JPH06207022A - 液晶性高分子重合体 - Google Patents
液晶性高分子重合体Info
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- JPH06207022A JPH06207022A JP27685391A JP27685391A JPH06207022A JP H06207022 A JPH06207022 A JP H06207022A JP 27685391 A JP27685391 A JP 27685391A JP 27685391 A JP27685391 A JP 27685391A JP H06207022 A JPH06207022 A JP H06207022A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜加工性に優れ、大面積・屈曲画面型のフ
ィルムディスプレーの実現を容易化することができる液
晶性高分子重合体およびその製法。 【構成】 下記一般式 【化１】 （式中、Ｒは 【化２】 を表わし、ｍは２〜１４の整数、ｎは繰返し単位の数
を、＊は不斉炭素を表わす）で示される液晶性高分子重
合体。
ィルムディスプレーの実現を容易化することができる液
晶性高分子重合体およびその製法。 【構成】 下記一般式 【化１】 （式中、Ｒは 【化２】 を表わし、ｍは２〜１４の整数、ｎは繰返し単位の数
を、＊は不斉炭素を表わす）で示される液晶性高分子重
合体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な単量体およびそ
れを利用した液晶性高分子重合体に関するものであり、
適当な配向処理により分子配向秩序性を有する薄膜が形
成可能なものである。本発明の化合物は、低分子液晶と
同様に電場などの外場で可逆的に変化でき、表示素子や
記録保持素子および種々の電気光学装置、さらに非線形
光学材料などに応用可能である。本発明の化合物は、成
膜加工性に優れ、大面積・屈曲画面型のフィルムディス
プレーの実現を容易化することができる。
れを利用した液晶性高分子重合体に関するものであり、
適当な配向処理により分子配向秩序性を有する薄膜が形
成可能なものである。本発明の化合物は、低分子液晶と
同様に電場などの外場で可逆的に変化でき、表示素子や
記録保持素子および種々の電気光学装置、さらに非線形
光学材料などに応用可能である。本発明の化合物は、成
膜加工性に優れ、大面積・屈曲画面型のフィルムディス
プレーの実現を容易化することができる。
【０００２】
【従来技術】従来の液晶表示素子は、主として低分子液
晶を使用した電気光学装置であり、ＴＮ型、ねじれＴＮ
型および強誘電液晶型の駆動方法が提案され、一部実用
化されている。しかしながら、ＴＮ型およびＳＴＮ型の
駆動方式の液晶ディスブレイは、応答速度が数十ミリセ
コンドで遅く、視野角も非常にせまく、高速駆動型ソフ
トに対応するのが難しい。また、強誘電性液晶を用いた
駆動方式は、１）高速応答、２）メモリー性により大型
高品質ディスプレーが実現できると考えられていたが、
現状では実用化に向けて困難な問題が山積している。側
鎖型高分子液晶は、高分子の骨格鎖にフレキシブルなス
ペーサーを介してメソゲン基が結合した構造を持つもの
であり、自己支持性を有し、フィルム形成が可能で、表
示画面の曲面加工および大画面化が容易である。高分子
液晶を用いた液晶ディスブレーには、 １）ネマチック型 ２）コレステリック型 ３）強誘電性型 などが提案されているが、実用化に向けて種々の課題が
ある。すなわち、 低分子液晶に比較して、高粘度のため応答速度は数百
ミリセコンドと極めて遅く実用的ではない。 配向の均一性が不充分である。 実用的な電気光学特性が得られない。 これらの課題を解決するために（１）様々な主鎖構造や
液晶基の検討および（２）高分子液晶と低分子液晶との
複合系、さらに（３）低分子液晶を分散させたマトリッ
クス高分子液晶などが提案されている。しかしながら、
これらの従来技術においては、相分離を起こさず、均質
で安定な液晶相を得ることが難しく、室温を含む充分広
い温度範囲において、低粘性で高速応答を実現すること
が容易ではない。
晶を使用した電気光学装置であり、ＴＮ型、ねじれＴＮ
型および強誘電液晶型の駆動方法が提案され、一部実用
化されている。しかしながら、ＴＮ型およびＳＴＮ型の
駆動方式の液晶ディスブレイは、応答速度が数十ミリセ
コンドで遅く、視野角も非常にせまく、高速駆動型ソフ
トに対応するのが難しい。また、強誘電性液晶を用いた
駆動方式は、１）高速応答、２）メモリー性により大型
高品質ディスプレーが実現できると考えられていたが、
現状では実用化に向けて困難な問題が山積している。側
鎖型高分子液晶は、高分子の骨格鎖にフレキシブルなス
ペーサーを介してメソゲン基が結合した構造を持つもの
であり、自己支持性を有し、フィルム形成が可能で、表
示画面の曲面加工および大画面化が容易である。高分子
液晶を用いた液晶ディスブレーには、 １）ネマチック型 ２）コレステリック型 ３）強誘電性型 などが提案されているが、実用化に向けて種々の課題が
ある。すなわち、 低分子液晶に比較して、高粘度のため応答速度は数百
ミリセコンドと極めて遅く実用的ではない。 配向の均一性が不充分である。 実用的な電気光学特性が得られない。 これらの課題を解決するために（１）様々な主鎖構造や
液晶基の検討および（２）高分子液晶と低分子液晶との
複合系、さらに（３）低分子液晶を分散させたマトリッ
クス高分子液晶などが提案されている。しかしながら、
これらの従来技術においては、相分離を起こさず、均質
で安定な液晶相を得ることが難しく、室温を含む充分広
い温度範囲において、低粘性で高速応答を実現すること
が容易ではない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
問題を解決するために鋭意検討した結果、主鎖構造にポ
リシロキサン構造を有し、側鎖部分の末端部に不斉炭素
構造を有するエステル型メソーゲン成分を導入した液晶
性高分子を合成し、液晶相が容易に発現し、配向制御性
および成膜性、耐久性、熱安定性さらに相溶性に優れ、
電気光学的液晶素子および記録保持素子等に利用可能な
液晶性高分子化合物を発明するに至った。
問題を解決するために鋭意検討した結果、主鎖構造にポ
リシロキサン構造を有し、側鎖部分の末端部に不斉炭素
構造を有するエステル型メソーゲン成分を導入した液晶
性高分子を合成し、液晶相が容易に発現し、配向制御性
および成膜性、耐久性、熱安定性さらに相溶性に優れ、
電気光学的液晶素子および記録保持素子等に利用可能な
液晶性高分子化合物を発明するに至った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、下記一
般式
般式
【化５】 （式中、Ｒは
【化６】 を表わし、ｍは２〜１４の整数、＊は不斉炭素を表わ
す）で表わされる液晶性単量体に関する。本発明の第２
は、下記一般式
す）で表わされる液晶性単量体に関する。本発明の第２
は、下記一般式
【化７】 （式中、Ｒは
【化８】 を表わし、ｍは２〜１４の整数、ｎは繰返し単位の数
を、＊は不斉炭素を表わす）で示される液晶性高分子重
合体に関する。本発明の第３は、４−（１−アルケニル
オキシ）−ビフェニル−４′−カルボン酸ハロゲン化物
（アルケニルは炭素数４〜１６である）と２−メチルブ
チル４−ヒドロキシベンゾエートとを反応させることを
特徴とする請求項１記載の液晶性単量体を製造する方法
に関する。本発明の第４はＳｉ原子に直接水素原子が多
数結合しているポリシロキサンに、分子の一方の末端部
に液晶性を発現しうる不斉炭素部分と他の末端部に炭素
・炭素不飽和基を有する液晶性化合物を反応させること
により、ポリシロキサン主鎖に多数の液晶性化合物を懸
垂させたことを特徴とする液晶性高分子重合体の製法に
関する。
を、＊は不斉炭素を表わす）で示される液晶性高分子重
合体に関する。本発明の第３は、４−（１−アルケニル
オキシ）−ビフェニル−４′−カルボン酸ハロゲン化物
（アルケニルは炭素数４〜１６である）と２−メチルブ
チル４−ヒドロキシベンゾエートとを反応させることを
特徴とする請求項１記載の液晶性単量体を製造する方法
に関する。本発明の第４はＳｉ原子に直接水素原子が多
数結合しているポリシロキサンに、分子の一方の末端部
に液晶性を発現しうる不斉炭素部分と他の末端部に炭素
・炭素不飽和基を有する液晶性化合物を反応させること
により、ポリシロキサン主鎖に多数の液晶性化合物を懸
垂させたことを特徴とする液晶性高分子重合体の製法に
関する。
【０００５】以下に本発明の詳細について述べる。前記
式〔１〕で示される単量体および式〔２〕で示される繰
返し単位を有する液晶性高分子化合物は、たとえば、つ
ぎの合成経路により製造される。 （１）メソーゲン成分の製造 高分子液晶ポリマーに強誘電性を付与することで高速・
大面積表示が可能になる。本発明においては、メソーゲ
ン成分の分子構造に１）不斉炭素を導入して、２）分子
長軸に垂直な双極子モーメントを発生させ、強誘電性液
晶相を発現させた。すなわち、下記反応式に示すように
４−ベンジルオキシ安息香酸クロリドと２−メチルブタ
ノールとを塩基の存在下、ジクロルメタン中で反応さ
せ、２−メチルブチル４−ベンジルオキシベンゾエート
を合成する。このもの水素雰囲気下、パラジウム炭素に
より脱ベンジルして、２−メチルブチル４−ベンジルオ
キシベンゾエート式〔ａ〕を得た。一方、４−ヒドロキ
シビフェニル−４′−カルボン酸メチルエステルと１−
アルケニルブロミドに無水炭酸カリウムを作用させ、４
−（１−アルケニルオキシ）ビフェニル−４′−カルボ
ン酸メチルエステルを得る。このものをアルカリの存在
下、エステル加水分解を行ない、４−（１−アルケニル
オキシ）ビフェニル−４′−カルボン酸〔ｂ〕を得、つ
いでこれを酸クロリド〔ｂ′〕に変換した。式〔ａ〕の
光学活性２−メチル４−ベンジルオキシベンゾエート化
合物と前記式〔ｂ′〕の酸クロリドとを反応させて、メ
ソーゲン成分である化合物〔ｃ〕を製造した。
式〔１〕で示される単量体および式〔２〕で示される繰
返し単位を有する液晶性高分子化合物は、たとえば、つ
ぎの合成経路により製造される。 （１）メソーゲン成分の製造 高分子液晶ポリマーに強誘電性を付与することで高速・
大面積表示が可能になる。本発明においては、メソーゲ
ン成分の分子構造に１）不斉炭素を導入して、２）分子
長軸に垂直な双極子モーメントを発生させ、強誘電性液
晶相を発現させた。すなわち、下記反応式に示すように
４−ベンジルオキシ安息香酸クロリドと２−メチルブタ
ノールとを塩基の存在下、ジクロルメタン中で反応さ
せ、２−メチルブチル４−ベンジルオキシベンゾエート
を合成する。このもの水素雰囲気下、パラジウム炭素に
より脱ベンジルして、２−メチルブチル４−ベンジルオ
キシベンゾエート式〔ａ〕を得た。一方、４−ヒドロキ
シビフェニル−４′−カルボン酸メチルエステルと１−
アルケニルブロミドに無水炭酸カリウムを作用させ、４
−（１−アルケニルオキシ）ビフェニル−４′−カルボ
ン酸メチルエステルを得る。このものをアルカリの存在
下、エステル加水分解を行ない、４−（１−アルケニル
オキシ）ビフェニル−４′−カルボン酸〔ｂ〕を得、つ
いでこれを酸クロリド〔ｂ′〕に変換した。式〔ａ〕の
光学活性２−メチル４−ベンジルオキシベンゾエート化
合物と前記式〔ｂ′〕の酸クロリドとを反応させて、メ
ソーゲン成分である化合物〔ｃ〕を製造した。
【化９】
【化１０】
【化１１】 （Ｒは、前記と同一） 末端アルケニル側鎖の炭素数ｍは、形成させる液晶性の
性質に関与し重要な構造因子であり、本発明ではｎは２
〜２０、好ましくは２〜１４の範囲である。
性質に関与し重要な構造因子であり、本発明ではｎは２
〜２０、好ましくは２〜１４の範囲である。
【０００６】（２）主鎖ポリマーの製造 主鎖構造は、液晶相の発現、相転移温度の範囲および側
鎖の運動性等に重要な影響を与える。本発明において
は、主鎖構造として柔軟性をもつポリシロキサン構造を
使用して高速応答性とＴｇを低下させ、室温応答を可能
にした。すなわち、ジクロルメチルシランＮモルとトリ
メチルシリルクロリドＭモルとを濃塩酸の存在下、ＴＨ
Ｆ中にて低温重合させ、目的とする化合物〔ｄ〕を得
る。 （以下余白）
鎖の運動性等に重要な影響を与える。本発明において
は、主鎖構造として柔軟性をもつポリシロキサン構造を
使用して高速応答性とＴｇを低下させ、室温応答を可能
にした。すなわち、ジクロルメチルシランＮモルとトリ
メチルシリルクロリドＭモルとを濃塩酸の存在下、ＴＨ
Ｆ中にて低温重合させ、目的とする化合物〔ｄ〕を得
る。 （以下余白）
【化１２】
【０００７】（３）液晶性高分子重合体の製造 液晶性高分子化合物は、たとえば、メソーゲン成分式
〔ｃ〕と主鎖ポリシロキサン式〔ｄ〕とをヒドロシリル
化反応させることにより製造することができる。すなわ
ち、化合物式〔ｃ〕とポリシロキサン式〔ｄ〕とを反応
溶媒に溶解させて、適当な温度に加熱した後、白金触媒
を加えて重合させることができる。本発明に用いること
のできる反応溶媒としては、エーテル例えばジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルまた塩素化
された溶媒、例えばジクロルメタン、トリクロルメタ
ン、１，２−ジクロルエタンさらに炭化水素、例えばｎ
−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、石油エーテル、ベン
ゼン、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン等が挙
げられる。好ましくは、ジクロルメタン、トリクロルメ
タン、ベンゼンおよびトルエンである。白金触媒として
は、ＰｔＣｌ4、Ｈ2ＰｔＣｌ6６Ｈ2Ｏ、白金−アルコー
ル錯体、白金−オレフィン錯体等が用いられるが、ジシ
クロペンタジエニルＰｔ（II）クロライドが好適と言え
る。
〔ｃ〕と主鎖ポリシロキサン式〔ｄ〕とをヒドロシリル
化反応させることにより製造することができる。すなわ
ち、化合物式〔ｃ〕とポリシロキサン式〔ｄ〕とを反応
溶媒に溶解させて、適当な温度に加熱した後、白金触媒
を加えて重合させることができる。本発明に用いること
のできる反応溶媒としては、エーテル例えばジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルまた塩素化
された溶媒、例えばジクロルメタン、トリクロルメタ
ン、１，２−ジクロルエタンさらに炭化水素、例えばｎ
−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、石油エーテル、ベン
ゼン、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン等が挙
げられる。好ましくは、ジクロルメタン、トリクロルメ
タン、ベンゼンおよびトルエンである。白金触媒として
は、ＰｔＣｌ4、Ｈ2ＰｔＣｌ6６Ｈ2Ｏ、白金−アルコー
ル錯体、白金−オレフィン錯体等が用いられるが、ジシ
クロペンタジエニルＰｔ（II）クロライドが好適と言え
る。
【化１３】
【０００８】
実施例１ １） 光学活性２−メチルブチル ４−ベンジルオキシ
ベンゾエートの合成
ベンゾエートの合成
【化１４】 ４−ベンジルオキシ安息香酸クロリド２．３ｇを塩化メ
チレン２０ｍｌに溶解させ、次いで光学活性な２−メチ
ルブタノール０．８８ｇとジメチルアミノピリジン０．
２ｇとトリエチルアミン１．０１ｇとを塩化メチレン１
０ｍｌに溶解した溶液を氷冷下にて少量づつ加えた。反
応混合物を室温に戻し、一昼夜反応させ、反応液を氷水
に投入し、塩化メチレンにて抽出し塩化メチレン相を希
塩酸、水、１Ｎ炭酸ナトリウム水溶液、水にて順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥して溶媒を留去し、
粗生成物を得た。これをトルエン−シリカゲルカラムク
ロマトグラフで処理し、さらにエタノールにて再結晶し
て目的物２．４ｇを得た。 ２） ２−メチルブチル ４−ヒドロキシベンゾエート
の合成
チレン２０ｍｌに溶解させ、次いで光学活性な２−メチ
ルブタノール０．８８ｇとジメチルアミノピリジン０．
２ｇとトリエチルアミン１．０１ｇとを塩化メチレン１
０ｍｌに溶解した溶液を氷冷下にて少量づつ加えた。反
応混合物を室温に戻し、一昼夜反応させ、反応液を氷水
に投入し、塩化メチレンにて抽出し塩化メチレン相を希
塩酸、水、１Ｎ炭酸ナトリウム水溶液、水にて順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥して溶媒を留去し、
粗生成物を得た。これをトルエン−シリカゲルカラムク
ロマトグラフで処理し、さらにエタノールにて再結晶し
て目的物２．４ｇを得た。 ２） ２−メチルブチル ４−ヒドロキシベンゾエート
の合成
【化１５】 １）で得られた化合物をメタノール３０ｍｌに溶解し、
１０％担持Ｐｄ−カーボン０．２４ｇを加え、水素雰囲
気下水添反応を行ない、目的化合物１．６ｇを得た。 ３） ４−（１−ヘキセニルオキシ）ビフェニル−４′
−カルボン酸の合成
１０％担持Ｐｄ−カーボン０．２４ｇを加え、水素雰囲
気下水添反応を行ない、目的化合物１．６ｇを得た。 ３） ４−（１−ヘキセニルオキシ）ビフェニル−４′
−カルボン酸の合成
【化１６】 ４−ヒドロキシビフェニル−４′−カルボン酸メチルエ
ステル２．２８ｇ、１−ヘキセニルブロミド１．６３ｇ
および無水炭酸カリウム２．０７ｇをアセトン溶媒５０
ｍｌに加え、約８時間緩やかに還流させた。このものを
氷水５００ｍｌ中に投入し、塩化メチレンにて抽出し、
有機層を回収・脱溶媒して、さらにシリカゲルクロマト
グラフ処理して、有機物３．４ｇを得た。このものをＫ
ＯＨ１．６ｇを溶かしたメタノール３０ｍｌ中に加え、
一昼夜緩やかに還流させた。次いで、氷水３００ｍｌ中
に投入し、析出した白色粉末を濾別し、さらに充分水洗
したのち１ＮＨＣｌにて中性にして、捕集・乾燥して目
的化合物２．８ｇを得た。 ４） ４−（２−メチルブチルオキシカルボニル）フェ
ニル ４′−（１−ヘキセニルオキシ）ビフェニル−４
−カルボキシレートの合成
ステル２．２８ｇ、１−ヘキセニルブロミド１．６３ｇ
および無水炭酸カリウム２．０７ｇをアセトン溶媒５０
ｍｌに加え、約８時間緩やかに還流させた。このものを
氷水５００ｍｌ中に投入し、塩化メチレンにて抽出し、
有機層を回収・脱溶媒して、さらにシリカゲルクロマト
グラフ処理して、有機物３．４ｇを得た。このものをＫ
ＯＨ１．６ｇを溶かしたメタノール３０ｍｌ中に加え、
一昼夜緩やかに還流させた。次いで、氷水３００ｍｌ中
に投入し、析出した白色粉末を濾別し、さらに充分水洗
したのち１ＮＨＣｌにて中性にして、捕集・乾燥して目
的化合物２．８ｇを得た。 ４） ４−（２−メチルブチルオキシカルボニル）フェ
ニル ４′−（１−ヘキセニルオキシ）ビフェニル−４
−カルボキシレートの合成
【化１７】 （Ｒは、前記と同一） ４−（１−ヘキセニル）ビフェニル−４−カルボン酸
１．２０ｇを過剰の塩化チオニルと共に還流下に６時間
加熱した後、未反応の塩化チオニルを留去して４−ｎ−
デシルオキシジフェニルカルボン酸塩化物を得た。酸塩
化物を塩化メチレン１２．０ｍｌに溶解した溶液に、先
に合成した４−ヒドロキシ安息香酸２−メチルブチルエ
ステル０．８３２ｇ、トリエチルアミン０．４１ｇおよ
びジメチルアミノピリジン０．３ｇを塩化メチレン３０
ｍｌに溶解したものを氷冷下徐々に加え室温にて一昼夜
反応させた。次いで、反応液を氷水に投入し、塩化メチ
レンにて抽出し、塩化メチレン相を希塩酸、水、炭酸ナ
トリウム水溶液、そして水の順に洗浄して、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した後溶媒を留去して、粗生成物を得
た。これをトルエン−シリカゲルカラムクロマトグラフ
法により精製して、光学活性な目的化合物〔Ｃ〕１．０
８ｇを得た。相転移点の測定等には該化合物を無水エタ
ノールにて再結晶して更に精製して用いた。このもの
は、ＤＳＣ熱分析および偏光顕微鏡による観察により液
晶相転移を示した。
１．２０ｇを過剰の塩化チオニルと共に還流下に６時間
加熱した後、未反応の塩化チオニルを留去して４−ｎ−
デシルオキシジフェニルカルボン酸塩化物を得た。酸塩
化物を塩化メチレン１２．０ｍｌに溶解した溶液に、先
に合成した４−ヒドロキシ安息香酸２−メチルブチルエ
ステル０．８３２ｇ、トリエチルアミン０．４１ｇおよ
びジメチルアミノピリジン０．３ｇを塩化メチレン３０
ｍｌに溶解したものを氷冷下徐々に加え室温にて一昼夜
反応させた。次いで、反応液を氷水に投入し、塩化メチ
レンにて抽出し、塩化メチレン相を希塩酸、水、炭酸ナ
トリウム水溶液、そして水の順に洗浄して、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した後溶媒を留去して、粗生成物を得
た。これをトルエン−シリカゲルカラムクロマトグラフ
法により精製して、光学活性な目的化合物〔Ｃ〕１．０
８ｇを得た。相転移点の測定等には該化合物を無水エタ
ノールにて再結晶して更に精製して用いた。このもの
は、ＤＳＣ熱分析および偏光顕微鏡による観察により液
晶相転移を示した。
【表１】 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＯＣｌ3）δｐｐｍ： ８．１０（４Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ） ７．６０（４Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ） ７．２０（２Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ） ６．９０（２Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ） ６．０〜５．５（１Ｈ、ｍ、ＣＨ＝ＣＨ2） ４．９０（２Ｈ、ｍ、−Ｏ−ＣＨ2−） ２．１０（Ｈ、ｍ、ＣＨ） １．９−１．１（８Ｈ、ｍ、−ＣＨ2−） １．０（３Ｈ、ｄ、−ＣＨ3） ０．９０（３Ｈ、ｍ、−ＣＨ3） 実施例２ 下式〔ｄ〕化合物の合成
【化１８】 Ｎ2雰囲気下、濃塩酸２．３５ｍｌおよびテトラヒドロ
フラン０．０７ｇの混合溶液中に、−１０℃に保ちなが
らジクロロメチルシラン〔ＣＨ3ＳｉＣｌ2Ｈ〕とトリメ
チルクロルシラン〔（ＣＨ3）3ＳｉＣｌ〕をＮ対Ｍの重
量比が表２になるように混合したものをゆっくり滴下
し、さらに２４時間撹拌した。このものを水−トルエン
にて抽出処理し、トルエン層を回収し、無水硫酸マグネ
シウムにて乾燥したのち脱溶媒し、更に軽質留分を真空
下１５０℃にて留去し、目的とするポリシロキサン
〔ｄ〕を得た。重合度は、Ｎ対Ｍの重量比を変えること
により制御することができた。製造したポリシロキサン
の分子量を表２に示した。 実施例３ 下式〔ｆ〕化合物の合成
フラン０．０７ｇの混合溶液中に、−１０℃に保ちなが
らジクロロメチルシラン〔ＣＨ3ＳｉＣｌ2Ｈ〕とトリメ
チルクロルシラン〔（ＣＨ3）3ＳｉＣｌ〕をＮ対Ｍの重
量比が表２になるように混合したものをゆっくり滴下
し、さらに２４時間撹拌した。このものを水−トルエン
にて抽出処理し、トルエン層を回収し、無水硫酸マグネ
シウムにて乾燥したのち脱溶媒し、更に軽質留分を真空
下１５０℃にて留去し、目的とするポリシロキサン
〔ｄ〕を得た。重合度は、Ｎ対Ｍの重量比を変えること
により制御することができた。製造したポリシロキサン
の分子量を表２に示した。 実施例３ 下式〔ｆ〕化合物の合成
【化１９】 実施例１の４）のメソーゲン成分化合物１．０ｇと実施
例２のポリシロキサン０．１ｇとを乾燥トルエンに溶解
し、窒素気流下、１１０℃にて撹拌しながら、ジシクロ
ペンタジエニルＰｔ（II）クロライド２００μｌの０．
２ｍｌ塩化メチレン溶液をシリンジにてゆっくり滴下し
たのち、更に１１０℃にて２４時間撹拌した。赤外吸収
スペクトル分析により、２１７０ｃｍ-1のＳｉ−Ｈ特性
吸収ピークの消失を確認したのち、反応液を室温まで冷
却し、過剰量のテトラヒドロフランを加えて目的とする
重合物を析出させた。この析出操作を数回くり返して、
重合物の精製を行った。種々の分子量の実施例２で製造
したポリシロキサンを原料として合成した液晶性高分子
重合体〔ｆ〕の物性を表３に示した。
例２のポリシロキサン０．１ｇとを乾燥トルエンに溶解
し、窒素気流下、１１０℃にて撹拌しながら、ジシクロ
ペンタジエニルＰｔ（II）クロライド２００μｌの０．
２ｍｌ塩化メチレン溶液をシリンジにてゆっくり滴下し
たのち、更に１１０℃にて２４時間撹拌した。赤外吸収
スペクトル分析により、２１７０ｃｍ-1のＳｉ−Ｈ特性
吸収ピークの消失を確認したのち、反応液を室温まで冷
却し、過剰量のテトラヒドロフランを加えて目的とする
重合物を析出させた。この析出操作を数回くり返して、
重合物の精製を行った。種々の分子量の実施例２で製造
したポリシロキサンを原料として合成した液晶性高分子
重合体〔ｆ〕の物性を表３に示した。
【表２】 主鎖ポリシロキサンの分子量 Ｎ：Ｍ Ｍｗ／Ｍｎ Ｍｎ ＧＰＣ ＶＰＯ ４：３ １．３ ６１００ １８００ ４：２ １．３ ６６００ １９００ ４：１ １．５ ７３００ ２１００ １０：１ １．４ ８２００ ２２５０ ２０：１ １．４ ９０００ ２５００ ２５：１ １．７ １２４００ ３０００ ３５：１ １．９ ３８０００ ９５００ （注） ＧＰＣはゲル浸透クロマトグラフィー ＶＰＯは浸透圧測定法
【表３】 液晶性高分子重合体の諸物性 ＰＯＬＹＭＥＲ ＴＲＡＮＳＩＴＩＯＮ （℃） Ｍｎ Ｍｗ／Ｍｎ ＨＥＡＴＩＮＧ ＣＯＯＬＩＮＧ （ＯＮＳＥＴ） （ＯＮＳＥＴ） 4800 1.04 Sc＊ 192 SA 212 Ｉ Ｉ 220 SA 188 Sc＊ 10500 1.16 Sc＊ 194 SA 215 Ｉ Ｉ 222 SA 190 Sc＊ 12000 1.08 Sc＊ 197 SA 221 Ｉ Ｉ 227 SA 198 Sc＊ 21000 1.33 Sc＊ 203 SA 231 Ｉ Ｉ 241 SA 208 Sc＊ 21200 1.26 Sc＊ 202 SA 231 Ｉ Ｉ 241 SA 207 Sc＊ 22800 1.46 Sc＊ 202 SA 229 Ｉ Ｉ 240 SA 208 Sc＊ 24000 1.33 Sc＊ 213 SA 252 Ｉ Ｉ 249 SA 215 Sc＊ 29800 1.61 SA 251 Ｉ Ｉ 249 SA - 36100 1.31 SA 253 Ｉ Ｉ 251 SA - （注） Ｓｃ＊はＳｍｅｃｔｉｃ Ｃ相 ＳＡはＳｍｅｃｔｉｃ Ａ相 ＩはＩｓｏｔｒｏｐｉｃ相
【０００９】
【効果】本発明の液晶性高分子重合体は、成膜加工性に
優れ、大面積・屈曲画面型のフィルムディスプレーの実
現を容易化することができる。
優れ、大面積・屈曲画面型のフィルムディスプレーの実
現を容易化することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式 【化１】 （式中、Ｒは 【化２】 を表わし、ｍは２〜１４の整数、＊は不斉炭素を表わ
す）で表わされる液晶性単量体。 - 【請求項２】 下記一般式 【化３】 （式中、Ｒは 【化４】 を表わし、ｍは２〜１４の整数、ｎは繰返し単位の数
を、＊は不斉炭素を表わす）で示される液晶性高分子重
合体。 - 【請求項３】 ４−（１−アルケニルオキシ）−ビフェ
ニル−４′−カルボン酸ハロゲン化物（アルケニルは炭
素数４〜１６である）と２−メチルブチル４−ヒドロキ
シベンゾエートとを反応させることを特徴とする請求項
１記載の液晶性単量体を製造する方法。 - 【請求項４】 Ｓｉ原子に直接水素原子が多数結合して
いるポリシロキサンに、分子の一方の末端部に液晶性を
発現しうる不斉炭素部分と他の末端部に炭素・炭素不飽
和基を有する液晶性化合物を反応させることにより、ポ
リシロキサン主鎖に多数の液晶性化合物を懸垂させたこ
とを特徴とする液晶性高分子重合体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27685391A JPH06207022A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 液晶性高分子重合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27685391A JPH06207022A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 液晶性高分子重合体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06207022A true JPH06207022A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=17575324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27685391A Pending JPH06207022A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 液晶性高分子重合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06207022A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07316257A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 重合組成物、光学異方性シートとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP27685391A patent/JPH06207022A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07316257A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 重合組成物、光学異方性シートとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置 |
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