JPH06214202A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH06214202A JPH06214202A JP442393A JP442393A JPH06214202A JP H06214202 A JPH06214202 A JP H06214202A JP 442393 A JP442393 A JP 442393A JP 442393 A JP442393 A JP 442393A JP H06214202 A JPH06214202 A JP H06214202A
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- vacuum
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- vacuum container
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶セルへの液晶組成物の注入方法に関し、
液晶組成物の組成ずれを無くすることを目的とする。 【構成】 液晶組成物を入れた真空容器の中に液晶セル
を位置決めし、排気系により真空容器内を排気する工程
と、流量調節計とバルブを介して真空容器に接続してい
る単数または複数の補助容器中に液晶組成物を構成する
低沸点成分を入れ、補助容器を加熱して所定の流量で低
沸点成分を真空容器中に供給する工程と、真空容器中の
真空度が所定の真空度に達した状態で液晶セルを液晶組
成物中に浸漬する工程と、補助容器から真空容器に繋が
るバルブを締めると共に、真空容器から排気系に繋がる
バルブを切り換えて真空容器中に乾燥した不活性ガスを
導入する工程と、液晶セルを真空容器中の液晶組成物か
ら取り出す工程とからなることを特徴として液晶表示素
子の製造方法を構成する。
液晶組成物の組成ずれを無くすることを目的とする。 【構成】 液晶組成物を入れた真空容器の中に液晶セル
を位置決めし、排気系により真空容器内を排気する工程
と、流量調節計とバルブを介して真空容器に接続してい
る単数または複数の補助容器中に液晶組成物を構成する
低沸点成分を入れ、補助容器を加熱して所定の流量で低
沸点成分を真空容器中に供給する工程と、真空容器中の
真空度が所定の真空度に達した状態で液晶セルを液晶組
成物中に浸漬する工程と、補助容器から真空容器に繋が
るバルブを締めると共に、真空容器から排気系に繋がる
バルブを切り換えて真空容器中に乾燥した不活性ガスを
導入する工程と、液晶セルを真空容器中の液晶組成物か
ら取り出す工程とからなることを特徴として液晶表示素
子の製造方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶セルへの液晶組成物
の注入方法に関する。ディスプレイ・デバイスにはＣＲ
Ｔ（陰極線管），液晶表示デバイス（ＬＣＤ），プラズ
マ表示（ＰＤ）デバイス，エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）デバイスなどがあるが、色表示，明るさ，コン
トラストなどの点から比較してＬＣＤはＣＣＲＴ（カラ
ー陰極線管）と共に優れたデバイスである。
の注入方法に関する。ディスプレイ・デバイスにはＣＲ
Ｔ（陰極線管），液晶表示デバイス（ＬＣＤ），プラズ
マ表示（ＰＤ）デバイス，エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）デバイスなどがあるが、色表示，明るさ，コン
トラストなどの点から比較してＬＣＤはＣＣＲＴ（カラ
ー陰極線管）と共に優れたデバイスである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤには単純マトリックス方式をとる
もの（ＳＭ−ＬＣＤ）とアクティブマトリックス方式を
とるもの（ＡＭ−ＬＣＤ）があり、用途により使い分け
されているが、ＡＭ−ＬＣＤは薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）をそれぞれの画素に備えており、特定の画素を選択
するときに、そのトランジスタをＯＮさせ、それ以外は
ＯＦＦにしておくことができることから、走査線の数が
多くてもクロストークを抑制することができ、高いコン
トラスト比を得ることができ、そのため、大型表示に適
している。
もの（ＳＭ−ＬＣＤ）とアクティブマトリックス方式を
とるもの（ＡＭ−ＬＣＤ）があり、用途により使い分け
されているが、ＡＭ−ＬＣＤは薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）をそれぞれの画素に備えており、特定の画素を選択
するときに、そのトランジスタをＯＮさせ、それ以外は
ＯＦＦにしておくことができることから、走査線の数が
多くてもクロストークを抑制することができ、高いコン
トラスト比を得ることができ、そのため、大型表示に適
している。
【０００３】この構成を簡単に説明すると、次ぎのよう
になる。すなわち、ＬＣＤを構成する液晶セルは硼硅酸
ガラスなどよりなる一方の透明基板の上に薄膜形成技術
と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を用いて多数の
ゲートバスラインとドレインバスラインとが絶縁層を介
してぞれぞれ直交して設けられており、その各交点にＴ
ＦＴが設けられている。
になる。すなわち、ＬＣＤを構成する液晶セルは硼硅酸
ガラスなどよりなる一方の透明基板の上に薄膜形成技術
と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を用いて多数の
ゲートバスラインとドレインバスラインとが絶縁層を介
してぞれぞれ直交して設けられており、その各交点にＴ
ＦＴが設けられている。
【０００４】こゝで、ＴＦＴのゲート電極はゲートバス
ラインから突出してパターン形成されており、またドレ
イン電極はドレインバスラインから突出してパターン形
成されている。
ラインから突出してパターン形成されており、またドレ
イン電極はドレインバスラインから突出してパターン形
成されている。
【０００５】また、ＴＦＴのそれぞれのソース電極に接
続して酸化錫（SnO2) と酸化インジウム(InO2)の固溶体
( 略称ＩＴＯ）の薄膜よりなる画素電極がパターン形成
されている。
続して酸化錫（SnO2) と酸化インジウム(InO2)の固溶体
( 略称ＩＴＯ）の薄膜よりなる画素電極がパターン形成
されている。
【０００６】また、他方の透明基板の上には各画素電極
に対向してＩＴＯよりなる共通電極がパターン形成され
ており、この二枚の透明基板は厚さが数μm のスペーサ
を介して対向しており、液晶の注入口を除きシール材で
シールしてある。
に対向してＩＴＯよりなる共通電極がパターン形成され
ており、この二枚の透明基板は厚さが数μm のスペーサ
を介して対向しており、液晶の注入口を除きシール材で
シールしてある。
【０００７】こゝで、大型の液晶セルについては基板の
大きさが例えば約300 ×300mm と大きいことから、この
ような微細間隙に気泡を残すことなく液晶組成物を充填
することは容易ではない。
大きさが例えば約300 ×300mm と大きいことから、この
ような微細間隙に気泡を残すことなく液晶組成物を充填
することは容易ではない。
【０００８】そこで、従来は液晶組成物の真空含浸法が
用いられている。すなわち、図３は従来の真空含浸装置
の構成を示す正面図であって、真空含浸装置１の中に設
けてある容器に液晶組成物２を入れ、所定の温度に加熱
しておく、一方、液晶セル３は装置内の上部に保持して
おき、真空ポンプを用いて装置内を減圧吸引し、約10-3
Torr の所定の真空度に達した状態で液晶セル３を液晶
組成物２の中に浸漬して後、排気系を遮断し、装置内に
乾燥した不活性ガスを導入して大気圧に戻すことにより
真空含浸が行なわれている。
用いられている。すなわち、図３は従来の真空含浸装置
の構成を示す正面図であって、真空含浸装置１の中に設
けてある容器に液晶組成物２を入れ、所定の温度に加熱
しておく、一方、液晶セル３は装置内の上部に保持して
おき、真空ポンプを用いて装置内を減圧吸引し、約10-3
Torr の所定の真空度に達した状態で液晶セル３を液晶
組成物２の中に浸漬して後、排気系を遮断し、装置内に
乾燥した不活性ガスを導入して大気圧に戻すことにより
真空含浸が行なわれている。
【０００９】こゝで、液晶セル３が大型化するに従って
真空含浸時間を延ばす必要があるが、液晶組成物２は相
転移温度（ＴNI) の異なる各種の液晶の混合物であるこ
とから真空含浸装置１の中にある液晶組成物２の低沸点
成分が次第に蒸発して組成比が変化し、そのため、ロッ
トにより表示特性が変化し、また表示むらが発生し易
い。
真空含浸時間を延ばす必要があるが、液晶組成物２は相
転移温度（ＴNI) の異なる各種の液晶の混合物であるこ
とから真空含浸装置１の中にある液晶組成物２の低沸点
成分が次第に蒸発して組成比が変化し、そのため、ロッ
トにより表示特性が変化し、また表示むらが発生し易
い。
【００１０】そこで、この対策として、真空含浸装置１
の中に液晶組成物を構成する低沸点成分を置き、これよ
り蒸発する低沸点分子により液晶組成物２を構成する低
沸点成分の蒸発を防ぐ方法も採られている。
の中に液晶組成物を構成する低沸点成分を置き、これよ
り蒸発する低沸点分子により液晶組成物２を構成する低
沸点成分の蒸発を防ぐ方法も採られている。
【００１１】然し、この程度では液晶組成物２の組成の
ずれを防ぐことは困難である。
ずれを防ぐことは困難である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】液晶セルへの液晶組成
物の充填は真空含浸法により行なわれているが、液晶組
成物は各種の液晶成分から構成されているために、組成
比が減圧時間に比例して変化すると云う問題があり、Ｌ
ＣＤの信頼性保持のため解決が必要であった。
物の充填は真空含浸法により行なわれているが、液晶組
成物は各種の液晶成分から構成されているために、組成
比が減圧時間に比例して変化すると云う問題があり、Ｌ
ＣＤの信頼性保持のため解決が必要であった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題は液晶組成物
を入れた真空容器の中に液晶セルを位置決めし、排気系
により真空容器内を排気する工程と、流量計とバルブを
介して真空容器に接続している単数または複数の補助容
器中に液晶組成物を構成する低沸点成分を入れ、補助容
器を加熱して所定の流量で低沸点成分を真空容器中に供
給する工程と、真空容器中の真空度が所定の真空度に達
した状態で液晶セルを液晶組成物中に浸漬する工程と、
補助容器から真空容器に繋がるバルブを締めると共に、
真空容器から排気系に繋がるバルブを切り換えて真空容
器中に乾燥した不活性ガスを導入する工程と、液晶セル
を真空容器中の液晶組成物から取り出す工程とからなる
ことを特徴として液晶表示素子の製造方法を構成するこ
とにより解決することができる。
を入れた真空容器の中に液晶セルを位置決めし、排気系
により真空容器内を排気する工程と、流量計とバルブを
介して真空容器に接続している単数または複数の補助容
器中に液晶組成物を構成する低沸点成分を入れ、補助容
器を加熱して所定の流量で低沸点成分を真空容器中に供
給する工程と、真空容器中の真空度が所定の真空度に達
した状態で液晶セルを液晶組成物中に浸漬する工程と、
補助容器から真空容器に繋がるバルブを締めると共に、
真空容器から排気系に繋がるバルブを切り換えて真空容
器中に乾燥した不活性ガスを導入する工程と、液晶セル
を真空容器中の液晶組成物から取り出す工程とからなる
ことを特徴として液晶表示素子の製造方法を構成するこ
とにより解決することができる。
【００１４】
【作用】ＡＭ−ＬＣＤを形成する液晶組成物としてネマ
ティック液晶が使用されているが、表示特性を向上する
ために複数の成分を混合した液晶組成物が用いられてい
る。
ティック液晶が使用されているが、表示特性を向上する
ために複数の成分を混合した液晶組成物が用いられてい
る。
【００１５】発明者等は減圧による特性の変化を明らか
にするために液晶組成物を真空含浸装置の中にいれて室
温に保持し、真空ポンプを用いて５×10-3 Torr の真空
度に保持し、その組成比のずれによる相転移温度
（ＴNI) の変化と液晶組成物を構成する最も低沸点成分
の含有率の変化を測定した。
にするために液晶組成物を真空含浸装置の中にいれて室
温に保持し、真空ポンプを用いて５×10-3 Torr の真空
度に保持し、その組成比のずれによる相転移温度
（ＴNI) の変化と液晶組成物を構成する最も低沸点成分
の含有率の変化を測定した。
【００１６】図４はこの結果を示すもので、使用した液
晶組成物は11種類のネマティック液晶の混合物であり、
図中に構造式を示す弗素系液晶は組成物の中で最も相転
移温度の低い液晶である。
晶組成物は11種類のネマティック液晶の混合物であり、
図中に構造式を示す弗素系液晶は組成物の中で最も相転
移温度の低い液晶である。
【００１７】そこで、真空排気時間に対する液晶組成物
の相転移温度（ＴNI) の変化と、この低沸点液晶に着目
して蒸発による含有率のずれを測定した。その結果、同
図に示すように液晶組成物の相転移温度（ＴNI) は20時
間に亙る真空吸引処理により92℃より100 ℃に上昇する
と共に、低沸点液晶の組成比は13％より９％にまで減少
した。
の相転移温度（ＴNI) の変化と、この低沸点液晶に着目
して蒸発による含有率のずれを測定した。その結果、同
図に示すように液晶組成物の相転移温度（ＴNI) は20時
間に亙る真空吸引処理により92℃より100 ℃に上昇する
と共に、低沸点液晶の組成比は13％より９％にまで減少
した。
【００１８】このことは現在大型の液晶セルについては
数時間をかけて真空含浸を行なっていることから、ＬＣ
Ｄの信頼性を向上するためには組成ずれを防ぐ処理が必
要なことが判る。
数時間をかけて真空含浸を行なっていることから、ＬＣ
Ｄの信頼性を向上するためには組成ずれを防ぐ処理が必
要なことが判る。
【００１９】そこで、本発明は低沸点成分の蒸発による
消耗を無くする方法として積極的に低沸点液晶の蒸気を
供給し、真空含浸装置内をこの蒸気で満たすことによ
り、液晶組成物の蒸気を構成する低沸点液晶成分の分圧
を上げ、これにより低沸点液晶の蒸発を抑制するもので
ある。
消耗を無くする方法として積極的に低沸点液晶の蒸気を
供給し、真空含浸装置内をこの蒸気で満たすことによ
り、液晶組成物の蒸気を構成する低沸点液晶成分の分圧
を上げ、これにより低沸点液晶の蒸発を抑制するもので
ある。
【００２０】図１は本発明に係る真空含浸装置の構成を
示す正面図であり、従来と異なる所は、従来の真空容器
４に隣接して複数の補助容器（この図では第１の補助容
器６と第２の補助容器７）を設け、それぞれ流量調節計
（マスフローコントローラ）８，９を介して真空容器４
と連結する。
示す正面図であり、従来と異なる所は、従来の真空容器
４に隣接して複数の補助容器（この図では第１の補助容
器６と第２の補助容器７）を設け、それぞれ流量調節計
（マスフローコントローラ）８，９を介して真空容器４
と連結する。
【００２１】なお、補助容器の試料台（この図では第１
の試料台10と第２の試料台11) には加熱用のヒータを内
蔵しており、補助容器内の低沸点液晶12,13 を加熱でき
るよう構成する。
の試料台10と第２の試料台11) には加熱用のヒータを内
蔵しており、補助容器内の低沸点液晶12,13 を加熱でき
るよう構成する。
【００２２】そして、従来は真空容器４の中にある液晶
組成物を所定の温度に保ちながら真空容器４の中を真空
排気し、所定の真空度に達した後、液晶セル３を液晶組
成物２の中に浸漬して含浸を行なっていたのに対し、本
発明は補助容器（この図では第１の補助容器６と第２の
補助容器７）に低沸点液晶12,13 を入れ、これを加熱し
て分圧比に対応する少量づつの液晶蒸気を真空容器４の
中に供給しながら排気系により真空排気を行なうもので
ある。
組成物を所定の温度に保ちながら真空容器４の中を真空
排気し、所定の真空度に達した後、液晶セル３を液晶組
成物２の中に浸漬して含浸を行なっていたのに対し、本
発明は補助容器（この図では第１の補助容器６と第２の
補助容器７）に低沸点液晶12,13 を入れ、これを加熱し
て分圧比に対応する少量づつの液晶蒸気を真空容器４の
中に供給しながら排気系により真空排気を行なうもので
ある。
【００２３】このようにすると、真空容器４内における
液晶組成物の分圧の内、低沸点液晶成分の分圧は組成比
以上となっているので、蒸発が抑制されており、そのた
め、液晶組成物の組成比がずれることなく真空含浸を行
なうことができる。
液晶組成物の分圧の内、低沸点液晶成分の分圧は組成比
以上となっているので、蒸発が抑制されており、そのた
め、液晶組成物の組成比がずれることなく真空含浸を行
なうことができる。
【００２４】こゝで、現在使用されている液晶組成物は
10種程度の液晶からなっているのが一般であり、そのた
め液晶組成物の組成比を一定に保つには複数の補助容器
を設けるとよい。
10種程度の液晶からなっているのが一般であり、そのた
め液晶組成物の組成比を一定に保つには複数の補助容器
を設けるとよい。
【００２５】
実施例１：使用した液晶組成物は11種類のネマティック
液晶の混合物であり、この組成物の粘度は20℃において
19.9cP（センチポイズ）であり、相転移温度（ＴNI）は
92℃である。
液晶の混合物であり、この組成物の粘度は20℃において
19.9cP（センチポイズ）であり、相転移温度（ＴNI）は
92℃である。
【００２６】この組成物について本発明に係る含浸法の
効果を調べた。こゝで、この組成物を構成する液晶のう
ち、最も低分子量であり、蒸気圧の高い低沸点の成分の
液晶は一般式（１）で表わされる弗素系の液晶である。
効果を調べた。こゝで、この組成物を構成する液晶のう
ち、最も低分子量であり、蒸気圧の高い低沸点の成分の
液晶は一般式（１）で表わされる弗素系の液晶である。
【００２７】また、この次に蒸気圧の高い低沸点の成分
の液晶は一般式（２）で表わされる液晶で、これが少量
添加してある。
の液晶は一般式（２）で表わされる液晶で、これが少量
添加してある。
【００２８】
【化１】 こゝでは図１に示す装置で第１の補助容器のみを用い、
一般式（１）で表す弗素系の液晶を用いて本発明の効果
を調査した。
一般式（１）で表す弗素系の液晶を用いて本発明の効果
を調査した。
【００２９】まず、液晶組成物２を１ｇづつ秤量して真
空容器４の中に入れ、また、一般式（１）で示される液
晶を第１の補助容器６にいれ、排気系を動作さすと共に
真空容器のバルブと第１の補助容器６と真空容器４を結
ぶバルブ15を開き、真空容器４の真空度を５×10-3 Tor
r に保って充分に排気した後、液晶組成物２を40℃に加
熱すると共に第１の補助容器６の中の低沸点液晶12を12
0 ℃に加熱した後にバルブ15を閉じ流量調節計８を通じ
て20cc／分の流量で低沸点液晶蒸気を真空容器４に供給
しながら排気を行い、真空吸引時間に対する相転移温度
（ＴNI) の変化と一般式（１）で示される低沸点液晶の
含有率の変化を測定した。
空容器４の中に入れ、また、一般式（１）で示される液
晶を第１の補助容器６にいれ、排気系を動作さすと共に
真空容器のバルブと第１の補助容器６と真空容器４を結
ぶバルブ15を開き、真空容器４の真空度を５×10-3 Tor
r に保って充分に排気した後、液晶組成物２を40℃に加
熱すると共に第１の補助容器６の中の低沸点液晶12を12
0 ℃に加熱した後にバルブ15を閉じ流量調節計８を通じ
て20cc／分の流量で低沸点液晶蒸気を真空容器４に供給
しながら排気を行い、真空吸引時間に対する相転移温度
（ＴNI) の変化と一般式（１）で示される低沸点液晶の
含有率の変化を測定した。
【００３０】図２はこの結果であって、液晶組成物の相
転移温度（ＴNI) は92℃と変わらず、また、含有率も13
％と変化は無かった。 実施例２：液晶セルとしてガラス基板の大きさが300 ×
300mm で、640 ×480 素子からなるものを用いた。
転移温度（ＴNI) は92℃と変わらず、また、含有率も13
％と変化は無かった。 実施例２：液晶セルとしてガラス基板の大きさが300 ×
300mm で、640 ×480 素子からなるものを用いた。
【００３１】この液晶セルを構成する二枚のガラス基板
の間隙は５μm であり、この中にネマティック液晶組成
物を真空含浸する。先ず、図１に示す真空容器４の中に
実施例１と同じ液晶組成物を入れると共に容器内に液晶
セルをセットした。
の間隙は５μm であり、この中にネマティック液晶組成
物を真空含浸する。先ず、図１に示す真空容器４の中に
実施例１と同じ液晶組成物を入れると共に容器内に液晶
セルをセットした。
【００３２】次に、第１の補助容器６の中に一般式
（１）に示す液晶を入れ、排気系を動作させると共にに
真空容器４の弁バルブと第１の補助容器６と真空容器４
を結ぶバルブ15を開き、真空容器４の真空度を５×10-3
Torr に保って１時間に亙って排気した。
（１）に示す液晶を入れ、排気系を動作させると共にに
真空容器４の弁バルブと第１の補助容器６と真空容器４
を結ぶバルブ15を開き、真空容器４の真空度を５×10-3
Torr に保って１時間に亙って排気した。
【００３３】次に、液晶組成物２を40℃に加熱すると共
に第１の補助容器６の中の低沸点液晶12を120 ℃に加熱
した後にバルブ15を閉じ流量調節計８を通じて20cc／分
の流量で低沸点液晶の蒸気を真空容器４に供給しながら
排気を行なった結果、真空度は２×10-2 Torr で安定化
した。
に第１の補助容器６の中の低沸点液晶12を120 ℃に加熱
した後にバルブ15を閉じ流量調節計８を通じて20cc／分
の流量で低沸点液晶の蒸気を真空容器４に供給しながら
排気を行なった結果、真空度は２×10-2 Torr で安定化
した。
【００３４】この状態で、液晶セル３を液晶組成物２の
中に浸漬し、排気系の弁バルブを閉じた後、乾燥窒素
（Ｎ2)をリークバルブより導入して真空含浸を行なっ
た。このような含浸法を用いることにより多数の液晶セ
ルの含浸において液晶組成物を組成ずれなく含浸するこ
とが可能となった。
中に浸漬し、排気系の弁バルブを閉じた後、乾燥窒素
（Ｎ2)をリークバルブより導入して真空含浸を行なっ
た。このような含浸法を用いることにより多数の液晶セ
ルの含浸において液晶組成物を組成ずれなく含浸するこ
とが可能となった。
【００３５】
【発明の効果】本発明の実施により表示品質の一定した
液晶表示素子を得ることができる。
液晶表示素子を得ることができる。
【図１】本発明に係る真空含浸装置の構成を示す正面図
である。
である。
【図２】本発明を適用した液晶組成物の経時変化特性図
である。
である。
【図３】従来の真空含浸装置の構成を示す正面図であ
る。
る。
【図４】従来の方法による液晶組成物の経時変化特性図
である。
である。
１，５ 真空含浸装置 ２ 液晶組成物 ３ 液晶セル ４ 真空容器 ６ 第１の補助容器 ７ 第２の補助容器 ８，９ 流量調節計 12,13 低沸点液晶
Claims (1)
- 【請求項１】 透明電極と駆動回路とがパターン形成し
てある二枚のガラス基板をスペーサを介して対向させて
封止してある液晶セルの空隙部に液晶組成物を注入する
工程が、液晶組成物を入れた真空容器の中に前記液晶セ
ルを位置決めし、排気系により該真空容器内を排気する
工程と、流量調節計とバルブを介し前記真空容器に接続
している単数または複数の補助容器中に前記液晶組成物
を構成する低沸点成分を入れ、該補助容器を加熱して所
定の流量で該低沸点成分を真空容器中に供給する工程
と、該真空容器中の真空度が所定の真空度に達した状態
で前記の液晶セルを前記液晶組成物中に浸漬する工程
と、前記の補助容器から真空容器に繋がるバルブを締め
ると共に、真空容器から排気系に繋がるバルブを切り換
えて真空容器中に乾燥した不活性ガスを導入する工程
と、前記液晶セルを真空容器中の液晶組成物から取り出
す工程と、からなることを特徴とする液晶表示素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP442393A JPH06214202A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP442393A JPH06214202A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06214202A true JPH06214202A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11583863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP442393A Withdrawn JPH06214202A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06214202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100259740B1 (ko) * | 1996-08-16 | 2000-06-15 | 가타오카 마사타카 | 액정 주입장치 |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP442393A patent/JPH06214202A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100259740B1 (ko) * | 1996-08-16 | 2000-06-15 | 가타오카 마사타카 | 액정 주입장치 |
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