JPH06204877A - アナログデイジタル変換回路 - Google Patents

アナログデイジタル変換回路

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JPH06204877A
JPH06204877A JP36146192A JP36146192A JPH06204877A JP H06204877 A JPH06204877 A JP H06204877A JP 36146192 A JP36146192 A JP 36146192A JP 36146192 A JP36146192 A JP 36146192A JP H06204877 A JPH06204877 A JP H06204877A
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resistance
series
voltage
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JP36146192A
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Tsutomu Yamada
力 山田
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Sony Corp
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、アナログデイジタル変換回路におい
て、従来に比して少ない素子数によつて高分解能のアナ
ログデイジタル変換回路を実現する。 【構成】基準電圧を発生する抵抗列の一端に与えられる
バイアス電圧の値を入力アナログ信号に応じて切り換
え、比較手段に与えられる複数の基準電圧の電圧範囲を
他の電圧範囲に切り換える。これにより抵抗列が一度に
発生することができる電圧範囲に比して数倍の範囲を入
力信号の入力レンジとすることができる。このように1
つの比較手段を複数の基準電圧に対して共用できること
により、アナログデイジタル変換回路の素子数を格段的
に減少させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術(図6及び図7) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(図2) 作用(図3〜図5) 実施例(図1〜図5) (1)抵抗分割によるフルスケール拡大の原理(図1) (2)実施例の全体構成(図2) (3)実施例の動作及び効果(図3〜図5) (4)他の実施例 発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明はアナログデイジタル変換
回路に関し、特に並列(フラツシユ)型のアナログデイ
ジタル変換回路に適用して好適なものである。
【0003】
【従来の技術】従来、オーデイオ機器や計測器等の各分
野では録音又は再生対象であるオーデイオ信号等、各種
のアナログ信号をデイジタル的に信号処理するためアナ
ログデイジタル変換回路(以下A−D変換回路という)
を用いてデイジタル信号に変換している。ところでこれ
らA−D変換回路の場合、使用分野及び要求される精度
や速度に応じて種々の変換方式が提案されており、特に
高速動作が要求される分野では並列型のA−D変換回路
が用いられている。
【0004】ここで並列型のA−D変換回路は入力信号
VINをコンパレータに対して並列に入力し、その比較出
力の論理値が反転する電位の境界を求めて2値データに
変換するものであり、例えば8ビツト分解能を有する並
列型A−D変換回路1は図6に示すように構成されてい
る。
【0005】すなわち並列型A−D変換回路1は256
個の基準抵抗R1 〜R256 を直列接続し、その両端に基
準電圧VRT及びVRBを供給することにより各基準抵
抗R1 〜R256 に256個の参照電圧を発生させる。そ
してこれら各参照電圧が与えられるコンパレータCOM
P(C1 〜C256 )にアナログ入力信号VINを入力し、
各参照電圧との大小関係を比較するようになされている
(図7)。
【0006】その後A−D変換回路1は、コンパレータ
回路C1 〜C256 の比較出力をアンド回路AND1 〜A
ND256 によつて構成される微分回路2を介してエンコ
ーダ3に供給し、入力信号VINを8ビツトのデイジタル
データに変換するようになされている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが並列型のA−
D変換回路は高速動作を目的としたA−D変換回路であ
るためコンパレータの数が極めて多くなり、例えば8ビ
ツト分解能のA−D変換回路を並列型の変換方式によつ
て構成しようとすると約1万個もの回路素子が必要であ
つた。このためチツプ面積が大きくならざるを得なかつ
た。
【0008】このため8ビツト分解能以上のA−D変換
回路は、並列型よりも他の変換方式(例えば直並列型の
A−D変換回路)によるA−D変換回路が並列型よりも
多く採用されている。しかし処理速度の向上を考えると
チツプ面積の小さい並列型のA−D変換回路の実現が望
まれる。
【0009】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、チツプ面積を大きくすることなく従来に比して分解
能が一段と高いアナログデイジタル変換回路を提案しよ
うとするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、入力アナログ信号VINを複数の比
較手段C1 〜C127 に対して並列に入力し、比較手段に
対してそれぞれ与えられる複数の基準電圧VR1〜VR256
との比較結果に基づいて入力アナログ信号VINをデイジ
タル信号に変換するアナログデイジタル変換回路におい
て、複数の抵抗手段R1 〜R126 の直列接続でなり、複
数の基準電圧VR1〜VR127(又はVR129〜VR255)を発
生して比較手段にそれぞれ出力する抵抗列Rと、抵抗列
Rの一端に接続され、バイアス電圧を切り換え制御する
ことにより当該抵抗列Rに発生される複数の基準電圧V
R1〜VR127(又はVR129〜VR255)の電圧範囲を切り換
えるレベルシフト手段Rα、SW1、SW2と、しきい値電
圧VTHと入力アナログ信号VINを比較し、当該しきい値
電圧VTHとの比較結果S1に基づいてレベルシフト手段
Rα、SW1、SW2のバイアス電圧を設定する制御手段1
1と、制御手段11によつて設定されたバイアス電圧に
基づいて複数の比較手段C1 〜C127 の比較結果を補正
し、入力アナログ信号VINに対応するデイジタル信号を
出力する補正手段12、13とを設け、レベルシフト手
段Rα、SW1、SW2は、抵抗列Rの抵抗値(R1 +R2
+……+R126)に対して所定の比率に設定された抵抗値
を有し、かつ抵抗列Rに対して直列接続された抵抗手段
Rαでなり、当該抵抗手段Rαに流れる電流値I1 又は
I1 +I3 を切り換えることによりバイアス電圧を制御
する。
【0011】また本発明においては、入力アナログ信号
VINを複数の比較手段C1 〜C127に対して並列に入力
し、比較手段に対してそれぞれ与えられる複数の基準電
圧VR1〜V256 との比較結果に基づいて入力アナログ信
号VINをデイジタル信号に変換するアナログデイジタル
変換回路において、複数の抵抗手段R1 〜R126 の直列
接続でなり、複数の基準電圧VR1〜VR127(又はVR129
〜VR255)を発生して比較手段にそれぞれ出力する第1
の抵抗列Rと、複数の抵抗手段r1 〜r126 の直列接続
でなり、当該複数の抵抗手段の一端r1 に入力される入
力アナログ信号VINを第1の抵抗列Rが発生する複数の
基準電圧の電圧勾配に対して異なる電圧勾配によつて順
次減衰し、複数の減衰アナログ信号VI1〜VI127として
複数の比較手段C1 〜C127 に出力する第2の抵抗列r
と、第1の抵抗列Rの一端R126に接続され、バイアス
電圧を切り換え制御することにより当該第1の抵抗列R
に発生される複数の基準電圧の電圧範囲VR1〜VR127
(又はVR129〜VR255)を切り換える第1のレベルシフ
ト手段Rα、SW1、SW2と、第2の抵抗列rの一端r1
に接続され、バイアス電圧を切り換え制御することによ
り当該第2の抵抗列rに発生される複数の減衰アナログ
信号VI1〜VI127の電圧範囲を切り換える第2のレベル
シフト手段RL 、SW3、SW4と、しきい値電圧VTHと入
力アナログ信号VINを比較し、当該しきい値電圧VTHと
の比較結果に基づいて第1及び第2のレベルシフト手段
Rα、SW1、SW2及びRL 、SW3、SW4のバイアス電圧
の値をそれぞれ設定する制御手段11と、制御手段11
によつて設定されたバイアス電圧の値に基づいて比較手
段C1〜C126 の比較結果を補正し、入力アナログ信号
VINに対応するデイジタル信号を出力する補正手段1
2、13とを設け、第1のレベルシフト手段Rα、SW
1、SW2は、第1の抵抗列Rの抵抗値(R1 +R2 +…
…+R126)に対して所定の比率に設定された抵抗値を有
し、かつ第1の抵抗列Rに対して直列接続された抵抗手
段Rαでなり、当該抵抗手段に流れる電流値I1又はI1
+I3 を切り換えることによりバイアス電圧を制御す
る。
【0012】
【作用】基準電圧を発生する第1の抵抗列Rの一端R12
6 に与えられるバイアス電圧の値を入力アナログ信号V
INに応じて切り換え、比較手段C1 〜C127 に与えられ
る複数の基準電圧の電圧範囲VR1〜VR127を他の電圧範
囲VR129〜VR255に変更する。これにより比較手段C1
〜C127 を複数の電圧範囲に対して共用でき、素子数を
従来に比して格段的に削減でき、アナログデイジタル変
換回路の回路面積を従来に比して一段と小型にできる。
【0013】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
【0014】(1)抵抗分割によるフルスケール拡大の
原理 参照電位VREF の電圧勾配に対して異なる電圧勾配によ
つて入力アナログ信号VINを減衰し、減衰された減衰ア
ナログ信号と参照電位VREF を比較することにより入力
アナログ信号VINのフルスケールを参照電位VREF のフ
ルスケールまで拡大する。
【0015】ここでは入力アナログ信号VINの電圧勾配
を参照電位の電圧勾配に対して2分の1に設定し、入力
アナログ信号VINのフルスケールを参照電位VREF のフ
ルスケールまで2倍に拡大する場合について8ビツト分
解能を有するA−D変換回路を例にとつて説明する。
【0016】図1において横軸はコンパレータの段数を
示し、縦軸に各コンパレータに入力される参照電位VRE
F 及び減衰アナログ信号VINi の電位を示している。こ
こで255個のコンパレータ群の両端に位置するコンパ
レータC1及びC255には基準電位の最大電位VREFT
及び最小電位VREFBがそれぞれ与えられており、中間に
位置するコンパレータC2〜C254には最大電位VRE
FT及び最小電位VREFBを結ぶ実線上に一定電圧ごと並ぶ
253個の参照電位VREFiが与えられている。
【0017】一方、入力アナログ信号VINは直列接続さ
れた256個の分圧抵抗のそれぞれによつて参照電位の
電圧勾配(図1において実線で示す)に対して半分の電
圧勾配(図1において点線で示す)で減少されて各コン
パレータC1〜C255に与えられる。このため1番目
のコンパレータC1と255番目のコンパレータC25
5には参照電位のフルスケール(すなわちVREFT−VRE
FB)に対して2分の1の電位差が生じることになる。
【0018】従つて入力アナログ信号VINを参照電位の
最大値VREFTからフルスケールの中央値まで変化させれ
ば、すなわち参照電位のフルスケールの上半分を入力ア
ナログ信号のフルスケールとすれば、入力アナログ信号
VINに対して定まる一連の減衰アナログ信号と参照電位
VREFiとの電位の大小関係が反転するコンパレータの位
置は1番目のコンパレータC1から255番目のコンパ
レータC255まで移動する。
【0019】これにより減衰アナログ信号の電位と参照
電位の大小関係が逆転するコンパレータCi の位置を求
めれば入力アナログ信号VINをデイジタルデータに変換
することができる。このとき入力アナログ信号VINのフ
ルスケールは参照電位VREF のフルスケールに対して2
分の1で良いため、入力アナログ信号VINの駆動段にか
かる負荷は小さくなり、SN比を向上できる。
【0020】(2)実施例の全体構成 図2において、10は全体として8ビツトの分解能を有
する並列型のA−D変換回路を示し、7ビツト分解能の
A−D変換回路を基本構成として8ビツトの分解能を実
現するようになされている。この実施例の場合、A−D
変換回路10は比較参照電圧の範囲を上位側の電圧範囲
AR1と下位側の電圧範囲AR2の2つに分け、この2
つの電圧範囲AR1及びAR2における比較動作を入力
信号VINの電圧レベルに応じて切り換えることにより8
ビツトの分解能を実現するようになされている(図
3)。
【0021】ここでは基準抵抗列Rが発生する基準電圧
VRのレンジをバイアス電圧の切り換えにより、また分
圧抵抗列rが発生する減衰信号VIのレンジをバイアス
電圧の切り換えによつてそれぞれレベルシフトしてい
る。このため基準抵抗列R及び分圧抵抗列rはそれぞれ
次の接続により構成されている。
【0022】すなわち基準抵抗列R及び分圧抵抗列r
は、それぞれ126個の基準抵抗Ri(i=1、2、3
……126)及び分圧抵抗ri(i=1、2、3……1
26)が直列接続されて構成されている。ここで分圧抵
抗riの抵抗値は基準抵抗Riの抵抗値の2分の1に設
定されており、また各抵抗列に接続される電流源I1及
びI2に流れる電流は同じ値に設定されている。
【0023】これにより分圧抵抗列rが発生する127
個の減衰信号VI(VI1 〜VI126 )の電圧勾配は基
準抵抗列Rが発生する127個の参照電圧VR(VR1
〜VR126 )の電圧勾配に対して2分の1になるように
設定されている。一方、基準抵抗列Rと電流源I1との
接続中点には基準抵抗列Rの全抵抗値(すなわち(R1
+R2+……+R126)と同じ値を有するバイアス電
圧切り換え用の抵抗Rαが接続されている。またバイア
ス電圧切り換え用抵抗Rαの両端にはバイアス電圧発生
用の電流源I3及びI4がスイツチ回路SW1及びSW
2を介してそれぞれ接続されている。
【0024】このスイツチ回路SW1及びSW2は同時
に開閉動作し、基準抵抗列Rに発生される電圧レベルの
範囲をフルレンジの中間電位に比して上位側か下位側か
に切り換えるようになされている。例えば基準抵抗列R
に発生される比較参照電圧VREF1〜VREF127の電圧範囲
を上位側の電圧範囲AR1にシフトさせる場合には電流
源I1 に流れ込むバイアス電流i1 に加えて電流源I3
よりバイアス電流i3を供給することにより、バイアス
電圧発生用の抵抗Rαにフルレンジの2分の1に相当す
る電圧を発生させるようになされている。因にバイアス
電流i3 はスイツチ回路SW2を介して電流源I4に引
き抜かれる。
【0025】他方、分圧抵抗列rと入力信号VINの入力
端P0との接続中点には、分圧抵抗列rと入力端P0と
を直接接続するスイツチSW3が接続されると共に、分
圧抵抗列rと入力端P0とをレベルシフト用の抵抗RL
を介して接続するスイツチSW4がスイツチSW3に対
して並列に接続されている。
【0026】ここで抵抗RL の抵抗値は直列接続された
126個の基準抵抗R1 〜R126 の合成抵抗値に設定さ
れており、相補的に開閉動作するスイツチSW3とスイ
ツチSW4によつて分圧抵抗列rに入力される入力信号
VINの電圧レベルの範囲を入力レンジの2分の1分シフ
トするようになされている。
【0027】これら4つのスイツチ回路SW1〜SW4
のスイツチの切り換えはコンパレータ11によつてなさ
れる。レンジ切換用コンパレータ11は、入力信号VIN
の電位としきい値電圧VTH(すなわち入力レンジの中間
電位であり、基準電位VREFBに対してフルレンジの4分
の3の電位)とを比較し、しきい値電圧VTH(=VREFT
−I0 ・RA)より高い場合にはスイツチ回路SW1、
SW2及びSW3のスイツチを閉じ、しきい値電圧VTH
より低い場合にはスイツチ回路SW4のスイツチを閉じ
るようになされている。
【0028】ここでしきい値電圧VTHは、一端に基準電
位VREFTが与えられる分圧抵抗RU及びRDの接続中点
電位であり、分圧抵抗RDの他端に接続される電流源I
0によつて発生される。因に分圧抵抗RUの一端は、高
インピーダンスの2つの抵抗R01及びR02の接続中点に
接続されている。
【0029】A−D変換回路10は、この電圧レベルの
切り換えによつて発生された127組の比較参照電圧V
R1〜VR127(又はVR129〜VR255)と分圧抵抗列rによ
つて発生された127組の減衰信号V1 〜V127 をコン
パレータC1 〜C127 においてそれぞれ比較し、この比
較出力をエンコーダ12によつて7ビツトのデイジタル
データに変換する。
【0030】続いてA−D変換回路10は、このように
発生された7ビツトのデイジタルデータをデイジタルデ
ータ合成回路13に入力し、基準抵抗列Rに発生されて
いる電圧レベルの範囲に応じて最上位ビツトの論理値を
論理「1」又は論理「0」に切り換え、8ビツトのデイ
ジタルデータとして出力するようになされている。
【0031】(3)実施例の動作及び効果 以上の構成において、A−D変換回路10に与えられる
基準電位VREFT及びVREFBの電位がそれぞれ0〔V〕及
び−2〔V〕であるとし、入力信号VINが0〔V〕から
−1〔V〕の範囲を変動するものとしてその変換動作を
説明する。
【0032】まず入力信号VINが0〔V〕から− 0.5
〔V〕の範囲を変動するアナログ信号である場合、A−
D変換回路10はレンジ切換用コンパレータ11によつ
て入力信号VINがしきい値電圧VTHより大きいことを検
出する。このときレンジ切換用コンパレータ11は、切
換信号S1によつてスイツチ回路SW1、SW2及びS
W3のスイツチを閉じ、スイツチ回路SW4のスイツチ
を開いた状態に制御する。
【0033】これによりバイアス電圧発生用抵抗Rαに
は電流源I1が引き込む電流i1に加えて電流源I3よ
り電流i3が流れ、電流i1に対して2倍の電流が流れ
ることになる。このため基準抵抗列Rに対して2分の1
の抵抗値を有するバイアス電圧用抵抗Rαには基準電圧
のフルスケール(VREFT−VREFB)に対して2分の1の
電圧が発生され、基準抵抗列Rのうちの一端である基準
抵抗R126 の電位はこの電位に設定される。
【0034】これにより基準抵抗列Rにはフルスケール
の2分の1を基準に上位側の参照電圧、すなわち基準抵
抗列Rに0〔V〕から−2〔V〕の範囲の参照電圧V1
〜V127 が発生されることになる。一方、一対のスイツ
チ回路SW3及びSW4のうちスイツチ回路SW3のみ
を閉じることにより入力信号VINを直接分圧抵抗列rに
供給する。これにより分圧抵抗列rには図4において斜
線で示す範囲を変動する127組の減衰信号VIが発生
されることになる。
【0035】A−D変換回路10は、この127組の減
衰信号VIと参照電圧V1 〜V127とを127個のコン
パレータC1 〜C127 取り込んで比較すると、比較結果
に応じた7ビツトのデイジタルデータをエンコーダ12
よりデイジタルデータ合成回路12に供給し、さらにデ
イジタルデータ合成回路12において最上位ビツトを
「1」としてエンコーダ12の出力と合成し、合成結果
を8ビツトのデイジタルデータとして出力する。
【0036】これに対して入力信号VINが− 0.5〔V〕
から− 1〔V〕の範囲を変動するアナログ信号である
場合、A−D変換回路10はレンジ切換用コンパレータ
11によつて入力信号VINがしきい値電圧VTHより小さ
いことを検出する。このときレンジ切換用コンパレータ
11は、切換信号S1によつてスイツチ回路SW1及び
SW2のスイツチを開いてバイアス電圧発生用の抵抗R
αに流れていたバイアス電圧発生用の電流の供給を停止
する。これにより基準抵抗列Rに発生される電圧レベル
はフルレンジの2分の1分低下し、−1〔V〕から−2
〔V〕の範囲の参照電圧V129 〜V255 が基準抵抗列R
に発生される。
【0037】一方、レンジ切換用コンパレータ11は、
一対のスイツチ回路SW3及びSW4のうちスイツチ回
路SW4を閉じ、同時にスイツチ回路SW3を開くこと
により入力信号VINを入力レンジの2分の1分だけ下方
にシフトして分圧抵抗列rに供給する。これにより分圧
抵抗列rには図5において斜線で示す範囲を変動する1
27組の減衰信号VIが発生されることになる。
【0038】A−D変換回路10は、この127組の減
衰信号VIと参照電圧V1 〜V127とを127個のコン
パレータC1 〜C127 取り込んで比較すると、比較結果
に応じた7ビツトのデイジタルデータをエンコーダ12
よりデイジタルデータ合成回路12に供給し、さらにデ
イジタルデータ合成回路12において最上位ビツトを
「0」としてエンコーダ12の出力と合成し、合成結果
を8ビツトのデイジタルデータとして出力する。
【0039】以上の構成によれば、8ビツト分解能に相
当する参照電圧の範囲を2つの範囲に分割し、各コンパ
レータC1 〜C127 に与えられる参照電圧を上位側の参
照電圧V1 〜V127 と下位側の参照電圧V129 〜V255
とで切り換えることとし、いずれか一方の電圧範囲から
他方の電圧範囲に切り換えるときには、この切り換えと
同時に入力信号VINのレベルをシフトして分圧抵抗列r
に入力することによりコンパレータを2つの電圧範囲の
間で共用できる。
【0040】これにより基準抵抗列Rや分圧抵抗列rの
段数を分解能に比して半減することができ、A−D変換
回路の回路面積を一段と小さくすることができる。また
この実施例の場合、入力信号VINを参照電圧の電圧勾配
の2分の1によつて減衰し、減衰された信号を各コンパ
レータに与えて比較することにより、入力信号VINに要
求される入力レンジを従来の半分にすることができ、そ
の結果、入力信号VINの増幅段として利得の小さい増幅
回路を用いることができSN比を一段と向上することが
できる。
【0041】(4)他の実施例 なお上述の実施例においては、分圧抵抗によつて減衰さ
れる入力信号VINの電圧勾配を各コンパレータに与えら
れる参照電圧の電圧勾配に対して2分の1に設定する場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、分圧抵抗
による電圧勾配を参照電圧の電圧勾配に対して2分の1
より大きい値に設定する場合にも小さい値に設定する場
合にも広く適用し得る。
【0042】また上述の実施例においては、分圧抵抗及
び基準抵抗の抵抗比を1対2とし、各抵抗列には同一の
一定電流i1 を引き込む定電流源i1 を接続する場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、分圧抵抗及び
基準抵抗の抵抗値は同一の値とし、各抵抗列に接続され
る定電流源に流れる一定電流の比を1対2に設定しても
良い。
【0043】さらに上述の実施例においては、本発明を
8ビツトの分解能を有する並列型のA−D変換回路に用
いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、8
ビツト以外の分解能を有するA−D変換回路に広く適用
し得る。
【0044】さらに上述の実施例においては、並列型A
−D変換回路10の基準電圧VRT及びVRBをそれぞれ0
〔V〕及び−2〔V〕とする場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、基準電圧値として他の値をとる場
合にも広く適用し得る。
【0045】さらに上述の実施例においては、バイアス
電圧発生用の抵抗Rαの抵抗値を基準抵抗列Rの抵抗値
(R1+R2+……+R126)と同じ大きさとし、か
つ電流源I3より流し込むバイアス電流の電流値i3を
電流源I1の電流値i1と同じ値に設定する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、バイアス電圧発生
用の抵抗Rαの抵抗値を基準抵抗列Rの抵抗値に対して
所定の比率の抵抗値に設定しても良い。このようにすれ
ば基準抵抗列Rが発生する参照電圧の範囲をフルレンジ
の2分の1の他任意の電位を基準に切り換えることがで
きる。
【0046】さらに上述の実施例においては、バイアス
電圧発生用の抵抗Rαの抵抗値を基準抵抗列Rの抵抗値
(R1+R2+……+R126)と同じ大きさとし、か
つ電流源I3より流し込むバイアス電流の電流値i3を
電流源I1の電流値i1と同じ値に設定する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、電流源I1の電流
値にi1に対して所定の比率に設定されたバイアス電流
を電流源I3より流し込むようにしても良い。このよう
にすれば基準抵抗列Rが発生する参照電圧の範囲をフル
レンジの2分の1の他、任意の電位を基準に切り換える
ことができる。
【0047】さらに上述の実施例においては、入力信号
VINを分圧抵抗列rを介して順次減衰し、複数の減衰信
号VIを発生する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、分圧抵抗ri(i=1〜126)の抵抗値を
全て0とし、コンパレータC1 〜C127 に入力信号VIN
を直接入力するようにしても良い。この場合、入力信号
VINのレベルシフト用のスイツチ回路SW3及びSW4
はなくても良い。
【0048】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、基準電圧
を発生する抵抗列の一端に与えられるバイアス電圧の値
を入力アナログ信号に応じて設定し、比較手段に与えら
れる複数の基準電圧の電圧範囲を切り換えることによ
り、比較手段を複数の電圧範囲に対して共用でき、素子
数が格段的に少ないアナログデイジタル変換回路を容易
に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明よるアナログデイジタル変換回路の動作
原理の説明に供する入出力特性図である
【図2】本発明によるアナログデイジタル変換回路の一
実施例を示す接続図である。
【図3】その動作の説明に供する特性曲線図である。
【図4】入力信号の電位がしきい値電圧より高い場合の
比較動作の説明に供する特性曲線図である。
【図5】入力信号の電位がしきい値電圧より低い場合の
比較動作の説明に供する特性曲線図である。
【図6】従来のアナログデイジタル変換回路を示す接続
図である。
【図7】その動作の説明に供する特性曲線図である。
【符号の説明】
10……並列型A−D変換回路、11……レンジ切換用
コンパレータ、12……エンコーダ、13……デイジタ
ルデータ合成回路、Rα……バイアス電圧発生用抵抗、
SW1、SW2、SW3、SW4……スイツチ回路。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力アナログ信号を複数の比較手段に対し
    て並列に入力し、上記比較手段に対してそれぞれ与えら
    れる複数の基準電圧との比較結果に基づいて上記入力ア
    ナログ信号をデイジタル信号に変換するアナログデイジ
    タル変換回路において、 複数の抵抗手段の直列接続でなり、上記複数の基準電圧
    を発生して上記比較手段にそれぞれ出力する抵抗列と、 上記抵抗列の一端に接続され、バイアス電圧を切り換え
    制御することにより当該抵抗列に発生される上記複数の
    基準電圧の電圧範囲を切り換えるレベルシフト手段と、 しきい値電圧と上記入力アナログ信号を比較し、当該し
    きい値電圧との比較結果に基づいて上記レベルシフト手
    段のバイアス電圧を設定する制御手段と、 上記制御手段によつて設定されたバイアス電圧に基づい
    て上記複数の比較手段の比較結果を補正し、上記入力ア
    ナログ信号に対応するデイジタル信号を出力する補正手
    段とを具え、 上記レベルシフト手段は、上記抵抗列の抵抗値に対して
    所定の比率に設定された抵抗値を有し、かつ上記抵抗列
    に対して直列接続された抵抗手段でなり、当該抵抗手段
    に流れる電流値を切り換えることにより上記バイアス電
    圧を制御することを特徴とするアナログデイジタル変換
    回路。
  2. 【請求項2】入力アナログ信号を複数の比較手段に対し
    て並列に入力し、上記比較手段に対してそれぞれ与えら
    れる複数の基準電圧との比較結果に基づいて上記入力ア
    ナログ信号をデイジタル信号に変換するアナログデイジ
    タル変換回路において、 複数の抵抗手段の直列接続でなり、上記複数の基準電圧
    を発生して上記比較手段にそれぞれ出力する第1の抵抗
    列と、 複数の抵抗手段の直列接続でなり、当該複数の抵抗手段
    の一端に入力される上記入力アナログ信号を上記第1の
    抵抗列が発生する複数の基準電圧の電圧勾配に対して異
    なる電圧勾配によつて順次減衰し、複数の減衰アナログ
    信号として上記複数の比較手段に出力する第2の抵抗列
    と、 上記第1の抵抗列の一端に接続され、バイアス電圧を切
    り換え制御することにより当該第1の抵抗列に発生され
    る上記複数の基準電圧の電圧範囲を切り換える第1のレ
    ベルシフト手段と、 上記第2の抵抗列の一端に接続され、バイアス電圧を切
    り換え制御することにより当該第2の抵抗列に発生され
    る上記複数の減衰アナログ信号の電圧範囲を切り換える
    第2のレベルシフト手段と、 しきい値電圧と上記入力アナログ信号を比較し、当該し
    きい値電圧との比較結果に基づいて上記第1及び第2の
    レベルシフト手段のバイアス電圧の値をそれぞれ設定す
    る制御手段と、 上記比較手段の比較結果を上記制御手段によつて設定さ
    れたバイアス電圧の値に基づいて補正し、上記入力アナ
    ログ信号に対応するデイジタル信号を出力する補正手段
    とを具え、 上記第1のレベルシフト手段は、上記第1の抵抗列の抵
    抗値に対して所定の比率に設定された抵抗値を有し、か
    つ上記第1の抵抗列に対して直列接続された抵抗手段で
    なり、当該抵抗手段に流れる電流値を切り換えることに
    より上記バイアス電圧を制御することを特徴とするアナ
    ログデイジタル変換回路。
  3. 【請求項3】上記レベルシフト手段を構成する抵抗手段
    の抵抗値は上記抵抗列の抵抗値と同じ値に設定されるこ
    とを特徴とする請求項1に記載のアナログデイジタル変
    換回路。
  4. 【請求項4】上記第1のレベルシフト手段を構成する抵
    抗手段の抵抗値は上記第1の抵抗列の抵抗値と同じ値に
    設定されることを特徴とする請求項2に記載のアナログ
    デイジタル変換回路。
  5. 【請求項5】上記第1及び第2の抵抗列に供給される電
    流源の電流値は互いに同一でなり、かつ上記第2の抵抗
    列を構成する抵抗手段の各抵抗値は上記第1の抵抗手段
    を構成する抵抗手段の各抵抗値に対して任意の比に設定
    されることを特徴とする請求項2に記載の並列型のアナ
    ログデイジタル変換回路。
  6. 【請求項6】上記第1及び第2の抵抗列を構成する抵抗
    手段の抵抗値は互いに同一でなり、かつ上記第1の抵抗
    列に供給される第1の電流値は上記第2の抵抗列に供給
    される第2の電流値に対して任意の比に設定されること
    を特徴とする請求項2に記載の並列型のアナログデイジ
    タル変換回路。
  7. 【請求項7】上記比は、1より大きく設定されることを
    特徴とする請求項5又は請求項6に記載の並列型のアナ
    ログデイジタル変換回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015050617A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 多摩川精機株式会社 A/d変換方法及び装置

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