JPH062148A - Cvd method and apparatus - Google Patents
Cvd method and apparatusInfo
- Publication number
- JPH062148A JPH062148A JP18742292A JP18742292A JPH062148A JP H062148 A JPH062148 A JP H062148A JP 18742292 A JP18742292 A JP 18742292A JP 18742292 A JP18742292 A JP 18742292A JP H062148 A JPH062148 A JP H062148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- cvd
- light emitting
- light
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光源から照射される光
によって反応ガスの化学反応を促進させることによって
基板上に薄膜を堆積させるＣＶＤ方法及び装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CVD method and apparatus for depositing a thin film on a substrate by promoting a chemical reaction of a reaction gas with light emitted from a light source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高集積化されたＩＣでは、コンタクト電
極部の信頼性を高める上で、拡散バリア−としてのＴｉ
Ｎ膜の形成が必須条件となってきている。そして、配線
の微細化に伴い、ＣＶＤ法による成膜がＴｉＮ膜の形成
に有力な方法として考えられてきている。2. Description of the Related Art In a highly integrated IC, Ti is used as a diffusion barrier in order to improve the reliability of the contact electrode portion.
The formation of the N film has become an essential condition. With the miniaturization of wirings, film formation by the CVD method has been considered as an effective method for forming a TiN film.
【０００３】一般的な熱ＣＶＤ法によるＴｉＮ膜の形成
では、チタン源としてＴｉＣｌ4ガスを、窒素源として
ＮＨ3ガスを使用している。あるいは、膜中へＣｌが不
純物として混入するのを避けるために、チタン源として
有機Ｔｉ化合物ガスを用いている。これらの熱ＣＶＤ法
では、反応ガスの化学反応を促進するために５００℃以
上の基板温度が必要となる。In forming a TiN film by a general thermal CVD method, TiCl 4 gas is used as a titanium source and NH 3 gas is used as a nitrogen source. Alternatively, an organic Ti compound gas is used as a titanium source in order to prevent Cl from being mixed as an impurity into the film. These thermal CVD methods require a substrate temperature of 500 ° C. or higher in order to promote the chemical reaction of the reaction gas.
【０００４】これに対して、低温での反応促進のために
光反応を利用するＣＶＤ法が試みられている。ここで用
いられる光は一般的には紫外線を用いる。従来は、市販
の紫外線光源をＣＶＤ反応室の外側に配置し、ＣＶＤ反
応室に設けた窓から紫外線をＣＶＤ反応室の内部に導入
している。この種の技術の例として、有機Ｔｉ化合物Ｃ
ｐ2Ｔｉ（Ｎ3）2を用いてＴｉＮ膜を形成する際に、高
圧水銀ランプを発光源として紫外線を照射するものがあ
った（1990年 6月発行, The IEEE Electron Devices So
ciety 1990 Symposium on VLSI Technology, 6A-3, 第
61〜62頁, K. Ikeda, M. Maeda, Y. Arita 著, Photo
Assisted LPCVD TiN For Deep Submicron Contacts Usi
ng Organo-titanium Compound ）。On the other hand, a CVD method utilizing a photoreaction to accelerate the reaction at a low temperature has been attempted. The light used here is generally ultraviolet light. Conventionally, a commercially available ultraviolet light source is arranged outside the CVD reaction chamber, and ultraviolet rays are introduced into the CVD reaction chamber through a window provided in the CVD reaction chamber. As an example of this kind of technology, an organic Ti compound C
When forming a TiN film using p 2 Ti (N 3 ) 2 , some high-pressure mercury lamps were used to irradiate ultraviolet rays (published June 1990, The IEEE Electron Devices So
ciety 1990 Symposium on VLSI Technology, 6A-3, No.
61-62, K. Ikeda, M. Maeda, Y. Arita, Photo
Assisted LPCVD TiN For Deep Submicron Contacts Usi
ng Organo-titanium Compound).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、紫外線が空気や光導入用の窓を通過することによ
り、特にエネルギ−の高い短波長側の光が減衰または吸
収され、ＣＶＤ反応に関与する光が少なくなってしま
う。However, in this method, the ultraviolet rays pass through the window for introducing air or light, whereby the light on the short wavelength side having a particularly high energy is attenuated or absorbed and participates in the CVD reaction. Less light is emitted.
【０００６】そこで、本発明の目的は、発光室で発生し
た光を減衰させることなくＣＶＤ反応室内に導入できる
ようにしたＣＶＤ方法及び装置を提供することにある。[0006] Therefore, an object of the present invention is to provide a CVD method and apparatus capable of introducing the light generated in the light emitting chamber into the CVD reaction chamber without attenuating the light.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段及び作用】第１の発明のＣ
ＶＤ方法は、発光室の内部とＣＶＤ反応室の内部とを連
通して、ＣＶＤ反応室に反応ガスを導入し、ＣＶＤ反応
室内部の圧力を発光室内部の圧力よりも高くした状態
で、発光室の内部で発する光をＣＶＤ反応室の内部に導
いて、ＣＶＤ反応室内の基板上に膜を堆積するものであ
る。本発明では、発光室の内部とＣＶＤ反応室の内部と
を連通してあるので、発光室で発生した光は、空気や窓
に吸収されることなくＣＶＤ反応室内に導入される。Ｃ
ＶＤ反応室内部の圧力を発光室内部の圧力よりも高くし
てあるので、両者の間の通路ではＣＶＤ反応室から発光
室に向かってガスが流れることになる。したがって、発
光室内部のガスが通路を通ってＣＶＤ反応室に流れ込む
ことがなく、発光室内部のガスがＣＶＤ反応に影響を及
ぼすことがない。Means and Actions for Solving the Problems C of the First Invention
The VD method emits light in a state where the inside of the light emitting chamber and the inside of the CVD reaction chamber are communicated with each other, a reaction gas is introduced into the CVD reaction chamber, and the pressure inside the CVD reaction chamber is made higher than the pressure inside the light emitting chamber. The light emitted inside the chamber is guided to the inside of the CVD reaction chamber to deposit a film on the substrate inside the CVD reaction chamber. In the present invention, since the inside of the light emitting chamber and the inside of the CVD reaction chamber are communicated with each other, the light generated in the light emitting chamber is introduced into the CVD reaction chamber without being absorbed by air or windows. C
Since the pressure inside the VD reaction chamber is set higher than the pressure inside the light emission chamber, gas flows from the CVD reaction chamber toward the light emission chamber in the passage between the two. Therefore, the gas inside the light emitting chamber does not flow into the CVD reaction chamber through the passage, and the gas inside the light emitting chamber does not affect the CVD reaction.
【０００８】本発明で使用できる発光室は、密閉空間内
にガスを導入して電極間で放電させる形式のものであ
る。発生させる光としては紫外線領域の波長を含むもの
が好ましい。The luminous chamber which can be used in the present invention is of a type in which a gas is introduced into a closed space to cause a discharge between electrodes. The light to be generated is preferably one containing a wavelength in the ultraviolet region.
【０００９】本発明は、基板を加熱するタイプのＣＶＤ
にも、基板を加熱しないタイプのＣＶＤにも適用でき
る。基板を加熱するタイプのＣＶＤに適用する場合に
は、熱ＣＶＤ法に光を併用したものとなり、いわゆる光
アシストＣＶＤ法となる。この場合は、反応に必要なエ
ネルギーは、光と、基板からの熱とによって供給され
る。基板を加熱しないタイプのＣＶＤに適用する場合に
は光ＣＶＤ法となる。この場合は、反応に必要なエネル
ギーは光によって供給される。The present invention is a type of CVD for heating a substrate.
Also, it can be applied to a type of CVD in which the substrate is not heated. When it is applied to the type of CVD for heating a substrate, it is a so-called photo-assisted CVD method in which light is used in combination with the thermal CVD method. In this case, the energy required for the reaction is supplied by light and heat from the substrate. When applied to the type of CVD in which the substrate is not heated, the photo-CVD method is used. In this case, the energy required for the reaction is supplied by light.
【００１０】第２の発明は、第１の発明において、反応
ガスとは別個の圧力調整用ガスをＣＶＤ反応室に導入す
るものである。この圧力調整用ガスを用いることによ
り、反応ガスの流量を増やすことなくＣＶＤ反応室内の
圧力を高めることができる。A second aspect of the present invention is, in the first aspect, that a pressure adjusting gas separate from the reaction gas is introduced into the CVD reaction chamber. By using this pressure adjusting gas, the pressure in the CVD reaction chamber can be increased without increasing the flow rate of the reaction gas.
【００１１】第３の発明は、第２の発明における圧力調
整用ガスを不活性ガスにしたものである。不活性ガスを
用いることにより、反応ガスの反応に影響を及ぼさない
ようにすることができる。A third aspect of the present invention uses an inert gas as the pressure adjusting gas in the second aspect. By using an inert gas, it is possible to prevent the reaction of the reaction gas from being affected.
【００１２】第４の発明は、第１の発明をＴｉＮ薄膜の
作製に適用したものであり、反応ガスとしてチタン化合
物と窒素化合物とを用いる。使用できるチタン化合物と
しては、ＴｉＣｌ4、ＴｉＩ4、ＴｉＢｒ4、Ｃｐ2Ｔｉ
（Ｎ3）2などが挙げられる。また、窒素化合物として
は、ＮＨ3、ＮＨ4などが挙げられる。なお、これらの化
合物は、室温でかつ大気圧の状態では、必ずしもガスで
ある必要はなく、液体状態や固体状態であってもよい。
液体状態や固体状態の化合物は、加熱やバブリングなど
によってガス状態にしてから反応室内に供給すればよ
い。A fourth invention is an application of the first invention to the production of a TiN thin film, and uses a titanium compound and a nitrogen compound as reaction gases. Titanium compounds that can be used include TiCl 4 , TiI 4 , TiBr 4 , and Cp 2 Ti.
(N 3 ) 2 and the like. Further, examples of the nitrogen compound include NH 3 and NH 4 . Note that these compounds do not necessarily have to be gases at room temperature and atmospheric pressure, and may be in a liquid state or a solid state.
The liquid state or solid state compound may be supplied to the reaction chamber after being made into a gas state by heating or bubbling.
【００１３】第５の発明は、上述のＣＶＤ方法の発明を
実施するためのＣＶＤ装置に関するものであり、排気装
置を接続した発光室と、排気装置を接続したＣＶＤ反応
室と、前記発光室の内部と前記ＣＶＤ反応室の内部とを
連通する通路と、この通路の途中に設けたコンダクタン
ス調整装置とを備えている。この装置では、発光室とＣ
ＶＤ反応室がそれぞれ別個の排気装置で排気できるよう
になっていて、コンダクタンス調整装置によって、発光
室の内部とＣＶＤ反応室の内部とを所定の圧力差に保つ
ことができる。A fifth aspect of the present invention relates to a CVD apparatus for carrying out the invention of the above-mentioned CVD method, which comprises a light emitting chamber to which an exhaust device is connected, a CVD reaction chamber to which an exhaust device is connected, and the light emitting chamber. A passage for communicating the inside with the inside of the CVD reaction chamber and a conductance adjusting device provided in the middle of this passage are provided. In this device, the luminous chamber and C
The VD reaction chambers can be exhausted by separate exhaust devices, and the conductance adjusting device can maintain a predetermined pressure difference between the inside of the light emitting chamber and the inside of the CVD reaction chamber.
【００１４】[0014]
【実施例】図１は、本発明のＣＶＤ装置の一実施例の正
面断面図である。この装置は、ＴｉＮ薄膜を作製するた
めの光アシストＣＶＤ装置に本発明を適用したものであ
る。光アシストＣＶＤ装置では、反応ガスの反応過程に
必要なエネルギーの一部が基板からの熱によって供給さ
れ、必要なエネルギ−の残りの部分が光源からの光によ
って供給される。したがって、熱ＣＶＤ装置に比べて基
板温度を比較的低くすることができる。1 is a front sectional view of an embodiment of a CVD apparatus of the present invention. This apparatus is one in which the present invention is applied to a photo-assisted CVD apparatus for producing a TiN thin film. In the photo-assisted CVD apparatus, part of the energy required for the reaction process of the reaction gas is supplied by the heat from the substrate, and the remaining part of the required energy is supplied by the light from the light source. Therefore, the substrate temperature can be made relatively low as compared with the thermal CVD apparatus.
【００１５】図１において、このＣＶＤ装置は、ＣＶＤ
反応室１０と発光室１２とに大きく分けられる。ＣＶＤ
反応室１０には、反応ガスであるＴｉＣｌ4ガス１４と
ＮＨ3ガス１６とが、それぞれ、導管１８、２０と、ガ
ス吹き出し部２２、２４とを通って導入される。また、
不活性ガス２６を導入するための導入管２８もＣＶＤ反
応室１０に設置されている。この不活性ガス２６は、反
応ガスを増やさずにＣＶＤ反応室１０内の圧力を発光室
１２内の圧力よりも高く保つために利用するものであ
る。基板３０は二つのガス吹き出し部２２、２４の先端
延長上に設置されている。基板３０は、図示しない基板
加熱装置によって３００℃程度にまで加熱される。ＣＶ
Ｄ反応室１０は調整バルブ３２を介して真空ポンプ３４
によって排気され、ＣＶＤ反応室１０内の圧力は真空計
３６によって測定される。真空計３６をモニタ−しなが
ら調整バルブ３２を調整することによりＣＶＤ反応室１
０内の圧力を一定（成膜中は１００〜１０００ｍＴｏｒ
ｒ）に保つことができる。In FIG. 1, the CVD apparatus is a CVD
It is roughly divided into a reaction chamber 10 and a light emitting chamber 12. CVD
A TiCl 4 gas 14 and a NH 3 gas 16 which are reaction gases are introduced into the reaction chamber 10 through conduits 18 and 20 and gas blowing portions 22 and 24, respectively. Also,
An introduction pipe 28 for introducing the inert gas 26 is also installed in the CVD reaction chamber 10. The inert gas 26 is used to keep the pressure in the CVD reaction chamber 10 higher than the pressure in the light emitting chamber 12 without increasing the reaction gas. The substrate 30 is installed on the extension of the tips of the two gas blowing portions 22 and 24. The substrate 30 is heated to about 300 ° C. by a substrate heating device (not shown). CV
The D reaction chamber 10 has a vacuum pump 34 through the adjusting valve 32.
The pressure inside the CVD reaction chamber 10 is measured by the vacuum gauge 36. By adjusting the adjusting valve 32 while monitoring the vacuum gauge 36, the CVD reaction chamber 1
The pressure inside 0 is constant (100 to 1000 mTorr during film formation)
r) can be maintained.
【００１６】一方、発光室１２には放電発光用電極３
８、４０が設置してあり、電極３８は発光室１２の外部
にある電源４２に接続し、電極４０は接地してある。発
光室１２の内部には導管４４により放電用の水銀蒸気４
６が導入される。発光室１２は調整バルブ４８を介して
真空ポンプ５０によって排気され、発光室１２内の圧力
は真空計５２によって測定される。真空計５２をモニタ
−しながら調整バルブ４８を調整することにより発光室
１２内の圧力を一定（放電中は１０〜１００ｍＴｏｒ
ｒ）に保つことができる。この発光室１２では紫外線領
域の光を得ることができる。具体的には、この水銀放電
発光装置では、３１３、３６５、４０５、４３６、５４
６、５７７ｎｍの波長に発光強度のピークがあり、これ
らのピークのうち短波長側のピークがＴｉＣｌ4ガスの
分解に最も寄与している。On the other hand, in the light emitting chamber 12, a discharge light emitting electrode 3 is provided.
8 and 40 are installed, the electrode 38 is connected to a power source 42 outside the light emitting chamber 12, and the electrode 40 is grounded. A mercury vapor 4 for discharge is provided inside the light emitting chamber 12 by a conduit 44.
6 is introduced. The light emitting chamber 12 is evacuated by a vacuum pump 50 via a regulating valve 48, and the pressure inside the light emitting chamber 12 is measured by a vacuum gauge 52. By adjusting the adjusting valve 48 while monitoring the vacuum gauge 52, the pressure in the light emitting chamber 12 is kept constant (10 to 100 mTorr during discharging).
r) can be maintained. In the light emitting chamber 12, light in the ultraviolet range can be obtained. Specifically, in this mercury discharge light emitting device, 313, 365, 405, 436, 54
There are emission intensity peaks at wavelengths of 6 and 577 nm, and among these peaks, the peak on the short wavelength side contributes most to the decomposition of TiCl 4 gas.
【００１７】ＣＶＤ反応室１０と発光室１２は導管５４
で接続され、導管５４の内部はＣＶＤ反応室１０と発光
室１２とを連通する通路になっている。導管５４の途中
にはコンダクタンスの調整可能な調整バルブ５６が設け
られている。この調整バルブ５６は、成膜時には開いて
おくものであって、そのときの開口径は約１ｃｍであ
る。この程度の開口径があれば、ＴｉＣｌ4ガスの分解
を助けるのに十分な量の光が、発光室１２からＣＶＤ反
応室１０に通過することができる。A conduit 54 is provided between the CVD reaction chamber 10 and the light emitting chamber 12.
The inside of the conduit 54 serves as a passage that connects the CVD reaction chamber 10 and the light emitting chamber 12 with each other. An adjusting valve 56 whose conductance can be adjusted is provided in the conduit 54. The adjusting valve 56 is opened during film formation, and the opening diameter at that time is about 1 cm. With such an opening diameter, a sufficient amount of light to assist the decomposition of TiCl 4 gas can pass from the light emitting chamber 12 to the CVD reaction chamber 10.
【００１８】次に、このＣＶＤ装置を用いてＴｉＮ薄膜
を作製する方法の一例を説明する。ＣＶＤ反応室１０に
は、ＴｉＣｌ4ガス１４を約１０ｓｃｃｍの流量で、Ｎ
Ｈ3ガス１６を約３００ｓｃｃｍの流量で導入する。ま
た、不活性ガス２６として窒素ガスを約３００ｓｃｃｍ
の流量で導入する。基板３０の温度は約３００℃にす
る。発光室１２には水銀蒸気４６を約１０ｓｃｃｍの流
量で導入する。そして、導管５４の途中のコンダクタン
ス調整バルブ５６を開いて、ＣＶＤ反応室１０内の圧力
が約１００ｍＴｏｒｒになるように、また、発光室１２
内の圧力が約１０ｍＴｏｒｒになるように、コンダクタ
ンス調整バルブ５６と二つの排気系調整バルブ３２、４
８とを調整する。発光室１２の電極３８、４０の間で放
電を起こして光を発生させる。この光５８は、コンダク
タンス調整バルブ５６の開口部を通過して、基板３０の
上方に達する。基板３０の上方ではＴｉＣｌ4とＮＨ3が
反応して、基板３０上にＴｉＮ薄膜が形成される。この
ＣＶＤ反応に必要なエネルギ−は、光５８と、加熱され
た基板３０の熱とによって供給される。Next, an example of a method for producing a TiN thin film using this CVD apparatus will be described. In the CVD reaction chamber 10, TiCl 4 gas 14 was introduced at a flow rate of about 10 sccm and N 2 gas.
The H 3 gas 16 is introduced at a flow rate of about 300 sccm. Also, as the inert gas 26, nitrogen gas is about 300 sccm.
It is introduced at the flow rate of. The temperature of the substrate 30 is about 300 ° C. Mercury vapor 46 is introduced into the light emitting chamber 12 at a flow rate of about 10 sccm. Then, the conductance adjusting valve 56 in the middle of the conduit 54 is opened so that the pressure in the CVD reaction chamber 10 becomes about 100 mTorr and the light emitting chamber 12
The conductance adjusting valve 56 and the two exhaust system adjusting valves 32, 4 are adjusted so that the internal pressure becomes about 10 mTorr.
Adjust 8 and. A discharge is generated between the electrodes 38 and 40 of the light emitting chamber 12 to generate light. The light 58 passes through the opening of the conductance adjusting valve 56 and reaches above the substrate 30. Above the substrate 30, TiCl 4 and NH 3 react to form a TiN thin film on the substrate 30. The energy required for this CVD reaction is provided by the light 58 and the heat of the heated substrate 30.
【００１９】以上のように、発光室１２で発生した紫外
線が、空気や窓を通過することなく、直接基板３０の近
傍に照射されるので、紫外線の減衰や吸収がなくなり、
紫外線を有効に利用することができる。また、ＣＶＤ反
応室１０の圧力が発光室１２の圧力よりも高く保たれて
いるので、ＣＶＤ反応室１０と発光室１２が連通してい
ても、人体に有害でかつＴｉＮ薄膜にとっても不純物で
ある水銀蒸気が、発光室１２からＣＶＤ発光室１０に流
入するのを防ぐことができる。As described above, since the ultraviolet rays generated in the light emitting chamber 12 are directly applied to the vicinity of the substrate 30 without passing through the air or the window, the ultraviolet rays are not attenuated or absorbed.
UV rays can be effectively used. Further, since the pressure in the CVD reaction chamber 10 is kept higher than the pressure in the light emitting chamber 12, even if the CVD reaction chamber 10 and the light emitting chamber 12 communicate with each other, they are harmful to the human body and are impurities for the TiN thin film. It is possible to prevent mercury vapor from flowing into the CVD light emitting chamber 10 from the light emitting chamber 12.
【００２０】本実施例で使用した放電発光装置は、水銀
蒸気を利用しているが、その他の蒸気を利用することも
できる。例えば、重水素の放電発光を用いると、水銀放
電発光よりもＴｉＣｌ4 ガスの分解が促進される。ただ
し、取り扱いの容易性の観点から本実施例では水銀放電
発光を利用している。なお、ＴｉＣｌ4ガスの分解に最
も適切な波長は１９３ｎｍであるとされている。The discharge light emitting device used in this embodiment uses mercury vapor, but other vapors can be used. For example, when the discharge emission of deuterium is used, the decomposition of TiCl4 gas is promoted more than that of the mercury discharge emission. However, from the viewpoint of easy handling, mercury discharge light emission is used in this embodiment. The most suitable wavelength for the decomposition of TiCl 4 gas is 193 nm.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明は、発光室の内部とＣＶＤ反応室
の内部とを連通することによって、発光室で発生した光
を、空気や窓に吸収されることなくＣＶＤ反応室内に導
入することができる。これにより、光を効率良く利用で
きる。また、ＣＶＤ反応室内部の圧力を発光室内部の圧
力よりも高くしてあるので、発光室内部の放電用のガス
がＣＶＤ反応室に流入するのを防ぐことができる。これ
により、放電用ガスが薄膜形成に影響を及ぼすことがな
くなる。According to the present invention, the light generated in the light emitting chamber is introduced into the CVD reaction chamber without being absorbed by the air or the window by connecting the inside of the light emitting chamber with the inside of the CVD reaction chamber. You can Thereby, the light can be used efficiently. Further, since the pressure inside the CVD reaction chamber is set higher than the pressure inside the light emission chamber, it is possible to prevent the discharge gas inside the light emission chamber from flowing into the CVD reaction chamber. This prevents the discharge gas from affecting the thin film formation.
【図１】本発明のＣＶＤ装置の一実施例の正面断面図で
ある。FIG. 1 is a front sectional view of an embodiment of a CVD apparatus of the present invention.
１０…ＣＶＤ反応室 １２…発光室 １４…ＴｉＣｌ4 １６…ＮＨ3 ２６…不活性ガス ３０…基板 ３４、５０…真空ポンプ ４６…水銀蒸気 ５４…導管 ５６…コンダクタンス調整バルブ ５８…光10 ... CVD reaction chamber 12 ... Light emitting chamber 14 ... TiCl 4 16 ... NH 3 26 ... Inert gas 30 ... Substrate 34, 50 ... Vacuum pump 46 ... Mercury vapor 54 ... Conduit 56 ... Conductance adjusting valve 58 ... Light
Claims (5)
連通して、ＣＶＤ反応室に反応ガスを導入し、ＣＶＤ反
応室内部の圧力を発光室内部の圧力よりも高くした状態
で、発光室の内部で発する光をＣＶＤ反応室の内部に導
いて、ＣＶＤ反応室内の基板上に膜を堆積することを特
徴とするＣＶＤ方法。1. A state in which a reaction gas is introduced into the CVD reaction chamber by communicating the inside of the light emission chamber with the inside of the CVD reaction chamber and the pressure inside the CVD reaction chamber is made higher than the pressure inside the light emission chamber, A CVD method, characterized in that light emitted inside a light emitting chamber is guided to the inside of a CVD reaction chamber to deposit a film on a substrate inside the CVD reaction chamber.
圧力調整用ガスを導入することを特徴とする請求項１記
載のＣＶＤ方法。2. The CVD method according to claim 1, wherein a pressure adjusting gas is introduced into the CVD reaction chamber separately from the reaction gas.
ことを特徴とする請求項２記載のＣＶＤ方法。3. The CVD method according to claim 2, wherein the pressure adjusting gas is an inert gas.
物とを用いて、基板上にＴｉＮ薄膜を作製することを特
徴とする請求項１記載のＣＶＤ方法。4. The CVD method according to claim 1, wherein a TiN thin film is formed on the substrate by using a titanium compound and a nitrogen compound as a reaction gas.
を接続したＣＶＤ反応室と、前記発光室の内部と前記Ｃ
ＶＤ反応室の内部とを連通する通路と、この通路の途中
に設けたコンダクタンス調整装置とを備えることを特徴
とするＣＶＤ装置。5. A light emitting chamber connected to an exhaust device, a CVD reaction chamber connected to an exhaust device, the inside of the light emitting chamber and the C
A CVD apparatus comprising: a passage communicating with the inside of a VD reaction chamber; and a conductance adjusting device provided in the passage.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18742292A JPH062148A (en) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | Cvd method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18742292A JPH062148A (en) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | Cvd method and apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062148A true JPH062148A (en) | 1994-01-11 |
Family
ID=16205776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18742292A Pending JPH062148A (en) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | Cvd method and apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062148A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004218053A (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | Thin film deposition method, and thin film deposition system |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP18742292A patent/JPH062148A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004218053A (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | Thin film deposition method, and thin film deposition system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7897215B1 (en) | Sequential UV induced chemical vapor deposition | |
| JP3135198B2 (en) | Method of depositing silicon oxynitride film by plasma enhanced CVD | |
| US6821572B2 (en) | Method of cleaning a chemical vapor deposition chamber | |
| US6150265A (en) | Apparatus for forming materials | |
| US20030186517A1 (en) | Method of and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| US4588610A (en) | Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film | |
| JPS61127121A (en) | Formation of thin film | |
| JPH1187341A (en) | Film formation and film-forming apparatus | |
| US6335277B2 (en) | Method for forming metal nitride film | |
| JP2752235B2 (en) | Semiconductor substrate manufacturing method | |
| JPH062148A (en) | Cvd method and apparatus | |
| JP3138892B2 (en) | Method and apparatus for forming thin film | |
| JPH0963963A (en) | Semiconductor substrate treating device and treatment of semiconductor substrate | |
| JP2723053B2 (en) | Method and apparatus for forming thin film | |
| JPH05148653A (en) | Formation of thin tin film | |
| JPS63317675A (en) | Plasma vapor growth device | |
| JPS6188527A (en) | Semiconductor processing apparatus | |
| JP2007128924A (en) | Method for nitriding film, film-forming substrate and nitriding equipment | |
| JPS6052579A (en) | Optical nitride film forming device | |
| JPS6118125A (en) | Thin film forming apparatus | |
| JP3184042B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH06158327A (en) | Thin film depositing method | |
| JPH04333223A (en) | Film forming method and device thereof | |
| JPH0978245A (en) | Formation of thin film | |
| JPH0294430A (en) | Photo-assisted cvd apparatus |