JPH06207847A - 光fm変調特性測定装置 - Google Patents

光fm変調特性測定装置

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Publication number
JPH06207847A
JPH06207847A JP337393A JP337393A JPH06207847A JP H06207847 A JPH06207847 A JP H06207847A JP 337393 A JP337393 A JP 337393A JP 337393 A JP337393 A JP 337393A JP H06207847 A JPH06207847 A JP H06207847A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
optical
semiconductor laser
beat
optical path
Prior art date
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Pending
Application number
JP337393A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Sanpei
義広 三瓶
Yuriko Fujita
ユリ子 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP337393A priority Critical patent/JPH06207847A/ja
Publication of JPH06207847A publication Critical patent/JPH06207847A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 FMヘテロダイン法を利用し、特殊な、また
は高価な測定器やアライメントなどの技術を用いず、簡
便に、かつ安定に、レーザ光のFM変調特性を測定する
装置を実現する。 【構成】 レーザ光のFM変調特性を測定する装置にお
いて、光路長の異なるマイケルソン干渉計と、光電変換
器とを有し、FM変調された前記レーザ光が前記マイケ
ルソン干渉計に入射した時に、出力側に現れるビート信
号を前記光電変換器にてパルス信号に変換した後にカウ
ントすることにより、前記レーザ光の周波数偏移量を求
めるように構成したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザの注入電
流あるいは温度などを変化させて、周波数変調を行った
場合、その変調特性を簡便に測定する装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来から、半導体レーザは、その用途に
より、数MHz〜数百GHz程度の周波数偏移を与える
場合がある。この場合の変調特性を測定する方法は、エ
タロンの共振特性を利用し、周波数変化を強度変化に変
換して測定するものであり、光パワーの校正や微妙なア
ライメント、あるいは高価なネットワークアナライザな
ど、比較的特殊なものが必要であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の課題を踏まえてなされたものであり、FMヘテロダ
イン法を利用し、特殊な、または高価な測定器やアライ
メントなどの技術を用いず、簡便に、かつ安定に、レー
ザ光のFM変調特性を測定する装置を提供することを目
的としたものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は、レーザ光のFM変調特性を測定する
装置において、光路長の異なるマイケルソン干渉計と、
光電変換器とを有し、FM変調された前記レーザ光が前
記マイケルソン干渉計に入射した時に、出力側に現れる
ビート信号を前記光電変換器にてパルス信号に変換した
後にカウントすることにより、前記レーザ光の周波数偏
移量を求めるように構成したことを特徴とする。
【0005】
【作用】本発明によれば、干渉計の出力側に現れるビー
ト信号を光電変換器でパルス信号に変換して、カウント
することにより周波数偏移量を求めているため、高価な
ネットワークアナライザなどを必要としない。
【0006】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
1は本発明の光FM変調特性測定装置の一実施例を示す
構成図であり、マイケルソン干渉系は光ファイバカップ
ラで構成され、その端面にはミラーM1 ,M 2 がそれぞ
れ配置されている。
【0007】ここで、被測定半導体レーザのFM変調特
性、つまり注入電流の変化分Im (t)(最大振幅Δ
I)に対する最大周波数偏移Δνの周波数応答を調べる
場合を考える。被測定半導体レーザは、繰り返し周波数
m で周波数変調され、マイケルソン干渉計には、予め
光路差d(光ファイバの屈折率をnとすると、光学距離
はnd)が与えられている。なお、光ファイバは偏波面
保存ファイバが望ましい。
【0008】この図1に示した光学系は、いわゆるFM
ヘテロダイン法による測長の系と基本的には同一であ
る。その場合は、周波数偏移Δνが既知で、光路長dを
測定することになる。
【0009】ここで、図2に示すように、ノコギリ波状
に変化する電流ΔI(t)で変調(繰り返し周波数
m )し、この時、被測定半導体レーザの周波数も、図
3のように、無変調時の周波数ν0 からνm(t)だけ
変調されるものとする。なお、半導体レーザの瞬時周波
数νは、 ν=ν0 +νm (t) である。また、被測定半導体レーザからの変調光E
1 (t)を次式のように表しておく。 E1 (t)=E0 exp[j2π{ν0 +νm (t)}t] ─(1)
【0010】ミラーM2 からの光は、光路差d(光学長
nd)に応じた時間遅れτ τ=2nd/c (cは光速) を受けるので、干渉後の全電界E(t)は、 E(t)=aE1 (t)+bE1 (t−τ) =aE0 exp[j2π{ν0 +νm (t)}t] +bE0 exp[j2π{ν0 +νm (t)}(t−τ)] ─(2) となる(図4参照)。したがって、光電変換器上での光
パワーI(t)は、 I(t)=│E(t)│2 =E(t)*E(t) =(a2 +b2 )E0 2 +2abE0 2cos[2π{ν0 +νm (t)}τ] ─(3) となる。ここで、ノコギリ波状の電流で変調しているの
で、 νm (t)=(dν/dt)t={Δν/(1/fm )}t となるから、上記(3) 式のビート成分は、次式のように
表される。 cos(2πfm Δντt+2πν0 τ) したがって、ビート周波数fb は、次式で表される。 fb =fm Δντ=2fm Δνnd/c ─(4)
【0011】被測定半導体レーザの周波数掃引中、1周
期(1/fm )でのビート波の位相変化φは、 φ=2πfb (1/fm )=4πΔνnd/c ─(5) となる。一方、ビート波の波数Nは、次式で求められ
る。 N=φ/2π ─(6) したがって、上記(5) ,(6) 式から、被測定半導体レー
ザの周波数偏移Δνは、次式で与えられる。 Δν=(c/2nd)N ─(7)
【0012】図5は1.5μm帯DFBレーザをノコギ
リ波状の電流で変調した場合のビート信号である。ただ
し、 光路長d:0.17m 屈折率n:1.5 ビート波の波数N:20 であるから、周波数偏移Δνは、 Δν=(3×108 /2×1.5×0.17)×20=11.8GHz また、ΔI≒13mAであるから、周波数の偏移率は、 Δν/ΔI=0.9GHz/mA となる。
【0013】このように、上記実施例によれば、元の被
測定半導体レーザのパワー変動などに左右されることな
く、簡便に周波数偏移Δνを測定することができる。例
えば、上記(7) 式より、 N=(Δν/c)2nd であるから、 周波数偏移Δν:50×109 Hz 光速c:3×108 m/s 屈折率n:1.5 光路長d:0.1m とすれば、 N≒(50×109 ×2×1.5×0.1)/3×108 =50 となる。つまり、1/fm の期間で、50個のビートを
カウントすれば良く、特に、高速の光電変換器は不要と
なる。
【0014】また、周波数偏移Δνに応じて、光路長d
を任意に設定(コネクタで接続するだけ)しておけば、
ビート波の波数Nはいくらでも調整可能(カウントし易
い値にしておくことも可)であり、かつコヒーレント長
なども評価することができる。
【0015】
【発明の効果】以上、実施例と共に具体的に説明したよ
うに、本発明によれば、特殊な、または高価な測定器や
アライメントなどの技術を用いず、簡便に、かつ安定
に、レーザ光のFM変調特性を測定する光FM変調特性
測定装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光FM変調特性測定装置の一実施例を
示す構成図である。
【図2】駆動電流を示す図である。
【図3】被測定半導体レーザの周波数を示す図である。
【図4】図1装置の各部分での光の振幅を示す図であ
る。
【図5】注入電流およびビート波形を示す図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光のFM変調特性を測定する装置
    において、 光路長の異なるマイケルソン干渉計と、光電変換器とを
    有し、 FM変調された前記レーザ光が前記マイケルソン干渉計
    に入射した時に、出力側に現れるビート信号を前記光電
    変換器にてパルス信号に変換した後にカウントすること
    により、前記レーザ光の周波数偏移量を求めるように構
    成したことを特徴とする光FM変調特性測定装置。
JP337393A 1993-01-12 1993-01-12 光fm変調特性測定装置 Pending JPH06207847A (ja)

Priority Applications (1)

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JP337393A JPH06207847A (ja) 1993-01-12 1993-01-12 光fm変調特性測定装置

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JPH06207847A true JPH06207847A (ja) 1994-07-26

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ID=11555554

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100719892B1 (ko) * 2005-03-23 2007-05-18 광주과학기술원 다중모드광섬유의 모드간 차등지연시간 측정장치
KR100766187B1 (ko) * 2006-02-03 2007-10-10 광주과학기술원 파장 가변 레이저의 비선형 주파수 변화의 측정 시스템
JP2009081484A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Nec Corp Fm変調測定方法
CN105300662A (zh) * 2015-04-17 2016-02-03 电子科技大学 一种半导体激光器调制系数测量装置及方法
WO2021082707A1 (zh) * 2019-10-28 2021-05-06 哈尔滨工业大学 光纤迈克尔逊干涉仪非线性误差修正方法

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