JPH06182228A - 触媒担体の製造方法 - Google Patents
触媒担体の製造方法Info
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- JPH06182228A JPH06182228A JP43A JP33621592A JPH06182228A JP H06182228 A JPH06182228 A JP H06182228A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 33621592 A JP33621592 A JP 33621592A JP H06182228 A JPH06182228 A JP H06182228A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は高い強度、大きな比表面積と細孔容積
を有する多孔質炭化ケイ素焼結体からなる触媒担体の製
造方法を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇｒ、
不純物成分が１．０〜５％の炭化ケイ素粉末、さらに好
ましくは不純物成分中にホウ素化合物が金属換算で０．
１〜０．５％含有している炭化ケイ素粉末を出発原料と
し、これを所望の形状に成形、乾燥後、１６００℃〜２
２００℃の温度範囲で焼成することを特徴とする触媒担
体の製造方法である。
を有する多孔質炭化ケイ素焼結体からなる触媒担体の製
造方法を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇｒ、
不純物成分が１．０〜５％の炭化ケイ素粉末、さらに好
ましくは不純物成分中にホウ素化合物が金属換算で０．
１〜０．５％含有している炭化ケイ素粉末を出発原料と
し、これを所望の形状に成形、乾燥後、１６００℃〜２
２００℃の温度範囲で焼成することを特徴とする触媒担
体の製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高い強度、大きな比表面
積と細孔容積を有する多孔質炭化ケイ素焼結体からなる
触媒担体の製造方法に関する。
積と細孔容積を有する多孔質炭化ケイ素焼結体からなる
触媒担体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素は高い硬度、優れた耐摩耗
性、優れた耐酸化性、優れた耐蝕性、良好な熱伝導率、
低い熱膨張率、高い耐熱衝撃性、並びに、高温での高い
強度等の化学的および物理的に優れた特性を有し、メカ
ニカルシ−ルや軸受け等の耐摩耗材料、高温炉用の耐火
材や熱交換器または燃焼管等の耐熱構造材料、酸および
アルカリ等の強い腐蝕性を有する溶液のポンプ部品等の
耐蝕性材料として広く使用可能な材料である。
性、優れた耐酸化性、優れた耐蝕性、良好な熱伝導率、
低い熱膨張率、高い耐熱衝撃性、並びに、高温での高い
強度等の化学的および物理的に優れた特性を有し、メカ
ニカルシ−ルや軸受け等の耐摩耗材料、高温炉用の耐火
材や熱交換器または燃焼管等の耐熱構造材料、酸および
アルカリ等の強い腐蝕性を有する溶液のポンプ部品等の
耐蝕性材料として広く使用可能な材料である。
【０００３】一方、これらの性質を有する炭化ケイ素
と、その結晶が形成する通気性を有するところの気孔、
すなわち開放気孔とからなる多孔質炭化ケイ素質焼結体
は、前記炭化ケイ素の特徴を生かして、高温雰囲気、酸
化性雰囲気及び／または腐蝕性雰囲気下における耐熱、
耐蝕性物質分離材料として利用可能であり、例えば内燃
機関の排気ガス、特にデイ−ゼルエンジンの排気ガス等
の高温気体中に含まれる微粒子カ−ボン等の微粒子物質
の除去のために使用されるフィルタ−として利用しう
る。更に、この多孔質炭化ケイ素フィルタ−表面に、酸
化反応用触媒成分を担持せしめた場合には、可燃性のカ
−ボン微粒子を燃焼せしめ、ガスに転化させることも可
能で、この場合、この多孔質炭化ケイ素フィルタ−は、
耐熱・耐蝕触媒としても機能することになる。
と、その結晶が形成する通気性を有するところの気孔、
すなわち開放気孔とからなる多孔質炭化ケイ素質焼結体
は、前記炭化ケイ素の特徴を生かして、高温雰囲気、酸
化性雰囲気及び／または腐蝕性雰囲気下における耐熱、
耐蝕性物質分離材料として利用可能であり、例えば内燃
機関の排気ガス、特にデイ−ゼルエンジンの排気ガス等
の高温気体中に含まれる微粒子カ−ボン等の微粒子物質
の除去のために使用されるフィルタ−として利用しう
る。更に、この多孔質炭化ケイ素フィルタ−表面に、酸
化反応用触媒成分を担持せしめた場合には、可燃性のカ
−ボン微粒子を燃焼せしめ、ガスに転化させることも可
能で、この場合、この多孔質炭化ケイ素フィルタ−は、
耐熱・耐蝕触媒としても機能することになる。
【０００４】また最近、主として環境汚染防止の観点か
ら、内燃機関やガスタ−ビン用ボイラ−などの工業用燃
焼装置の分野において、低ＮＯｘ燃焼技術の研究開発が
行われており、その一つとして燃焼触媒を用いる触媒燃
焼技術が注目を集めている。この触媒燃焼技術の開発に
おける最も重要な要素は、触媒の開発であり、触媒の開
発においては活性な酸化反応用触媒物質の開発と並ん
で、活性成分を分散、担持するための担体の開発が極め
て重要である。
ら、内燃機関やガスタ−ビン用ボイラ−などの工業用燃
焼装置の分野において、低ＮＯｘ燃焼技術の研究開発が
行われており、その一つとして燃焼触媒を用いる触媒燃
焼技術が注目を集めている。この触媒燃焼技術の開発に
おける最も重要な要素は、触媒の開発であり、触媒の開
発においては活性な酸化反応用触媒物質の開発と並ん
で、活性成分を分散、担持するための担体の開発が極め
て重要である。
【０００５】燃焼触媒用担体においては、触媒表面で進
行する燃焼反応、すなわち、酸化反応を迅速に生起せし
めるために表面積が大きいことに加えて、発生する反応
熱を有効に伝達・除去できるような良好な熱伝導度を有
すること、および、触媒細孔内の物質移動を有効に行わ
せるためにガス等の流体の通過抵抗が小さいこと、すな
わち、細孔容積が大きいこと、更に、成形体相互のぶつ
かり合いによるアブレイジョン、即ち、磨滅に強いこと
および成形体自身が十分な機械的強度を有すること、そ
して、これらの特性が長時間の使用に対して安定してい
ることなど、多くの要求を満足することが必要である。
このような要件は、燃焼触媒のみならず、一般に反応熱
の発生を伴なう化学反応用の触媒担体、あるいは高温で
使用される触媒用の担体についても共通的にいえること
である。
行する燃焼反応、すなわち、酸化反応を迅速に生起せし
めるために表面積が大きいことに加えて、発生する反応
熱を有効に伝達・除去できるような良好な熱伝導度を有
すること、および、触媒細孔内の物質移動を有効に行わ
せるためにガス等の流体の通過抵抗が小さいこと、すな
わち、細孔容積が大きいこと、更に、成形体相互のぶつ
かり合いによるアブレイジョン、即ち、磨滅に強いこと
および成形体自身が十分な機械的強度を有すること、そ
して、これらの特性が長時間の使用に対して安定してい
ることなど、多くの要求を満足することが必要である。
このような要件は、燃焼触媒のみならず、一般に反応熱
の発生を伴なう化学反応用の触媒担体、あるいは高温で
使用される触媒用の担体についても共通的にいえること
である。
【０００６】一方、多孔質炭化ケイ素質焼結体の製造方
法としては、（１）骨材となる炭化ケイ素粒子にガラス
質フラックス、あるいは粘土質などの結合材を加え成形
した後、その成形体を前記結合材が溶融する温度で焼き
固めて製造する方法、（２）粗大粒の炭化ケイ素粒子と
微細な炭化ケイ素粒子を混合し成形した後、２０００℃
以上の高温で焼成して製造する方法、あるいは（３）特
開昭４８−３９５１５号の発明で開示されている炭化ケ
イ素粉に炭素粉を加え、または加えずに炭素質バインダ
−を加えると共に、炭素粉および焼成時に生成されるバ
インダ−からの遊離炭素と反応する理論量のケイ素質粉
を添加して形成し、しかる後、この成形体中の炭素粉中
で１９００〜２４００℃に加熱して成形体中の炭素分を
ケイ素化することを特徴とする均質多孔性再結晶炭化ケ
イ素体の製造方法、（４）比表面積が３ｍ2／ｇ以上
で、ホウ素、アルミニウムおよび鉄の含有量の合計が元
素に換算して０．３重量％以下である炭化ケイ素粉末を
所望の形状に成形後、１６００〜２２００℃で焼成して
製造する方法等が従来知られている。
法としては、（１）骨材となる炭化ケイ素粒子にガラス
質フラックス、あるいは粘土質などの結合材を加え成形
した後、その成形体を前記結合材が溶融する温度で焼き
固めて製造する方法、（２）粗大粒の炭化ケイ素粒子と
微細な炭化ケイ素粒子を混合し成形した後、２０００℃
以上の高温で焼成して製造する方法、あるいは（３）特
開昭４８−３９５１５号の発明で開示されている炭化ケ
イ素粉に炭素粉を加え、または加えずに炭素質バインダ
−を加えると共に、炭素粉および焼成時に生成されるバ
インダ−からの遊離炭素と反応する理論量のケイ素質粉
を添加して形成し、しかる後、この成形体中の炭素粉中
で１９００〜２４００℃に加熱して成形体中の炭素分を
ケイ素化することを特徴とする均質多孔性再結晶炭化ケ
イ素体の製造方法、（４）比表面積が３ｍ2／ｇ以上
で、ホウ素、アルミニウムおよび鉄の含有量の合計が元
素に換算して０．３重量％以下である炭化ケイ素粉末を
所望の形状に成形後、１６００〜２２００℃で焼成して
製造する方法等が従来知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来技術には次の問題がある。 （１）骨材となる炭化ケイ素粒子にガラス質フラックス
あるいは粘土質などの結合材を加え成形した後、その成
形体を前記結合材が溶融する温度で焼き固めて製造する
方法は、結合材が低温（１０００〜１４００℃前後）で
溶融するため、多孔質体はこの温度域、特にガラス転移
温度付近で変化し著しく強度が低下するだけでなく、耐
薬品性、耐酸化性が要求される分野における使用が限ら
れるという欠点がある。
た従来技術には次の問題がある。 （１）骨材となる炭化ケイ素粒子にガラス質フラックス
あるいは粘土質などの結合材を加え成形した後、その成
形体を前記結合材が溶融する温度で焼き固めて製造する
方法は、結合材が低温（１０００〜１４００℃前後）で
溶融するため、多孔質体はこの温度域、特にガラス転移
温度付近で変化し著しく強度が低下するだけでなく、耐
薬品性、耐酸化性が要求される分野における使用が限ら
れるという欠点がある。
【０００８】（２）粗大粒の炭化ケイ素粒子と微細な炭
化ケイ素粒子を混合し成形した後２０００℃以上の高温
で焼成して製造する方法、あるいは、（３）特開昭４８
−３９５１５号の発明で開示されている炭化ケイ素粉に
炭素粉を加え、または加えずに炭素質バインダ−を加え
ると共に、この炭素粉及び焼成時に生成されるバインダ
−からの遊離炭素と反応する理論量のケイ素質粉を添加
して形成し、しかる後、この成形体中の炭素粉中で１９
００〜２４００℃に加熱して成形体中の炭素分をケイ素
化することを特徴とする均質多孔性再結晶炭化ケイ素体
の製造方法は、多孔質炭化ケイ素骨材とその骨材を被覆
して、骨材同志を結合する炭化ケイ素質結合材あるいは
炭素質結合材および間隙とが構成される。前記多孔質の
間隙、すなわち開放気孔は殆ど成形時に骨材粒子となる
粗大粒子を多く必要としその結果骨材粒子の接触点が少
なくなり、多孔質の強度は著しく低下し、しかも比表面
積は０．５ｍ2／ｇ以下で著しく小さいものとなる。
化ケイ素粒子を混合し成形した後２０００℃以上の高温
で焼成して製造する方法、あるいは、（３）特開昭４８
−３９５１５号の発明で開示されている炭化ケイ素粉に
炭素粉を加え、または加えずに炭素質バインダ−を加え
ると共に、この炭素粉及び焼成時に生成されるバインダ
−からの遊離炭素と反応する理論量のケイ素質粉を添加
して形成し、しかる後、この成形体中の炭素粉中で１９
００〜２４００℃に加熱して成形体中の炭素分をケイ素
化することを特徴とする均質多孔性再結晶炭化ケイ素体
の製造方法は、多孔質炭化ケイ素骨材とその骨材を被覆
して、骨材同志を結合する炭化ケイ素質結合材あるいは
炭素質結合材および間隙とが構成される。前記多孔質の
間隙、すなわち開放気孔は殆ど成形時に骨材粒子となる
粗大粒子を多く必要としその結果骨材粒子の接触点が少
なくなり、多孔質の強度は著しく低下し、しかも比表面
積は０．５ｍ2／ｇ以下で著しく小さいものとなる。
【０００９】一方、強度の高い多孔質体とするためには
骨材の粒度配合を粗粒と中程度／または微粒子と適度に
混合し形成することが必要でありその結果、多孔質体の
細孔容積は高々０．１ｍｌ／ｇで著しく小さく極端な場
合、一部の開放気孔が閉塞してしまう傾向がある。この
ため、このような、多孔質体を流体が通過する際の抵抗
は著しく高くなり、物質分離用フィルタ−や、触媒担体
素として利用する場合、著しく不利益となる。従って、
触媒担体として好適な特性を有する炭化ケイ素質焼結体
即ち、取扱いが容易な強度を有し、しかも細孔容積が
０．２ｍ2／ｇより大きく、比表面積が３ｍ2／ｇより大
きな多孔質炭化ケイ素質焼結体は存在しない。
骨材の粒度配合を粗粒と中程度／または微粒子と適度に
混合し形成することが必要でありその結果、多孔質体の
細孔容積は高々０．１ｍｌ／ｇで著しく小さく極端な場
合、一部の開放気孔が閉塞してしまう傾向がある。この
ため、このような、多孔質体を流体が通過する際の抵抗
は著しく高くなり、物質分離用フィルタ−や、触媒担体
素として利用する場合、著しく不利益となる。従って、
触媒担体として好適な特性を有する炭化ケイ素質焼結体
即ち、取扱いが容易な強度を有し、しかも細孔容積が
０．２ｍ2／ｇより大きく、比表面積が３ｍ2／ｇより大
きな多孔質炭化ケイ素質焼結体は存在しない。
【００１０】（４）前記のような性質を有する多孔質体
を製造する方法として出願人は先に提案した方法がある
が、この方法は、比表面積が３ｍ2／ｇ以上で、ホウ
素、アルミニウム、および鉄の含有量が合計で０．３重
量％以下のものを用い、１４００〜２０００℃で焼成す
る方法は高純度で、且つ超微粉炭化ケイ素を出発原料と
しているために著しくコストアップとなるだけでなく、
成形体の乾燥収縮率が大きくなって、乾燥亀裂が発生し
易い欠点をすること：ディ−ゼル・エンジン排ガス中の
パ−ティキュレ−ト・フィルタ−のように気孔径が１５
μｍ前後が適切であるのに対して、数μｍ前後又はそれ
以下の気孔径のものしか得られない。気孔径を大きくす
る方法としては焼成温度を２０００℃以上で行えば良い
が、前記方法では異常粒成長等により強度劣化を起すこ
ととなる等の欠点を有していた。
を製造する方法として出願人は先に提案した方法がある
が、この方法は、比表面積が３ｍ2／ｇ以上で、ホウ
素、アルミニウム、および鉄の含有量が合計で０．３重
量％以下のものを用い、１４００〜２０００℃で焼成す
る方法は高純度で、且つ超微粉炭化ケイ素を出発原料と
しているために著しくコストアップとなるだけでなく、
成形体の乾燥収縮率が大きくなって、乾燥亀裂が発生し
易い欠点をすること：ディ−ゼル・エンジン排ガス中の
パ−ティキュレ−ト・フィルタ−のように気孔径が１５
μｍ前後が適切であるのに対して、数μｍ前後又はそれ
以下の気孔径のものしか得られない。気孔径を大きくす
る方法としては焼成温度を２０００℃以上で行えば良い
が、前記方法では異常粒成長等により強度劣化を起すこ
ととなる等の欠点を有していた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記従来の欠
点を解消し、かつ改善して、耐熱触媒担体として必要な
特性を有する多孔質炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担
体を供給するために、比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇ
ｒ、不純物成分が１．０〜５％の炭化ケイ素粉末を出発
原料を所望の形状に成形、乾燥後、１６００℃〜２２０
０℃の温度範囲で焼成することを特徴とするものであ
る。
点を解消し、かつ改善して、耐熱触媒担体として必要な
特性を有する多孔質炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担
体を供給するために、比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇ
ｒ、不純物成分が１．０〜５％の炭化ケイ素粉末を出発
原料を所望の形状に成形、乾燥後、１６００℃〜２２０
０℃の温度範囲で焼成することを特徴とするものであ
る。
【００１２】即ち、従来、比表面積が５ｍ3／ｇｒ以上
と大きく、不純物が少なく、又は／及び、平均粒径が１
μｍ以下と小さい炭化ケイ素（β−ＳｉＣ）粉末を出発
原料とすることによってのみ触媒担体用として優れた多
孔質炭化ケイ素焼結体が製造出来るものと思われて来
た。即ち、平均粒径が１μｍ以下の超微粉が焼結（ネッ
キング）して成長をすることにより、成形体の中で炭化
ケイ素粉末が占有している体積が減少し、これにより細
孔容積が増大すると同時に触媒担体又は／およびフィル
タ−として最適な連続気孔が出来ること、そして、原料
粉末に適した最高焼成温度で焼成することにより、最適
な気孔径の触媒担体が製造出来るものであって、不純物
が少しでも多かったり、比表面積又は／および平均粒径
が少しでも大きいと不適当であるとされて来た。
と大きく、不純物が少なく、又は／及び、平均粒径が１
μｍ以下と小さい炭化ケイ素（β−ＳｉＣ）粉末を出発
原料とすることによってのみ触媒担体用として優れた多
孔質炭化ケイ素焼結体が製造出来るものと思われて来
た。即ち、平均粒径が１μｍ以下の超微粉が焼結（ネッ
キング）して成長をすることにより、成形体の中で炭化
ケイ素粉末が占有している体積が減少し、これにより細
孔容積が増大すると同時に触媒担体又は／およびフィル
タ−として最適な連続気孔が出来ること、そして、原料
粉末に適した最高焼成温度で焼成することにより、最適
な気孔径の触媒担体が製造出来るものであって、不純物
が少しでも多かったり、比表面積又は／および平均粒径
が少しでも大きいと不適当であるとされて来た。
【００１３】しかし、多孔質炭化ケイ素焼結体の製造に
ついて、各種生成条件と得られた生成粒との関係を詳細
に研究した結果、比表面積が小さく、不純物が一定範囲
で大きく、且つ、好ましくは不純物として、焼結助剤と
して作用するホウ素化合物が金属換算で０．１〜０．５
％範囲で混入して炭化ケイ素（α−ＳｉＣ）粉末を用い
ることにより触媒担体として優れた性能を有する多孔質
炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担体を経済的に製造す
ることを見出したのである。すなわち、本発明において
は、比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇｒ、不純物成分が
１．０〜５％の炭化ケイ素粉末を使用するのであって、
この比表面積の範囲において、比表面積が大きくなるに
したがって、その不純物成分が１．０〜５％の範囲で少
なく、且つ、最高焼成温度範囲の１６００〜２２００℃
において、高くすることが重要である。
ついて、各種生成条件と得られた生成粒との関係を詳細
に研究した結果、比表面積が小さく、不純物が一定範囲
で大きく、且つ、好ましくは不純物として、焼結助剤と
して作用するホウ素化合物が金属換算で０．１〜０．５
％範囲で混入して炭化ケイ素（α−ＳｉＣ）粉末を用い
ることにより触媒担体として優れた性能を有する多孔質
炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担体を経済的に製造す
ることを見出したのである。すなわち、本発明において
は、比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇｒ、不純物成分が
１．０〜５％の炭化ケイ素粉末を使用するのであって、
この比表面積の範囲において、比表面積が大きくなるに
したがって、その不純物成分が１．０〜５％の範囲で少
なく、且つ、最高焼成温度範囲の１６００〜２２００℃
において、高くすることが重要である。
【００１４】比表面積が０．１ｍ2／ｇｒより小さくな
ると、触媒担体の細孔容積および比表面積が小さくなり
過ぎるので好ましくない。又、比表面積が５ｍ2／ｇｒ
以上の炭化ケイ素粉末を出発原料とすることは出発原料
コストが著しく高くなり、好ましくない。不純物成分が
１％以下の出発原料とすると、前記同様に経済的でな
い。また、５％以上とすると触媒担体の高温強度が低下
する等の欠点が生じて好ましくない。このような出発原
料は、古くから製造されているα−ＳｉＣの製造方法
（アチソン法）によって容易に得ることができる。
ると、触媒担体の細孔容積および比表面積が小さくなり
過ぎるので好ましくない。又、比表面積が５ｍ2／ｇｒ
以上の炭化ケイ素粉末を出発原料とすることは出発原料
コストが著しく高くなり、好ましくない。不純物成分が
１％以下の出発原料とすると、前記同様に経済的でな
い。また、５％以上とすると触媒担体の高温強度が低下
する等の欠点が生じて好ましくない。このような出発原
料は、古くから製造されているα−ＳｉＣの製造方法
（アチソン法）によって容易に得ることができる。
【００１５】焼成温度について、最高焼成温度を１６０
０℃以下にすると前記同様に触媒担体の高温強度が低下
する等の欠点が生じて好ましくなく、２２００℃以上で
は製造コストが著しく高くなってしまう。
０℃以下にすると前記同様に触媒担体の高温強度が低下
する等の欠点が生じて好ましくなく、２２００℃以上で
は製造コストが著しく高くなってしまう。
【００１６】尚、不純物成分中にはホウ素化合物が金属
換算で０．１〜０．５％含有していることが好ましい。
すなわち、ホウ素化合物は、前記炭化ケイ素粉出発原料
の焼結助剤としての作用をするものである。０．１％以
下では助剤としての効果が小さ過ぎ、０．５％以上にす
ると成形体の収縮率が大きくなってしまうので焼成最高
温度を低下させなければならなくなるが、焼成最高温度
を低下させることは、触媒担体の高温強度の劣化等の欠
点を生ずることとなる。次に、実施例をもって、更に本
発明を具体的に説明する。
換算で０．１〜０．５％含有していることが好ましい。
すなわち、ホウ素化合物は、前記炭化ケイ素粉出発原料
の焼結助剤としての作用をするものである。０．１％以
下では助剤としての効果が小さ過ぎ、０．５％以上にす
ると成形体の収縮率が大きくなってしまうので焼成最高
温度を低下させなければならなくなるが、焼成最高温度
を低下させることは、触媒担体の高温強度の劣化等の欠
点を生ずることとなる。次に、実施例をもって、更に本
発明を具体的に説明する。
【００１７】
実施例 １ 比表面積０．７ｍ2／ｇで不純物含有量３．０％（Ｂ4Ｃ
が０．３％）のα−炭化ケイ素を７０％と、比表面積１
２ｍ2／ｇで不純物含有量１．０％のβ−炭化ケイ素を
３０％とを混合した炭化ケイ素粉末１００重量部に、水
２２重量部、メチルセルロ−ス 重量部、グリセリン
２部、界面活性剤４部とを混合、混練した坏土を押出成
形機で外径１４０ｍ／ｍ、長さ７０ｍ／ｍ、セル厚０．
４３ｍ／ｍ、セル数１７０コ／ｉｎ2の成形体を成形・
乾燥後、１８００℃で４時間焼成した結果、気孔率４５
％、焼成収縮率２％、平均気孔径１５μｍ、曲げ強度４
５０ｋｇ／ｃｍ2（セル温度）のハニカム構造の多孔質
炭化ケイ素質触媒担体が得られた。
が０．３％）のα−炭化ケイ素を７０％と、比表面積１
２ｍ2／ｇで不純物含有量１．０％のβ−炭化ケイ素を
３０％とを混合した炭化ケイ素粉末１００重量部に、水
２２重量部、メチルセルロ−ス 重量部、グリセリン
２部、界面活性剤４部とを混合、混練した坏土を押出成
形機で外径１４０ｍ／ｍ、長さ７０ｍ／ｍ、セル厚０．
４３ｍ／ｍ、セル数１７０コ／ｉｎ2の成形体を成形・
乾燥後、１８００℃で４時間焼成した結果、気孔率４５
％、焼成収縮率２％、平均気孔径１５μｍ、曲げ強度４
５０ｋｇ／ｃｍ2（セル温度）のハニカム構造の多孔質
炭化ケイ素質触媒担体が得られた。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明においては、
比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇｒ、不純物成分が１．０
〜５％の炭化ケイ素粉末を出発原料とし、これを１６０
０℃〜２２００℃の温度範囲で焼成することによって、
従来の多孔質炭化ケイ素よりなる触媒担体に比して高い
強度、大きな比表面積と細孔容積を有する等の特性を有
する触媒担体が得られる。
比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇｒ、不純物成分が１．０
〜５％の炭化ケイ素粉末を出発原料とし、これを１６０
０℃〜２２００℃の温度範囲で焼成することによって、
従来の多孔質炭化ケイ素よりなる触媒担体に比して高い
強度、大きな比表面積と細孔容積を有する等の特性を有
する触媒担体が得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】 比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇｒ、不純
物成分が１．０〜５％の炭化ケイ素粉末を出発原料と
し、これを所望の形状に成形、乾燥後、１６００℃〜２
２００℃の温度範囲で焼成することを特徴とする触媒担
体の製造方法。 - 【請求項２】 不純物成分中にホウ素化合物が金属換算
で０．１〜０．５％含有していることを特徴とする請求
項第１項記載の触媒担体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33621592A JP3548914B2 (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 触媒担体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33621592A JP3548914B2 (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 触媒担体の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2003005629A Division JP2003181301A (ja) | 2003-01-14 | 2003-01-14 | 触媒担体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06182228A true JPH06182228A (ja) | 1994-07-05 |
| JP3548914B2 JP3548914B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=18296830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33621592A Expired - Lifetime JP3548914B2 (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 触媒担体の製造方法 |
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Cited By (26)
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|---|---|---|---|---|
| WO2002062726A1 (fr) | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Ngk Insulators,Ltd. | Structure en nid d"abeilles |
| WO2002081406A1 (fr) | 2001-03-30 | 2002-10-17 | Ngk Insulators,Ltd. | Article poreux a base de carbure de silicium et procede de preparation associe |
| US6716512B2 (en) * | 2000-01-17 | 2004-04-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure and process for production thereof |
| WO2004031100A1 (ja) | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Ibiden Co., Ltd. | ハニカム構造体 |
| US6815038B2 (en) | 2001-03-02 | 2004-11-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure |
| EP1568669A1 (en) * | 2002-11-20 | 2005-08-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon carbide porous body, process for producing the same and honeycomb structure |
| US7011803B2 (en) | 2000-04-14 | 2006-03-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure and method for its manufacture |
| US7112233B2 (en) * | 1999-09-29 | 2006-09-26 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb filter and ceramic filter assembly |
| US7253134B2 (en) | 2002-10-18 | 2007-08-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon carbide-based catalytic body and process for producing the same |
| WO2007097162A1 (ja) | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Ngk Insulators, Ltd. | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 |
| WO2007097161A1 (ja) | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Ngk Insulators, Ltd. | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 |
| US7422784B2 (en) | 2002-12-11 | 2008-09-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon carbide based porous material and method for preparation thereof, and honeycomb structure |
| US7452591B2 (en) | 2002-03-29 | 2008-11-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon carbide based porous material and method for production thereof |
| US7455709B2 (en) | 2003-07-15 | 2008-11-25 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structural body |
| US7473464B2 (en) | 2002-03-29 | 2009-01-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Porous material and method for production thereof |
| US7488366B2 (en) | 2003-07-25 | 2009-02-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic porous body and method for evaluating its permeability |
| US7521025B2 (en) | 2003-06-10 | 2009-04-21 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structural body |
| US7534482B2 (en) | 2002-10-07 | 2009-05-19 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structural body |
| WO2009069731A1 (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Ngk Insulators, Ltd. | 炭化珪素質多孔体 |
| EP2067756A2 (en) | 2007-11-30 | 2009-06-10 | Ngk Insulator, Ltd. | Silicon carbide based porous material and method for preparation thereof |
| EP2070890A2 (en) | 2007-12-13 | 2009-06-17 | Ngk Insulators, Ltd. | A silicon carbide-based porous body |
| DE102015003218A1 (de) | 2014-03-18 | 2015-09-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Wabenstruktur |
| CN105126848A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-09 | 山东迅达化工集团有限公司 | 具有大孔结构的h2s选择性氧化生产硫磺的催化剂及其制备方法 |
| EP2957548A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-12-23 | NGK Insulators, Ltd. | Honeycomb structure |
| DE102019002145A1 (de) | 2018-03-30 | 2019-10-02 | NGK lnsulators, Ltd. | Poröser Siliciumcarbidkörper und Herstellungsverfahren dafür |
| WO2022202903A1 (ja) | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 日立金属株式会社 | 炭化珪素質セラミックハニカム構造体及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-12-16 JP JP33621592A patent/JP3548914B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7427309B2 (en) * | 1999-09-29 | 2008-09-23 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb filter and ceramic filter assembly |
| US20110304084A1 (en) * | 1999-09-29 | 2011-12-15 | Ibiden Co., Ltd. | Method for producing honeycomb filter and method for producing ceramic filter assembly |
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| US7824765B2 (en) | 2006-02-22 | 2010-11-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Porous object based on silicon carbide and process for producing the same |
| WO2007097161A1 (ja) | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Ngk Insulators, Ltd. | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 |
| WO2007097162A1 (ja) | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Ngk Insulators, Ltd. | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 |
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