JPH06202755A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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Publication number
JPH06202755A
JPH06202755A JP4348424A JP34842492A JPH06202755A JP H06202755 A JPH06202755 A JP H06202755A JP 4348424 A JP4348424 A JP 4348424A JP 34842492 A JP34842492 A JP 34842492A JP H06202755 A JPH06202755 A JP H06202755A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
constant voltage
source
nand gate
voltage source
Prior art date
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Pending
Application number
JP4348424A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mikihiko Komatsu
幹彦 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4348424A priority Critical patent/JPH06202755A/en
Publication of JPH06202755A publication Critical patent/JPH06202755A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a low power consumption oscillating circuit part in which a test operation can be attained by a high frequency clock. CONSTITUTION:A constant voltage source 7 and a step-down power source stepped-down from the constant voltage source 7 by a step-down regulator 8 can be selectively connected through P channel MOS type transistors 9 and 10 constituting a switching means with an area in which a NAND gate 1 and a Schmidt trigger circuit 2 are included and the step-down power source is used at a normal time.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は降圧レギュレータ付きの
低消費電力発振回路部を備えた半導体集積回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having a low power consumption oscillation circuit section with a step-down regulator.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3はICに内蔵された従来の降圧レギュ
レータ付き低消費電力発振回路部の構成を示すブロック
図であり、図中1はNANDゲート、2はシュミットトリガ
回路、3はレベルシフト回路を示している。NANDゲート
1の一方の入力端にはICが動作時に「1」レベルの信号
が入力され、また他方の入力端は外部入力端子4となっ
ている。NANDゲート1の出力端は前記シュミットトリガ
回路2,レベルシフト回路3を経て図示しない内部回路
に接続されている。NANDゲート1とシュミットトリガ回
路2との接続点には外部出力端子5が設けられ、該外部
出力端子5,外部入力端子4には図示しない発振器が接
続され、外部入力端子4を通じて源クロックが入力され
るようになっている。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a conventional low power consumption oscillator circuit with a step-down regulator built in an IC. In the figure, 1 is a NAND gate, 2 is a Schmitt trigger circuit, and 3 is a level shifter. The circuit is shown. A "1" level signal is input to one input end of the NAND gate 1 during operation of the IC, and the other input end is an external input terminal 4. The output terminal of the NAND gate 1 is connected to an internal circuit (not shown) via the Schmitt trigger circuit 2 and the level shift circuit 3. An external output terminal 5 is provided at a connection point between the NAND gate 1 and the Schmitt trigger circuit 2, an oscillator (not shown) is connected to the external output terminal 5 and the external input terminal 4, and a source clock is input through the external input terminal 4. It is supposed to be done.

【0003】7は定電圧源であり、定電圧VCCを直接レ
ベルシフト回路3へ供給すると共に、降圧レギュレータ
8を介在させて降圧電圧 RGVCCを前記NANDゲート1及び
シュミットトリガ回路2へ供給するようになっている。
A constant voltage source 7 supplies a constant voltage V CC directly to the level shift circuit 3 and also supplies a step-down voltage RGV CC to the NAND gate 1 and the Schmitt trigger circuit 2 through a step-down regulator 8. It is like this.

【0004】次にこのような従来の発振回路部の動作を
説明する。定電圧源7からレベルシフト回路3には定電
圧VCCを、またNANDゲート1,シュミットトリガ回路2
には降圧レギュレータ8を介して降圧電圧 RGVCCを供給
し、この状態で外部入力端子4から源クロックを入力す
る。入力された源クロックはシュミットトリガ回路2に
よってノイズを除去された後、レベルシフト回路3にて
内部回路で用いるディジタル値と対応する値にレベル変
換されて内部回路に供給される。
Next, the operation of such a conventional oscillation circuit section will be described. From the constant voltage source 7 to the level shift circuit 3, a constant voltage V CC , NAND gate 1, Schmitt trigger circuit 2
Is supplied with the step-down voltage RGV CC via the step-down regulator 8, and the source clock is input from the external input terminal 4 in this state. The input source clock is noise-removed by the Schmitt trigger circuit 2 and then level-converted by the level shift circuit 3 to a value corresponding to the digital value used in the internal circuit and supplied to the internal circuit.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところでこのような従
来の発振回路部にあっては源クロックを入力とする各部
のトランジスタのソース電源の電圧が低く、また周波数
の低いクロックで動作しているため駆動能力を抑えた状
態となっており、高い周波数のクロックを入力すること
が出来ないから、内部回路をテストする際にも低周波の
区ロックを用いて行うためテストに長い時間を要すると
いう問題があった。本発明はかかる事情に鑑みなされた
ものであって、その目的とするところは通常時は低い周
波数のクロックを、またテスト時には高い周波数のクロ
ックを使用可能としてテスト時間の大幅な短縮を可能と
した発振回路部を備える半導体集積回路を提供するにあ
る。
By the way, in such a conventional oscillation circuit section, the voltage of the source power supply of the transistor of each section to which the source clock is input is low, and the oscillation circuit section operates with a low frequency clock. Since the drive capacity is suppressed and a high frequency clock cannot be input, the test takes a long time because the low frequency block lock is used when testing the internal circuit. was there. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to enable use of a low-frequency clock during normal operation and a high-frequency clock during testing, thereby enabling a significant reduction in test time. The present invention provides a semiconductor integrated circuit including an oscillation circuit section.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体集積
回路は、定電圧源と、該定電圧源の電圧を降圧する降圧
回路と降圧された電源を利用して源クロックを整形し、
ノイズを除去する回路と、該回路からのクロックを用い
る他の回路とを備えた半導体集積回路において、前記降
圧電源を利用する回路に対し、前記定電圧源又は降圧電
源を選択的に接続する切換手段を設けたことを特徴とす
る。
A semiconductor integrated circuit according to the present invention shapes a source clock using a constant voltage source, a step-down circuit for stepping down the voltage of the constant voltage source, and a stepped-down power source,
In a semiconductor integrated circuit including a circuit for removing noise and another circuit that uses a clock from the circuit, switching for selectively connecting the constant voltage source or the step-down power source to the circuit using the step-down power source Means are provided.

【0007】[0007]

【作用】本発明にあってはテスト時に降圧電源を用いる
領域内のトランジスタのソース電源の電圧を降圧電圧か
ら定電圧に切換えることで駆動能力を大きくし、高い周
波数のクロックで動作させてテスト時間の短縮を可能と
する。
According to the present invention, the driving power is increased by switching the voltage of the source power supply of the transistor in the region where the step-down power supply is used during the test from the step-down voltage to the constant voltage, and the test time is increased by operating with a high frequency clock. Can be shortened.

【0008】[0008]

【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づき
具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments.

【0009】(実施例1)図1は本発明に係る半導体集
積回路が内蔵する低消費電力発振回路部の構成を示すブ
ロック図であり、図中1はNANDゲート、2はシュミット
トリガ回路、3はレベルシフト回路、7は定電圧源を示
している。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a low power consumption oscillation circuit portion incorporated in a semiconductor integrated circuit according to the present invention, in which 1 is a NAND gate, 2 is a Schmitt trigger circuit, and 3 Is a level shift circuit, and 7 is a constant voltage source.

【0010】NANDゲート1の一方の入力端子にはIC動作
時に「1」レベルの信号が入力され、また他方の入力端
子は外部から源クロックが入力される外部入力端子4と
なっている。NANDゲート1の出力端はシュミットトリガ
回路2及びレベルシフト回路3を経て図示しない内部回
路に接続されている。NANDゲート1の出力端とシュミッ
トトリガ回路2との接続点には外部出力端子5が設けら
れ、またこの外部出力端子5,前記内部入力端子4には
クロックドインバータ6が介装されている。
A signal of "1" level is input to one input terminal of the NAND gate 1 during operation of the IC, and the other input terminal is an external input terminal 4 to which a source clock is externally input. The output terminal of the NAND gate 1 is connected to an internal circuit (not shown) via the Schmitt trigger circuit 2 and the level shift circuit 3. An external output terminal 5 is provided at a connection point between the output terminal of the NAND gate 1 and the Schmitt trigger circuit 2, and a clocked inverter 6 is interposed between the external output terminal 5 and the internal input terminal 4.

【0011】定電圧源7は直接前記レベルシフト回路3
に接続されると共に、切換え手段を構成するPチャネル
MOS 型のトランジスタ9を介在させて、又は降圧レギュ
レータ8、同じく切換え手段を構成するPチャネルMOS
型のトランジスタ10を介在させて、前記NANDゲート1、
シュミットトリガ回路2に夫々接続されている。
The constant voltage source 7 is directly connected to the level shift circuit 3
P channel that is connected to the
P-channel MOS with MOS type transistor 9 interposed, or with step-down regulator 8 and switching means
, The NAND gate 1,
Each is connected to the Schmitt trigger circuit 2.

【0012】次にこのような本発明に係る半導体集積回
路の動作を説明する。先ずICとしての通常動作時にはP
チャネルMOS 型のトランジスタ10はオフ状態に、またP
チャネルMOS 型トランジスタ9はオン状態に、更にクロ
ックドインバータ6をオフ状態とし、定電圧源7からレ
ベルシフト回路3に定電圧VCCを、また降圧レギュレー
タ8、PチャネルMOS 型のトランジスタ9を介して降圧
電圧 RGVCCをNANDゲート1、シュミットトリガ回路2へ
供給する。この状態で外部入力端子4から源クロックを
入力する。入力された源クロックはシュミットトリガ回
路2によってノイズを除去された後、レベルシフト回路
3にて内部回路で用いるディジタル値に対応したディジ
タル値にレベル変換されて内部回路へ出力される。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit according to the present invention will be described. First, in normal operation as an IC, P
The channel MOS type transistor 10 is turned off and P
To-channel MOS transistor 9 is turned on, further clocks the clocked inverter 6 is turned off, the constant voltage V CC to the level shift circuit 3 from the constant voltage source 7, also via the step-down regulator 8, P-channel MOS transistor 9 And supplies the step-down voltage RGV CC to the NAND gate 1 and the Schmitt trigger circuit 2. In this state, the source clock is input from the external input terminal 4. The input source clock is noise-removed by the Schmitt trigger circuit 2 and then level-converted by the level shift circuit 3 to a digital value corresponding to the digital value used in the internal circuit and output to the internal circuit.

【0013】一方テスト時にはPチャネルMOS 型トラン
ジスタ9をオフ状態に、PチャネルMOS 型のトランジス
タ10をオン状態に、クロックドインバータ6をオン状態
に設定する。これによって定電圧源7の定電圧VCCはレ
ベルシフト回路3へ供給されると共に、PチャネルMOS
型のトランジスタ10を介してNANDゲート1、シュミット
トリガ回路2にも供給され、これらに用いられているト
ランジスタのソース電源電圧がVccとなる。この状態で
外部入力端子4から入力された源クロックはNAND回路か
らシュミットトリガ回路2へ入力されるが、同時にクロ
ックドインバータ6を経て出力端子5からシュミットト
リガ回路2へ入力され、NANDゲート1の駆動能力を補助
する。入力された源クロックはシュミットトリガ回路2
にてノイズを除去された後、レベルシフト回路3で内部
回路のテストに対応したディジタル値に調節されて内部
回路へ出力される。
On the other hand, during the test, the P-channel MOS type transistor 9 is turned off, the P-channel MOS type transistor 10 is turned on, and the clocked inverter 6 is turned on. As a result, the constant voltage V CC of the constant voltage source 7 is supplied to the level shift circuit 3 and the P channel MOS
Is also supplied to the NAND gate 1 and the Schmitt trigger circuit 2 via the transistor 10 of the type, and the source power supply voltage of the transistor used for these is V cc . In this state, the source clock input from the external input terminal 4 is input from the NAND circuit to the Schmitt trigger circuit 2, but at the same time, it is also input from the output terminal 5 to the Schmitt trigger circuit 2 via the clocked inverter 6, and the NAND gate 1 Aiding driving capacity. The input source clock is the Schmitt trigger circuit 2
After the noise is removed at, the level shift circuit 3 adjusts it to a digital value corresponding to the test of the internal circuit and outputs it to the internal circuit.

【0014】この実施例にあっては、常時は降圧電源を
用いているNANDゲート1,シュミットトリガ回路2のト
ランジスタのソース電源がテスト時に定電圧源に切換え
られることでその駆動能力を高められてより高い周波数
のクロックでの動作を行わせてテスト時間の短縮を図れ
ることとなる。
In this embodiment, the source power of the transistors of the NAND gate 1 and the Schmitt trigger circuit 2 which normally use the step-down power supply is switched to the constant voltage source at the time of the test, so that the driving capability thereof is enhanced. The test time can be shortened by operating with a clock of a higher frequency.

【0015】(実施例2)図2は本発明の他の実施例を
示すブロック図である。この実施例2においては切換え
手段を構成するPチャネルMOS 型のトランジスタ9,10
のゲートにレジスタ回路11から直接、又はインバータ12
を介在させて制御信号を入力するようになっている。
(Embodiment 2) FIG. 2 is a block diagram showing another embodiment of the present invention. In the second embodiment, P-channel MOS type transistors 9 and 10 which constitute switching means.
Directly to the gate of the register circuit 11 or the inverter 12
The control signal is input via the.

【0016】この実施例2にあってはPチャネルMOS 型
のトランジスタ9,10のオン, オフ制御レジスタ回路12
からの値によりプログラマブルに切換え可能となってい
る。なおクロックドインバータ6のオン, オフ制御につ
いても同様に前記レジスタ回路12からの値、又は別のレ
ジスタ回路の値により制御してもよいことは勿論であ
る。
In the second embodiment, the ON / OFF control register circuit 12 for the P-channel MOS type transistors 9 and 10 is used.
It is possible to switch it programmable by the value from. It is needless to say that the ON / OFF control of the clocked inverter 6 may be similarly controlled by the value from the register circuit 12 or the value of another register circuit.

【0017】このような実施例2ではレジスタ回路12の
値をPチャネルMOS 型のトランジスタ9,10、更にはク
ロックドインバータ6に与えることで必要に応じて内部
回路のテストを高速で実施可能となる利点がある。なお
上述した実施例1,2では切換え手段をPチャネルMOS
型のトランジスタで構成した場合を示したが、これに限
らずNチャネルMOS 型のトランジスタ、その他各種の切
換えスイッチ手段で構成してもよいことは勿論である。
In the second embodiment, the value of the register circuit 12 is given to the P-channel MOS type transistors 9 and 10, and further to the clocked inverter 6, so that the internal circuit can be tested at high speed as required. There are advantages. In the first and second embodiments described above, the switching means is a P channel MOS.
However, the present invention is not limited to this, and it is of course possible to use N-channel MOS type transistors and other various changeover switch means.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上の如く本発明に係る半導体集積回路
にあっては、常時は降圧電源を用いる回路に対し、降圧
電源と定電圧源とを選択的に接続する切換え手段を設け
たから、常時は低周波のクロックを用いて発振を行な
い、またテスト時には高周波のクロックを用いて論理テ
ストを実施することが出来て、テスト作業を高効率で行
なうことが出来る等、本発明は優れた効果を奏するもの
である。
As described above, the semiconductor integrated circuit according to the present invention is provided with the switching means for selectively connecting the step-down power source and the constant voltage source to the circuit which normally uses the step-down power source. Oscillates using a low-frequency clock, and a logic test can be performed using a high-frequency clock at the time of testing, so that the test work can be performed with high efficiency. It plays.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明回路の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a circuit of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例の構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of another embodiment of the present invention.

【図3】従来回路の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a conventional circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 NANDゲート 2 シュミットトリガ回路 3 レベルシフト回路 4 外部入力端子 5 外部出力端子 6 クロックドインバータ 7 定電圧源 8 降圧レギュレータ 9,10 PチャネルMOS 型のトランジスタ 11 レジスタ回路 12 インバータ 1 NAND gate 2 Schmitt trigger circuit 3 Level shift circuit 4 External input terminal 5 External output terminal 6 Clocked inverter 7 Constant voltage source 8 Step-down regulator 9, 10 P-channel MOS type transistor 11 Register circuit 12 Inverter

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 定電圧源と、該定電圧源の電圧を降圧す
る降圧回路と、降圧された電源を利用して源クロックを
整形し、ノイズを除去する回路と、該回路からのクロッ
クを用いる他の回路とを備えた半導体集積回路におい
て、前記降圧電源を利用する回路に対し、前記定電圧源
又は降圧電源を選択的に接続する切換手段を設けたこと
を特徴とする半導体集積回路。
1. A constant voltage source, a step-down circuit for stepping down the voltage of the constant voltage source, a circuit for shaping a source clock using a stepped-down power source to remove noise, and a clock from the circuit. A semiconductor integrated circuit comprising another circuit to be used, characterized in that a switching means for selectively connecting the constant voltage source or the step-down power source is provided to the circuit using the step-down power source.
JP4348424A 1992-12-28 1992-12-28 Semiconductor integrated circuit Pending JPH06202755A (en)

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