JPH0619942B2 - Method for manufacturing impregnated cathode - Google Patents

Method for manufacturing impregnated cathode

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JPH0619942B2
JPH0619942B2 JP61176803A JP17680386A JPH0619942B2 JP H0619942 B2 JPH0619942 B2 JP H0619942B2 JP 61176803 A JP61176803 A JP 61176803A JP 17680386 A JP17680386 A JP 17680386A JP H0619942 B2 JPH0619942 B2 JP H0619942B2
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ruthenium
molybdenum
cathode
single substrate
thin plate
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徹 矢壁
大輔 宮崎
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、含浸型陰極の製造方法に係わり、とくに量
産性にすぐれた製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for manufacturing an impregnated cathode, and particularly to a manufacturing method excellent in mass productivity.

(従来の技術) 含浸型陰極の構造およびその製造方法として、本発明者
の一人は既に特開昭56-86436号公報に開示されるものを
提案している。それは、多孔質陰極基板と支持用カップ
との間に、半焼結した薄いシート状のルテニウム・モリ
ブデンろう材を介在し、抵抗溶接により陰極基板と支持
用カップとを接合するものである。
(Prior Art) As a structure of an impregnated cathode and a method of manufacturing the same, one of the inventors of the present invention has already proposed a structure disclosed in JP-A-56-86436. In this method, a semi-sintered thin sheet-shaped ruthenium molybdenum brazing material is interposed between the porous cathode substrate and the supporting cup, and the cathode substrate and the supporting cup are joined by resistance welding.

これは信頼性にすぐれたものであるが、しかし所定形
状、寸法に加工した薄いシート状ろう材を陰極基板と支
持用カップとの間に挿入して挟む必要があるため、自動
化に難点があり、大量生産には必ずしも適しない。
This is highly reliable, but there is a difficulty in automation because it is necessary to insert and sandwich a thin sheet-shaped brazing material processed into a predetermined shape and size between the cathode substrate and the supporting cup. , Not necessarily suitable for mass production.

一方、量産性にすぐれた製造として、特開昭58-44643号
公報に開示されている方法も提案されている。それはま
ず、タングステン粉末を圧縮成形した後還元性雰囲気中
で焼結して得られる大口径で長大な多孔質タングステン
ロッドを製作する。次にその空孔部に銅を含浸する。こ
れを施盤加工あるいはワイヤー放電加工等によりスライ
シングして例えば厚さが 0.5mm、直径が30mm程度の大口
径銅含浸多孔質タングステン薄板を得る。次に硝酸によ
る銅の溶解および還元性雰囲気中による加熱により銅を
除去する。そしてこの大口径多孔質タングステン薄板の
裏面に、電子放射物質が裏面側から蒸発するのを防止す
るため、この多孔質基板の裏面側空孔部を埋めるように
ルテニウム・モリブデンろう材を溶融含浸させる。その
ため、ルテニウムおよびモリブデンの混合粉末に有機性
バインダを加えた懸濁液を滴下し乾燥させた後、還元性
雰囲気中で例えば2000℃で加熱しルテニウム・モリブデ
ンろうを多孔質基体中に溶融含浸させる。その後、円板
状多孔質タングステンに還元性雰囲気中で、BaO、C
aO、Alからなる電子放射物質を含浸させる。
さらにこの大口径多孔質タングステン薄板を放電加工あ
るいはレーザ加工により所定形状、寸法の多数の円板状
陰極単体基板に切抜く。そしてこのような陰極単体基板
を支持用カップに溶接により接合する。
On the other hand, a method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58-44643 has been proposed as a manufacturing method excellent in mass productivity. First, a large diameter and long porous tungsten rod obtained by compression-molding tungsten powder and then sintering in a reducing atmosphere is manufactured. Next, the holes are impregnated with copper. This is sliced by lathing or wire electric discharge machining to obtain a large-diameter copper-impregnated porous tungsten thin plate having a thickness of about 0.5 mm and a diameter of about 30 mm, for example. Next, copper is removed by dissolution of copper with nitric acid and heating in a reducing atmosphere. Then, on the back surface of this large-diameter porous tungsten thin plate, in order to prevent the electron emitting substance from evaporating from the back surface side, the ruthenium molybdenum brazing material is melt-impregnated so as to fill the back surface side pores of this porous substrate. . Therefore, a suspension prepared by adding an organic binder to a mixed powder of ruthenium and molybdenum is dropped and dried, and then heated at, for example, 2000 ° C. in a reducing atmosphere to melt-impregnate the ruthenium molybdenum wax into the porous substrate. . Then, the disk-shaped porous tungsten was converted into BaO, C in a reducing atmosphere.
An electron emitting material consisting of aO and Al 2 O 3 is impregnated.
Further, this large-diameter porous tungsten thin plate is cut out into a large number of disk-shaped cathode single substrates having a predetermined shape and size by electric discharge machining or laser machining. Then, such a cathode single substrate is joined to the supporting cup by welding.

このような製造方法によると、とくに多孔質基板の裏面
側からのろう材浸透深さの管理が困難で、あまり深く浸
透させてしまうと陰極自体の電子放射寿命を短縮させる
おそれがある。また浸透深さのばらつきが大きくなりや
すい。
According to such a manufacturing method, it is particularly difficult to control the penetration depth of the brazing filler metal from the back surface side of the porous substrate, and if it penetrates too deeply, the electron emission life of the cathode itself may be shortened. Further, the variation in the penetration depth tends to increase.

(発明が解決しようとする問題点) このように従来の製造方法によると、大量生産において
安定的な品質の含浸型陰極構体を得ることが容易でな
い。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, according to the conventional manufacturing method, it is not easy to obtain an impregnated-type cathode assembly having stable quality in mass production.

この発明は、以上のような不都合を解消し多孔質陰極基
板の裏面側からの電子放射物質の蒸発を確実に防止する
とともに大量生産で安定な、量産性にすぐれた含浸型陰
極の製造方法を提供することを目的とするものである。
The present invention solves the above inconveniences, reliably prevents the evaporation of the electron emitting substance from the back surface side of the porous cathode substrate, and is stable in mass production, and a method for producing an impregnated cathode excellent in mass productivity. It is intended to be provided.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) この発明は、多孔質タングステンの大口径薄板の一主面
に、ルテニウム・モリブデン混合粉末を溶媒に混合した
ものを塗布した後、このルテニウム・モリブデン混合塗
布層の融点よりも低い温度で焼結してルテニウム・モリ
ブデンの混合焼結層を一体的に付着させ、その後、多孔
質タングステンの大口径薄板の空孔部に電子放射物質を
含浸させ、その後、ルテニウム・モリブデン混合焼結層
が一体的に付着されている多孔質タングステンの大口径
薄板を所定形状および寸法の単体基板に切抜きし、その
後、この単体基板をカップ状陰極支持体の底壁に焼結層
を接触させて配置し且つこの焼結層の少なくとも一部を
溶接により溶融させて単体基板と陰極支持体とを接合す
る含浸型陰極の製造方法である。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention is to apply a ruthenium / molybdenum mixed powder mixed with a solvent to one main surface of a large-diameter thin plate of porous tungsten, and then apply this ruthenium.・ Sintered at a temperature lower than the melting point of the molybdenum mixed coating layer to adhere the ruthenium / molybdenum mixed sintered layer integrally, and then impregnate the holes of the large-diameter thin plate of porous tungsten with an electron emitting substance. After that, a large-diameter thin plate of porous tungsten to which the ruthenium / molybdenum mixed sintered layer is integrally attached is cut out into a single substrate having a predetermined shape and size, and then this single substrate is used as a cup-shaped cathode support. Method for producing impregnated cathode in which a sintered layer is placed in contact with the bottom wall and at least a part of this sintered layer is melted by welding to join the single substrate and the cathode support It is.

(作用) この発明によれば、ルテニウム・モリブデン混合焼結層
は、多孔質タングステン薄板の空孔部の薄板裏面に開口
する窪みに入り込んで付着されるので、十分な付着強度
が得られて焼結層の剥がれが防止されるとともに、多孔
質タングステン薄板の空孔部への電子放射物質の含浸量
の低減が防止される。そして、切抜き加工で得られる単
体基板をカップ状陰極支持体に固定する際に、ルテニウ
ム・モリブデン混合焼結層が少なくとも一部溶融されて
ろう材の役割をし、強固な接合状態が得られる。したが
って、十分な量の電子放射物質が含浸された陰極が得ら
れ、且つ組み立て性に優れている。
(Operation) According to the present invention, since the ruthenium / molybdenum mixed sintered layer is adhered by entering into the recess opening on the back surface of the thin plate of the hole portion of the porous tungsten thin plate, sufficient adhesion strength is obtained and baking is performed. The peeling of the bonding layer is prevented, and the impregnation amount of the electron emitting substance into the pores of the porous tungsten thin plate is prevented. Then, when fixing the single substrate obtained by the cutting process to the cup-shaped cathode support, the ruthenium / molybdenum mixed sintered layer is at least partially melted to function as a brazing material, and a strong bonding state is obtained. Therefore, a cathode impregnated with a sufficient amount of the electron emitting substance can be obtained, and the assembling property is excellent.

(実施例) 以下図面を参照してその実施例を説明する。なお同一部
分は同一符号であらわす。
(Example) Hereinafter, an example will be described with reference to the drawings. The same parts are represented by the same symbols.

まず第1図(a) 乃至(h) により含浸型陰極単体基板を製
造する工程を説明する。
First, the process of manufacturing the impregnated cathode single substrate will be described with reference to FIGS. 1 (a) to 1 (h).

すなわちまず、同図(a) に示すように、粒径が2〜10μ
mのタングステン粉末を圧縮成形した後、還元性雰囲気
で焼結して、例えば直径役50mmの大口径で長大な多孔質
タングステンロッド11を得る。そして加工性をよくする
ためにこれに銅を溶浸させる。
That is, first, as shown in Fig. 1 (a), the particle size is 2-10 μm.
m tungsten powder is compression-molded and then sintered in a reducing atmosphere to obtain a long porous tungsten rod 11 having a large diameter of 50 mm, for example. Then, copper is infiltrated to improve workability.

次に同図(b) に示すように、この銅含浸多孔質タングス
テンロッド11を、ワイヤ放電加工、あるいはダイヤモン
ドワイヤソー等により、厚さ 0.5mmの薄板状にスライシ
ング加工する。こうして多孔質タングステンの大口径薄
板12を得る。
Next, as shown in FIG. 3B, the copper-impregnated porous tungsten rod 11 is sliced into a thin plate having a thickness of 0.5 mm by wire electric discharge machining or a diamond wire saw. Thus, a large-diameter thin plate 12 of porous tungsten is obtained.

次に、同図(c) に示すように、各大口径薄板12を保持台
13上に並べて、酸による溶融あるいは還元性雰囲気中で
加熱し銅を蒸発、除去する。
Next, as shown in (c) of the figure, hold each large-diameter thin plate 12
13 are placed on top of each other and heated in an acid melting or reducing atmosphere to evaporate and remove copper.

その後、多孔質タングステン大口径薄板12の裏面側に、
40.9%ルテニウム、57.1%モリブデンからなる混合粉末
に有機性バインダーを加えた懸濁液を印刷法あるいは筆
塗り等により塗布し、乾燥して塗布層14a を形成する。
After that, on the back side of the porous tungsten large-diameter thin plate 12,
A suspension obtained by adding an organic binder to a mixed powder composed of 40.9% ruthenium and 57.1% molybdenum is applied by a printing method or brush coating, and dried to form a coating layer 14a.

次にこれを、還元性雰囲気中で、ルテニウム・モリブデ
ン混合塗布層の融点(前記の混合粉末の場合は約194
5℃)よりも低い温度、例えば、1900℃で10秒間
加熱することにより同図(e)に示すように多孔質タン
グステ大口径薄板の裏面側に、ルテニウム・モリブデン
の焼結層14を、10〜50μmの範囲の厚さに形成す
る。この場合、懸濁液を塗布してから焼結するため、多
孔質タングステン大口径薄板の裏面に開口する空孔の窪
みにはルテニウム・モリブデンが入り込むが、その量は
薄板の空孔の全容積に比べれば無視できる程少ない。こ
のように、ルテニウム・モリブデン焼結層は、空孔部に
はほとんど含浸しないで薄板の裏面に付着している。
Next, this is placed in a reducing atmosphere at the melting point of the ruthenium / molybdenum mixed coating layer (about 194 in the case of the above-mentioned mixed powder).
5 ° C.), for example, by heating at 1900 ° C. for 10 seconds, a ruthenium molybdenum sintered layer 14 is formed on the back surface side of the porous Tangste large-diameter thin plate as shown in FIG. The thickness is formed in the range of ˜50 μm. In this case, since the suspension is applied and then sintered, ruthenium and molybdenum enter into the hollow holes on the back surface of the porous tungsten large-diameter thin plate, but the amount is the total volume of the thin plate holes. It is so small that it can be ignored compared to. Thus, the ruthenium-molybdenum sintered layer adheres to the back surface of the thin plate with almost no impregnation in the pores.

その後、同図(f) に示すように、多孔質タングステン大
口径薄板12の表面側にBaO、CaO、Alから
なる電子放射物質15を、還元性雰囲気中で含浸させる。
この大口径基板に表面処理を施こし余剰の電子放射物質
を除去する。
After that, as shown in FIG. 6F, the surface side of the porous tungsten large-diameter thin plate 12 is impregnated with an electron emitting material 15 made of BaO, CaO, and Al 2 O 3 in a reducing atmosphere.
The large-diameter substrate is subjected to a surface treatment to remove the surplus electron emitting material.

その後、同図(g) および(h) に示すように、放電加工あ
るいはレーザ加工により、例えば直径1.45mmの多数個の
含浸型陰極単体基板16を得る。各単体基板16は、裏面側
にルテニウム・モリブデン焼結層14が一体的に付着され
た状態で得られる。
Then, as shown in (g) and (h) of the same figure, a large number of impregnated-type cathode simple substance substrates 16 having a diameter of 1.45 mm, for example, are obtained by electric discharge machining or laser machining. Each single substrate 16 is obtained with the ruthenium-molybdenum sintered layer 14 integrally attached to the back surface side.

この発明の実施例による含浸型陰極の製造工程によれ
ば、多孔質タングステンの大口径薄板にルテニウム・モ
リブデン懸濁液を塗布するので、作業性、均一性が向上
する。そして、ルテニウム・モリブデン混合焼結層は、
多孔質タングステン薄板の裏面に開口する空孔の窪みに
入り込んで付着されるので、十分な付着強度が得られて
焼結層の剥がれが防止されるとともに、多孔質タングス
テン薄板の空孔部への電子放射物質の含浸量の低減が防
止される。つまり、ルテニウム・モリブデンの混合塗布
層をその融点よりも低い温度で焼結するので、ルテニウ
ム・モリブデンは溶融せず、したがってこの焼結工程で
多孔質タングステン薄板の空孔部にはルテニウム・モリ
ブデンが含浸することはない、そのため、次工程の多孔
質タングステン大口径薄板の空孔部への電子放射物質の
含浸量を、前述のルテニウム・モリブデンろうを溶融し
て空孔部に含浸させる従来方法に比べて、十分増加させ
ることができる。しかもルテニウム・モリブテン焼結層
面にレーザを照射すれば、含浸型陰極単体基板の直径よ
りもルテニウム・モリブデン焼結層が径大となることが
なく、むしろ放電加工あるいはレーザ加工時の熱の影響
で焼結層の周縁部が一部飛散したり、溶融するので焼結
層は必ず径小となる。したがって、単体基板の周縁部が
テーパ状又は円弧状になるので、以降の組立て工程にお
いて支持用カップ内への挿入をスムーズに行なえる。
According to the manufacturing process of the impregnated cathode according to the embodiment of the present invention, since the ruthenium-molybdenum suspension is applied to the large-diameter thin plate of porous tungsten, workability and uniformity are improved. And the ruthenium / molybdenum mixed sintered layer is
Since the porous tungsten thin plate enters and is adhered to the recess of the hole that opens on the back surface, sufficient adhesion strength is obtained and peeling of the sintered layer is prevented. The reduction of the impregnated amount of the electron emitting substance is prevented. In other words, since the mixed coating layer of ruthenium / molybdenum is sintered at a temperature lower than its melting point, ruthenium / molybdenum does not melt, and therefore, in this sintering process, ruthenium / molybdenum is not contained in the pores of the porous tungsten thin plate. Therefore, the impregnation amount of the electron emitting substance into the pores of the porous tungsten large-diameter thin plate in the next step is the same as the conventional method of impregnating the pores by melting the above-mentioned ruthenium molybdenum braze. In comparison, it can be increased sufficiently. Moreover, by irradiating the surface of the ruthenium / molybdenum sintered layer with a laser, the diameter of the ruthenium / molybdenum sintered layer does not become larger than the diameter of the impregnated type cathode single substrate, but rather due to the influence of heat during electric discharge machining or laser machining. Since the peripheral portion of the sintered layer is partly scattered or melted, the diameter of the sintered layer is always small. Therefore, since the peripheral portion of the single substrate is tapered or arcuate, it can be smoothly inserted into the supporting cup in the subsequent assembling steps.

なお、ルテニウム・モリブデン焼結層は、ルテニウム、
モリブデンを主成分とするもので、これにわずか他の金
属が混合されてもよい。
The ruthenium-molybdenum sintered layer is a ruthenium,
It is mainly composed of molybdenum, and a slight amount of another metal may be mixed therein.

このように製作した各単体基板16を、第2図に示すよう
に例えば陰極線管用の電子銃陰極構体として組み立て
る。すなわり裏面側にルテニウム・モリブデン焼結層14
が一体的に付着された状態の含浸型陰極単体基板16を、
タンタルあるいはニオブからなる支持用カップ17の底部
に配置する。そして抵抗溶接機(図示せず)の電極を、
支持用カップ17の裏面および陰極単体基板16の上面に当
接して抵抗溶接し、両者を接合する。ルテニウム・モリ
ブデン焼結層の一部はこの溶接で溶融合金化し、ろう材
の役割をして単体基板と支持用カップとを接合する。こ
のようにして含浸型陰極単体基板16を支持用カップ17の
底部に固定する。
The individual substrates 16 thus manufactured are assembled as an electron gun cathode assembly for a cathode ray tube as shown in FIG. That is, ruthenium-molybdenum sintered layer 14 on the back side
Impregnated type cathode single substrate 16 in a state of being integrally attached,
It is placed at the bottom of a supporting cup 17 made of tantalum or niobium. And the electrode of the resistance welding machine (not shown)
The back surface of the supporting cup 17 and the upper surface of the single cathode substrate 16 are brought into contact with each other and resistance welding is performed to join them. A part of the ruthenium-molybdenum sintered layer is melted and alloyed by this welding, and acts as a brazing filler metal to bond the single substrate and the supporting cup. In this way, the impregnated-type cathode single substrate 16 is fixed to the bottom of the supporting cup 17.

次にこの単体基板16と溶接されたカップ17は、タンタル
あるいはニオブからなる陰極スリーブ18の頂部に嵌入固
着され、溶融点19で側面が溶接される。さらに陰極スリ
ーブ18の底部外周には3本のタンタルあるいはニオブ製
リボンから成る陰極支持子20が溶接点21で固定される。
またこの陰極支持子20の他端部はFe-Ni-Co合金板
からなる陰極支持筒22の肩部22a に溶接点23で固着さ
れ、陰極構体が構成されている。
Next, the cup 17 welded to the single substrate 16 is fitted and fixed to the top of the cathode sleeve 18 made of tantalum or niobium, and the side surface is welded at the melting point 19. Further, a cathode support 20 made of three tantalum or niobium ribbons is fixed to the outer periphery of the bottom of the cathode sleeve 18 at welding points 21.
The other end of the cathode support 20 is fixed to a shoulder 22a of a cathode support cylinder 22 made of a Fe-Ni-Co alloy plate at a welding point 23 to form a cathode assembly.

[発明の効果] 以上述べたように、この発明によれば、ルテニウム・モ
リブデン混合焼結層の多孔質タングステン大口径薄板へ
の機械的付着強度が十分得られるとともに、この多孔質
タングステン薄板の空孔部へのルテニウム・モリブデン
の含浸がなく、それだけ電子放射物質の十分な含浸量が
得られる。そして、単体基板をカップ状陰極支持体に固
定する際に、ルテニウム・モリブデン混合焼結層が少な
くとも一部溶融されてろう材の役割をし、強固な接合状
態が得られる。
[Advantages of the Invention] As described above, according to the present invention, the mechanical adhesion strength of the ruthenium-molybdenum mixed sintered layer to the porous tungsten large-diameter thin plate can be sufficiently obtained, and the void of the porous tungsten thin plate can be obtained. There is no impregnation of ruthenium molybdenum into the pores, and a sufficient impregnation amount of the electron emitting material can be obtained. When the single substrate is fixed to the cup-shaped cathode support, the ruthenium / molybdenum mixed sintered layer is at least partially melted to serve as a brazing material, and a strong bonding state is obtained.

したがって、十分な量の電子放射物質が含浸された陰極
が得られるとともに単体基板の裏面側からの電子放射物
質の蒸発が防止され且つ組み立て性に優れている。
Therefore, a cathode impregnated with a sufficient amount of the electron emitting substance is obtained, evaporation of the electron emitting substance from the back surface side of the single substrate is prevented, and the assembling property is excellent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図(a) 乃至(h) はこの発明の実施例を示す各工程
図、第2図はそれを使用した陰極構体を示す一部切欠斜
視図である。 11……柱状多孔質タングステン焼結体、 12……多孔質タングステン大口径薄板、 14……ルテニウム・モリブデン焼結層、 15……電子放射物質、 16……陰極単体基板、 17……陰極支持用カップ。
1 (a) to 1 (h) are process drawings showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing a cathode assembly using the same. 11 …… Columnar porous tungsten sintered compact, 12 …… Porous tungsten large diameter thin plate, 14 …… Ruthenium molybdenum sintered layer, 15 …… Electron emission material, 16 …… Cathode single substrate, 17 …… Cathode support Cup.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】多孔質タングステンの大口径薄板に電子放
射物質を含浸させ、それを切抜きにより小径の単体基板
に加工したうえカップ状陰極支持体に接合する含浸型陰
極の製造方法において、 上記多孔質タングステンの大口径薄板の一主面に、ルテ
ニウム・モリブデン混合粉末を溶媒に混合したものを塗
布した後、このルテニウム・モリブデン混合塗布層の融
点よりも低い温度で焼結してルテニウム・モリブデンの
混合焼結層を一体的に付着させる工程と、 その後、前記多孔質タングステンの大口径薄板の空孔部
に電子放射物質を含浸させる工程と、 その後、上記ルテニウム・モリブデン混合焼結層が一体
的に付着されている多孔質タングステンの大口径薄板を
所定形状および寸法の単体基板に切抜きする工程と、 その後、この単体基板を上記カップ状陰極支持体の底壁
に上記焼結層を接触させて配置し且つ前記焼結層の少な
くとも一部を溶接により溶融させて前記単体基板と陰極
支持体とを結合する工程とを備えることを特徴とする含
浸型陰極の製造方法。
1. A method for producing an impregnated cathode in which a large-diameter thin plate of porous tungsten is impregnated with an electron-emitting substance, which is cut into a single substrate having a small diameter, and which is then joined to a cup-shaped cathode support. After coating a mixture of ruthenium / molybdenum mixed powder in a solvent on one major surface of a large-diameter thin sheet of high-quality tungsten, sintering it at a temperature lower than the melting point of this ruthenium / molybdenum mixed coating layer, and ruthenium / molybdenum A step of integrally adhering the mixed sintered layer, a step of impregnating the holes of the large-diameter thin plate of porous tungsten with an electron emitting material, and a step of integrally forming the ruthenium / molybdenum mixed sintered layer. The step of cutting out the large-diameter thin plate of porous tungsten attached to the single substrate into a single substrate having a predetermined shape and size, and thereafter, removing this single substrate. Arranging the sintered layer in contact with the bottom wall of the cup-shaped cathode support and melting at least a part of the sintered layer by welding to bond the single substrate and the cathode support. A method for manufacturing an impregnated-type cathode, comprising:
JP61176803A 1986-07-29 1986-07-29 Method for manufacturing impregnated cathode Expired - Lifetime JPH0619942B2 (en)

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JP2685835B2 (en) * 1988-10-06 1997-12-03 株式会社東芝 Manufacturing method of impregnated cathode
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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