JPH0618948A - 半導体微粒子分散ガラス - Google Patents
半導体微粒子分散ガラスInfo
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- JPH0618948A JPH0618948A JP17791892A JP17791892A JPH0618948A JP H0618948 A JPH0618948 A JP H0618948A JP 17791892 A JP17791892 A JP 17791892A JP 17791892 A JP17791892 A JP 17791892A JP H0618948 A JPH0618948 A JP H0618948A
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- Japan
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- dispersed
- glass
- cdse
- semiconductor fine
- fine particles
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きな３次の非線形光学感受率を有し、しか
も光吸収係数の小さな半導体微粒子分散ガラスを提供す
る。 【構成】 ガラス１中に、平均粒径が２０ｎｍ以下であ
る半導体微粒子２を１０体積％以上分散させた高密度領
域３を、複数個含む半導体微粒子分散ガラスであり、Ｓ
ｉＯ2 及びＣｄＳｅをターゲットとした２元の高周波ス
パッタリングにより、ＳｉＯ2 基板上に膜厚が１ｎｍの
ＳｉＯ2 及び膜厚が１ｎｍのＣｄＳｅを交互に５００回
堆積させ、500 ℃でアニールし、ＳｉＯ2 中に平均粒径
５ｎｍのＣｄＳｅ微粒子が２０体積％分散した高密度領
域とＣｄＳｅ微粒子が平均で０．１体積％分散している
領域の全体に占める割合を体積で１：３とする。
も光吸収係数の小さな半導体微粒子分散ガラスを提供す
る。 【構成】 ガラス１中に、平均粒径が２０ｎｍ以下であ
る半導体微粒子２を１０体積％以上分散させた高密度領
域３を、複数個含む半導体微粒子分散ガラスであり、Ｓ
ｉＯ2 及びＣｄＳｅをターゲットとした２元の高周波ス
パッタリングにより、ＳｉＯ2 基板上に膜厚が１ｎｍの
ＳｉＯ2 及び膜厚が１ｎｍのＣｄＳｅを交互に５００回
堆積させ、500 ℃でアニールし、ＳｉＯ2 中に平均粒径
５ｎｍのＣｄＳｅ微粒子が２０体積％分散した高密度領
域とＣｄＳｅ微粒子が平均で０．１体積％分散している
領域の全体に占める割合を体積で１：３とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非線形光学効果を利用し
た光デバイスなどに用いられる無機の非線形光学材料な
どに好適な、半導体微粒子をガラス中に分散させた半導
体微粒子分散ガラスに関するものである。
た光デバイスなどに用いられる無機の非線形光学材料な
どに好適な、半導体微粒子をガラス中に分散させた半導
体微粒子分散ガラスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の技術としては、例えばジ
ャーナル オブ オプティカル ソサエティ オブ ア
メリカ第73巻第647 頁(Journal of Optical Society of
America 73, 647(1983)) に記載されているＣｄＳx Ｓ
ｅ1-x をホウケイ酸ガラスに分散したフィルタガラスが
ある。このフィルタガラスは粒径1 〜10nmのＣｄＳx Ｓ
ｅ1-x 微粒子をホウケイ酸ガラス材料に２重量％程度分
散させたものである。
ャーナル オブ オプティカル ソサエティ オブ ア
メリカ第73巻第647 頁(Journal of Optical Society of
America 73, 647(1983)) に記載されているＣｄＳx Ｓ
ｅ1-x をホウケイ酸ガラスに分散したフィルタガラスが
ある。このフィルタガラスは粒径1 〜10nmのＣｄＳx Ｓ
ｅ1-x 微粒子をホウケイ酸ガラス材料に２重量％程度分
散させたものである。
【０００３】また、ジャーナル オブ アプライド フ
ィジックス第63巻 第957 頁(Journal of Applied Phys
ics 63, 957(1988))に示されているようなCdS 微粒子分
散ガラス薄膜がある。このガラス薄膜はタ−ゲットにコ
−ニング社製“7059ガラス”（Ｂａ含有ホウケイ酸ガラ
ス）と、CdS ペレットとを用いて、アルゴンガス中で高
周波マグネトロンスパッタリング法により製造したもの
で、“7059ガラス”中にCdS を2 〜4 重量％分散させた
ものである。
ィジックス第63巻 第957 頁(Journal of Applied Phys
ics 63, 957(1988))に示されているようなCdS 微粒子分
散ガラス薄膜がある。このガラス薄膜はタ−ゲットにコ
−ニング社製“7059ガラス”（Ｂａ含有ホウケイ酸ガラ
ス）と、CdS ペレットとを用いて、アルゴンガス中で高
周波マグネトロンスパッタリング法により製造したもの
で、“7059ガラス”中にCdS を2 〜4 重量％分散させた
ものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体微粒子分
散ガラスでは、半導体微粒子の分散量は２重量％程度で
あり、非線形光学特性の指標となる３次の非線形光学感
受率χ(3) の値は１０-1 1 ｅｓｕ程度である。このχ
(3) の値を大きくするために、半導体微粒子の分散量を
増やす試みがなされている。
散ガラスでは、半導体微粒子の分散量は２重量％程度で
あり、非線形光学特性の指標となる３次の非線形光学感
受率χ(3) の値は１０-1 1 ｅｓｕ程度である。このχ
(3) の値を大きくするために、半導体微粒子の分散量を
増やす試みがなされている。
【０００５】半導体微粒子分散ガラスの非線形光学特性
の増大は共鳴波長域におけるレーザ光照射によりなされ
ており、光学非線形性の大小の目安としてはχ(3) と光
吸収係数αの比χ(3) ／αの大小で判断する必要があ
る。半導体微粒子を高濃度に分散させた場合、χ(3) の
値は大きくなるが、同時に光吸収係数も増大するため、
χ(3) ／αの値はさほど変わらず、実質的な光学非線形
性では変化がないという問題がある。
の増大は共鳴波長域におけるレーザ光照射によりなされ
ており、光学非線形性の大小の目安としてはχ(3) と光
吸収係数αの比χ(3) ／αの大小で判断する必要があ
る。半導体微粒子を高濃度に分散させた場合、χ(3) の
値は大きくなるが、同時に光吸収係数も増大するため、
χ(3) ／αの値はさほど変わらず、実質的な光学非線形
性では変化がないという問題がある。
【０００６】本発明は、χ(3) ／αの値が大きく、非線
形光学材料などに好適な半導体微粒子分散ガラスを提供
することを目的とする。
形光学材料などに好適な半導体微粒子分散ガラスを提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体微粒子分散ガラスは、ガラス中に半導
体微粒子が分散された半導体微粒子分散ガラスにおい
て、平均粒径が２０ｎｍ以下である半導体微粒子を１０
体積％以上分散させた高密度領域を、複数個含むことを
特徴とする。
に本発明の半導体微粒子分散ガラスは、ガラス中に半導
体微粒子が分散された半導体微粒子分散ガラスにおい
て、平均粒径が２０ｎｍ以下である半導体微粒子を１０
体積％以上分散させた高密度領域を、複数個含むことを
特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の半導体微粒子分散ガラスは、平均粒径
が２０ｎｍ以下である半導体微粒子を１０体積％以上分
散させた領域を、複数個含む。半導体微粒子を１０％体
積以上分散させた領域では、半導体微粒子間の近接距離
が微粒子半径の３倍以内となる割合が増えるため、半導
体微粒子間の相互作用により、３次の非線形光学感受率
χ(3) の値が増大する。また、全体の系ではガラス全体
に半導体微粒子をほぼ均一に分散させた場合にくらべて
半導体微粒子の濃度を小さくすることができるので、α
の値を小さくすることができる。したがって、χ(3) の
値を大きくしてαの値を小さくすることができるため、
非線形光学特性の指標となるχ(3)／αの値を大きくす
ることができるのである。
が２０ｎｍ以下である半導体微粒子を１０体積％以上分
散させた領域を、複数個含む。半導体微粒子を１０％体
積以上分散させた領域では、半導体微粒子間の近接距離
が微粒子半径の３倍以内となる割合が増えるため、半導
体微粒子間の相互作用により、３次の非線形光学感受率
χ(3) の値が増大する。また、全体の系ではガラス全体
に半導体微粒子をほぼ均一に分散させた場合にくらべて
半導体微粒子の濃度を小さくすることができるので、α
の値を小さくすることができる。したがって、χ(3) の
値を大きくしてαの値を小さくすることができるため、
非線形光学特性の指標となるχ(3)／αの値を大きくす
ることができるのである。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の半導体微粒子分散ガラスの
一態様を模式的に示した断面図である。ガラス１中に、
半導体微粒子２を１０体積％以上分散させた高密度領域
３が、複数個分布した構造になっている。ここで、高密
度領域とは、半導体微粒子間の近接距離が該微粒子の半
径の３倍以下である半導体微粒子が密に分散された部分
を言い、特に限定するものではないが、通常かかる高密
度領域の平均径は２μｍ以下程度の大きさのものであ
り、この１つの高密度領域中には、特に限定するもので
はないが、およそ１００個以上の半導体微粒子が含まれ
ている。高密度領域中の半導体微粒子の分散量の上限
は、半導体微粒子が接しない程度であり、通常８０体積
％以下が適当である。
一態様を模式的に示した断面図である。ガラス１中に、
半導体微粒子２を１０体積％以上分散させた高密度領域
３が、複数個分布した構造になっている。ここで、高密
度領域とは、半導体微粒子間の近接距離が該微粒子の半
径の３倍以下である半導体微粒子が密に分散された部分
を言い、特に限定するものではないが、通常かかる高密
度領域の平均径は２μｍ以下程度の大きさのものであ
り、この１つの高密度領域中には、特に限定するもので
はないが、およそ１００個以上の半導体微粒子が含まれ
ている。高密度領域中の半導体微粒子の分散量の上限
は、半導体微粒子が接しない程度であり、通常８０体積
％以下が適当である。
【００１０】この高密度領域の形は球形である必要はな
く、半導体微粒子間の近接距離が該微粒子の半径の３倍
以下である半導体微粒子が密に分散されたまとまった領
域であれば、より偏平な形であっても、その他の形状で
あっても差支えない。
く、半導体微粒子間の近接距離が該微粒子の半径の３倍
以下である半導体微粒子が密に分散されたまとまった領
域であれば、より偏平な形であっても、その他の形状で
あっても差支えない。
【００１１】本発明においては、この高密度領域がガラ
スマトリックス中に複数個存在するものである。具体的
な高密度領域の数は、数値で限定しがたいが、半導体微
粒子分散ガラスの全体の体積に対して７０〜１０体積
％、より好ましくは５０〜１０体積％の割合で存在させ
ることが好ましい。
スマトリックス中に複数個存在するものである。具体的
な高密度領域の数は、数値で限定しがたいが、半導体微
粒子分散ガラスの全体の体積に対して７０〜１０体積
％、より好ましくは５０〜１０体積％の割合で存在させ
ることが好ましい。
【００１２】また、この高密度領域以外の領域において
は、半導体微粒子が稀薄に存在していてもよいし、半導
体微粒子が存在せずにガラスマトリックスのみでもよい
し、これらが混在していてもよい。この領域における半
導体微粒子の存在割合は、特に限定するものではない
が、通常２体積％以下である。
は、半導体微粒子が稀薄に存在していてもよいし、半導
体微粒子が存在せずにガラスマトリックスのみでもよい
し、これらが混在していてもよい。この領域における半
導体微粒子の存在割合は、特に限定するものではない
が、通常２体積％以下である。
【００１３】半導体微粒子が１０体積％以上分散した前
記高密度領域では、半導体微粒子間の相互作用により、
３次の非線形光学感受率χ(3) の値が増大する。半導体
微粒子の分散量の上限は、半導体微粒子が接しない程度
であり、８０％以下が適当である。
記高密度領域では、半導体微粒子間の相互作用により、
３次の非線形光学感受率χ(3) の値が増大する。半導体
微粒子の分散量の上限は、半導体微粒子が接しない程度
であり、８０％以下が適当である。
【００１４】半導体微粒子を１０％以上分散させた前記
高密度領域のガラス全体に占める割合は３次の非線形光
学感受率χ(3) と光吸収係数αの兼ね合いで決まり、少
なくても多くてもχ(3) ／αの値は小さくなる。従って
前述したように１０〜７０体積％程度の値が適当であ
る。半導体微粒子の粒径は、量子サイズ効果が現れる程
度に小さい方がよいため、20nm以下が好ましい。半導体
微粒子の粒径の下限は特に制限はないが、通常1nm 程度
である。
高密度領域のガラス全体に占める割合は３次の非線形光
学感受率χ(3) と光吸収係数αの兼ね合いで決まり、少
なくても多くてもχ(3) ／αの値は小さくなる。従って
前述したように１０〜７０体積％程度の値が適当であ
る。半導体微粒子の粒径は、量子サイズ効果が現れる程
度に小さい方がよいため、20nm以下が好ましい。半導体
微粒子の粒径の下限は特に制限はないが、通常1nm 程度
である。
【００１５】半導体微粒子として用いられる材料には、
ガラスとの反応性が小さい材料が好ましく、CuCl,CuBr
などの金属塩化物の半導体、あるいはCdS,CdSe,CdTe,Zn
S,ZnSe,ZnTe,HgTe, ＣｄＳx Ｓｅ1-x （ただし、ｘは０
より大きく、１より小さい数を示す。）などのII−VI族
化合物半導体、あるいはGaAs,GaN,GaP,GaSb,InAs,InP,I
nSb,Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ただし、ｘは０より大きく、
１より小さい数を示す。），InAlAs などのIII −Ｖ族
化合物半導体、あるいはSi、Ge等のIV族半導体があげら
れる。特に分散性が良好であり、作り易さの点から、Cd
S,CdSe,CdTe が好ましい。
ガラスとの反応性が小さい材料が好ましく、CuCl,CuBr
などの金属塩化物の半導体、あるいはCdS,CdSe,CdTe,Zn
S,ZnSe,ZnTe,HgTe, ＣｄＳx Ｓｅ1-x （ただし、ｘは０
より大きく、１より小さい数を示す。）などのII−VI族
化合物半導体、あるいはGaAs,GaN,GaP,GaSb,InAs,InP,I
nSb,Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ただし、ｘは０より大きく、
１より小さい数を示す。），InAlAs などのIII −Ｖ族
化合物半導体、あるいはSi、Ge等のIV族半導体があげら
れる。特に分散性が良好であり、作り易さの点から、Cd
S,CdSe,CdTe が好ましい。
【００１６】またマトリックスとして用いられるガラス
材料としては石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス
など半導体材料より大きな禁制帯幅を有するガラス材料
であればよく、とりわけ半導体微粒子との反応が少ない
石英ガラスが好ましい。
材料としては石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス
など半導体材料より大きな禁制帯幅を有するガラス材料
であればよく、とりわけ半導体微粒子との反応が少ない
石英ガラスが好ましい。
【００１７】以下本発明の実施例について具体的に説明
する。 実施例１ ＳｉＯ2 及びＣｄＳｅをターゲットとして用いた２元の
高周波スパッタリングにより、ＳｉＯ2 基板上にＳｉＯ
2 及びＣｄＳｅを交互に５００回堆積させた。スパッタ
用ガスとしてアルゴンを用いて、圧力を１Ｐａにした。
ＳｉＯ2 の膜厚が１ｎｍ、ＣｄＳｅの膜厚が１ｎｍとな
るようにシャッターの開閉を調節した。この様にして、
酸化珪素（ＳｉＯ2 ）中にセレン化カドミウム（ＣｄＳ
ｅ）微粒子が２０体積％分散させた高密度領域とセレン
化カドミウム（ＣｄＳｅ）微粒子が平均で０．１体積％
分散している領域の全体に占める割合を体積で１：３と
した。この薄膜を500 ℃の温度でアニールした。得られ
た薄膜中に分散されているＣｄＳｅ微粒子の平均粒径は
５ｎｍであり、粒径分布の標準偏差は１ｎｍであった。
このような材料のχ(3) を波長575nm のレーザ光線を用
いた縮退４光波混合法により測定したところ、１．５×
１０-7esu の値を示した。また光吸収係数αは１．５×
１０3 ｃｍ-1であった。このときχ(3) ／αは１×１０
-10 esu ・cmとなった。
する。 実施例１ ＳｉＯ2 及びＣｄＳｅをターゲットとして用いた２元の
高周波スパッタリングにより、ＳｉＯ2 基板上にＳｉＯ
2 及びＣｄＳｅを交互に５００回堆積させた。スパッタ
用ガスとしてアルゴンを用いて、圧力を１Ｐａにした。
ＳｉＯ2 の膜厚が１ｎｍ、ＣｄＳｅの膜厚が１ｎｍとな
るようにシャッターの開閉を調節した。この様にして、
酸化珪素（ＳｉＯ2 ）中にセレン化カドミウム（ＣｄＳ
ｅ）微粒子が２０体積％分散させた高密度領域とセレン
化カドミウム（ＣｄＳｅ）微粒子が平均で０．１体積％
分散している領域の全体に占める割合を体積で１：３と
した。この薄膜を500 ℃の温度でアニールした。得られ
た薄膜中に分散されているＣｄＳｅ微粒子の平均粒径は
５ｎｍであり、粒径分布の標準偏差は１ｎｍであった。
このような材料のχ(3) を波長575nm のレーザ光線を用
いた縮退４光波混合法により測定したところ、１．５×
１０-7esu の値を示した。また光吸収係数αは１．５×
１０3 ｃｍ-1であった。このときχ(3) ／αは１×１０
-10 esu ・cmとなった。
【００１８】比較として、ＳｉＯ2 及びＣｄＳｅをター
ゲットとして用いた２元の高周波スパッタリングによ
り、ＳｉＯ2 基板上にＳｉＯ2 及びＣｄＳｅを同時に堆
積させて、酸化珪素中の全体にＣｄＳｅをほぼ均一に分
散させた。この際、ＳｉＯ2 中に含まれるＣｄＳｅの含
有量を２０体積％にした。次いでこの薄膜を500 ℃の温
度でアニールした。この薄膜のχ(3) は３×１０-7 esu
の値を示した。またαは６×１０3 ｃｍ-1であり、χ
(3) ／αは５×１０-11 esu ・cmの値であった。また、
ＣｄＳｅの濃度が５％の時には、χ(3) は１．５×１０
-9 esuの値を示した。このときαは１．５×１０3 ｃｍ
-1の値を示し、χ(3) ／αは１×１０-12 esu ・cmの値
であった。
ゲットとして用いた２元の高周波スパッタリングによ
り、ＳｉＯ2 基板上にＳｉＯ2 及びＣｄＳｅを同時に堆
積させて、酸化珪素中の全体にＣｄＳｅをほぼ均一に分
散させた。この際、ＳｉＯ2 中に含まれるＣｄＳｅの含
有量を２０体積％にした。次いでこの薄膜を500 ℃の温
度でアニールした。この薄膜のχ(3) は３×１０-7 esu
の値を示した。またαは６×１０3 ｃｍ-1であり、χ
(3) ／αは５×１０-11 esu ・cmの値であった。また、
ＣｄＳｅの濃度が５％の時には、χ(3) は１．５×１０
-9 esuの値を示した。このときαは１．５×１０3 ｃｍ
-1の値を示し、χ(3) ／αは１×１０-12 esu ・cmの値
であった。
【００１９】これらのことから半導体微粒子を１０体積
％以上分散させた高密度領域を、複数個含むほうがχ
(3) ／αの値では大きくなっており、光学的非線形性が
増大していることがわかる。
％以上分散させた高密度領域を、複数個含むほうがχ
(3) ／αの値では大きくなっており、光学的非線形性が
増大していることがわかる。
【００２０】実施例２ ＳｉＯ2 及びＣｄＳｅをターゲットとして用いた２元の
高周波スパッタリングにより、ＳｉＯ2 基板上にＳｉＯ
2 及びＣｄＳｅを交互に５００回堆積させた。スパッタ
用ガスとしてアルゴンを用いて、圧力を１Ｐａにした。
ＳｉＯ2 の膜厚が０．５ｎｍ、ＣｄＳｅの膜厚が１ｎｍ
となるようにシャッターの開閉を調節した。この様にし
て、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）中にセレン化カドミウム（Ｃ
ｄＳｅ）微粒子が５０体積％分散させた高密度領域とセ
レン化カドミウム（ＣｄＳｅ）微粒子が平均で２体積％
分散している領域の全体に占める割合を体積で１：３と
した。この薄膜を500 ℃の温度でアニールした。得られ
た薄膜中に分散されているＣｄＳｅ微粒子の平均粒径は
６ｎｍであり、粒径分布の標準偏差はは１ｎｍであっ
た。
高周波スパッタリングにより、ＳｉＯ2 基板上にＳｉＯ
2 及びＣｄＳｅを交互に５００回堆積させた。スパッタ
用ガスとしてアルゴンを用いて、圧力を１Ｐａにした。
ＳｉＯ2 の膜厚が０．５ｎｍ、ＣｄＳｅの膜厚が１ｎｍ
となるようにシャッターの開閉を調節した。この様にし
て、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）中にセレン化カドミウム（Ｃ
ｄＳｅ）微粒子が５０体積％分散させた高密度領域とセ
レン化カドミウム（ＣｄＳｅ）微粒子が平均で２体積％
分散している領域の全体に占める割合を体積で１：３と
した。この薄膜を500 ℃の温度でアニールした。得られ
た薄膜中に分散されているＣｄＳｅ微粒子の平均粒径は
６ｎｍであり、粒径分布の標準偏差はは１ｎｍであっ
た。
【００２１】このような材料の３次の非線形光学感受率
χ(3) を測定したところ、７．５×１０-7esu の値を示
した。また光吸収係数αは２．５×１０3 ｃｍ-1であっ
た。このときχ(3) ／αを計算すると３×１０-10 esu
・cmとなる。
χ(3) を測定したところ、７．５×１０-7esu の値を示
した。また光吸収係数αは２．５×１０3 ｃｍ-1であっ
た。このときχ(3) ／αを計算すると３×１０-10 esu
・cmとなる。
【００２２】比較として、ＳｉＯ2 及びＣｄＳｅをター
ゲットとして用いた２元の高周波スパッタリングによ
り、ＳｉＯ2 基板上にＳｉＯ2 及びＣｄＳｅを同時に堆
積させて、酸化珪素中の全体にＣｄＳｅをほぼ均一に分
散させた。この際、ＳｉＯ2 中に含まれるＣｄＳｅの含
有量を５０体積％にした。次いでこの薄膜を500 ℃の温
度でアニールした。この薄膜のχ(3) は１．５×１０-6
esuの値を示した。このときのαは１．５×１０4 ｃｍ
-1であり、χ(3) ／αは１．０×１０-10 esu ・cmの値
になった。また、ＣｄＳｅの濃度が２５％の時には、χ
(3) は５×１０-7esuの値を示した。このときαは７．
５×１０3 ｃｍ-1の値を示し、χ(3) ／αは６．７×１
０-11 esu ・cmの値であった。これらのことから半導体
微粒子を１０体積％以上分散させた高密度領域を、複数
個含む半導体微粒子分散ガラスの方がχ(3) ／αの値で
は大きくなっており、光学的非線形性が増大しているこ
とがわかる。
ゲットとして用いた２元の高周波スパッタリングによ
り、ＳｉＯ2 基板上にＳｉＯ2 及びＣｄＳｅを同時に堆
積させて、酸化珪素中の全体にＣｄＳｅをほぼ均一に分
散させた。この際、ＳｉＯ2 中に含まれるＣｄＳｅの含
有量を５０体積％にした。次いでこの薄膜を500 ℃の温
度でアニールした。この薄膜のχ(3) は１．５×１０-6
esuの値を示した。このときのαは１．５×１０4 ｃｍ
-1であり、χ(3) ／αは１．０×１０-10 esu ・cmの値
になった。また、ＣｄＳｅの濃度が２５％の時には、χ
(3) は５×１０-7esuの値を示した。このときαは７．
５×１０3 ｃｍ-1の値を示し、χ(3) ／αは６．７×１
０-11 esu ・cmの値であった。これらのことから半導体
微粒子を１０体積％以上分散させた高密度領域を、複数
個含む半導体微粒子分散ガラスの方がχ(3) ／αの値で
は大きくなっており、光学的非線形性が増大しているこ
とがわかる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、３次の非線形光学感受率が大
きく、かつ光吸収係数を小さくすることができ、従来の
材料に比べて光学的非線形性の大きな半導体微粒子分散
ガラス材料を提供できる。
きく、かつ光吸収係数を小さくすることができ、従来の
材料に比べて光学的非線形性の大きな半導体微粒子分散
ガラス材料を提供できる。
【図１】本発明の半導体微粒子分散ガラスの一態様の模
式的断面図。
式的断面図。
１ ガラス ２ 半導体微粒子 ３ 半導体微粒子を１０体積％以上分散させた高密度領
域
域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三露 常男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス中に半導体微粒子が分散された半
導体微粒子分散ガラスにおいて、平均粒径が２０ｎｍ以
下である半導体微粒子を１０体積％以上分散させた高密
度領域を、複数個含むことを特徴とする半導体微粒子分
散ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17791892A JPH0618948A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 半導体微粒子分散ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17791892A JPH0618948A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 半導体微粒子分散ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0618948A true JPH0618948A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16039347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17791892A Pending JPH0618948A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 半導体微粒子分散ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618948A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005321421A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Okamoto Glass Co Ltd | 回折光学素子およびガラス材料 |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP17791892A patent/JPH0618948A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005321421A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Okamoto Glass Co Ltd | 回折光学素子およびガラス材料 |
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