JPH06204703A - バンドパスフィルタ - Google Patents
バンドパスフィルタInfo
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- JPH06204703A JPH06204703A JP35954492A JP35954492A JPH06204703A JP H06204703 A JPH06204703 A JP H06204703A JP 35954492 A JP35954492 A JP 35954492A JP 35954492 A JP35954492 A JP 35954492A JP H06204703 A JPH06204703 A JP H06204703A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】急峻な周波数特性が得られるバンドパスフィル
タを提供する。 【構成】ストリップ構造の共振器を用いてバンドパスフ
ィルタを構成する。誘電体でなる基板１内に２本１組と
して複数組の線路用の導体２Ａ〜２Ｄを横並びに配設す
る。各組の対をなす導体を基板内部において交差させて
交差部において結合コンデンサＣ２、Ｃ４を構成する。
各組の対をなす導体２Ａ〜２Ｄの一端を基板の外面に形
成したグランドプレーン３に接続する。各組の導体の隣
接する組側に延出した導体２Ａ、２Ｃ他端を隣接する組
の導体に誘電体を介して対向させて両導体間で結合コン
デンサＣ３を構成した。複数組の導体のうち、一部の導
体を１本１組として構成してもよい。
タを提供する。 【構成】ストリップ構造の共振器を用いてバンドパスフ
ィルタを構成する。誘電体でなる基板１内に２本１組と
して複数組の線路用の導体２Ａ〜２Ｄを横並びに配設す
る。各組の対をなす導体を基板内部において交差させて
交差部において結合コンデンサＣ２、Ｃ４を構成する。
各組の対をなす導体２Ａ〜２Ｄの一端を基板の外面に形
成したグランドプレーン３に接続する。各組の導体の隣
接する組側に延出した導体２Ａ、２Ｃ他端を隣接する組
の導体に誘電体を介して対向させて両導体間で結合コン
デンサＣ３を構成した。複数組の導体のうち、一部の導
体を１本１組として構成してもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体内に線路となる
導体を一体に形成し、誘電体の周囲にグランドプレーン
を形成したストリップ構造の共振器を用いたバンドパス
フィルタに関する。
導体を一体に形成し、誘電体の周囲にグランドプレーン
を形成したストリップ構造の共振器を用いたバンドパス
フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】例え
ば携帯電話等のように２５０ＭＨｚ以上に及ぶような超
高周波を使用する移動式通信機器等においては、図１２
（Ａ）の等価回路で示されるバンドパスフィルタが用い
られる。図１２（Ａ）において、２０ａ、２０ｂは方形
同軸線路により構成される共振器である。２１ａ 、２
１ｂは入出力端子であり、結合コンデンサ２２ａ〜２２
ｃの結合コンデンサによって前記共振器２０ａ、２０ｂ
を結合することで、図１２（Ｂ）のバンドパスフィルタ
の特性図に示すような減衰特性を得る。
ば携帯電話等のように２５０ＭＨｚ以上に及ぶような超
高周波を使用する移動式通信機器等においては、図１２
（Ａ）の等価回路で示されるバンドパスフィルタが用い
られる。図１２（Ａ）において、２０ａ、２０ｂは方形
同軸線路により構成される共振器である。２１ａ 、２
１ｂは入出力端子であり、結合コンデンサ２２ａ〜２２
ｃの結合コンデンサによって前記共振器２０ａ、２０ｂ
を結合することで、図１２（Ｂ）のバンドパスフィルタ
の特性図に示すような減衰特性を得る。
【０００３】図１２（Ｃ）は従来のバンドパスフィルタ
の分解斜視図、図１２（Ｄ）はその断面図である。図１
２（Ｃ）、（Ｄ）において、２１ａ、２１ｂは銀等でな
る前記端子、２４は誘電体でなるスリーブ、２５は中心
に穴２６を有する誘電体、２７は該穴２６の内壁に形成
された銀等でなる中心導体、２８は誘電体２５の少なく
とも上下面に形成された銀層でなるグランドプレーンで
あり、中心導体２７内の一端にスリーブが挿着され、中
心導体２７の他端はグランドプレーン２８に接続されて
共振器のインダクタンス成分を構成し、中心導体２７と
誘電体２５とグランドプレーン２８とで共振器の容量成
分を構成する。また、端子２１ａ、２１ｂとスリーブ２
４と中心導体２７とで端子２１ａ、２１ｂと共振器２０
ａ、２０ｂとの間の結合コンデンサ２２ａ、２２ｃを構
成し、中心導体２７につながるように表面に形成した導
体膜２９、２９間で共振器２０ａ、２０ｂ間の結合コン
デンサ２２ｂを形成する。そして、このように組合わさ
れた共振器２０ａ、２０ｂにシールドケース３１を被せ
て１つのバンドパスフィルタを構成する。
の分解斜視図、図１２（Ｄ）はその断面図である。図１
２（Ｃ）、（Ｄ）において、２１ａ、２１ｂは銀等でな
る前記端子、２４は誘電体でなるスリーブ、２５は中心
に穴２６を有する誘電体、２７は該穴２６の内壁に形成
された銀等でなる中心導体、２８は誘電体２５の少なく
とも上下面に形成された銀層でなるグランドプレーンで
あり、中心導体２７内の一端にスリーブが挿着され、中
心導体２７の他端はグランドプレーン２８に接続されて
共振器のインダクタンス成分を構成し、中心導体２７と
誘電体２５とグランドプレーン２８とで共振器の容量成
分を構成する。また、端子２１ａ、２１ｂとスリーブ２
４と中心導体２７とで端子２１ａ、２１ｂと共振器２０
ａ、２０ｂとの間の結合コンデンサ２２ａ、２２ｃを構
成し、中心導体２７につながるように表面に形成した導
体膜２９、２９間で共振器２０ａ、２０ｂ間の結合コン
デンサ２２ｂを形成する。そして、このように組合わさ
れた共振器２０ａ、２０ｂにシールドケース３１を被せ
て１つのバンドパスフィルタを構成する。
【０００４】このような従来のバンドパスフィルタは、
例えば中心周波数が８３５ＭＨｚのものにおいて、材料
の誘電率を７０とすると、長さＬ（図１２（Ｃ）参照）
が１１ｍｍ、厚さＨが７ｍｍ、幅Ｗが１１ｍｍ程度であ
り、小形化および表面実装形にし難い上、共振周波数の
調整も困難であるという問題点があった。
例えば中心周波数が８３５ＭＨｚのものにおいて、材料
の誘電率を７０とすると、長さＬ（図１２（Ｃ）参照）
が１１ｍｍ、厚さＨが７ｍｍ、幅Ｗが１１ｍｍ程度であ
り、小形化および表面実装形にし難い上、共振周波数の
調整も困難であるという問題点があった。
【０００５】また、従来の他のバンドパスフィルタとし
て、線路となる複数本の導体を誘電体でなる基板内に平
行に形成したストリップ構造のものがあるが、この構成
によると、フィルタの長さは使用波長の約１／４であ
り、損失を減らすために、導体幅をなるべく太くしなけ
ればならず、これらのことが小形化、薄形化の障害とな
っている。また、導体の端部が露出している側面部を削
ることによって共振周波数を調整しているので共振周波
数が高くなる方向にしか調整できず、歩留が悪いという
問題点があった。
て、線路となる複数本の導体を誘電体でなる基板内に平
行に形成したストリップ構造のものがあるが、この構成
によると、フィルタの長さは使用波長の約１／４であ
り、損失を減らすために、導体幅をなるべく太くしなけ
ればならず、これらのことが小形化、薄形化の障害とな
っている。また、導体の端部が露出している側面部を削
ることによって共振周波数を調整しているので共振周波
数が高くなる方向にしか調整できず、歩留が悪いという
問題点があった。
【０００６】このような問題点を解決すること、すなわ
ち、小形化、表面実装化が可能であり、また、従来のも
のより急峻な周波数特性が得られるバンドパスフィルタ
を実現すべく研究し、その結果、本発明者等は、線路と
なる複数体の導体を誘電体内部において交差させ、その
交差部で結合コンデンサを構成したバンドパスフィルタ
を既に開発している。本発明は既に開発しているこの基
本構成を踏襲した上でさらに急峻な周波数特性が得られ
るバンドパスフィルタを提供することを目的とする。
ち、小形化、表面実装化が可能であり、また、従来のも
のより急峻な周波数特性が得られるバンドパスフィルタ
を実現すべく研究し、その結果、本発明者等は、線路と
なる複数体の導体を誘電体内部において交差させ、その
交差部で結合コンデンサを構成したバンドパスフィルタ
を既に開発している。本発明は既に開発しているこの基
本構成を踏襲した上でさらに急峻な周波数特性が得られ
るバンドパスフィルタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のバンドフィルタは、ストリップ構造の共振
器を用いたバンドパスフィルタにおいて、誘電体でなる
基板内に２本１組として複数組の導体を横並びに配設
し、各組の対をなす導体を基板内部において交差させて
交差部において結合コンデンサを構成し、各組の対をな
す導体の一端を基板の外面に形成したグランドプレーン
に接続し、各組の導体の隣接する組側に延出した導体他
端を隣接する組の導体に誘電体を介して対向させて両導
体間で結合コンデンサを構成したことを特徴とする。ま
た、前記複数組の導体のうち、一部の導体を１本１組と
して構成することによっても前記目的を達成できる。
め、本発明のバンドフィルタは、ストリップ構造の共振
器を用いたバンドパスフィルタにおいて、誘電体でなる
基板内に２本１組として複数組の導体を横並びに配設
し、各組の対をなす導体を基板内部において交差させて
交差部において結合コンデンサを構成し、各組の対をな
す導体の一端を基板の外面に形成したグランドプレーン
に接続し、各組の導体の隣接する組側に延出した導体他
端を隣接する組の導体に誘電体を介して対向させて両導
体間で結合コンデンサを構成したことを特徴とする。ま
た、前記複数組の導体のうち、一部の導体を１本１組と
して構成することによっても前記目的を達成できる。
【０００８】
【作用】本発明のバンドパスフィルタは、上記構成を有
するので、２本の導体交差部で共振器の結合コンデンサ
が形成され、さらに別の組の導体が結合されることによ
り、多段共振器でなる急峻な周波数特性が得られる。
するので、２本の導体交差部で共振器の結合コンデンサ
が形成され、さらに別の組の導体が結合されることによ
り、多段共振器でなる急峻な周波数特性が得られる。
【０００９】
【実施例】図１（Ａ）は本発明によるバンドパスフィル
タの一実施例を示す斜視図、同（Ｂ）はその等価回路
図、図２（Ａ）はその平面図、同（Ｂ）はそのＥ−Ｅ断
面図、（Ｃ）は他のバンドパスフィルタと本発明による
ものとの概略の特性比較図である。このバンドパスフィ
ルタは、アルミナその他の誘電体と銀あるいは銀−パラ
ジウム等の導体とを印刷法やシート法によって積層し、
焼結てなるものである。これらの導体２Ａ〜２Ｄは一端
（接地端）において基板１の表裏面および側面に設けた
グランドプレーン３に側面部において接続する。これに
より、各導体２Ａ〜２Ｄは、図１（Ｂ）に示すようにそ
れぞれ導体自体のインダクタンス成分Ｌと、グランドプ
レーン３との間の容量成分Ｃとによりそれぞれ共振器を
構成する。また、導体２Ａと２Ｂ、２Ｃと２Ｄをそれぞ
れ組として、同じ組に属するものの高さを違えて（高低
差は例えば約０．３ｍｍに設定される）交差させ、各交
差部において、図１（Ｂ）に示す結合コンデンサＣ２、
Ｃ４を構成する。また、導体２Ｂ、２Ｄはそれぞれ基板
１の角部に形成した入力端子４、出力端子５にギャップ
（誘電体）を介して対向させ、これにより図１（Ｂ）に
示す結合コンデンサＣ１、Ｃ５を構成する。また、導体
２Ａ、２Ｃの反接地端側をギャップを介して対向するこ
とにより、図１（Ｂ）に示す結合コンデンサＣ３を構成
する。
タの一実施例を示す斜視図、同（Ｂ）はその等価回路
図、図２（Ａ）はその平面図、同（Ｂ）はそのＥ−Ｅ断
面図、（Ｃ）は他のバンドパスフィルタと本発明による
ものとの概略の特性比較図である。このバンドパスフィ
ルタは、アルミナその他の誘電体と銀あるいは銀−パラ
ジウム等の導体とを印刷法やシート法によって積層し、
焼結てなるものである。これらの導体２Ａ〜２Ｄは一端
（接地端）において基板１の表裏面および側面に設けた
グランドプレーン３に側面部において接続する。これに
より、各導体２Ａ〜２Ｄは、図１（Ｂ）に示すようにそ
れぞれ導体自体のインダクタンス成分Ｌと、グランドプ
レーン３との間の容量成分Ｃとによりそれぞれ共振器を
構成する。また、導体２Ａと２Ｂ、２Ｃと２Ｄをそれぞ
れ組として、同じ組に属するものの高さを違えて（高低
差は例えば約０．３ｍｍに設定される）交差させ、各交
差部において、図１（Ｂ）に示す結合コンデンサＣ２、
Ｃ４を構成する。また、導体２Ｂ、２Ｄはそれぞれ基板
１の角部に形成した入力端子４、出力端子５にギャップ
（誘電体）を介して対向させ、これにより図１（Ｂ）に
示す結合コンデンサＣ１、Ｃ５を構成する。また、導体
２Ａ、２Ｃの反接地端側をギャップを介して対向するこ
とにより、図１（Ｂ）に示す結合コンデンサＣ３を構成
する。
【００１０】図２（Ｃ）の特性図に示すように、４本の
導体２Ａ〜２Ｄ即ち４段の共振器によりフィルタを構成
すると共に、これらの共振器を交差部あるいは付き合わ
せ部で結合することにより、１段あるいは２段の共振器
の場合に比較し、共振周波数における損失は増大するも
のの、急峻は周波数特性のものが得られる。そしてこの
ような特性のものが、基板１の厚みを増大させることな
く実現され、薄形化の要望に応えられる。また、導体２
Ａと２Ｂ、２Ｃと２Ｄとを交差させて横並びに配置した
から、従来のように導体を平行に設けたものに比較し、
幅Ｗ（図２（Ａ）参照）を（１／２）1/2に小形化する
ことができる。また、逆にいえば、許容される寸法を使
って幅の大きな導体２Ａ〜２Ｄを用いることができ、損
失の少ないフィルタが実現できる。
導体２Ａ〜２Ｄ即ち４段の共振器によりフィルタを構成
すると共に、これらの共振器を交差部あるいは付き合わ
せ部で結合することにより、１段あるいは２段の共振器
の場合に比較し、共振周波数における損失は増大するも
のの、急峻は周波数特性のものが得られる。そしてこの
ような特性のものが、基板１の厚みを増大させることな
く実現され、薄形化の要望に応えられる。また、導体２
Ａと２Ｂ、２Ｃと２Ｄとを交差させて横並びに配置した
から、従来のように導体を平行に設けたものに比較し、
幅Ｗ（図２（Ａ）参照）を（１／２）1/2に小形化する
ことができる。また、逆にいえば、許容される寸法を使
って幅の大きな導体２Ａ〜２Ｄを用いることができ、損
失の少ないフィルタが実現できる。
【００１１】図３（Ａ）は図１、図２に示した実施例の
変形例を示す斜視図、（Ｂ）はその平面図、（Ｃ）は
（Ｂ）のＦ−Ｆ断面図であり、本例においては、隣接す
る組の導体２Ａ、２Ｃの高さを異ならせて導体２Ａ、２
Ｃの開放端どうしを積層方向に対向させることにより、
結合コンデンサＣ３を構成したものであって、図１、図
２の実施例と同様の作用をなすものである。
変形例を示す斜視図、（Ｂ）はその平面図、（Ｃ）は
（Ｂ）のＦ−Ｆ断面図であり、本例においては、隣接す
る組の導体２Ａ、２Ｃの高さを異ならせて導体２Ａ、２
Ｃの開放端どうしを積層方向に対向させることにより、
結合コンデンサＣ３を構成したものであって、図１、図
２の実施例と同様の作用をなすものである。
【００１２】上記実施例においては、導体どうしの交差
角度を直角としたが、図４（Ａ）に示すように、組を構
成する導体２Ａと２Ｂ、２Ｃと２Ｄのなす角度（導体を
電流の流れる方向に見た場合の各矢印線のなす角度）θ
を鋭角とすることにより、基板１の幅Ｗを狭くすること
ができ、また図４（Ｂ）は、この角度θを鈍角に形成す
ることによって正方形に近い形状に形成することができ
る。従って、前記角度θを調整することにより、搭載機
器に応じた外形に構成できる。また、前記交差部の角度
θが直角であれば共振器間の磁気的結合を生じないが、
この角度θを鋭角とすれば逆相の磁気的結合を生じ、鈍
角であれば同相の磁気的結合を生じるので、この角度θ
を調整することにより、共振器間の結合を調整すること
ができる。
角度を直角としたが、図４（Ａ）に示すように、組を構
成する導体２Ａと２Ｂ、２Ｃと２Ｄのなす角度（導体を
電流の流れる方向に見た場合の各矢印線のなす角度）θ
を鋭角とすることにより、基板１の幅Ｗを狭くすること
ができ、また図４（Ｂ）は、この角度θを鈍角に形成す
ることによって正方形に近い形状に形成することができ
る。従って、前記角度θを調整することにより、搭載機
器に応じた外形に構成できる。また、前記交差部の角度
θが直角であれば共振器間の磁気的結合を生じないが、
この角度θを鋭角とすれば逆相の磁気的結合を生じ、鈍
角であれば同相の磁気的結合を生じるので、この角度θ
を調整することにより、共振器間の結合を調整すること
ができる。
【００１３】図５（Ａ）または（Ｂ）の実施例は、導体
２Ａ〜２Ｄを曲線状に形成したものであり、このよう
に、導体２Ａ〜２Ｄを曲線状に形成することにより、線
路長を長くすることができ、全体形状をより小形化でき
る。また、図５（Ａ）のように導体交差部をグランド寄
りに位置させれば共振器間の結合を弱め、また図５
（Ｂ）のように開放端側寄りに位置させれば共振器間の
結合を強めることができ、曲線形状の調整によって共振
器間の結合を調整することができる。
２Ａ〜２Ｄを曲線状に形成したものであり、このよう
に、導体２Ａ〜２Ｄを曲線状に形成することにより、線
路長を長くすることができ、全体形状をより小形化でき
る。また、図５（Ａ）のように導体交差部をグランド寄
りに位置させれば共振器間の結合を弱め、また図５
（Ｂ）のように開放端側寄りに位置させれば共振器間の
結合を強めることができ、曲線形状の調整によって共振
器間の結合を調整することができる。
【００１４】また、図６（Ａ）に示すように、導体２Ａ
〜２Ｄの接地端側の幅を狭幅にし、開放端側の幅を広幅
にすることにより、損失を低減することができ、反対
に、図６（Ｂ）に示すように、導体２Ａ〜２Ｄの接地端
側の幅を広幅にし、開放端側の幅を狭幅にすることによ
り、インダクタンス成分が増大した回路が実現され、よ
り小形化できる。
〜２Ｄの接地端側の幅を狭幅にし、開放端側の幅を広幅
にすることにより、損失を低減することができ、反対
に、図６（Ｂ）に示すように、導体２Ａ〜２Ｄの接地端
側の幅を広幅にし、開放端側の幅を狭幅にすることによ
り、インダクタンス成分が増大した回路が実現され、よ
り小形化できる。
【００１５】また、図７（Ａ）に示すように、導体２Ａ
〜２Ｄの交差部の幅を他の部分より狭幅に形成すること
により、共振器の間の結合を弱くして周波数特性を急峻
にしたり、反対に、図７（Ｂ）に示すように、導体２Ａ
〜２Ｄの交差部の幅を他の部分より広幅に形成すること
により、共振器の間の結合を強くして周波数特性を緩慢
にしたりすることができ、共振器間の結合度合が任意に
選択できる。
〜２Ｄの交差部の幅を他の部分より狭幅に形成すること
により、共振器の間の結合を弱くして周波数特性を急峻
にしたり、反対に、図７（Ｂ）に示すように、導体２Ａ
〜２Ｄの交差部の幅を他の部分より広幅に形成すること
により、共振器の間の結合を強くして周波数特性を緩慢
にしたりすることができ、共振器間の結合度合が任意に
選択できる。
【００１６】また、図８（Ａ）に示すように、導体２Ａ
〜２Ｄの交差部をその部分での電流の向きが同方向にな
るように配設することにより、共振器間の磁気的結合を
逆相とするか、あるいは反対に、図８（Ｂ）に示すよう
に、導体２Ａ〜２Ｄの交差部をその部分での電流の向き
が逆方向になるように配設することにより、共振器間の
磁気的結合を逆相とする、共振器間の結合強度を増減す
ることができる。
〜２Ｄの交差部をその部分での電流の向きが同方向にな
るように配設することにより、共振器間の磁気的結合を
逆相とするか、あるいは反対に、図８（Ｂ）に示すよう
に、導体２Ａ〜２Ｄの交差部をその部分での電流の向き
が逆方向になるように配設することにより、共振器間の
磁気的結合を逆相とする、共振器間の結合強度を増減す
ることができる。
【００１７】図９（Ａ）は本発明の他の実施例を示す斜
視図、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ（Ａ）のＧ−Ｇ、Ｈ−
Ｈ断面図、（Ｄ）はその等価回路図であり、本例におい
ては、中央に１組の交差する導体２Ｆ、２Ｇを設け、両
端部にクの字形の導体２Ｅ、２Ｈを設け、両端部の導体
２Ｅ、２Ｈの中間部に誘電体層を介して入力端子４、出
力端子５を対向させたものである。本例においては、導
体２Ｅ、２Ｇの開放端間で結合コンデンサＣ２が構成さ
れ、導体２Ｆ、２Ｇ間の交差部で結合コンデンサＣ３が
構成され、導体２Ｆ、２Ｈの開放端間で結合コンデンサ
Ｃ４が構成される。本例によっても、前記実施例と同様
に、周波数特性の急峻化が可能となる。
視図、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ（Ａ）のＧ−Ｇ、Ｈ−
Ｈ断面図、（Ｄ）はその等価回路図であり、本例におい
ては、中央に１組の交差する導体２Ｆ、２Ｇを設け、両
端部にクの字形の導体２Ｅ、２Ｈを設け、両端部の導体
２Ｅ、２Ｈの中間部に誘電体層を介して入力端子４、出
力端子５を対向させたものである。本例においては、導
体２Ｅ、２Ｇの開放端間で結合コンデンサＣ２が構成さ
れ、導体２Ｆ、２Ｇ間の交差部で結合コンデンサＣ３が
構成され、導体２Ｆ、２Ｈの開放端間で結合コンデンサ
Ｃ４が構成される。本例によっても、前記実施例と同様
に、周波数特性の急峻化が可能となる。
【００１８】図１０（Ａ）は本発明の他の実施例を示す
斜視図、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ（Ａ）のＩ−Ｉ、Ｊ
−Ｊ断面図、（Ｄ）はその等価回路図であり、本例にお
いては、１組の交差する導体２Ｊ、２Ｋを設け、その一
端部にクの字形の導体２Ｌを設け、一端部の導体２Ｌの
中間部に誘電体を介して出力端子５を対向させ、交差す
る一方の導体２Ｋの開放端を誘電体を介して入力端子４
に対向させたものである。本例においては、導体２Ｊ、
２Ｋ間の交差部で結合コンデンサＣ２が構成され、導体
２Ｊ、２Ｌの開放端間で結合コンデンサＣ３が構成され
る。本例によっても、単に１対の導体を交差させた場合
よりも、周波数特性の急峻化が可能となる。
斜視図、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ（Ａ）のＩ−Ｉ、Ｊ
−Ｊ断面図、（Ｄ）はその等価回路図であり、本例にお
いては、１組の交差する導体２Ｊ、２Ｋを設け、その一
端部にクの字形の導体２Ｌを設け、一端部の導体２Ｌの
中間部に誘電体を介して出力端子５を対向させ、交差す
る一方の導体２Ｋの開放端を誘電体を介して入力端子４
に対向させたものである。本例においては、導体２Ｊ、
２Ｋ間の交差部で結合コンデンサＣ２が構成され、導体
２Ｊ、２Ｌの開放端間で結合コンデンサＣ３が構成され
る。本例によっても、単に１対の導体を交差させた場合
よりも、周波数特性の急峻化が可能となる。
【００１９】図１１（Ａ）は図１０の実施例の変形例を
示す斜視図、（Ｂ）はその等価回路図であり、本例は、
図１０のク字形導体２Ｌの代わりに直線状の導体２Ｍを
設けたものである。
示す斜視図、（Ｂ）はその等価回路図であり、本例は、
図１０のク字形導体２Ｌの代わりに直線状の導体２Ｍを
設けたものである。
【００２０】以上の実施例においては、２組の導体ある
いは１組の導体と１本１組の導体の組合わせによってフ
ィルタを構成したが、３組以上の導体、あるいは２組以
上の導体と１組１本の導体との組合わせによってフィル
タを構成してもよい。
いは１組の導体と１本１組の導体の組合わせによってフ
ィルタを構成したが、３組以上の導体、あるいは２組以
上の導体と１組１本の導体との組合わせによってフィル
タを構成してもよい。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体でなる基板内に
２本の導体を１組として２組以上の導体、あるいは１組
以上の導体と１本以上の導体で構成し、結合コンデンサ
も誘電体内に構成した上、四角形をなす基板に対角線上
に相互に交差するように導体を配置したので、周波数特
性の急峻なバンドパスフィルタが薄形、小形に構成でき
る。また、２本の導体が交差状に配置されるため、寄生
結合がなく、許容寸法を有効に使用した幅広の導体を使
用できるので、小形でありながら低損失のバンドパスフ
ィルタが実現できる。
２本の導体を１組として２組以上の導体、あるいは１組
以上の導体と１本以上の導体で構成し、結合コンデンサ
も誘電体内に構成した上、四角形をなす基板に対角線上
に相互に交差するように導体を配置したので、周波数特
性の急峻なバンドパスフィルタが薄形、小形に構成でき
る。また、２本の導体が交差状に配置されるため、寄生
結合がなく、許容寸法を有効に使用した幅広の導体を使
用できるので、小形でありながら低損失のバンドパスフ
ィルタが実現できる。
【図１】（Ａ）は本発明によるバンドパスフィルタの一
実施例を示す斜視図、（Ｂ）はその等価回路図である。
実施例を示す斜視図、（Ｂ）はその等価回路図である。
【図２】（Ａ）は図１の実施例の平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｃ）は本発明と従来例との概
略特性比較図である。
（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｃ）は本発明と従来例との概
略特性比較図である。
【図３】（Ａ）は図１の変形例を示す斜視図、（Ｂ）は
その平面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＦ−Ｆ断面図である。
その平面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明によるバンド
パスフィルタの他の実施例を示す平面図である。
パスフィルタの他の実施例を示す平面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明によるバンド
パスフィルタの他の実施例を示す平面図である。
パスフィルタの他の実施例を示す平面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明によるバンド
パスフィルタの他の実施例を示す平面図である。
パスフィルタの他の実施例を示す平面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明によるバンド
パスフィルタの他の実施例を示す平面図とその等価回路
図である。
パスフィルタの他の実施例を示す平面図とその等価回路
図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明によるバンド
パスフィルタの他の実施例を示す平面図である。
パスフィルタの他の実施例を示す平面図である。
【図９】（Ａ）は本発明によるバンドパスフィルタの他
の実施例を示す斜視図、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ
（Ａ）のＧ−Ｇ、Ｈ−Ｈ断面図、（Ｄ）は本実施例の等
価回路図である。
の実施例を示す斜視図、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ
（Ａ）のＧ−Ｇ、Ｈ−Ｈ断面図、（Ｄ）は本実施例の等
価回路図である。
【図１０】（Ａ）は本発明によるバンドパスフィルタの
他の実施例を示す斜視図、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ
（Ａ）のＩ−Ｉ、Ｊ−Ｊ断面図、（Ｄ）は本実施例の等
価回路図である。
他の実施例を示す斜視図、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ
（Ａ）のＩ−Ｉ、Ｊ−Ｊ断面図、（Ｄ）は本実施例の等
価回路図である。
【図１１】（Ａ）は図１０の変形例を示す斜視図、
（Ｂ）はその等価回路図である。
（Ｂ）はその等価回路図である。
【図１２】（Ａ）はバンドパスフィルタの一例の等価回
路図、（Ｂ）はその特性図、（Ｃ）は従来のバンドパス
フィルタの分解斜視図、（Ｄ）はその組立て状態を示す
断面図である。
路図、（Ｂ）はその特性図、（Ｃ）は従来のバンドパス
フィルタの分解斜視図、（Ｄ）はその組立て状態を示す
断面図である。
１ 誘電体（基板） ２Ａ〜２Ｍ 導体 ３ グランドプレーン ４ 入力端子 ５ 出力端子
Claims (2)
- 【請求項１】ストリップ構造の共振器を用いたバンドパ
スフィルタにおいて、誘電体でなる基板内に２本１組と
して複数組の線路用の導体を横並びに配設し、各組の対
をなす導体を基板内部において交差させて交差部におい
て結合コンデンサを構成し、各組の対をなす導体の一端
を基板の外面に形成したグランドプレーンに接続し、各
組の導体の隣接する組側に延出した導体他端を隣接する
組の導体に誘電体を介して対向させて両導体間で結合コ
ンデンサを構成したことを特徴とするバンドパスフィル
タ。 - 【請求項２】請求項１において、複数組の導体のうち、
一部の導体を１本１組として構成したことを特徴とする
バンドパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35954492A JPH06204703A (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | バンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35954492A JPH06204703A (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | バンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204703A true JPH06204703A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18465050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35954492A Withdrawn JPH06204703A (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | バンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180684A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Tdk Corp | フィルタ |
| JP2009088855A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tdk Corp | フィルタ |
-
1992
- 1992-12-26 JP JP35954492A patent/JPH06204703A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180684A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Tdk Corp | フィルタ |
| JP2009088855A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tdk Corp | フィルタ |
| JP4600456B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-15 | Ｔｄｋ株式会社 | フィルタ |
| US8130061B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-03-06 | Tdk Corporation | Filter |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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