JPH06208152A - 光第２高調波発生装置 - Google Patents
光第２高調波発生装置Info
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- JPH06208152A JPH06208152A JP214393A JP214393A JPH06208152A JP H06208152 A JPH06208152 A JP H06208152A JP 214393 A JP214393 A JP 214393A JP 214393 A JP214393 A JP 214393A JP H06208152 A JPH06208152 A JP H06208152A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レ−ザと表面ＳＨＧ素子とを用いた、
ＳＨＧ変換効率の高い光第２高調波発生装置を提供する
こと。 【構成】 ＬＤ２０およびリング共振器２２を具えてお
り、このリング共振器２２は、半透明鏡２４、表面ＳＨ
Ｇ素子２６、ダイクロイックプリズム２８および全反射
鏡３０を以ってを構成する。リング共振器２２は、半透
明鏡２４において、ＬＤ２０からの基本波をこのリング
共振器２２内へ入射させ、入射したこの基本波を、表面
ＳＨＧ素子２６の透明基板３２と薄膜３６との界面３８
において全反射させてＳＨ波を発生させ、このＳＨ波
を、ダイクロイックプリズム２８において、基本波から
分離してリング共振器２２外へ射出させる構成となって
いる。
ＳＨＧ変換効率の高い光第２高調波発生装置を提供する
こと。 【構成】 ＬＤ２０およびリング共振器２２を具えてお
り、このリング共振器２２は、半透明鏡２４、表面ＳＨ
Ｇ素子２６、ダイクロイックプリズム２８および全反射
鏡３０を以ってを構成する。リング共振器２２は、半透
明鏡２４において、ＬＤ２０からの基本波をこのリング
共振器２２内へ入射させ、入射したこの基本波を、表面
ＳＨＧ素子２６の透明基板３２と薄膜３６との界面３８
において全反射させてＳＨ波を発生させ、このＳＨ波
を、ダイクロイックプリズム２８において、基本波から
分離してリング共振器２２外へ射出させる構成となって
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レ−ザ（以
下、「ＬＤ」と略称することもある）を基本波光源とす
る光第２高調波発生（ＳＨＧ）装置に関する。
下、「ＬＤ」と略称することもある）を基本波光源とす
る光第２高調波発生（ＳＨＧ）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＤ等の基本波光源からの基本波
を波長が基本波の１／２の第２高調波（以下、「ＳＨ
波」と略称することもある）に変換して短波長化を図る
ＳＨＧ素子を使用したＳＨＧ装置が用いられている。こ
のＳＨＧ装置に使用されるＳＨＧ素子として、一般に非
線型媒質のバルク結晶のＳＨＧ素子が用いられている。
を波長が基本波の１／２の第２高調波（以下、「ＳＨ
波」と略称することもある）に変換して短波長化を図る
ＳＨＧ素子を使用したＳＨＧ装置が用いられている。こ
のＳＨＧ装置に使用されるＳＨＧ素子として、一般に非
線型媒質のバルク結晶のＳＨＧ素子が用いられている。
【０００３】しかし、このＳＨＧ素子のバルク結晶は、
反転中心対称を持たないものでなければならない（対称
性禁制）。このため、ＳＨＧとして使用できるバルク結
晶が制約される。また、ＳＨ波の強度は、バルク結晶が
基本波またはＳＨ波に共鳴する波長では強くなることが
知られている。しかし、共鳴波長は即ち吸収波長である
ため、バルク結晶のＳＨＧ素子では共鳴波長を用いるこ
とができないという制約がある。
反転中心対称を持たないものでなければならない（対称
性禁制）。このため、ＳＨＧとして使用できるバルク結
晶が制約される。また、ＳＨ波の強度は、バルク結晶が
基本波またはＳＨ波に共鳴する波長では強くなることが
知られている。しかし、共鳴波長は即ち吸収波長である
ため、バルク結晶のＳＨＧ素子では共鳴波長を用いるこ
とができないという制約がある。
【０００４】そこで、上記制約を受けないＳＨＧ素子と
して、表面ＳＨＧ素子の一例が文献「応用物理、第61
巻、第９号（1992）pp.945-946」に開示されいる。
して、表面ＳＨＧ素子の一例が文献「応用物理、第61
巻、第９号（1992）pp.945-946」に開示されいる。
【０００５】以下、図３を用いて、この表面ＳＨＧ素子
の構造および作用について説明する。図３は、この表面
ＳＨＧ素子の断面構造図である。この表面ＳＨＧ素子
は、両面が平坦かつ平行なガラス板１０、このガラス板
上に光学的に接触させて設けたアキシコンプリズム１
２、および、このガラス板１０のアキシコンプリズム１
２を具えた面の裏側の面上に設けた非線形光学媒質の薄
膜１４とを以って構成している。この薄膜１４は、非線
型媒質であるマラカイトグリ−ンをスピンコ−ティング
法により単分子程度の厚さに塗布して形成してある。ま
た、ガラス板１０の屈折率は、アキシコンプリズム１２
の屈折率よりも高いことが望ましい。アキシコンプリズ
ム１２を用いる理由は、ＳＨＧ素子全体をΨ方向に回転
させることにより、ＳＨＧ実現のための位相整合条件を
満足するように、入射光に対する薄膜１４の結晶面方位
を調整できるようにするためである。通常の角形プリズ
ムではこの調整ができない。薄膜１４とガラス板１０と
の界面１６でのＳＨＧを実現するための位相整合条件
は、非線型媒質やその塗布方法等で様々であるが、いず
れにしてもこの角度Ψを調整することで実現することが
できる。
の構造および作用について説明する。図３は、この表面
ＳＨＧ素子の断面構造図である。この表面ＳＨＧ素子
は、両面が平坦かつ平行なガラス板１０、このガラス板
上に光学的に接触させて設けたアキシコンプリズム１
２、および、このガラス板１０のアキシコンプリズム１
２を具えた面の裏側の面上に設けた非線形光学媒質の薄
膜１４とを以って構成している。この薄膜１４は、非線
型媒質であるマラカイトグリ−ンをスピンコ−ティング
法により単分子程度の厚さに塗布して形成してある。ま
た、ガラス板１０の屈折率は、アキシコンプリズム１２
の屈折率よりも高いことが望ましい。アキシコンプリズ
ム１２を用いる理由は、ＳＨＧ素子全体をΨ方向に回転
させることにより、ＳＨＧ実現のための位相整合条件を
満足するように、入射光に対する薄膜１４の結晶面方位
を調整できるようにするためである。通常の角形プリズ
ムではこの調整ができない。薄膜１４とガラス板１０と
の界面１６でのＳＨＧを実現するための位相整合条件
は、非線型媒質やその塗布方法等で様々であるが、いず
れにしてもこの角度Ψを調整することで実現することが
できる。
【０００６】次に、この表面ＳＨＧ素子の作用について
説明する。基本波をアキシコンプリズム１２の斜面１８
へ入射する際に、斜面１８にほぼ垂直に基本波を入射す
ると入射損失を小さくすることができる。アキシコンプ
リズム１２に入射した基本波をガラス基板１０と薄膜１
４との界面１６で反射させるとＳＨ波が発生する。この
際、この反射を全反射とすると、ＳＨ波の強度を正反射
の場合に比べて数百倍強くすることができ、ＳＨＧ変換
効率を高めることができる。界面１６で発生したＳＨ波
は、基本波と一緒に出射される。ＳＨ波のみを利用する
場合は、出射光を波長フィルタ（図示せず）に通せば良
い。この表面ＳＨＧ素子においては、上述した、斜面１
８での入射角および界面での全反射条件を満足するよう
に、入射角θ、アキシコンプリズムの頂角Φ、ガラス基
板の屈折率ｎ1 およびアキシコンプリズムの屈折率ｎ2
等を決めるのが望ましい。
説明する。基本波をアキシコンプリズム１２の斜面１８
へ入射する際に、斜面１８にほぼ垂直に基本波を入射す
ると入射損失を小さくすることができる。アキシコンプ
リズム１２に入射した基本波をガラス基板１０と薄膜１
４との界面１６で反射させるとＳＨ波が発生する。この
際、この反射を全反射とすると、ＳＨ波の強度を正反射
の場合に比べて数百倍強くすることができ、ＳＨＧ変換
効率を高めることができる。界面１６で発生したＳＨ波
は、基本波と一緒に出射される。ＳＨ波のみを利用する
場合は、出射光を波長フィルタ（図示せず）に通せば良
い。この表面ＳＨＧ素子においては、上述した、斜面１
８での入射角および界面での全反射条件を満足するよう
に、入射角θ、アキシコンプリズムの頂角Φ、ガラス基
板の屈折率ｎ1 およびアキシコンプリズムの屈折率ｎ2
等を決めるのが望ましい。
【０００７】ＳＨＧ素子において、波長λ、各種波数ω
の基本波が非線型媒質の界面に入射した場合、界面１６
に誘起される電気的な分極の、波長λ／２、角周波数２
ωの第２高調波成分（「ＳＨ成分」とも称する）Ｐ（２
ω）は、 Ｐ（２ω）＝χ(2) Ｅ（ω）：Ｅ（ω） と表される。ここにχ(2) は、２次の非線型感受率、Ｅ
（ω）は、基本波の電場である。χ(2) は、非線型光学
媒質の界面では、界面固有の対称性から、テンソル成分
の中、χ31、χ33等がゼロでない値をとる。このため、
表面ＳＨＧ素子は対称性禁制の制約を受けない。
の基本波が非線型媒質の界面に入射した場合、界面１６
に誘起される電気的な分極の、波長λ／２、角周波数２
ωの第２高調波成分（「ＳＨ成分」とも称する）Ｐ（２
ω）は、 Ｐ（２ω）＝χ(2) Ｅ（ω）：Ｅ（ω） と表される。ここにχ(2) は、２次の非線型感受率、Ｅ
（ω）は、基本波の電場である。χ(2) は、非線型光学
媒質の界面では、界面固有の対称性から、テンソル成分
の中、χ31、χ33等がゼロでない値をとる。このため、
表面ＳＨＧ素子は対称性禁制の制約を受けない。
【０００８】また、表面ＳＨＧ素子では、ＳＨ波は非線
型光学媒質の界面１６の薄い層で発生する。このため、
基本波またはＳＨ波の波長が非線型光学媒質の吸収波長
であっても吸収損失が少ない。また、基本波がコヒ−レ
ントなレ−ザビ−ムであれば、非線型光学媒質の各分子
からの散乱のＳＨ成分をコヒ−レントに加え合わせたも
のもまたレ−ザビ−ムとなる。
型光学媒質の界面１６の薄い層で発生する。このため、
基本波またはＳＨ波の波長が非線型光学媒質の吸収波長
であっても吸収損失が少ない。また、基本波がコヒ−レ
ントなレ−ザビ−ムであれば、非線型光学媒質の各分子
からの散乱のＳＨ成分をコヒ−レントに加え合わせたも
のもまたレ−ザビ−ムとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、表面Ｓ
ＨＧ素子における基本波からＳＨ波への変換効率（以
下、「ＳＨＧ変換効率」とも称する）は、全反射条件下
でも、位相整合条件を正確に満足しているバルク結晶に
おけるＳＨＧ変換効率に比べてはるかに低い。これは、
表面ＳＨＧ素子において、基本波と非線型光学媒質との
相互作用距離がグ−スヘンシェン効果程度、即ち数十μ
ｍ程度と非常に短いためである。
ＨＧ素子における基本波からＳＨ波への変換効率（以
下、「ＳＨＧ変換効率」とも称する）は、全反射条件下
でも、位相整合条件を正確に満足しているバルク結晶に
おけるＳＨＧ変換効率に比べてはるかに低い。これは、
表面ＳＨＧ素子において、基本波と非線型光学媒質との
相互作用距離がグ−スヘンシェン効果程度、即ち数十μ
ｍ程度と非常に短いためである。
【００１０】そこで、表面ＳＨＧ素子を用いて実用に供
する強度のＳＨ波を得るためには、基本波のエネルギ−
密度を高くすれば良い。そのためには、高いエネルギ−
密度が得られる高出力の固体レ−ザや気体レ−ザを基本
波光源とする必要がある。しかし、これら高出力のレ−
ザを用いると、ＳＨＧ装置そのものが大きくなり、ま
た、これらレ−ザは高速変調可能性、駆動電源の製作の
簡便さ等の点でＬＤに劣っている。
する強度のＳＨ波を得るためには、基本波のエネルギ−
密度を高くすれば良い。そのためには、高いエネルギ−
密度が得られる高出力の固体レ−ザや気体レ−ザを基本
波光源とする必要がある。しかし、これら高出力のレ−
ザを用いると、ＳＨＧ装置そのものが大きくなり、ま
た、これらレ−ザは高速変調可能性、駆動電源の製作の
簡便さ等の点でＬＤに劣っている。
【００１１】一方、基本波光源として実用上最も利用価
値の高いＬＤの出力は高々１００ｍＷ程度と小さい。ま
た、ＬＤは発振周波数の安定性が劣っている。
値の高いＬＤの出力は高々１００ｍＷ程度と小さい。ま
た、ＬＤは発振周波数の安定性が劣っている。
【００１２】従って、この発明の目的は、半導体レ−ザ
（ＬＤ）と表面ＳＨＧ素子とを用いた、ＳＨＧ変換効率
の高い光第２高調波発生装置（ＳＨＧ装置）を提供する
ことである。
（ＬＤ）と表面ＳＨＧ素子とを用いた、ＳＨＧ変換効率
の高い光第２高調波発生装置（ＳＨＧ装置）を提供する
ことである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明の目的を達成す
るため、この発明のＳＨＧ装置によれば、ＬＤおよびリ
ング共振器を具え、このリング共振器は、半透明鏡、表
面ＳＨＧ素子、ダイクロイックプリズムおよび全反射素
子を以ってを構成し、この表面ＳＨＧ素子は、透明基
板、この透明基板面上に設けたアキシコンプリズム、お
よび、この透明基板のこのアキシコンプリズムを具えた
面の裏側の面上に設けた非線形光学媒質の薄膜とを以っ
て構成し、この全反射素子は、全反射鏡または回折格子
を以って構成し、このリング共振器は、半透明鏡におい
て、ＬＤからの基本波をこのリング共振器内へ入射さ
せ、入射したこの基本波を、表面ＳＨＧ素子の透明基板
と薄膜との界面において全反射させてＳＨ波を発生さ
せ、このＳＨ波を、ダイクロイックプリズムにおいて、
基本波から分離してリング共振器外へ射出させる構成と
なっていることを特徴とする。
るため、この発明のＳＨＧ装置によれば、ＬＤおよびリ
ング共振器を具え、このリング共振器は、半透明鏡、表
面ＳＨＧ素子、ダイクロイックプリズムおよび全反射素
子を以ってを構成し、この表面ＳＨＧ素子は、透明基
板、この透明基板面上に設けたアキシコンプリズム、お
よび、この透明基板のこのアキシコンプリズムを具えた
面の裏側の面上に設けた非線形光学媒質の薄膜とを以っ
て構成し、この全反射素子は、全反射鏡または回折格子
を以って構成し、このリング共振器は、半透明鏡におい
て、ＬＤからの基本波をこのリング共振器内へ入射さ
せ、入射したこの基本波を、表面ＳＨＧ素子の透明基板
と薄膜との界面において全反射させてＳＨ波を発生さ
せ、このＳＨ波を、ダイクロイックプリズムにおいて、
基本波から分離してリング共振器外へ射出させる構成と
なっていることを特徴とする。
【００１４】また、好ましくは、ＬＤは、レ−ザ光を射
出する側の端面に低反射コ−ティング（以下、「ＡＤコ
−ティング」とも称する）面を設け、このＡＤコ−ティ
ング面と対向する端面に高反射コ−ティング（以下、
「ＨＤコ−ティング」とも称する）面を設けてあり、全
反射素子は、回折格子を以って構成し、ＨＤコ−ティン
グ面と回折格子とを以って、ＬＤの外部共振器を構成す
ると良い。
出する側の端面に低反射コ−ティング（以下、「ＡＤコ
−ティング」とも称する）面を設け、このＡＤコ−ティ
ング面と対向する端面に高反射コ−ティング（以下、
「ＨＤコ−ティング」とも称する）面を設けてあり、全
反射素子は、回折格子を以って構成し、ＨＤコ−ティン
グ面と回折格子とを以って、ＬＤの外部共振器を構成す
ると良い。
【００１５】
【作用】この発明のＳＨＧ装置によれば、リング共振器
を半透明鏡、表面ＳＨＧ素子、ダイクロイックプリズム
および全反射素子を以ってを構成し、このリング共振基
に基本波を閉じ込めることにより、基本波のエネルギ−
密度を高めることができる。また、ＳＨ波はダイクロイ
ックプリズムによって、基本波から選択的に分離してリ
ング共振器外へとり出すことができる。このリング共振
器の全周Ｌは、基本波の波長をλとすると、下記の式で
表される位相整合条件を満たしている。
を半透明鏡、表面ＳＨＧ素子、ダイクロイックプリズム
および全反射素子を以ってを構成し、このリング共振基
に基本波を閉じ込めることにより、基本波のエネルギ−
密度を高めることができる。また、ＳＨ波はダイクロイ
ックプリズムによって、基本波から選択的に分離してリ
ング共振器外へとり出すことができる。このリング共振
器の全周Ｌは、基本波の波長をλとすると、下記の式で
表される位相整合条件を満たしている。
【００１６】Ｌ＝λＭ、（但し、Ｍは整数） また、例えばＬＤのＨＤコ−ティング面とこの回折格子
とを以って、ＬＤの外部共振器を構成し、ＬＤをこの外
部共振器によって発振させると、この外部共振器の発振
波長は回折格子によって確定（ロック）される。このた
め、ＬＤの発振波長を安定化することができる。この発
振波長は外部共振器の位相整合条件を満足する波長とす
る。
とを以って、ＬＤの外部共振器を構成し、ＬＤをこの外
部共振器によって発振させると、この外部共振器の発振
波長は回折格子によって確定（ロック）される。このた
め、ＬＤの発振波長を安定化することができる。この発
振波長は外部共振器の位相整合条件を満足する波長とす
る。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明のＳＨＧ装
置の実施例について説明する。尚、以下に参照する図
は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、
形状および配置関係を概略的に示してあるにすぎない。
従って、この発明はこの図示例にのみ限定されるもので
ないことは明らかである。
置の実施例について説明する。尚、以下に参照する図
は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、
形状および配置関係を概略的に示してあるにすぎない。
従って、この発明はこの図示例にのみ限定されるもので
ないことは明らかである。
【００１８】第１実施例 図１は、第１実施例の説明に供する図で、ＳＨＧ装置の
構成を示している。
構成を示している。
【００１９】この発明のＳＨＧ装置は、ＬＤ２０および
リング共振器２２を具えており、このリング共振器２２
は、半透明鏡２４、表面ＳＨＧ素子２６、ダイクロイッ
クプリズム２８および全反射素子を以ってを構成する。
第１実施例では、全反射素子として全反射鏡３０を用い
る。
リング共振器２２を具えており、このリング共振器２２
は、半透明鏡２４、表面ＳＨＧ素子２６、ダイクロイッ
クプリズム２８および全反射素子を以ってを構成する。
第１実施例では、全反射素子として全反射鏡３０を用い
る。
【００２０】また、表面ＳＨＧ素子２６は、透明基板３
２、この透明基板３２面上に設けたアキシコンプリズム
３４、および、この透明基板３２のアキシコンプリズム
３４を具えた面の裏側の面上に設けた非線形光学媒質の
薄膜３６とを以って構成する。このため、第１実施例で
は、透明基板３２としてガラス基板３２を用い、また、
非線型光学媒質としてマラカイトグリ−ンをスピンコ−
タ等を用いてガラス基板に塗布し、単分子層程度の厚さ
の薄膜３６を形成してある。
２、この透明基板３２面上に設けたアキシコンプリズム
３４、および、この透明基板３２のアキシコンプリズム
３４を具えた面の裏側の面上に設けた非線形光学媒質の
薄膜３６とを以って構成する。このため、第１実施例で
は、透明基板３２としてガラス基板３２を用い、また、
非線型光学媒質としてマラカイトグリ−ンをスピンコ−
タ等を用いてガラス基板に塗布し、単分子層程度の厚さ
の薄膜３６を形成してある。
【００２１】また、リング共振器２２は、半透明鏡２４
において、ＬＤ２０からの基本波をこのリング共振器内
２２へ入射させ、入射したこの基本波を、表面ＳＨＧ素
子２６のガラス基板３２と薄膜３６との界面３８におい
て全反射させてＳＨ波を発生させ、このＳＨ波を、ダイ
クロイックプリズム２８において、基本波から分離して
リング共振器２２外へ射出させる構成となっている。
において、ＬＤ２０からの基本波をこのリング共振器内
２２へ入射させ、入射したこの基本波を、表面ＳＨＧ素
子２６のガラス基板３２と薄膜３６との界面３８におい
て全反射させてＳＨ波を発生させ、このＳＨ波を、ダイ
クロイックプリズム２８において、基本波から分離して
リング共振器２２外へ射出させる構成となっている。
【００２２】第２実施例 図２は、第２実施例の説明に供する図で、ＳＨＧ装置の
構成を示している。
構成を示している。
【００２３】この発明のＳＨＧ装置は、ＬＤ２０および
リング共振器２２を具えている。第２実施例では、全反
射素子として回折格子４０を用いる他は、このリング共
振器２２を第１実施例と同様に構成する。
リング共振器２２を具えている。第２実施例では、全反
射素子として回折格子４０を用いる他は、このリング共
振器２２を第１実施例と同様に構成する。
【００２４】第２実施例では、ＬＤ２０は、レ−ザ光を
射出する側の端面にＡＤコ−ティング面４２を設け、こ
のＡＤコ−ティング面４２と対向する端面にＨＤコ−テ
ィング面４４を設けてあり、このＨＤコ−ティング面４
４と回折格子とを以って、このＬＤ２０の外部共振器を
構成する。
射出する側の端面にＡＤコ−ティング面４２を設け、こ
のＡＤコ−ティング面４２と対向する端面にＨＤコ−テ
ィング面４４を設けてあり、このＨＤコ−ティング面４
４と回折格子とを以って、このＬＤ２０の外部共振器を
構成する。
【００２５】上述した実施例では、この発明を、特定の
材料を使用し、また、特定の条件で形成した例につき説
明したが、この発明は多くの変更および変形を行うこと
ができる。例えば、上述した実施例では、非線型光学媒
質として、マラカイトグリ−ンを用いたが、この発明で
は、例えば、２−メチル−４−ニトロアニリンを用いて
も良い。また、上述した第２実施例では、全反射素子と
して回折格子を用いたが、この発明では、例えば、波長
選択性を有する全反射鏡である多層膜鏡を用いても良
い。
材料を使用し、また、特定の条件で形成した例につき説
明したが、この発明は多くの変更および変形を行うこと
ができる。例えば、上述した実施例では、非線型光学媒
質として、マラカイトグリ−ンを用いたが、この発明で
は、例えば、２−メチル−４−ニトロアニリンを用いて
も良い。また、上述した第２実施例では、全反射素子と
して回折格子を用いたが、この発明では、例えば、波長
選択性を有する全反射鏡である多層膜鏡を用いても良
い。
【００２６】
【発明の効果】この発明のＳＨＧ装置によれば、リング
共振器を半透明鏡、表面ＳＨＧ素子、ダイクロイックプ
リズムおよび全反射素子を以ってを構成し、このリング
共振基に基本波を閉じ込めることにより、基本波のエネ
ルギ−密度を高めることができる。従って、ＳＨＧ変換
効率の高いＳＨＧ装置を構成することができる。
共振器を半透明鏡、表面ＳＨＧ素子、ダイクロイックプ
リズムおよび全反射素子を以ってを構成し、このリング
共振基に基本波を閉じ込めることにより、基本波のエネ
ルギ−密度を高めることができる。従って、ＳＨＧ変換
効率の高いＳＨＧ装置を構成することができる。
【００２７】また、例えばＬＤのＨＤコ−ティング面と
この回折格子とを以って、ＬＤの外部共振器を構成し、
ＬＤをこの外部共振器によって発振させると、この外部
共振器の発振波長は回折格子によって確定（ロック）さ
れる。このため、ＬＤの発振波長を安定化することがで
きる。
この回折格子とを以って、ＬＤの外部共振器を構成し、
ＬＤをこの外部共振器によって発振させると、この外部
共振器の発振波長は回折格子によって確定（ロック）さ
れる。このため、ＬＤの発振波長を安定化することがで
きる。
【図１】この発明の光第２高調波発生装置の第１実施例
の説明に供する構成図である。
の説明に供する構成図である。
【図２】この発明の光第２高調波発生装置の第２実施例
の説明に供する構成図である。
の説明に供する構成図である。
【図３】従来の表面ＳＨＧ素子の説明に供する構造図で
ある。
ある。
１０：ガラス基板 １２：アキシコンプリズム １４：薄膜 １６：界面 １８：斜面 ２０：半導体レ−ザ（ＬＤ） ２２：リング共振器 ２４：半透明鏡 ２６：表面ＳＨＧ素子 ２８：ダイクロイックプリズム ３０：全反射鏡 ３２：透明基板、ガラス基板 ３４：アキシコンプリズム ３６：薄膜 ３８：界面 ４０：回折格子 ４２：低反射コ−ティング面（ＡＤコ−ティング面） ４４：高反射コ−ティング面（ＨＤコ−ティング面）
Claims (2)
- 【請求項１】 基本波から第２高調波を発生させる光第
２高調波発生（ＳＨＧ）装置において、 半導体レ−ザおよびリング共振器を具え、 該リング共振器は、半透明鏡、表面ＳＨＧ素子、ダイク
ロイックプリズムおよび全反射素子を以ってを構成し、 該表面ＳＨＧ素子は、透明基板、該透明基板面上に設け
たアキシコンプリズム、および、該透明基板の該アキシ
コンプリズムを具えた面の裏側の面上に設けた非線形光
学媒質の薄膜とを以って構成し、 該全反射素子は、全反射鏡または回折格子を以って構成
し、 該リング共振器は、該半透明鏡において、該半導体レ−
ザからの基本波を当該リング共振器内へ入射させ、入射
した該基本波を、該表面ＳＨＧ素子の該透明基板と該薄
膜との界面において全反射させて第２高調波を発生さ
せ、該第２高調波を、該ダイクロイックプリズムにおい
て、該基本波から分離して当該リング共振器外へ射出さ
せる構成となっていることを特徴とする光第２高調波発
生装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光第２高調波発生装置
において、 前記半導体レ−ザは、レ−ザ光を射出する側の端面に低
反射コ−ティング面を設け、該低反射コ−ティング面と
対向する端面に高反射コ−ティング面を設けてあり、 前記全反射素子は、回折格子を以って構成し、 前記高反射コ−ティング面と該回折格子とを以って、該
半導体レ−ザの外部共振器を構成してあることを特徴と
する光第２高調波発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP214393A JPH06208152A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 光第２高調波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP214393A JPH06208152A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 光第２高調波発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208152A true JPH06208152A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11521128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP214393A Withdrawn JPH06208152A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 光第２高調波発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06208152A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997009759A1 (de) * | 1995-09-01 | 1997-03-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Laseranordnung und verfahren zur skalierung von frequenzverdoppelten lasern |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP214393A patent/JPH06208152A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997009759A1 (de) * | 1995-09-01 | 1997-03-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Laseranordnung und verfahren zur skalierung von frequenzverdoppelten lasern |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |