JPH0619435B2 - ガラス線量測定方法およびその測定装置 - Google Patents
ガラス線量測定方法およびその測定装置Info
- Publication number
- JPH0619435B2 JPH0619435B2 JP23011390A JP23011390A JPH0619435B2 JP H0619435 B2 JPH0619435 B2 JP H0619435B2 JP 23011390 A JP23011390 A JP 23011390A JP 23011390 A JP23011390 A JP 23011390A JP H0619435 B2 JPH0619435 B2 JP H0619435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- fluorescence
- radiation
- fluorescent
- fluorescent glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は放射線被曝された蛍光ガラスの被曝線量を高精
度に測定するガラス線量測定方法およびその測定装置に
関する。
度に測定するガラス線量測定方法およびその測定装置に
関する。
（従来の技術） 一般に、蛍光ガラス線量計は、銀イオンを含有するリン
酸塩ガラスからなる蛍光線量計用蛍光ガラスが用いられ
ている。この蛍光ガラスは、放射線の被曝によって活性
化された後、波長３００〜４００nmの紫外線で励起する
と蛍光を発するが、このときの蛍光強度は被曝放射線量
に比例することから、この蛍光強度を検出することによ
り被曝放射線量を測定できる。
酸塩ガラスからなる蛍光線量計用蛍光ガラスが用いられ
ている。この蛍光ガラスは、放射線の被曝によって活性
化された後、波長３００〜４００nmの紫外線で励起する
と蛍光を発するが、このときの蛍光強度は被曝放射線量
に比例することから、この蛍光強度を検出することによ
り被曝放射線量を測定できる。
このような放射線量の測定に当たっては、励起用紫外線
源から投射された紫外光を光学フィルタを通すことによ
り所定波長域の紫外線を選択的に取り出した後、予め定
めた蛍光ガラスの一面にほぼ垂直に入射する。ここで、
所定波長の紫外線を受けた蛍光ガラスは蛍光を発する
が、このとき紫外線の入射方向に対して直角をなす蛍光
ガラスの方向から出力する蛍光について光学フィルタを
介して所定波長範囲の蛍光のみを選択的に取り出した
後、光電子増倍管によって光電変化して蛍光強度に比例
するレベルの電気信号を得ることにより、この電気信号
のレベルから蛍光強度、ひいては放射線量を測定するも
のである。
源から投射された紫外光を光学フィルタを通すことによ
り所定波長域の紫外線を選択的に取り出した後、予め定
めた蛍光ガラスの一面にほぼ垂直に入射する。ここで、
所定波長の紫外線を受けた蛍光ガラスは蛍光を発する
が、このとき紫外線の入射方向に対して直角をなす蛍光
ガラスの方向から出力する蛍光について光学フィルタを
介して所定波長範囲の蛍光のみを選択的に取り出した
後、光電子増倍管によって光電変化して蛍光強度に比例
するレベルの電気信号を得ることにより、この電気信号
のレベルから蛍光強度、ひいては放射線量を測定するも
のである。
（発明が解決しようとする課題） しかし、以上のようなガラス線量測定方法は、励起用紫
外線源から予め定めた蛍光ガラスの一面に連続的に紫外
線を入射し、この蛍光ガラスから発生する被曝蛍光を測
定し、その蛍光強度に比例する電気レベル信号から被曝
線量を測定する方法であるので、放射線被曝に関係のな
いガラス素子固有の蛍光（プレドーズ）やガラス素子の
表面に汚れが付着したときに発生する蛍光等の影響を受
け、一般に１０ｍＲ（ミリレントゲン）以下の低被曝線
量を分別して測定することが困難である。
外線源から予め定めた蛍光ガラスの一面に連続的に紫外
線を入射し、この蛍光ガラスから発生する被曝蛍光を測
定し、その蛍光強度に比例する電気レベル信号から被曝
線量を測定する方法であるので、放射線被曝に関係のな
いガラス素子固有の蛍光（プレドーズ）やガラス素子の
表面に汚れが付着したときに発生する蛍光等の影響を受
け、一般に１０ｍＲ（ミリレントゲン）以下の低被曝線
量を分別して測定することが困難である。
本発明は上記実情にかんがみてなされたもので、プレド
ーズやガラス表面の汚れに左右されずに高精度に低被曝
線量を測定でき、かつ、簡単な構成で実現できるガラス
線量測定方法およびその測定装置を提供することを目的
とする。
ーズやガラス表面の汚れに左右されずに高精度に低被曝
線量を測定でき、かつ、簡単な構成で実現できるガラス
線量測定方法およびその測定装置を提供することを目的
とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段および作用） 先ず、請求項１に対応する発明は、放射線被曝蛍光ガラ
スを紫外線連続光で励起するとともに、この蛍光ガラス
から発生する蛍光強度を複数の異なる波長域で測定し、
これら測定値と所定の蛍光成分の各波長域での蛍光強度
比とを用いて演算により前記放射線被曝蛍光ガラスの被
曝線量を求める方法である。
スを紫外線連続光で励起するとともに、この蛍光ガラス
から発生する蛍光強度を複数の異なる波長域で測定し、
これら測定値と所定の蛍光成分の各波長域での蛍光強度
比とを用いて演算により前記放射線被曝蛍光ガラスの被
曝線量を求める方法である。
次に、請求項２に対応する発明は、紫外線連続光を発生
する励起用光源と、この紫外線連続光の一部を放射線被
曝蛍光ガラスに照射して被曝蛍光を得るとともに前記紫
外線連続光の他の一部を標準蛍光ガラスに照射して標準
蛍光を得る光学系と、前記被曝蛍光を複数の異なる測定
波長域を通して取り出す手段と、この手段によって得ら
れた各波長域の被曝蛍光を所定のタイミングでサンプリ
ングするサンプリング手段と、このサンプリング手段に
よってサンプリングされた各測定値と所定の蛍光成分の
各波長域の蛍光強度比とから演算により前記放射線被曝
蛍光ガラスの被曝線量を求める被曝線量演算手段とを備
えたガラス線量測定装置である。
する励起用光源と、この紫外線連続光の一部を放射線被
曝蛍光ガラスに照射して被曝蛍光を得るとともに前記紫
外線連続光の他の一部を標準蛍光ガラスに照射して標準
蛍光を得る光学系と、前記被曝蛍光を複数の異なる測定
波長域を通して取り出す手段と、この手段によって得ら
れた各波長域の被曝蛍光を所定のタイミングでサンプリ
ングするサンプリング手段と、このサンプリング手段に
よってサンプリングされた各測定値と所定の蛍光成分の
各波長域の蛍光強度比とから演算により前記放射線被曝
蛍光ガラスの被曝線量を求める被曝線量演算手段とを備
えたガラス線量測定装置である。
従って、この測定装置によれば、励起用光源から発生す
る紫外線連続光を半透鏡などを用いて複数の光路に分岐
し、その１つの紫外線連続光を放射線被曝蛍光ガラスに
照射して被曝蛍光を発生させ、他の１つの紫外線連続光
を標準蛍光ガラスに照射して標準蛍光を発生させる。そ
して、蛍光ガラスから発生する被曝蛍光に対して複数の
異なる測定波長域を通してサンプリングし、一方、標準
蛍光ガラスからの標準蛍光は前記光源の発光強度の変動
補正用としてサンプリングする。しかる後、被曝線量演
算手段ではサンプリングされた被曝蛍光に係わる各測定
波長域の測定値について少なくとも発光強度の変動補正
用信号を用いて補正し、この補正された各測定値と所定
の蛍光成分の各波長域の蛍光強度比とから演算により放
射線被曝蛍光ガラスの被曝線量を求めることにより、本
来の被曝線量を高精度に測定することができる。
る紫外線連続光を半透鏡などを用いて複数の光路に分岐
し、その１つの紫外線連続光を放射線被曝蛍光ガラスに
照射して被曝蛍光を発生させ、他の１つの紫外線連続光
を標準蛍光ガラスに照射して標準蛍光を発生させる。そ
して、蛍光ガラスから発生する被曝蛍光に対して複数の
異なる測定波長域を通してサンプリングし、一方、標準
蛍光ガラスからの標準蛍光は前記光源の発光強度の変動
補正用としてサンプリングする。しかる後、被曝線量演
算手段ではサンプリングされた被曝蛍光に係わる各測定
波長域の測定値について少なくとも発光強度の変動補正
用信号を用いて補正し、この補正された各測定値と所定
の蛍光成分の各波長域の蛍光強度比とから演算により放
射線被曝蛍光ガラスの被曝線量を求めることにより、本
来の被曝線量を高精度に測定することができる。
（実施例） 以下、本発明方法の一実施例について第１図ないし第４
図を参照して説明する。一般に、放射線被曝された蛍光
ガラスに対し、水銀ランプ等の紫外線連続光を用いてプ
レドーズや汚れを伴った放射線被曝された蛍光ガラスを
励起したとき、当該蛍光ガラスから発生する合成蛍光強
度は第１図に示すような分布をもつスペクトルとなる。
図を参照して説明する。一般に、放射線被曝された蛍光
ガラスに対し、水銀ランプ等の紫外線連続光を用いてプ
レドーズや汚れを伴った放射線被曝された蛍光ガラスを
励起したとき、当該蛍光ガラスから発生する合成蛍光強
度は第１図に示すような分布をもつスペクトルとなる。
ところで、以上のようなスペクトルについて種々の実験
を積み重ねていく過程において、かかる第１図のスペク
トルは第２図に示す放射線被曝のみによって生じた蛍光
成分のスペクトルと、第３図に示すガラス固有のプレド
ーズによる蛍光成分のスペクトルと、第４図に示すガラ
ス表面の汚れに起因する蛍光成分のスペクトルとの合成
であることが確認された。
を積み重ねていく過程において、かかる第１図のスペク
トルは第２図に示す放射線被曝のみによって生じた蛍光
成分のスペクトルと、第３図に示すガラス固有のプレド
ーズによる蛍光成分のスペクトルと、第４図に示すガラ
ス表面の汚れに起因する蛍光成分のスペクトルとの合成
であることが確認された。
そこで、各蛍光成分のスペクトルに関しそれぞれ３つの
波長域Ａ，Ｂ，Ｃを特定してその蛍光強度の関係につい
て考えてみる。今、第１図に示す合成スペクトルの各波
長域Ａ，Ｂ，ＣをそれぞれＭＡ，ＭＢ，ＭＣとした後、
その他の蛍光成分についても同様の波長域Ａ，Ｂ，Ｃの
蛍光強度を求める。すなわち、第２図に示す放射線被曝
による蛍光成分のスペクトルの各波長域に蛍光強度およ
びそれらの合成強度をそれぞれｍRA，ｍRB，ｍRC，ｍＲ
（＝ｍRA＋ｍRB＋ｍRC）とし、また第３図に示すガラス
固有のプレドーズによる蛍光成分のスペクトルの各波長
域の蛍光強度およびそれらの合成強度をそれぞれｍPA，
ｍPB，ｍPC，ｍＰ（＝ｍPA＋ｍPB＋ｍPC）とし、さらに
第４図に示すガラス表面の汚れに起因する蛍光成分のス
ペクトルの各波長域の蛍光強度およびそれらの合成強度
をそれぞれｍYA，ｍYB，ｍYC，ｍＹ（＝ｍYA＋ｍYB＋ｍ
YC）とする。しかる後、これら各成分の各波長域の蛍光
強度の比を表す係数を求める。すなわち、第２図ないし
第４図の各蛍光成分の合成強度に対する各波長域の蛍光
強度との比を表す係数はそれぞれ、 ＲA＝ｍRA/ｍR,ＲB＝ｍRB/ｍR,ＲC＝ｍRC/ｍR ＰAＰｍ=A/ｍP,ＰB＝ｍPB/ｍP,ＰC＝ｍPC/ｍP ＹAＹｍ=A/ｍY,ＹB＝ｍYB/ｍY,ＹC＝ｍYC/ｍY で表される。ここで、３つの波長域Ａ，Ｂ，Ｃにおける
合成スペクトルの各蛍光強度は、 となるので、放射線被曝によって生じた蛍光強度ｍＲの
みについて次式を用いて算出できる。
波長域Ａ，Ｂ，Ｃを特定してその蛍光強度の関係につい
て考えてみる。今、第１図に示す合成スペクトルの各波
長域Ａ，Ｂ，ＣをそれぞれＭＡ，ＭＢ，ＭＣとした後、
その他の蛍光成分についても同様の波長域Ａ，Ｂ，Ｃの
蛍光強度を求める。すなわち、第２図に示す放射線被曝
による蛍光成分のスペクトルの各波長域に蛍光強度およ
びそれらの合成強度をそれぞれｍRA，ｍRB，ｍRC，ｍＲ
（＝ｍRA＋ｍRB＋ｍRC）とし、また第３図に示すガラス
固有のプレドーズによる蛍光成分のスペクトルの各波長
域の蛍光強度およびそれらの合成強度をそれぞれｍPA，
ｍPB，ｍPC，ｍＰ（＝ｍPA＋ｍPB＋ｍPC）とし、さらに
第４図に示すガラス表面の汚れに起因する蛍光成分のス
ペクトルの各波長域の蛍光強度およびそれらの合成強度
をそれぞれｍYA，ｍYB，ｍYC，ｍＹ（＝ｍYA＋ｍYB＋ｍ
YC）とする。しかる後、これら各成分の各波長域の蛍光
強度の比を表す係数を求める。すなわち、第２図ないし
第４図の各蛍光成分の合成強度に対する各波長域の蛍光
強度との比を表す係数はそれぞれ、 ＲA＝ｍRA/ｍR,ＲB＝ｍRB/ｍR,ＲC＝ｍRC/ｍR ＰAＰｍ=A/ｍP,ＰB＝ｍPB/ｍP,ＰC＝ｍPC/ｍP ＹAＹｍ=A/ｍY,ＹB＝ｍYB/ｍY,ＹC＝ｍYC/ｍY で表される。ここで、３つの波長域Ａ，Ｂ，Ｃにおける
合成スペクトルの各蛍光強度は、 となるので、放射線被曝によって生じた蛍光強度ｍＲの
みについて次式を用いて算出できる。
すなわち、予め被曝放射線量、プレドーズおよび汚れに
対する各蛍光成分の３つの波長域での蛍光強度比を表わ
す係数を求めておけば、合成スペクトルの３つの波長域
の蛍光強度を測定することにより、上式に基づいてＲＰ
Ｌ（ラジオ・フォト・ルミネッセンス）のみを高精度に
測定することができる。
対する各蛍光成分の３つの波長域での蛍光強度比を表わ
す係数を求めておけば、合成スペクトルの３つの波長域
の蛍光強度を測定することにより、上式に基づいてＲＰ
Ｌ（ラジオ・フォト・ルミネッセンス）のみを高精度に
測定することができる。
次に、以上のような方法を用いたガラス線量測定装置の
一実施例について第５図を参照して説明する。同図にお
いて１は連続的に紫外光を発生する例えば水銀ランプな
どの励起用紫外線源、２は励起用紫外線源１から発生す
る紫外光から所定例えば３６５nmの波長成分の紫外線を
取り出す紫外線透過フィルタ、３は例えば石英ガラスか
らなる半透鏡であって、フィルタ２出力の一部を直進透
過させて蛍光ガラス４に照射し、他の一部は反射させて
標準蛍光ガラス５に照射する構成となっている。
一実施例について第５図を参照して説明する。同図にお
いて１は連続的に紫外光を発生する例えば水銀ランプな
どの励起用紫外線源、２は励起用紫外線源１から発生す
る紫外光から所定例えば３６５nmの波長成分の紫外線を
取り出す紫外線透過フィルタ、３は例えば石英ガラスか
らなる半透鏡であって、フィルタ２出力の一部を直進透
過させて蛍光ガラス４に照射し、他の一部は反射させて
標準蛍光ガラス５に照射する構成となっている。
この蛍光ガラス４の被曝蛍光を発する面側には紫外線カ
ットフィルタ６、フィルタの切替え機構７によって選択
設定される干渉フィルタ８（第６図参照）、光電子増倍
関９およびプリアンプ１０の順序で配置され、このプリ
アンプ１０の出力側が積分器１１に接続されている。一
方、標準蛍光ガラス５の標準蛍光を発生する面側には紫
外線カットフィルタ１２、フォトダイオード１３および
プリアンプ１４の順序で配置され、このプリアンプ１４
の出力側が積分器１５に接続されている。１６は位置検
出器である。
ットフィルタ６、フィルタの切替え機構７によって選択
設定される干渉フィルタ８（第６図参照）、光電子増倍
関９およびプリアンプ１０の順序で配置され、このプリ
アンプ１０の出力側が積分器１１に接続されている。一
方、標準蛍光ガラス５の標準蛍光を発生する面側には紫
外線カットフィルタ１２、フォトダイオード１３および
プリアンプ１４の順序で配置され、このプリアンプ１４
の出力側が積分器１５に接続されている。１６は位置検
出器である。
１７ないし２１はサンプルホールド回路であって、これ
らはタイミング制御手段２２から送られてくるタイミン
グ信号を受けて、光電子増倍管９の暗電流信号、第１の
測定波長域例えばＡにおける蛍光強度信号、第２の測定
波長域例えばＢにおける蛍光強度信号、第３の測定波長
域例えばＣにおける蛍光強度信号、水銀ランプ発光強度
の変動補正用信号を個別にサンプリングホールドする。
２３はマルチプレクサ、２４はＡ／Ｄ変換部、２５は被
曝線量演算手段、２６は表示部である。
らはタイミング制御手段２２から送られてくるタイミン
グ信号を受けて、光電子増倍管９の暗電流信号、第１の
測定波長域例えばＡにおける蛍光強度信号、第２の測定
波長域例えばＢにおける蛍光強度信号、第３の測定波長
域例えばＣにおける蛍光強度信号、水銀ランプ発光強度
の変動補正用信号を個別にサンプリングホールドする。
２３はマルチプレクサ、２４はＡ／Ｄ変換部、２５は被
曝線量演算手段、２６は表示部である。
前記干渉フィルタ８は、第６図に示す如く例えば円盤状
に形成され、ほぼ９０゜間隔で蛍光遮光部イ、第１の測
定波長域部ロ、第２の測定波長域部ハ、第３の測定波長
域部ニが設けられている。
に形成され、ほぼ９０゜間隔で蛍光遮光部イ、第１の測
定波長域部ロ、第２の測定波長域部ハ、第３の測定波長
域部ニが設けられている。
次に、以上のように構成された装置の動作について説明
する。励起用紫外線源１から連続的に紫外光を発生する
と、この紫外光は紫外線透過フィルタ２にて例えば３６
５nmの波長成分の紫外線のみが透過した後、半透鏡３に
送られる。この半透鏡３では紫外線の一部を直進透過さ
せて蛍光ガラス４に照射し、また紫外線の他の一部は反
射させて標準蛍光ガラス５に照射する。ここで、蛍光ガ
ラス４からは紫外光を受けて被曝線量に応じた蛍光を発
生し、一方、標準蛍光ガラス５からは標準蛍光を発生す
る。
する。励起用紫外線源１から連続的に紫外光を発生する
と、この紫外光は紫外線透過フィルタ２にて例えば３６
５nmの波長成分の紫外線のみが透過した後、半透鏡３に
送られる。この半透鏡３では紫外線の一部を直進透過さ
せて蛍光ガラス４に照射し、また紫外線の他の一部は反
射させて標準蛍光ガラス５に照射する。ここで、蛍光ガ
ラス４からは紫外光を受けて被曝線量に応じた蛍光を発
生し、一方、標準蛍光ガラス５からは標準蛍光を発生す
る。
蛍光ガラス４から発生した被曝蛍光は紫外線カットフィ
ルタ６を介し、さらにフィルタ切替え機構７で選択設定
される第６図の干渉フィルタ８を通って光電子増倍管９
によって検出される。なお、このとき、タイミング制御
手段２２は、所定時間ごとにフィルタ切替え機構７を駆
動して干渉フィルタ８を例えば９０゜間隔で回転すると
ともに、このフィルタ切替え機構７によるフィルタ８の
停止位置を位置検出器１６の信号から認識し、後述する
サンプルホールド回路１７〜２１へタイミング信号を送
出するようになっている。
ルタ６を介し、さらにフィルタ切替え機構７で選択設定
される第６図の干渉フィルタ８を通って光電子増倍管９
によって検出される。なお、このとき、タイミング制御
手段２２は、所定時間ごとにフィルタ切替え機構７を駆
動して干渉フィルタ８を例えば９０゜間隔で回転すると
ともに、このフィルタ切替え機構７によるフィルタ８の
停止位置を位置検出器１６の信号から認識し、後述する
サンプルホールド回路１７〜２１へタイミング信号を送
出するようになっている。
従って、タイミング制御手段２２としては、フィルタ切
替え機構７を駆動して干渉フィルタ８の蛍光遮光部イ、
第１の測定波長域部ロ、第２の測定波長域部ハ、第３の
測定波長域部ニの順序で選択して前記光電子増倍管９の
前面に設定することになる。そして、この干渉フィルタ
８を透過した被曝蛍光は光電子増倍管９で検出され、プ
リアンプ１０を介して積分器１１によって蓄積される。
替え機構７を駆動して干渉フィルタ８の蛍光遮光部イ、
第１の測定波長域部ロ、第２の測定波長域部ハ、第３の
測定波長域部ニの順序で選択して前記光電子増倍管９の
前面に設定することになる。そして、この干渉フィルタ
８を透過した被曝蛍光は光電子増倍管９で検出され、プ
リアンプ１０を介して積分器１１によって蓄積される。
一方、標準蛍光ガラス５から発生した標準蛍光は紫外線
カットフィルタ１２を介してフォトダイオード１３で検
出され、さらにプリアンプ１４を介して積分器１５で蓄
積され、前記励起用紫外線光源１が発生する紫外線の強
度変動の補正用信号として用いられる。
カットフィルタ１２を介してフォトダイオード１３で検
出され、さらにプリアンプ１４を介して積分器１５で蓄
積され、前記励起用紫外線光源１が発生する紫外線の強
度変動の補正用信号として用いられる。
さらに、各積分器１０、１５の後続の各サンプルホール
ド回路１７〜２１では所定時間ごとにタイミング制御手
段２２から交互にタイミング信号が送られてくるが、そ
のタイミング信号を受けたサンプルホールド回路例えば
１７では干渉フィルタ８の蛍光遮光部イに対応して光電
子暗電流信号をサンプルホールドし、またサンプルホー
ルド回路１８では干渉フィルタ８の第１の測定波長域部
ロに対応する蛍光強度信号をサンプルホールドし、また
サンプルホールド回路１９では第２の測定波長域部ハに
対応する蛍光強度信号をサンプルホールドし、さらにサ
ンプルホールド回路２０では第３の測定波長域部ニに対
応する蛍光強度信号をサンプルホールドし、さらにサン
プルホールド回路２１では標準蛍光から励起用紫外線源
１の発光強度の変動補正用信号をサンプルホールドす
る。しかる後、これらサンプルホールド信号をマルチプ
レクサ２３で順次選択してＡ／Ｄ変換部でデジタル値に
変換し被曝線量演算手段２５に送出する。ここで、被曝
線量演算手段２５は各サンプルホールド回路１８，１
９，２０でサンプリングした各測定値に対し前記発光強
度の変動補正用信号および前記光電子暗電流信号を用い
て補正した後、これら補正後の各測定値の例えば予め求
めた蛍光成分の各波長域の蛍光強度の比を表す係数とを
用いて前記（２）式による演算式に従って蛍光ガラス４
の被曝線量を求めて表示部２６に表示するものである。
ド回路１７〜２１では所定時間ごとにタイミング制御手
段２２から交互にタイミング信号が送られてくるが、そ
のタイミング信号を受けたサンプルホールド回路例えば
１７では干渉フィルタ８の蛍光遮光部イに対応して光電
子暗電流信号をサンプルホールドし、またサンプルホー
ルド回路１８では干渉フィルタ８の第１の測定波長域部
ロに対応する蛍光強度信号をサンプルホールドし、また
サンプルホールド回路１９では第２の測定波長域部ハに
対応する蛍光強度信号をサンプルホールドし、さらにサ
ンプルホールド回路２０では第３の測定波長域部ニに対
応する蛍光強度信号をサンプルホールドし、さらにサン
プルホールド回路２１では標準蛍光から励起用紫外線源
１の発光強度の変動補正用信号をサンプルホールドす
る。しかる後、これらサンプルホールド信号をマルチプ
レクサ２３で順次選択してＡ／Ｄ変換部でデジタル値に
変換し被曝線量演算手段２５に送出する。ここで、被曝
線量演算手段２５は各サンプルホールド回路１８，１
９，２０でサンプリングした各測定値に対し前記発光強
度の変動補正用信号および前記光電子暗電流信号を用い
て補正した後、これら補正後の各測定値の例えば予め求
めた蛍光成分の各波長域の蛍光強度の比を表す係数とを
用いて前記（２）式による演算式に従って蛍光ガラス４
の被曝線量を求めて表示部２６に表示するものである。
従って、以上のような実施例の構成によれば、予め放射
線被曝によって得られる各波長域の蛍光強度比、ガラス
固有のプレドーズによる各波長域の蛍光強度比およびガ
ラス表面の汚れに起因する各波長域の蛍光速度比を求め
てメモリに記憶しておく。しかる後、紫外線連続光を照
射して放射線被曝蛍光ガラスから発生する被曝蛍光を複
数の異なる測定波長域に分けてサンプリングした後、こ
れらサンプリング値と前記蛍光速度比とを用いて前記
（２）式によって演算することにより、蛍光ガラスの被
曝線量のみを確実に測定でき、しかもガラス固有の蛍光
（プレドーズ）およびガラス表面の汚れに起因する蛍光
に影響されずに放射線被曝によるＲＰＬだけを高精度に
測定できる。さらに、干渉フイルタ８を用いて光電子増
倍管９の光電子暗電流信号を取り出し、また標準蛍光ガ
ラス５および紫外線カットフィルタ１２を用いて励起用
紫外線源１の発光強度の変動補正用信号を取り出した
後、、これら光電子暗電流信号および発光強度の変動補
正用信号を用いて蛍光ガラスの被曝蛍光における各波長
域の測定値を補正し、しかる後、これら補正後の測定値
と前記所定の蛍光成分の各波長域の蛍光強度比とから蛍
光ガラスの被曝線量を求めるので、蛍光ガラスの低被曝
線量であっても高精度に測定でき、ひいては測定範囲を
大幅に拡大して使用できる。
線被曝によって得られる各波長域の蛍光強度比、ガラス
固有のプレドーズによる各波長域の蛍光強度比およびガ
ラス表面の汚れに起因する各波長域の蛍光速度比を求め
てメモリに記憶しておく。しかる後、紫外線連続光を照
射して放射線被曝蛍光ガラスから発生する被曝蛍光を複
数の異なる測定波長域に分けてサンプリングした後、こ
れらサンプリング値と前記蛍光速度比とを用いて前記
（２）式によって演算することにより、蛍光ガラスの被
曝線量のみを確実に測定でき、しかもガラス固有の蛍光
（プレドーズ）およびガラス表面の汚れに起因する蛍光
に影響されずに放射線被曝によるＲＰＬだけを高精度に
測定できる。さらに、干渉フイルタ８を用いて光電子増
倍管９の光電子暗電流信号を取り出し、また標準蛍光ガ
ラス５および紫外線カットフィルタ１２を用いて励起用
紫外線源１の発光強度の変動補正用信号を取り出した
後、、これら光電子暗電流信号および発光強度の変動補
正用信号を用いて蛍光ガラスの被曝蛍光における各波長
域の測定値を補正し、しかる後、これら補正後の測定値
と前記所定の蛍光成分の各波長域の蛍光強度比とから蛍
光ガラスの被曝線量を求めるので、蛍光ガラスの低被曝
線量であっても高精度に測定でき、ひいては測定範囲を
大幅に拡大して使用できる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
例えば複数の波長域の蛍光強度の測定は複数のフィルタ
および検出器を用いて実現してもよく、分光器（回折格
子）を使用してスペクトルを求めて演算等により蛍光ガ
ラスの被曝線量を求めてもよい。また、上記実施例では
ハード構成を用いたが、積分器１１、１５、サンプルホ
ールド回路１７〜２１その他の回路をソフト的に実現す
ることもできる。その他、本発明はその要旨を逸脱しな
い範囲で種々変形して実施できる。
例えば複数の波長域の蛍光強度の測定は複数のフィルタ
および検出器を用いて実現してもよく、分光器（回折格
子）を使用してスペクトルを求めて演算等により蛍光ガ
ラスの被曝線量を求めてもよい。また、上記実施例では
ハード構成を用いたが、積分器１１、１５、サンプルホ
ールド回路１７〜２１その他の回路をソフト的に実現す
ることもできる。その他、本発明はその要旨を逸脱しな
い範囲で種々変形して実施できる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、蛍光ガラスから発
生する被曝蛍光の強度を複数の異なる波長域で測定する
ことにより、ガラス表面の汚れやプレドーズに左右され
ずに正確、かつ、簡単に測定でき、しかも低被曝線量で
も高精度に測定でき、広い測定範囲で使用できるガラス
線量測定方法および測定装置を提供できる。
生する被曝蛍光の強度を複数の異なる波長域で測定する
ことにより、ガラス表面の汚れやプレドーズに左右され
ずに正確、かつ、簡単に測定でき、しかも低被曝線量で
も高精度に測定でき、広い測定範囲で使用できるガラス
線量測定方法および測定装置を提供できる。
第１図ないし第４図は本発明方法の一実施例を説明する
ために示した合成、ＲＰＬ、プレドーズおよびガラス表
面の汚れに伴う蛍光強度の特性図、第５図は本発明装置
の一実施例を示す構成図、第６図は第５図の装置に用い
る干渉フィルタの正面図である。 １……励起用光源、４……蛍光ガラス、５……標準蛍光
ガラス、６……紫外線カットフィルタ、７……フィルタ
切替え機構、８……干渉フィルタ、９……光電子増倍
管、１０……プリアンプ、１１……積分器、１２……紫
外線カットフィルタ、１３……フォトダイオード、１４
……プリアンプ、１５……積分器、１６……位置検出
器、１７〜２１……サンプルホールド回路、２２……タ
イミング制御手段、２３……マルチプレクサ、２４……
Ａ／Ｄ変換部、２５……被曝線量演算手段、２６……表
示部。
ために示した合成、ＲＰＬ、プレドーズおよびガラス表
面の汚れに伴う蛍光強度の特性図、第５図は本発明装置
の一実施例を示す構成図、第６図は第５図の装置に用い
る干渉フィルタの正面図である。 １……励起用光源、４……蛍光ガラス、５……標準蛍光
ガラス、６……紫外線カットフィルタ、７……フィルタ
切替え機構、８……干渉フィルタ、９……光電子増倍
管、１０……プリアンプ、１１……積分器、１２……紫
外線カットフィルタ、１３……フォトダイオード、１４
……プリアンプ、１５……積分器、１６……位置検出
器、１７〜２１……サンプルホールド回路、２２……タ
イミング制御手段、２３……マルチプレクサ、２４……
Ａ／Ｄ変換部、２５……被曝線量演算手段、２６……表
示部。
Claims (2)
- 【請求項１】放射線被曝蛍光ガラスを紫外線連続光で励
起するとともに、この蛍光ガラスから発生する蛍光強度
を複数の波長域で測定し、これら測定値と所定の蛍光成
分の各波長域の蛍光強度比とを用いて演算により前記放
射線被曝蛍光ガラスの被曝線量を求めることを特徴とす
るガラス線量測定方法。 - 【請求項２】紫外線連続光を発生する励起用光源と、こ
の紫外線連続光の照射によって放射線被曝蛍光ガラスか
ら発生する被曝蛍光を複数の異なる測定波長域に分けて
取り出す手段と、この手段によって取り出した各波長域
の被曝蛍光をサンプリングするサンプリング手段と、こ
のサンプリング手段によってサンプリングされた各測定
値と所定の蛍光成分の各波長域の蛍光強度比とから演算
により前記放射線被曝蛍光ガラスの被曝線量を求める被
曝線量演算手段とを備えたことを特徴とするガラス線量
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23011390A JPH0619435B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | ガラス線量測定方法およびその測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23011390A JPH0619435B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | ガラス線量測定方法およびその測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04110791A JPH04110791A (ja) | 1992-04-13 |
| JPH0619435B2 true JPH0619435B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=16902774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23011390A Expired - Fee Related JPH0619435B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | ガラス線量測定方法およびその測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619435B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5920707B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2016-05-18 | 国立大学法人金沢大学 | 放射線量測定装置 |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP23011390A patent/JPH0619435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04110791A (ja) | 1992-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7038220B2 (en) | Dose distribution reading method and reader for glass dosimeter | |
| JP3287775B2 (ja) | 蛍光体の量子効率測定方法および測定装置 | |
| JP4418731B2 (ja) | フォトルミネッセンス量子収率測定方法およびこれに用いる装置 | |
| US5059806A (en) | Gas dosimeter reading method and apparatus | |
| JPH08261825A (ja) | 分光計における迷光の測定及び補償方法 | |
| Cushman et al. | Solar line profiles of He I 584 A and He II 304 A | |
| JPH0619435B2 (ja) | ガラス線量測定方法およびその測定装置 | |
| US20190271586A1 (en) | Method, apparatus and computer program for measuring and processing a spectrum of an xuv light source from soft x-rays to infrared wavelength | |
| Missalla et al. | Metrology tools for EUV-source characterization and optimization | |
| JP6216533B2 (ja) | 蛍光ガラス線量計測定方法、蛍光ガラス線量計測定装置 | |
| JP3029899B2 (ja) | ガラス線量測定装置 | |
| JP3057168B2 (ja) | 蛍光ガラス線量計測定装置 | |
| JPH10142152A (ja) | 蛍光体の量子効率測定方法および装置 | |
| JPS62278436A (ja) | 蛍光測定法及び装置 | |
| JP3204636B2 (ja) | 蛍光ガラス線量計測定装置 | |
| JP2971772B2 (ja) | 蛍光ガラス線量計測定装置 | |
| JP3014225B2 (ja) | 放射線量読取装置 | |
| JPS61292582A (ja) | ガラス線量測定方法とその測定装置 | |
| JP2949131B2 (ja) | 蛍光ガラス線量計読取装置 | |
| JPH041536A (ja) | 光パワーメータ | |
| Poletto et al. | Performances of a CCD camera from 1-to 1100-nm spectral region | |
| Hoff | Determination of alpha radiation-induced fluorescence efficiency | |
| JPH0961528A (ja) | 蛍光ガラス線量計測定方法及びその測定装置 | |
| RU46095U1 (ru) | Установка для измерения относительной спектральной чувствительности фотометрических головок люксметров | |
| JP6544849B2 (ja) | 蛍光ガラス線量計読取装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |