JPH06188298A - ナノメ−タ−或はサブナノメ−タ−領域における固体の表面による或は表面上での位置選択性接触化学反応を行う方法 - Google Patents
ナノメ−タ−或はサブナノメ−タ−領域における固体の表面による或は表面上での位置選択性接触化学反応を行う方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ナノメ−タ−領域或は原子領域にいたる高
い局所解像度で、表面による或は表面上での位置選択性
接触化学反応を行う方法を提供することである。 【構成】 ナノメ−タ−或はサブナノメ−タ−領域に
おける固体の表面上で、触媒物質を含んでいる表面感応
型走査プロ−ブを触媒として用いて、反応が行われてい
る間、それを化学反応が起る表面部分の真上に配置する
ことにより位置選択性接触化学反応を行わしめる。
い局所解像度で、表面による或は表面上での位置選択性
接触化学反応を行う方法を提供することである。 【構成】 ナノメ−タ−或はサブナノメ−タ−領域に
おける固体の表面上で、触媒物質を含んでいる表面感応
型走査プロ−ブを触媒として用いて、反応が行われてい
る間、それを化学反応が起る表面部分の真上に配置する
ことにより位置選択性接触化学反応を行わしめる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、その表面が部分的に化
学変性されている、ナノメ−タ−或はサブナノメ−タ−
の領域の固体の表面による或は表面上での位置選択性接
触反応を行う方法、及び情報記憶への応用法に関する。
学変性されている、ナノメ−タ−或はサブナノメ−タ−
の領域の固体の表面による或は表面上での位置選択性接
触反応を行う方法、及び情報記憶への応用法に関する。
【０００２】
【従来技術】極めて小さな距離で、非常に正確に決めら
れた位置の表面で行われる位置選択性接触反応は、いろ
いろの点で興味深いものがある。
れた位置の表面で行われる位置選択性接触反応は、いろ
いろの点で興味深いものがある。
【０００３】まず第一に、部分的に非常に高い解像度で
行われる固体表面上での化学変性は、特に半導体産業に
おける構成部品の製造において中心的な技術になってお
り、構成部品を更に小型化するに際しては枢要な要素で
あり、その限定要因である。通常行われているリトグラ
フ法における局所解像は、主として、用いられる照射線
の波長によって限定される。一方、走査トンネル顕微鏡
を用いた実験によって、ある特定の方法でナノメ−タ−
レベル或は原子レベルでも、物質変性を行うことが可能
であることが示されている。かくして、これまでは通常
の半導体製造法を使って達成することができなかった局
所解像が可能となる技術が、表面感応型走査プロ−ブに
よって可能となる。
行われる固体表面上での化学変性は、特に半導体産業に
おける構成部品の製造において中心的な技術になってお
り、構成部品を更に小型化するに際しては枢要な要素で
あり、その限定要因である。通常行われているリトグラ
フ法における局所解像は、主として、用いられる照射線
の波長によって限定される。一方、走査トンネル顕微鏡
を用いた実験によって、ある特定の方法でナノメ−タ−
レベル或は原子レベルでも、物質変性を行うことが可能
であることが示されている。かくして、これまでは通常
の半導体製造法を使って達成することができなかった局
所解像が可能となる技術が、表面感応型走査プロ−ブに
よって可能となる。
【０００４】第２に、例えば、表面をナノメ−タ−サイ
ズの碁盤目状に分割して、未変性の碁盤目には０を配分
し、化学変性した碁盤目には１を配分することにより、
数ナノメ−タ−から原子レベルまでの規制された表面化
学変性の技術を、情報記憶に適用することもできる。更
に、もし化学反応が可逆性であるなら、このようにして
記憶された情報を再び消去することもできる。
ズの碁盤目状に分割して、未変性の碁盤目には０を配分
し、化学変性した碁盤目には１を配分することにより、
数ナノメ−タ−から原子レベルまでの規制された表面化
学変性の技術を、情報記憶に適用することもできる。更
に、もし化学反応が可逆性であるなら、このようにして
記憶された情報を再び消去することもできる。
【０００５】しかし、そのような技術を使用するための
必要条件は、例えば、表面感応型走査プロ−ブなどを使
って、この種の局所的化学変性を可能にする技術を準備
することである。これまで開示された実験は、例えば、
グラファイトなどの電気科学的表面エッチングに主とし
て基づいている（Ｊ．Ｐ．Ｒａｂｅ，Ｓ．Ｂｕｃｈｈｏ
ｌｚ及びＡ．Ｍ．Ｒｉｔｃｅｙ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．
Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ，８（１９９０）６７９参照）。し
かし、そのような方法においては、表面が不可逆的に破
壊されて、とりわけそれが上記のような意味での消去性
が排除されてしまう。この大きな欠点は、原子或は分子
表面格子がそのまま残っていて、そしてもし、例えば異
種原子のみがその表面に化学結合するのであれば取り除
くことができる。そのような″標識″は、エネル−ギ−
を例えば熱エネル−ギ−のような形で供給することによ
り、再び取り除くことができる。この種のおよびその他
の局所化学表面反応を実際上行う１つの方法は、触媒を
使うことである。しかし、表面反応が行われる面積が大
きくなるのを防ぐためには、触媒が局所的にのみ働くこ
とが必須である。
必要条件は、例えば、表面感応型走査プロ−ブなどを使
って、この種の局所的化学変性を可能にする技術を準備
することである。これまで開示された実験は、例えば、
グラファイトなどの電気科学的表面エッチングに主とし
て基づいている（Ｊ．Ｐ．Ｒａｂｅ，Ｓ．Ｂｕｃｈｈｏ
ｌｚ及びＡ．Ｍ．Ｒｉｔｃｅｙ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．
Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ，８（１９９０）６７９参照）。し
かし、そのような方法においては、表面が不可逆的に破
壊されて、とりわけそれが上記のような意味での消去性
が排除されてしまう。この大きな欠点は、原子或は分子
表面格子がそのまま残っていて、そしてもし、例えば異
種原子のみがその表面に化学結合するのであれば取り除
くことができる。そのような″標識″は、エネル−ギ−
を例えば熱エネル−ギ−のような形で供給することによ
り、再び取り除くことができる。この種のおよびその他
の局所化学表面反応を実際上行う１つの方法は、触媒を
使うことである。しかし、表面反応が行われる面積が大
きくなるのを防ぐためには、触媒が局所的にのみ働くこ
とが必須である。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、ナノメ−タ−領域或は
原子領域にいたる高い局所解像度で、表面による或は表
面上での位置選択性接触化学反応を行う方法を提供する
ことである。
原子領域にいたる高い局所解像度で、表面による或は表
面上での位置選択性接触化学反応を行う方法を提供する
ことである。
【０００７】上記の目的は、触媒物質を含んでいる表面
感応型走査プロ−ブを触媒として用いて、反応が行われ
ている間、それを化学反応が起こる表面部分の真上に配
置することから成る方法によって達成されることが見出
された。
感応型走査プロ−ブを触媒として用いて、反応が行われ
ている間、それを化学反応が起こる表面部分の真上に配
置することから成る方法によって達成されることが見出
された。
【０００８】
【発明の構成】使用される表面感応型プロ−ブは、特
に、触媒活性物質からつくられた或はそれで覆われた走
査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）のチップ或は走査型原子
顕微鏡（ＳＡＦＭ）のレバ−チップでよい。適した物質
の例としては、白金／イリジュウム、コバルト、ニッケ
ル及び／又は鉄である。
に、触媒活性物質からつくられた或はそれで覆われた走
査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）のチップ或は走査型原子
顕微鏡（ＳＡＦＭ）のレバ−チップでよい。適した物質
の例としては、白金／イリジュウム、コバルト、ニッケ
ル及び／又は鉄である。
【０００９】適した固体表面としては、半導体層を有す
る物質、特に二セレン化タングステンである。固体表面
上に吸着質層或は液晶相を有するものも同様に使用する
ことができる。
る物質、特に二セレン化タングステンである。固体表面
上に吸着質層或は液晶相を有するものも同様に使用する
ことができる。
【００１０】本発明の方法は、局所的表面化学反応が反
応物質としてのガスを供給することにより起こり、ガス
は、表面上でのガス反応が起こる地点に触媒活性表面感
応型走査プロ−ブを配置した後で表面上に吹き付けら
れ、ガスと表面との接触誘導反応は触媒活性プロ−ブの
直近で起こり、かつ余剰ガスはいづれの場合も、局所反
応終了後に取り除かれるように構成されるのが好まし
い。この種の処方により、ガス原子或はガス分子とその
地点に存在する原子との位置選択性接触化学反応によ
り、固体表面上の原子の位置にさえ標識をつけることが
できる。
応物質としてのガスを供給することにより起こり、ガス
は、表面上でのガス反応が起こる地点に触媒活性表面感
応型走査プロ−ブを配置した後で表面上に吹き付けら
れ、ガスと表面との接触誘導反応は触媒活性プロ−ブの
直近で起こり、かつ余剰ガスはいづれの場合も、局所反
応終了後に取り除かれるように構成されるのが好まし
い。この種の処方により、ガス原子或はガス分子とその
地点に存在する原子との位置選択性接触化学反応によ
り、固体表面上の原子の位置にさえ標識をつけることが
できる。
【００１１】本発明の方法の更に有利な実施態様は、位
置選択性接触反応が行われる前に、反応ガスが固体表面
上或は触媒活性プロ−ブ上に既に吸着或は化学吸着され
ていることである。
置選択性接触反応が行われる前に、反応ガスが固体表面
上或は触媒活性プロ−ブ上に既に吸着或は化学吸着され
ていることである。
【００１２】同様に、本発明の方法は、反応が固体表面
と液、液薄膜又は薄い吸着物質層の間で開始されるよう
な場合にも適している。
と液、液薄膜又は薄い吸着物質層の間で開始されるよう
な場合にも適している。
【００１３】触媒活性プロ−ブは、結像操作中に、すな
わち、ナノメ−タ−領域或は原子領域の解像度で、表面
感応型走査プロ−ブを用いて固体表面に結像を行う際
に、表面上を非常に短い距離、原子直径のオ−ダ−で動
くので、もしこの種の結像工程を避けようということで
あれば、表面結像中、反応を促進するのに必要なパラメ
−タ−、例えば、温度、距離、触媒表面、光入射、電界
或はある反応物の存在等を、プロ−ブが試料に接触する
あらゆる点で反応が結像操作中ほど早く進行しないよう
なやり方で選ぶ必要がある。
わち、ナノメ−タ−領域或は原子領域の解像度で、表面
感応型走査プロ−ブを用いて固体表面に結像を行う際
に、表面上を非常に短い距離、原子直径のオ−ダ−で動
くので、もしこの種の結像工程を避けようということで
あれば、表面結像中、反応を促進するのに必要なパラメ
−タ−、例えば、温度、距離、触媒表面、光入射、電界
或はある反応物の存在等を、プロ−ブが試料に接触する
あらゆる点で反応が結像操作中ほど早く進行しないよう
なやり方で選ぶ必要がある。
【００１４】化学変性が行われる地点或は接触反応が起
こるべき地点が試料表面上で引き続き選ばれて、プロ−
ブがこの地点に配置されて表面から充分短い距離移動す
る。プロ−ブの位置決めが終ったら、全ての反応パラメ
−タ−が反応進行に必要な値に設定されていることを注
意して確認する。パラメ−タ−は、反応がプロ−ブ／表
面接触点において、必要な程度にのみ起こるように設定
される。一般に、全ての反応パラメ−タ−は、１つを除
いてこれらの値に設定されるが、この１つのパラメ−タ
−、開始パラメ−タ−は、プロ−ブの位置が一旦決めら
れたら局所化学反応が進行するのに必要な値に設定され
る。適当な開始パラメ−タ−は、温度、反応ガス濃度及
び電界、磁界又は電磁場などである。昇温下でしかるべ
き速度で反応を行う場合は、例えば、トンネル電流或は
点接触による電流などの方法により、表面感応型走査プ
ロ−ブと試料の間に充分に高い電流を短時間流して、化
学反応を行わせる所望の位置に局所的に熱を発生させ
る。また、表面感応型走査プロ−ブの配置された点にお
ける接触表面反応は、触媒活性走査プロ−ブと表面との
間に電圧パルスかけることにより発生させた過渡電界に
より開始することができる。
こるべき地点が試料表面上で引き続き選ばれて、プロ−
ブがこの地点に配置されて表面から充分短い距離移動す
る。プロ−ブの位置決めが終ったら、全ての反応パラメ
−タ−が反応進行に必要な値に設定されていることを注
意して確認する。パラメ−タ−は、反応がプロ−ブ／表
面接触点において、必要な程度にのみ起こるように設定
される。一般に、全ての反応パラメ−タ−は、１つを除
いてこれらの値に設定されるが、この１つのパラメ−タ
−、開始パラメ−タ−は、プロ−ブの位置が一旦決めら
れたら局所化学反応が進行するのに必要な値に設定され
る。適当な開始パラメ−タ−は、温度、反応ガス濃度及
び電界、磁界又は電磁場などである。昇温下でしかるべ
き速度で反応を行う場合は、例えば、トンネル電流或は
点接触による電流などの方法により、表面感応型走査プ
ロ−ブと試料の間に充分に高い電流を短時間流して、化
学反応を行わせる所望の位置に局所的に熱を発生させ
る。また、表面感応型走査プロ−ブの配置された点にお
ける接触表面反応は、触媒活性走査プロ−ブと表面との
間に電圧パルスかけることにより発生させた過渡電界に
より開始することができる。
【００１５】本発明の方法の更に有利な実施態様によれ
ば、表面感応型走査プロ−ブの配置された点における接
触表面反応は、電磁線照射、例えば、レ−ザ−ビ−ム、
マイクロウエ−ブ、赤外線、可視光線或は紫外線などに
より開始されるが、それにより位置選択的に反応を行っ
て、触媒活性プロ−ブの直近でのみ反応が起こるように
することが可能になる。
ば、表面感応型走査プロ−ブの配置された点における接
触表面反応は、電磁線照射、例えば、レ−ザ−ビ−ム、
マイクロウエ−ブ、赤外線、可視光線或は紫外線などに
より開始されるが、それにより位置選択的に反応を行っ
て、触媒活性プロ−ブの直近でのみ反応が起こるように
することが可能になる。
【００１６】本発明の方法を、上記開始パラメ−タ−の
組み合わせ、例えば触媒活性プロ−ブと反応ガスの存在
下に、電圧パルスと局部加熱を同時に行うことにより行
うこともできる。
組み合わせ、例えば触媒活性プロ−ブと反応ガスの存在
下に、電圧パルスと局部加熱を同時に行うことにより行
うこともできる。
【００１７】更に、本発明の方法は、反応物を添加した
り存在させたりせずに固体表面上で化学表面反応が起こ
る位置選択性接触反応の開始にも適していることは、注
目に値する。
り存在させたりせずに固体表面上で化学表面反応が起こ
る位置選択性接触反応の開始にも適していることは、注
目に値する。
【００１８】本発明の方法の利点は、化学表面変性を行
うのと同じプロ−ブを使って、変性の前及び後にナノメ
−タ−領域或はサブナノメ−タ−領域の局部解像度で、
表面に結像を行うことができるということである。この
高解像結像は、プロセス制御の為に必要であるが、しか
し情報単位の記憶のために特に有利なやり方で応用する
こともできる。かくて、原子領域で情報を記憶し、高い
情報密度を達成する方法が示される。
うのと同じプロ−ブを使って、変性の前及び後にナノメ
−タ−領域或はサブナノメ−タ−領域の局部解像度で、
表面に結像を行うことができるということである。この
高解像結像は、プロセス制御の為に必要であるが、しか
し情報単位の記憶のために特に有利なやり方で応用する
こともできる。かくて、原子領域で情報を記憶し、高い
情報密度を達成する方法が示される。
【００１９】このようにして固体表面に位置選択性接触
反応法により記憶された情報単位は、消去することもで
きる。これは、熱エネルギ−或は電磁線（例えば、表面
全体或はレ−ザ−による点処理）の形でエネルギ−を与
えることにより、或はその代りに表面を化学処理するこ
とにより行われる。格子が破壊されていないので、この
ようにして、標識付けの操作中にむしろ部分的にもとの
状態が復元される。
反応法により記憶された情報単位は、消去することもで
きる。これは、熱エネルギ−或は電磁線（例えば、表面
全体或はレ−ザ−による点処理）の形でエネルギ−を与
えることにより、或はその代りに表面を化学処理するこ
とにより行われる。格子が破壊されていないので、この
ようにして、標識付けの操作中にむしろ部分的にもとの
状態が復元される。
【００２０】本発明の方法を図を参照しながら以下に説
明する。
明する。
【００２１】使用した表面感応型走査プロ−ブは、触媒
活性物質として白金−イリジュウムから成り、白金−イ
リジュウムの金属線を加工してつくった走査トンネル顕
微鏡チップであった。チップは、変性される二セレン化
タングステン表面、半導体層に向かって、オングストロ
−ムの範囲の距離を移動した。図１には、試料表面のす
ぐ隣にあるＳＴＭチップの電子顕微鏡写真が示されてい
る。
活性物質として白金−イリジュウムから成り、白金−イ
リジュウムの金属線を加工してつくった走査トンネル顕
微鏡チップであった。チップは、変性される二セレン化
タングステン表面、半導体層に向かって、オングストロ
−ムの範囲の距離を移動した。図１には、試料表面のす
ぐ隣にあるＳＴＭチップの電子顕微鏡写真が示されてい
る。
【００２２】表面変性の前に、原子レベルの解像度で表
面に結像を行った（図２参照；色が薄くなっている点は
原子であり、原子間距離は０．３３ｎｍである）。結像
操作は、チップを陽極としてトンネル電圧０．８Ｖで行
った。トンネル電流は３ｎＡであった。試料面の同じと
ころに数時間にわたって間断なく結像を行った後であっ
ても、結像操作それ自身によってはなんら表面変性は起
こらなかった。これは、減圧下（１０-7ミリバ−ル）で
の研究だけでなく大気中での結像にも適用される。
面に結像を行った（図２参照；色が薄くなっている点は
原子であり、原子間距離は０．３３ｎｍである）。結像
操作は、チップを陽極としてトンネル電圧０．８Ｖで行
った。トンネル電流は３ｎＡであった。試料面の同じと
ころに数時間にわたって間断なく結像を行った後であっ
ても、結像操作それ自身によってはなんら表面変性は起
こらなかった。これは、減圧下（１０-7ミリバ−ル）で
の研究だけでなく大気中での結像にも適用される。
【００２３】表面変性は、大気中、大気圧下で行われ
た。Ｐｔ／Ｉｒチップの位置するところで表面化学反応
を開始するために、電圧振幅０．９Ｖ、継続時間１０ｍ
ｓの電圧パルスを現行トンネル電圧に追加した。これに
よって引き起こされた短時間のトンネル電流の増加の結
果、チップ周辺でチップや試料表面が非常に小さい面積
で部分的に温まった。同じチップを使って引き続き行わ
れたＳＴＭ結像によって示されているように、パルスに
より、チップが位置するところで所望の局所表面変性が
開始された（図３）。色が薄くなっている点はそれぞ
れ、１回のパルスにより所定の点に書き込まれた表面変
性を表している。図３の構成では、直径が約１ｎｍであ
る。
た。Ｐｔ／Ｉｒチップの位置するところで表面化学反応
を開始するために、電圧振幅０．９Ｖ、継続時間１０ｍ
ｓの電圧パルスを現行トンネル電圧に追加した。これに
よって引き起こされた短時間のトンネル電流の増加の結
果、チップ周辺でチップや試料表面が非常に小さい面積
で部分的に温まった。同じチップを使って引き続き行わ
れたＳＴＭ結像によって示されているように、パルスに
より、チップが位置するところで所望の局所表面変性が
開始された（図３）。色が薄くなっている点はそれぞ
れ、１回のパルスにより所定の点に書き込まれた表面変
性を表している。図３の構成では、直径が約１ｎｍであ
る。
【００２４】このようにして変性された表面の原子レベ
ルの解像度の結像は、変性が行われた部分ですらパルス
をかけた後で表面の原子配列の順序が変らず、そのまま
であることを示している。そして、変性が行われたこと
は、電子密度が部分的に変化した場合によく起こるよう
に、有効高さが変化していることから明らかである。対
照してみると、原子格子は処理によって破壊されてはい
ない。
ルの解像度の結像は、変性が行われた部分ですらパルス
をかけた後で表面の原子配列の順序が変らず、そのまま
であることを示している。そして、変性が行われたこと
は、電子密度が部分的に変化した場合によく起こるよう
に、有効高さが変化していることから明らかである。対
照してみると、原子格子は処理によって破壊されてはい
ない。
【００２５】チップによる結像品質、或は書き込み操作
における有効性を著しく低下させることなく、そのよう
な変性を１００回以上行い、引き続いて結像を行うこと
は容易に可能であった。また、数１００回の結増操作
（情報記憶として用いた場合は読みだし操作）を行った
にも関わらず、変性領域にはなんの変化もなかった。変
性も、２日間の実験観察期間中、大気中で経時安定であ
ることが分かった。
における有効性を著しく低下させることなく、そのよう
な変性を１００回以上行い、引き続いて結像を行うこと
は容易に可能であった。また、数１００回の結増操作
（情報記憶として用いた場合は読みだし操作）を行った
にも関わらず、変性領域にはなんの変化もなかった。変
性も、２日間の実験観察期間中、大気中で経時安定であ
ることが分かった。
【図１】試料表面のすぐ隣にあるＳＴＭチップの電子顕
微鏡写真である。
微鏡写真である。
【図２】表面変性の前に行なわれた、原子レベルの解像
度での表面結像図である。
度での表面結像図である。
【図３】電圧パルスにより、チップが位置するところで
局所表面変性が起こったことを示す図である。
局所表面変性が起こったことを示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
Claims (13)
- 【請求項１】ナノメ−タ−或はサブナノメ−タ−領域に
おける固体の表面による或は表面上での位置選択性接触
化学反応を行う方法であって、触媒物質を含んでいる表
面感応型走査プロ−ブを触媒として用いて、反応が行わ
れている間、それを化学反応が起る表面部分の真上に配
置することから成る方法。 - 【請求項２】使用される表面感応型プロ−ブが、走査型
トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）のチップまたは走査型原子顕
微鏡（ＳＡＦＭ）のレバ−チップである、請求項１に記
載の方法。 - 【請求項３】上記プロ−ブが、触媒活性物質からつくら
れているか又はそれによって覆われている、請求項１に
記載の方法。 - 【請求項４】位置選択性化学反応を行う前に、ナノメ−
タ−領域或は原子領域の解像度で、表面感応型走査プロ
−ブを用いて表面に結像を行い、このようにして、ナノ
メ−タ−或はサブナノメ−タ−領域の表面上の選択され
た点にチップを正確に配置することができる、請求項１
に記載の方法。 - 【請求項５】局所的表面化学反応が反応物質としてのガ
スを供給することにより行われ、ガスは、表面上でのガ
ス反応が起こる地点に触媒活性表面感応型走査プロ−ブ
を配置した後で表面上に吹き付けられ、ガスと表面との
接触誘導反応が触媒活性プロ−ブの直近で起こり、かつ
余剰ガスはいづれの場合も局所反応終了後に取り除かれ
る、請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】反応が昇温下で一定以上の反応速度で行な
われる場合は、昇温は、表面感応型走査プロ−ブと試料
の間に充分に高い電流を短時間流すことにより、化学反
応を行わせる所望の位置に局所的に起こさせる、請求項
１に記載の方法。 - 【請求項７】表面感応型走査プロ−ブの配置場所におけ
る表面接触反応が、過渡電界によって開始される、請求
項１に記載の方法。 - 【請求項８】上記過渡電界を、プロ−ブと表面の間に電
圧パルスを掛けることにより発生させる、請求項７に記
載の方法。 - 【請求項９】表面感応型走査プロ−ブの配置場所におけ
る表面接触反応が、電磁線照射によって開始される、請
求項１に記載の方法。 - 【請求項１０】固体表面の化学表面反応が、それ以上の
反応物の添加或は存在なしで起こる、請求項１に記載の
方法。 - 【請求項１１】固体表面が半導体物質層である、請求項
１に記載の方法。 - 【請求項１２】固体表面が、表面上にある吸着物層か又
は液晶相である、請求項１に記載の方法。 - 【請求項１３】上記方法によって得られたマ−クを、表
面への熱エネルギ−の供給、電磁線照射又は化学処理に
よって消去する、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4126380.4 | 1991-08-09 | ||
| DE4126380A DE4126380A1 (de) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Verfahren zur durchfuehrung ortsselektiver katalytischer reaktionen mit oder auf festkoerperoberflaechen im nanometer- und subnanometer-bereich |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188298A true JPH06188298A (ja) | 1994-07-08 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4203495A Withdrawn JPH06188298A (ja) | 1991-08-09 | 1992-07-30 | ナノメ−タ−或はサブナノメ−タ−領域における固体の表面による或は表面上での位置選択性接触化学反応を行う方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5298760A (ja) |
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| JP (1) | JPH06188298A (ja) |
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| DE (2) | DE4126380A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008532778A (ja) * | 2005-02-02 | 2008-08-21 | レイブ・エルエルシー | 物体を修正する機器および方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| DE10015931A1 (de) * | 2000-03-30 | 2001-10-04 | Schimmel Thomas | Verfahren zur elektrochemischen Nanostrukturierung |
| DE10024059A1 (de) * | 2000-05-11 | 2002-07-11 | Ludwig Brehmer | Optisch induzierte Oberflächenmodifizierung im Nanometerbereich |
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| US7098056B2 (en) * | 2002-08-09 | 2006-08-29 | Nanoink, Inc. | Apparatus, materials, and methods for fabrication and catalysis |
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| AU2003279232A1 (en) * | 2003-10-09 | 2005-05-26 | Seagate Technology Llc | Method and system for magnetic recording using self-organized magnetic nanoparticles |
| US7029773B2 (en) * | 2003-10-10 | 2006-04-18 | Seagate Technology Llc | Method and system for magnetic recording using self-organized magnetic nanoparticles |
| US20060161469A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Weatherbank, Inc. | Interactive advisory system |
| US8832121B2 (en) * | 2005-02-02 | 2014-09-09 | Accuweather, Inc. | Location-based data communications system and method |
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| US8634814B2 (en) * | 2007-02-23 | 2014-01-21 | Locator IP, L.P. | Interactive advisory system for prioritizing content |
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-
1991
- 1991-08-09 DE DE4126380A patent/DE4126380A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-07-22 CA CA002074437A patent/CA2074437A1/en not_active Abandoned
- 1992-07-24 EP EP92112672A patent/EP0527370B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-24 DE DE59204181T patent/DE59204181D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-24 AT AT92112672T patent/ATE129830T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-07-30 JP JP4203495A patent/JPH06188298A/ja not_active Withdrawn
- 1992-08-04 US US07/924,496 patent/US5298760A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-07 KR KR1019920014180A patent/KR930003961A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008532778A (ja) * | 2005-02-02 | 2008-08-21 | レイブ・エルエルシー | 物体を修正する機器および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2074437A1 (en) | 1993-02-10 |
| EP0527370B1 (de) | 1995-11-02 |
| DE4126380A1 (de) | 1993-02-11 |
| ATE129830T1 (de) | 1995-11-15 |
| DE59204181D1 (de) | 1995-12-07 |
| KR930003961A (ko) | 1993-03-22 |
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| US5298760A (en) | 1994-03-29 |
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|---|---|---|---|
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