形成されたブラッグ回折格子を備えた光ファイバ
が、米国特許第5,007,705号(発明者:W.W.モレイ
(Morey)他、1991年4月16日発行)に説明され
ている。
確な輪郭のピークを最低1つは有する反射曲線(波長の
関数)を有する波長選択性の反射器として機能する。レ
ーザの動作の正確な波長は、少なくとも部分的には、共
振洞の形態的構造と反射曲線との間の関係によって決定
される。つまり、レーザが(適切な刺激の下で)所与の
波長において利得を示すためには、所与の波長が、反射
のピークの範囲内にあるだけでなく、レーザ共振洞のフ
ァブリ-ペロー共振(即ち、一種のモード)にも対応し
なければならない。
ードに対応する波長間の間隔は、共振洞の長さが減少す
るとともに増大する。したがって、共振洞の長さを短く
すると、レーザの利得は少ないモードへと制限される傾
向があり、単一モードにまで制限されることもある。こ
の結果、高いモード安定性を有するレーザを得ることが
できる。例えば、正確に規定された波長のレーザ放射源
が必要なときには、モードが安定していることが有利で
ある。
もないドーピング水準を増すことによってのみ、かなり
の量の利得を共振洞に保持することができる。ドーピン
グ水準は、際限なく高めることはできない。ドーピング
水準に関する1つの制限は、エルビウム・イオンなどの
ドーパント・イオンが高濃度において集合する(「クラ
スタ化」と称する現象)傾向があることである。クラス
タ化は、レーザの効率を下げる寄生性の非活性化の影響
に関係付けられてきた。意外にも、長さ5cmまたはそ
れ以下のレーザ共振洞に有用な利得を与えるに十分なド
ーピング水準を許容できない量の寄生性の損失を受ける
ことなく達成できることを発見した。
れた共振洞を有する光ファイバ・レーザは、例えば、1
992年の「光学便り17(Optics Lett. 17)」p.420
-p.422のG.A.ボール(Ball)およびW.W.モレイ
(Morey)による「無段階調整可能な単一モード・エル
ビウム・ファイバ・レーザ(Continuously tunable sin
gle-mode erbium fiber laser)」に説明がある。ここ
に説明されているのは、約550ppmまでエルビウム
でドープされたゲルマニウム・ケイ酸塩ファイバにおい
て形成された単一モードの定在波ファイバ・レーザであ
る。10cm間隔の1対のDBRを書くために、干渉し
合う紫外線ビームが使用された。その結果、報告によれ
ば、レーザは、光出力電力が100μWで、傾斜効率が
約0.25%であったとのことである。
振洞では好結果のレーザ動作が報告されているが、これ
まで当業者は、例えば1cmの共振洞のように十分短い
共振洞を有する有用なファイバ・レーザを与えることは
できなかった。このようなレーザは、前述のようにより
高いモード安定性を潜在的に提供できるので、望まし
い。このような共振洞の短いレーザは、ファイバ・レー
ザを半導体ポンプ・レーザと共に小型のパッゲージに統
合することを容易にすることもできるので、やはり望ま
しい。さらに、このようなレーザは、そのコンパクトな
性質により温度変化および機械的動揺に対する敏感さが
低下するので、望ましい。
決しようとする課題は、共振洞の短い光ファイバ・レー
ザを与えることである。
以下の、さらには2cm、1cmあるいは更に短いほど
小型の共振洞を用いて、好結果のレーザ動作を達成する
ことができることを発見した。
びクラッドを備えた光ファイバの一区画において実施さ
れたレーザからなる一項目が必然的に含まれる。そのフ
ァイバの区画には、光共振洞の輪郭を少なくとも部分的
に定義し、かつその共振洞内部のコアの少なくとも一部
が希土類によってドープされているような波長選択性反
射器が少なくとも1つは含まれる。この反射器は、コア
の少なくとも一部において軸方向に広がる屈折率の変調
パタンからなる。従来の技術に対し、共振洞の長さは、
約5cm以下である。
実施例では、DBR10、20が、ドープ・ファイバ部
分30に形成される。これは、レーザ装置の全長を最小
にするのに役立つので、有利である。しかしながら、D
BRは、例えばドープされていない別のファイバに随意
形成してもよい。ここで、DBRを含むファイバの各区
画は、主共振洞部分に溶融結合40によって直ちに結合
できる状態にある。
・レーザにおいて、約0.5cmの半波高全幅値(FW
HM)を有するガウス的形状の干渉パタンによって、各
DBRが形成された。共振洞の1cmという公称長は、
DBRどうしの中心間の間隔である。光ファイバにおい
て共振洞が形成された区画の全長は、3cmであった。
光ポンピングのために、レーザの一端を市販の3端子光
カプラを介して980nm半導体レーザに結合した。
mmx25mmの天然水晶管の内側に変形CVD(化学
気相成長法)を用いて、クラッドおよび外側コアを順に
形成し、続いて部分コラップス、内側コアの堆積、そし
てコラップスを行いプリフォーム(母材)を作ることに
よって、作った。このプリフォームにオーバークラッド
を付け、さらに線引きして、125μmの外径および
2.5μmのコア部直径を有する単一モード光ファイバ
を形成した。使用された技術は、米国特許第4,666,247
号(発明者:J.B.マクチェズニー(MacChesney)
他、1987年5月19日発行)に概ね説明がある。こ
の特許の説明のように、揮発性の金属塩化物を結集して
反応領域に運ぶために、塩素およびヘリウムの混合体を
用いた。MCVD過程の各段階における反応物および担
体の流速を第1表に掲げる。反応領域は、横断速度12
cm/分のバーナで加熱した。水晶管は60rpmで回
転させた。
積させた。内側のクラッドは、1980°Cで2層堆積
させた。外側のコアは、1850°Cで6層堆積させ
た。そして、水晶管をコアの直径が3mmになるまで部
分的にコラップスした。次に、内側のコアを2000°
Cで1層堆積させた。堆積過程のエルビウム源は、ヘリ
ウムおよび塩化アルミニュームの流れに直接露出され、
930°Cに熱せられた溶融シリカの開口アンプルであ
った。塩化アルミニュームは、350°Cで放射される
アルミニウムの床にヘリウムおよび塩素を流すことによ
って生成した。(塩化アルミニュムは、外側および内側
のコア領域の成長の間に生成される。)内側のコアを堆
積させた後、水晶管を1段階に完全にコラップスし、オ
ーバークラッドを付けて線引きする。
イバは、フッ素-リンをドープした屈折率整合クラッド
50、ゲルマニア-アルミナをドープした外側のコア6
0、アルミナ-エルビウムをドープした内側のコア70
を有していた。内側のコアの直径は、コア全体の直径の
約0.3倍であった。ファイバの線引きの過程で、エル
ビウムおよびアルミニウムの両方の拡散が起こり、結果
的に、外側のコアもエルビウムでドープされたものと確
信する。ファイバの領域75は、ドープされていないシ
リカで、天然水晶の基層管およびオーバークラッド管に
対応する。
てプリフォームの内側のコア領域に生成されたアルミニ
ウムの含有率は約20%であると判断した。(本明細書
では、構成物は、陽イオン百分率で表し、陽イオン%
は、指定された陽イオンのモル濃度を適用できるならば
Si、GeおよびAlも含めてガラス中のすべての陽イ
オンのモル濃度で割った商として定義される。)光の吸
収の測定によって、波長1530nmでのファイバのコ
アにおけるエルビウムに対する損失分は約50dB/m
であることが示された。一様にドープされたコアであれ
ば、約0.25%のエルビウム濃度における損失を示す
はずである。しかしながら、我々の現在の考えによれ
ば、エルビウムの分布は一様ではなくガウス的であるか
ら、その値は、大まかな推測に過ぎない。
することによってドープ・ファイバ中にDBRを形成し
た。干渉パタンを作るには、指示を保存しながら、単一
の平行移動可能な鏡の平行移動によって干渉パタンの位
置をファイバに沿って転換できるような設計の走査干渉
計を用いることが、有利であることが判った。結果とし
て、第1のDBRの形成および第2のDBRの形成へと
導くそれぞれの露出段階の間に、ファイバは選択次第で
静止状態に保つことができる。そのような典型的な干渉
計が、米国特許第4,093,338号(発明者:G.C.ビョ
ルクランド(Bjorklund)、1978年6月6日発行)
に説明されている。一実施例における典型的な干渉計の
光学構造を図3に示す。このような光学構造には、レー
ザ源80、平行移動可能な鏡85、回転可能な鏡12
0、ならびに鏡90、100および110が含まれる。
干渉し合うビームが感光性の媒体130に集束する。平
行移動する鏡85によって、干渉パタンの位置をファイ
バに沿って移動する。一般に、干渉パタンの周期性は、
干渉ビームの交差角φを調節することによって変更する
ことができる。この説明のための干渉計では、鏡120
を回転させることによって、干渉ビームどうしの間の行
路長の差を変えることなく、これを実現することができ
る。
出される領域およびそれらの中間にある共振洞部分が確
実に一直線になる位置にファイバを固定する。ファイバ
は、紫外線放射に効率的に照射される。種々の適切な紫
外線放射源が、入手可能であり、当業者には周知であ
る。実例をあげれば、約240nmで発光するエキシマ
ー・ポンプ式周波数倍化調節可能色素レーザが、適切な
露光源である。このようなレーザを用いて、前述の高度
にエルビウム・ドープしたファイバを毎秒20パルスの
反復率の2mJパルスに露出した。円筒レンズを用い
て、レーザ光を長さ約0.5cm、幅100−200μ
mの帯に集束させた。一般に、露出時間は約30秒であ
る。
増大する傾向があることが判った。紫外線の露光中に実
時間で反射性を監視し、所望の値に達したときに露光を
中断することによって、ほぼ所定の反射性を有するDB
Rを作ったことが有益であった。
た後、平行移動可能な鏡を共振洞の長さ(例えば、1c
m)に相当する距離だけ平行移動し、第2のDBRを書
くために第2の露光を行う。
働くDBRの場合は約90%であり、後部反射器として
働くDBRの場合は約95%である。
降の紫外線露光によって容易に変更することができるこ
とが判った。例えば、異なる周期性を有する干渉パタン
でDBRを上書きすることができる。さらに、DBRを
単一の(即ち、干渉し合わない)紫外線ビームに露出す
ることによって、DBRの反射性を減少させることがで
きる。共振洞の伝播性またはDBRの反射性を絶えず監
視する間に、このような反射性の縮小を行うことによっ
て、所与のレーザの動作を最適化することができる。例
えば、図4は、紫外線源80によって露光されている間
に、光源140(即ち、レーザ、もしくは好ましくはL
EDなどの帯域幅のより広い光源)からの光の送信がモ
ニタ150によって測定される構造を示す。
間の共振洞の小部分160を単一の紫外線ビームで露光
することにより微調節することができる。この方法を図
5に示す。前述のように、共振洞を十分小さくすること
により、レーザを単一モードの動作に制限することがで
きる。しかし、モードがDBRの反射性のピークと一致
しない限り、レーザの電力は最適化されない。(尚、一
方のDBRが広いピークを有し、他方のDBRが狭いピ
ークを有するような有用なレーザを作ることができる。
このような場合、この背景で重要なのは狭いBDRであ
る。)(感光性の媒体の)紫外線への露光により、屈折
率の局部的な増加を生じ、共振洞の全体的な光学的長さ
が増すことになる。結果的に、共振洞のモードを反射性
のピークに関して切り替えることができる。(屈折率を
大きくするよりは小さくする露光を用いても、同様の調
節を行うことができる。)レーザの動作を最適化するた
めには、前記のように光学的な長さを調節しながら、レ
ーザの出力電力を絶えず監視すればよい。図5に、ファ
イバ・レーザをレーザ170によってポンピングし、フ
ァイバ・レーザの出力をモニタ150で測定する構造を
示す。
によって、正確に揃えたDBRの対を容易に形成するこ
とができる、即ち、それぞれの反射性がピーク時の波長
がDBRのそれぞれのピークの全幅値(一般に、約3A
(オングストロームを表す。以降、「オングストロー
ム」の記号として「A」を代用する。)ほどは違わない
ようにすることができることが判った。このように正確
に揃えることは、一般にレーザの動作を最適化するため
に必要である。しかしながら、DBRの一方を他方より
広くすることによって、正確に揃えることに対する必要
性を緩和することができる。つまり、少なくとも一方の
DBRが約3A以下の半波高全幅値の反射性ピーク幅を
(レーザに使用するのに適したスペクトル領域に)持つ
ことが望ましい。しかし、他方のDBRが、さらに広
く、レーザの動作に波長選択性を実効的に全く与えない
ほど広い反射性のピークを持つならば、有用なレーザが
得られるはずである。(尚、しかしながら、レーザが高
い利得選択性を持つことを保証するためには、比較的狭
いピークを有するDBRを2つ用いる方が望ましいこと
が多い。)
ことによって制御することができる。露光時間を増す
と、DBRの反射性ピークが広がる傾向がある。さら
に、弱いDBR(即ち、比較的短時間の露光によって形
成されたDBR)の場合、DBRの長さを短くすると、
ピーク幅が増す傾向がある。
とが判った。つまり、多くの試行において、AT&Tよ
り市販されている高屈折率のゲルマニウム・ケイ酸塩コ
ア・ファイバであるACCUTETHER220ファイ
バ内に、ピーク反射性の単一の目標波長を有するDBR
を形成した。その結果、DBRのピーク波長は、約2A
の標準偏差で目標波長の近くに分布した。さらに、現時
点では、少なくともACCUTETHER220ファイ
バおよび類似の組成のファイバにおいては、この処理技
術を通常どうり改善することにより、0.5以下の標準
偏差にも達することは確かである。
一部は、スペクトルの意味において単一モードであるだ
けでなく単一の明確な偏光も有する出力を生成すること
が判った。特に、共振洞の長さが約1cmのレーザは、
単一モードおよび単一の偏光を持つ可能性が非常に高
い。
つは、波長分割多重(WDM)光源におけるものであ
る。WDM光源は、多数の周波数の電磁放射源であり、
単一の光ファイバに光学的に結合できるものである。一
般に、対応する多数の単一波長レーザを備え、各々が、
それぞれの波長を生成する。波長分割多重(WDM)
は、多数のレーザを単一のファイバへと結合するために
使用される。本発明のレーザのDBRは再現性が高く、
したがって綿密な許容範囲を満たすように経済的に製造
することができるので、本発明のレーザは、狭いまたは
間隔が密なチャネルを有するWDM光源で使用するため
の有用な単一波長光源を与える。
レクサが、当分野において周知である。例えば、シリコ
ン基板上で作ることができるWDMの説明は、1991
年のIEEE Photon. Tech. Lett. 3のp.812-p.815におけ
るC.ドラゴーン(Dragone)による「2つのスター・
カプラのプレーナ構造を用いるNxN光マルチプレクサ
(An NxN Optical Multiplexer Using a Planer Arrang
ement of Two Star Couplers)」、および1991年の
IEEE Photon. Tech. Lett. 3のp.896-p.899における
C.ドラゴーンによる「シリコン上の集積光学系NxN
マルチプレクサ(Integrated Optics NxN Multiplexer
on Silicon)」を参照せよ。
ば、8つの個々の単一波長ファイバ・レーザ180を備
え、それぞれがフィーダ・ファイバ185に光学的に結
合され、これがさらにWDM190によって単一の出力
ファイバ200に結合されている。各ファイバ・レーザ
からの出力を変調するために、例えばヘリウム・ニオブ
塩酸変調器などの光学変調器210を備えている。各フ
ィーダ・ファイバには、ファイバ・レーザからの出力を
増幅するファイバ増幅器220が組み込まれている。ま
た一方、ファイバ増幅器220は、WDM190の下流
に位置する単独の増幅器で置き換えてもよい。
は、例えば中心間の間隔がわずか5A程度で、2A程度
以下のチャネル幅の通信チャネルを8チャネル与えるこ
とができることである。
は、図7のような光通信システムにおけるものである。
このようなシステムでは、ポンプ・レーザ230がWD
M240を介してファイバ・レーザ250に光学的に結
合されている。ポンプ・レーザは、例えば、980nm
または1480nmで発光する半導体ダイオード・レー
ザである。これに応じて、ファイバ・レーザが、例えば
1550nmで放射線を発する。そして発せられたレー
ザ放射線は、エルビウム・ドープ・ファイバなどのファ
イバ増幅器260を通る。
た。前記のように作成したエルビウム・ドープ・ファイ
バの3cmの長さに2つのDBRを書いた。格子の中心
間の間隔は、1cmであった。レーザのポンピングは、
3端子の波長選択カプラを通してファイバ・レーザに光
学的に結合された980nmの半導体ダイオード・レー
ザによって行った。
4mWのポンプ電力で約50μWの出力光エネルギーを
生成し、約0.25%の傾斜効率を示した。放射された
ピーク出力エネルギーは、100μW以上であった。入
力光しきい値は、約4.4mWであった。
の概要を示す。2つのDBRはそれぞれ多数の紫外線露
光によって形成されたものであるから、複合的なピーク
が図に明らかに現れている。
よる前記の方法によって作られたファイバ・レーザに緩
和共振が観察された。現在は、改良した製造技術を用い
てエルビウム・ドープ・ファイバの欠陥密度を減らすこ
とによって、これらの共振を確かに減らすか、または除
去することができるものと思われる。
が、DBR間の間隔は、中心間で約2cmとした。BD
Rは、それぞれ単一の紫外線露光によって書いた。2つ
のDBRを組み合わせた伝送の概要を図10に示す。同
図より明らかなように、複合的なピークの幅は、約2.
5Aであった。
ので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々の
変形例が考えられるが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。
は、発明の容易なる理解のためで、その技術的範囲を制
限するように解釈されるべきではない。
ファイバ・レーザの共振洞を短くすることができる。
る。
めのエルビウム・ドープ光ファイバの略断面図である。
R)を作るのに有用な干渉構造の略光学図である。
BRを書いたり修正したりする方法の略図である。
送監視によって変更する方法の略図である。
を統合する光学的波長分割マルチプレクサ(WDM)源
の略図である。
システムの一部の略図である。
る光ポンプ電力対光出力電力のグラフである。
ある。
ザに対する波長対送信性のグラフである。
Claims (11)
- 【請求項1】 コア(60、70)およびクラッド(5
0)を含む光ファイバの一区画を備えた第1のレーザを
備え、さらに a)前記区画が、所与の長さの光共振洞の輪郭を少なく
とも部分的に定義する少なくとも1つの波長選択性の反
射器(10、20)を含み、 b)前記反射器に最大反射の波長が関係付けられ、 c)前記反射器が、前記ファイバ・コアの内部で軸方向
に延びる屈折率の変調パタンからなり、 d)前記共振洞内部のコアの少なくとも一部が、希土類
ドーパントからなり、 e)前記共振洞に、ある光路長が関係付けられ、 f)前記光路長に、第1の光共振波長が関係付けられ、
かつ、 g)前記共振洞の所与の長さが、5cm程度以下である
ことを特徴とする光ファイバ・レーザ構造。 - 【請求項2】 前記所与の共振洞長が、約2cm以下で
あることを特徴とする請求項1記載の構造。 - 【請求項3】 前記所与の共振洞長が、約1cm以下で
あることを特徴とする請求項1記載の構造。 - 【請求項4】 a)前記ファイバ・コアが、「屈折率変
更領域」と言うべき少なくとも1つの領域(160)を
備え、この領域が、共振洞内部に位置し、かつ該共振洞
の内部の少なくとも1つのコア領域の平均屈折率とは異
なる平均屈折率を有し、 b)結果的に得られる前記共振洞の光路長が最大の反射
性の波長とほぼ一致する共振波長を持つように、前記の
屈折率変更領域の平均屈折率を適合させたことを特徴と
する請求項1記載の構造。 - 【請求項5】 前記の希土類をドープした共振洞部分
が、約24mWの光入力電力でポンピングされた長さ1
cmの同様にドープされたレーザ共振洞から約50μW
のレーザ光の出力電力を生成するに十分な濃度のエルビ
ウムでドープされたことを特徴とする請求項1記載の構
造。 - 【請求項6】 ファイバの前記区画に光学的に結合さ
れ、前記の希土類をドープした共振洞部分を光学的にポ
ンピングする半導体ダイオード・レーザをさらに備えた
ことを特徴とする請求項1記載の構造。 - 【請求項7】 前記構造が、 a)光ファイバの一区画からなり、かつ前記の第1の光
共振波長とは異なる第2の光共振波長で電磁放射を発す
る第2のレーザ、 b)信号伝送用の光ファイバ、および c)前記の第1および第2のレーザを前記の伝送ファイ
バに光学的に接続する手段をさらに備えた光通信システ
ムであることを特徴とする請求項1記載の構造。 - 【請求項8】 前記構造が、 a)光ファイバの一区画からなり、かつ前記の第1の光
共振波長とは異なる第2の光共振波長で電磁放射を発す
る第2のレーザ、 b)信号伝送用の光ファイバ、および c)前記の第1および第2のレーザを前記の伝送ファイ
バに光学的に結合する光結合手段をさらに備えた光通信
システムであることを特徴とする請求項4記載の構造。 - 【請求項9】 前記の第1および第2のレーザによって
発せられる電磁放射をそれぞれ変調する少なくとも第1
および第2の手段をさらに備え、これらの各変調手段
が、それに対応する光結合手段と前記の第1および第2
のレーザのうちの対応するものとの中間に位置すること
を特徴とする請求項7記載の構造。 - 【請求項10】 前記の第1および第2のレーザによっ
て発せられる電磁放射をそれぞれ変調する少なくとも第
1および第2の手段をさらに備え、これらの各変調手段
が、それに対応する光結合手段と前記の第1および第2
のレーザのうちの対応するものとの中間に位置すること
を特徴とする請求項8記載の構造。 - 【請求項11】 a)希土類をドープした感光性のコア
を有するある長さの光ファイバを与えるステップ、 b)前記の光ファイバのコアの第1の区画に屈折率の反
復変調パタンが形成されるように、前記コアの屈折率を
変化させることができる波長の電磁放射の交差するビー
ムによって形成される固定的な干渉パタンに前記第1の
区画を露光させるステップ、 c)前記第1のコア区画から物理的に変位した第2のコ
ア区画を前記干渉パタンに露光させることができるよう
に、前記の長さの光ファイバを実質的に移動させること
なく前記干渉パタンを前記の長さの光ファイバの軸方向
に位置転換させるステップ、 d)前記第2の区画に屈折率の反復変調パタンが形成さ
れるように、前記第2のコア区画を前記干渉パタンに露
光させるステップ、 e)前記の第1または第2のコア区画によってレーザ放
射が発せられるように、前記の長さの光ファイバを光学
的にポンピングするステップ、 f)発せられたレーザ放射の強度を測定するステップ、 g)前記の測定強度を所定のしきい値と比較するステッ
プ、および h)前記の測定強度が前記しきい値を下回る場合、前記
の第1または第2のコア区画によってレーザ放射が発せ
られるように前記の長さの光ファイバを光学的にポンピ
ングし、前記の発せられるレーザ放射の強度を監視し、
さらに、ポンピングおよび監視を行う一方で、監視下に
ある発せられる強度を少なくとも前記しきい値まで高め
るに十分な期間だけ前記の第1および第2のコア区画の
中間の第3のコア区画を屈折率が変化する放射に露光さ
せるステップからなることを特徴とする光ファイバ・レ
ーザ構造の製造方法。
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