JPH06177321A - Multichip module - Google Patents

Multichip module

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JPH06177321A
JPH06177321A JP4323226A JP32322692A JPH06177321A JP H06177321 A JPH06177321 A JP H06177321A JP 4323226 A JP4323226 A JP 4323226A JP 32322692 A JP32322692 A JP 32322692A JP H06177321 A JPH06177321 A JP H06177321A
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circuit board
mounting circuit
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lsi
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    • H01L2924/301Electrical effects
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Abstract

PURPOSE:To reduce cost and improve performance, by reducing the mounting board area of a multichip module. CONSTITUTION:When a chip like a high speed memory chip 104 is mounted on a package board 101, the chip is not mounted on a mounting circuit board 102, and an I/O pad of the chip is connected with an I/O pad of the mounting circuit board 102.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マルチチップモジュー
ルに関し、特に低コストでかつ高性能なマルチチップモ
ジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multichip module, and more particularly to a low cost and high performance multichip module.

【0002】[0002]

【従来の技術】近時、装置の大型化、高速化に伴い実装
回路基板も高性能化が求められている。このためLSI
チップを複数個基板上に実装してなるマルチチップモジ
ュールが多く用いられるようになっている。その一例を
示す文献として、エッチ・ジェイ・レビンシュタイン等
(H.J.Levinstein et al)がアテ
ススシーシー・ダイジェスト(ISSCC Diges
t)、1987年、224〜225ページに発表したマ
ルチ・チップ・パッケージング・テクノロジー・フォア
・ブイエルエスアイ・ベースド・システム (Multi-Chip
Packaging Technology for VLSI-Based System )があ
る。
2. Description of the Related Art Recently, with the increase in size and speed of devices, there is a demand for higher performance of mounted circuit boards. Therefore, LSI
A multi-chip module in which a plurality of chips are mounted on a substrate has been widely used. As a document showing such an example, H. J. Levinstein et al., ISSCC Digest
t), 1987, pp. 224-225, Multi-Chip Packaging Technology for VRS, based system (Multi-Chip).
Packaging Technology for VLSI-Based System).

【0003】このマルチチップモジュールではシリコン
基板上に銅配線等の微細な多層配線形成が行われた実装
回路基板が用いられている。この従来技術ではフリップ
チップ技術を用いてLSIチップを基板上に搭載してい
るがワイヤーで接続する技術や、TAB技術を用いるこ
ともある。
In this multi-chip module, a mounted circuit board in which fine multi-layered wiring such as copper wiring is formed on a silicon substrate is used. In this conventional technique, the LSI chip is mounted on the substrate by using the flip chip technique, but a technique of connecting with a wire or a TAB technique may be used.

【0004】かかるモジュールの構成としては例えば、
上述した文献ではCPUとMMUとALUという組合せ
であったが、CPUとメモリとG/Aというような組合
せが一般的に用いられている。
The configuration of such a module is, for example,
In the above-mentioned document, the combination of CPU, MMU, and ALU was used, but the combination of CPU, memory, and G / A is generally used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術を用
いたマルチチップモジュールでは実装基板上にLSIチ
ップを数個から十数個搭載していた。ところで、LSI
チップはほぼ1平方cmの大きさがあり、そのため実装
基板の大きさは20〜40平方cmと大きな基板が必要
となる。特にシリコンウエハを基板材料に用いたマルチ
チップモジュールでは直径5または6インチウエハを用
いて実装回路基板を製作する場合には、1枚のウエハか
ら4〜6個の実装回路基板しか作成できない。そのため
当然歩留りも低くなりコストが大きくなるという大きな
問題点が生じることが分かった。
In the multi-chip module using the above-mentioned conventional technique, a few to more than ten LSI chips are mounted on the mounting board. By the way, LSI
Since the chip has a size of about 1 cm 2 and a mounting substrate having a size of 20 to 40 cm 2, a large substrate is required. In particular, in a multi-chip module using a silicon wafer as a substrate material, when a mounted circuit board is manufactured using a wafer having a diameter of 5 or 6 inches, only 4 to 6 mounted circuit boards can be produced from one wafer. Therefore, it has been found that a large problem naturally arises that the yield is lowered and the cost is increased.

【0006】また、上記従来技術のマルチチップモジュ
ールでは上述したように基板面積が大きくなるため、そ
れだけ配線長が長くなり、高性能化が充分達成できない
という問題点もあった。
Further, in the above-mentioned multi-chip module of the prior art, since the substrate area becomes large as described above, there is a problem that the wiring length becomes longer and the performance cannot be sufficiently improved.

【0007】本発明の課題は、モジュールの機能を損な
うことなく基板面積を小さくし、低コスト化、高性能化
を可能にしたマルチチップモジュールを提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multi-chip module in which the substrate area can be reduced without impairing the function of the module, and the cost and performance can be improved.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、実装回
路基板に複数のLSIチップを接続してなるマルチチッ
プモジュールにおいて、これらのLSIチップのうちの
少なくとも1つを前記実装回路基板の上部に搭載しない
ことを特徴とする。即ち、これらのLSIチップのうち
一部のLSIチップを平面的に見て実装回路基板の外部
に配置し、該実装回路基板外に配置されたLSIチップ
のパッドを実装回路基板と電気的に接続することを特徴
とするマルチチップモジュールが得られる。
According to the present invention, in a multichip module in which a plurality of LSI chips are connected to a mounting circuit board, at least one of these LSI chips is mounted on the mounting circuit board. It is characterized by not being installed in. That is, a part of these LSI chips is arranged outside the mounting circuit board when viewed in plan, and the pads of the LSI chip arranged outside the mounting circuit board are electrically connected to the mounting circuit board. A multi-chip module characterized by the above is obtained.

【0009】本発明によれば、前記マルチチップモジュ
ールにおいて、前記LSIチップに形成されたI/Oパ
ッドと前記実装回路基板に形成されたI/Oパッドがワ
イヤーにより接続されていることを特徴とするマルチチ
ップモジュールが得られた。
According to the present invention, in the multi-chip module, the I / O pad formed on the LSI chip and the I / O pad formed on the mounting circuit board are connected by a wire. A multi-chip module was obtained.

【0010】本発明によれば、前記マルチチップモジュ
ールにおいて、前記LSIチップに形成されたI/Oパ
ッドと前記実装回路基板に形成されたI/OパッドがT
ABリードにより接続されていることを特徴とするマル
チチップモジュールが得られる。
According to the present invention, in the multi-chip module, the I / O pad formed on the LSI chip and the I / O pad formed on the mounting circuit board are T-shaped.
A multi-chip module characterized by being connected by AB leads is obtained.

【0011】本発明によれば、前記マルチチップモジュ
ールにおいて、前記LSIチップに形成されたI/Oパ
ッドと前記実装回路基板に形成されたI/Oパッドが半
田ボールによりフリップチップ接続されていることを特
徴とするマルチチップモジュールが得られる。
According to the present invention, in the multi-chip module, the I / O pad formed on the LSI chip and the I / O pad formed on the mounting circuit board are flip-chip connected by solder balls. A multi-chip module characterized by

【0012】本発明によれば、前記マルチチップモジュ
ールにおいて、前記LSIチップに形成されたI/Oパ
ッドが該LSIチップの特定の一辺の端部より500μ
m以内の範囲にのみ形成されていることを特徴とするマ
ルチチップモジュールが得られる。
According to the present invention, in the multi-chip module, the I / O pad formed on the LSI chip is 500 μm away from the end of a specific side of the LSI chip.
A multi-chip module characterized by being formed only within the range of m can be obtained.

【0013】本発明によれば、前記マルチチップモジュ
ールにおいて、前記LSIチップの特定した第一の辺の
端部より5mm以内にある第一のI/Oパッドは全て、
前記実装回路基板の高速バスにつながるI/Oパッドに
接続されてることおよび前記第一の辺に対向した位置に
ある第二の辺の端部より5mm以内にある第二のI/O
パッドは全てパッケージ基板のI/Oパッドに接続され
ることを特徴とするマルチチップモジュールが得られ
る。
According to the present invention, in the multi-chip module, all the first I / O pads within 5 mm from the end of the specified first side of the LSI chip are
A second I / O connected to an I / O pad connected to a high-speed bus of the mounting circuit board and within 5 mm from an end of a second side facing the first side.
A multi-chip module is obtained in which all the pads are connected to the I / O pads of the package substrate.

【0014】本発明によれば、前記マルチチップモジュ
ールにおいて、前記実装回路基板がシリコンで形成され
ていることを特徴とするマルチチップモジュールが得ら
れる。
According to the present invention, in the multi-chip module, the multi-chip module is obtained in which the mounting circuit board is made of silicon.

【0015】本発明によれば、前記マルチチップモジュ
ールを搭載したシステムおよび装置が得られる。
According to the present invention, there can be obtained a system and apparatus equipped with the multichip module.

【0016】[0016]

【実施例】次に本発明の第一の実施例を図面に基いて説
明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0017】まず図1は本発明の第一の実施例を説明す
るための断面図である。第一の実施例ではパッケージ基
板101上にシリコンを用いた実装回路基板102の上
にマイクロプロセッサ(CPU)チップ103、高速メ
モリチップ104、ゲートアレイチップ105が搭載さ
れている。ここで図に示すように高速メモリチップ10
4およびゲートアレイチップ105は実装回路基板10
2の上には搭載されておらず、実装回路基板102の外
部に配置されている。各チップのI/Oパッドは実装基
板102上に形成された多層配線102′上のI/Oパ
ッドもしくはパッケージ基板101上のI/Oパッドに
ワイヤー106を用いて接続されている。更にこのマル
チチップモジュールは上述した部品以外に入出力ピン1
07、キャップ108、ヒートシンク109で構成され
ている。
First, FIG. 1 is a sectional view for explaining a first embodiment of the present invention. In the first embodiment, a microprocessor (CPU) chip 103, a high speed memory chip 104, and a gate array chip 105 are mounted on a package circuit board 102 made of silicon on a package board 101. Here, as shown in FIG.
4 and the gate array chip 105 are mounted circuit board 10
2 is not mounted on the mounting circuit board 102 but is mounted outside the mounting circuit board 102. The I / O pad of each chip is connected to the I / O pad on the multilayer wiring 102 ′ formed on the mounting substrate 102 or the I / O pad on the package substrate 101 using a wire 106. In addition to the components described above, this multi-chip module has input / output pin 1
07, cap 108, and heat sink 109.

【0018】高速メモリチップ104は全てのI/Oパ
ッドがチップ一辺の近傍にあり、それらが実装回路基板
102のI/Oパッドに接続されている。また、ゲート
アレイチップ105の約半数のI/Oパッドは実装回路
基板102のI/Oパッドに接続されており、残りのI
/Oパッドはパッケージ基板101に接続されている。
In the high speed memory chip 104, all I / O pads are near one side of the chip, and they are connected to the I / O pads of the mounting circuit board 102. Further, about half of the I / O pads of the gate array chip 105 are connected to the I / O pads of the mounting circuit board 102, and the remaining I / O pads are connected.
The / O pad is connected to the package substrate 101.

【0019】上述したように本発明のマルチチップモジ
ュールでは高速メモリチップ104およびゲートアレイ
チップ105が実装回路基板102の外部に配置されて
いる。このため、これらのチップを基板上に形成した場
合よりも基板面積を大幅に小さくできる。
As described above, in the multi-chip module of the present invention, the high speed memory chip 104 and the gate array chip 105 are arranged outside the mounting circuit board 102. Therefore, the substrate area can be significantly reduced as compared with the case where these chips are formed on the substrate.

【0020】このことを図2を用いてより分かりやすく
説明する。図2に本発明の第一の実施例の平面図を示
す。従来技術を用いて全てのチップを実装回路基板10
2上に搭載したならば実装回路基板の面積はほぼ図中の
キャビティー110の大きさになり、その場合の基板面
積は25平方cmであった。しかし、図2から分かるよ
うに、第一の実施例の実装回路基板の面積は7.5平方
cmであった。このように本発明を用いれば実装基板面
積を約30%に低減できるという大きな利点を有するこ
とが分かった。この効果により基板の歩留りが約4倍に
なり、モジュール全体のコストも約30%低減すること
ができた。
This will be described more easily with reference to FIG. FIG. 2 shows a plan view of the first embodiment of the present invention. A circuit board 10 in which all chips are mounted by using the conventional technology.
When mounted on the board 2, the area of the mounted circuit board was almost the size of the cavity 110 in the figure, and the board area in that case was 25 cm 2. However, as can be seen from FIG. 2, the area of the mounted circuit board of the first embodiment was 7.5 cm 2. As described above, it was found that the use of the present invention has a great advantage that the mounting substrate area can be reduced to about 30%. Due to this effect, the yield of the substrate is increased by about 4 times, and the cost of the entire module can be reduced by about 30%.

【0021】前記本発明の第一の実施例において、実装
回路基板102上にはCPUと同期し、80MHzで動
作する高速データバス、アドレスバス、制御バスが形成
されている。ゲートアレイチップ105はCPU側の高
速バスとシステム側(主メモリ、I/O)の低速のシス
テムバスをつなぐFIFO(先入れ先出し)のバッファ
回路LSIであり、図1に示されるようにゲートアレイ
チップの高速バスにつながるI/Oパッドは全て実装回
路基板102のI/Oパッドに接続され、低速のシステ
ムバスにつながるI/Oパッドは全てパッケージ基板の
I/Oパッドに接続されている。そのため80MHz動
作を行うマイクロプロセッチップ103、高速メモリチ
ップ104、ゲートアレイチップ105のチップ間の内
部配線が全て実装回路基板102上に形成されることに
なる。
In the first embodiment of the present invention, a high speed data bus, an address bus and a control bus which operate at 80 MHz are formed on the mounting circuit board 102 in synchronization with the CPU. The gate array chip 105 is a FIFO (first-in first-out) buffer circuit LSI that connects a high-speed bus on the CPU side and a low-speed system bus on the system side (main memory, I / O), and as shown in FIG. All I / O pads connected to the high-speed bus are connected to the I / O pads of the mounting circuit board 102, and all I / O pads connected to the low-speed system bus are connected to the I / O pads of the package board. Therefore, the internal wiring between the microprocessor chip 103, the high-speed memory chip 104, and the gate array chip 105 that operate at 80 MHz are all formed on the mounting circuit board 102.

【0022】上述したように本発明のマルチチップモジ
ュールは従来技術より実装回路基板の面積を1/3にで
きるため、各ネット毎の配線長もそれだけ短縮され、そ
れにより遅延時間も短縮されるため従来技術のものに比
べ大幅な高速動作を行なわせることが可能となるという
大きな利点もある。実際、従来技術を用いたマルチチッ
プモジュールで80MHzであったシステムを本発明の
モジュールを用いることにより83MHzまでの高速動
作を行わせることが可能となった。
As described above, in the multi-chip module of the present invention, the area of the mounting circuit board can be reduced to 1/3 as compared with the prior art, so that the wiring length of each net is shortened by that much, and the delay time is also shortened. There is also a great advantage that it is possible to perform a significantly high speed operation as compared with the prior art. In fact, by using the module of the present invention, it is possible to perform a high-speed operation up to 83 MHz from the system of 80 MHz in the multi-chip module using the conventional technology.

【0023】前記マイクロプロセッサチップ103,2
03と高速メモリチップ104,204およびゲートア
レイチップ105,205などのLSIチップに形成さ
れたI/Oパッドと、前記実装回路基板102,202
に形成されたI/Oパッドとは、TABリードにより接
続しても良い。
The microprocessor chips 103 and 2
03, high-speed memory chips 104 and 204, and I / O pads formed on LSI chips such as gate array chips 105 and 205, and the mounting circuit boards 102 and 202.
The I / O pad formed in the above may be connected by a TAB lead.

【0024】次に第二の実施例としてフリップチップ接
続を用いた例を図3に示す。
Next, an example using flip chip connection is shown in FIG. 3 as a second embodiment.

【0025】図3は本発明の第二の実施例を説明するた
めの断面図である。第二の実施例ではパッケージ基板2
01上に実装回路基板202、マイクロプロセッサ(C
PU)チップ203、高速メモリチップ204、ゲート
アレイチップ205が搭載されている。各チップは実装
回路基板202上に形成された多層配線202′上に半
田バンプ206を用いてフリップチップ接続されてい
る。更に、このマルチチップモジュールは上述した部品
以外に入出力ピン207、キャップ208、ヒートシン
ク209で構成されている。
FIG. 3 is a sectional view for explaining the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the package substrate 2
01 mounted circuit board 202, microprocessor (C
A PU) chip 203, a high speed memory chip 204, and a gate array chip 205 are mounted. Each chip is flip-chip connected onto the multilayer wiring 202 'formed on the mounting circuit board 202 by using solder bumps 206. Further, this multi-chip module is composed of input / output pins 207, a cap 208, and a heat sink 209 in addition to the components described above.

【0026】高速メモリチップ204のI/Oパッドは
片側では半田バンプ206を介し実装回路基板202の
I/Oパッドに接続され、もう片側ではダミー半田バン
プ209を介しパッケージ基板201に接続されてい
る。また、ゲートアレイチップ205のI/Oパッドは
片側では半田バンプ206を介し実装回路基板202の
I/Oパッドに接続され、反対側では半田バンプ206
を介してパッケージ基板201に接続されている。
The I / O pad of the high-speed memory chip 204 is connected to the I / O pad of the mounting circuit board 202 via the solder bump 206 on one side, and is connected to the package board 201 via the dummy solder bump 209 on the other side. . The I / O pad of the gate array chip 205 is connected to the I / O pad of the mounting circuit board 202 via the solder bump 206 on one side and the solder bump 206 on the other side.
It is connected to the package substrate 201 via.

【0027】本発明の第二の実施例ではフリップチップ
を用いてチップ接続が行われているため、接続部のイン
ダクタンスを大幅に低減できるだけでなく、チップ当り
の接続ピン数を低減できるためより高性能なモジュール
が実現可能となる。
In the second embodiment of the present invention, since the chip connection is performed by using the flip chip, not only the inductance of the connection portion can be significantly reduced but also the number of connection pins per chip can be reduced, which is higher. A high-performance module can be realized.

【0028】なお、前記マイクロプロセッサチップ10
3,203と高速メモリチップ104,204およびゲ
ートアレイチップ105,205などのLSIチップに
形成されるI/Oパッドは、該LSIチップの特定の一
辺の端部より500μm以内に範囲にのみ形成すること
が望ましい。また、前記LSIチップの特定した第一の
辺の端部より5mm以内にある第一のI/Oパッドは全
て、前記実装回路基板102,202の高速バスにつな
がるI/Oパッドに接続されてることおよび前記第一の
辺に対向した位置にある第二の辺の端部より5mm以内
にある第二のI/Oパッドは全てパッケージ基板10
1,201のI/Oパッドに接続されることが望まし
い。
Incidentally, the microprocessor chip 10
3, I / O pads formed on LSI chips such as the high speed memory chips 104 and 204 and the gate array chips 105 and 205 are formed only within a range of 500 μm from the end of one specific side of the LSI chip. Is desirable. Further, all the first I / O pads located within 5 mm from the end portion of the specified first side of the LSI chip are connected to the I / O pads connected to the high-speed bus of the mounting circuit boards 102 and 202. And the second I / O pad located within 5 mm from the end of the second side facing the first side are all package substrate 10.
It is desirable to connect to 1,201 I / O pads.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上に述べたように本発明のマルチチッ
プモジュールは、実装回路基板の面積を大幅に低減でき
るため、従来技術より低コストで、しかも高性能なモジ
ュールを提供することができ、かつ、装置の大型化、高
速化に伴う実装回路基板の高性能化の要求に応えること
ができるという非常に大きな利点を有する。
As described above, since the multi-chip module of the present invention can greatly reduce the area of the mounting circuit board, it is possible to provide a module of lower cost and higher performance than the prior art. In addition, there is a great advantage that it is possible to meet the demand for higher performance of the mounted circuit board accompanying the increase in size and speed of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一の実施例を説明するための断面図
である。
FIG. 1 is a sectional view for explaining a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第一の実施例の効果を補足説明するた
めの平面図である。
FIG. 2 is a plan view for supplementarily explaining the effect of the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第二の実施例を説明するための断面図
である。
FIG. 3 is a sectional view for explaining a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101…パッケージ基板 102…実装回路基板 103…マイクロプロセッサ(CPU)チップ 104…高速メモリチップ 105…ゲートアレイチップ 106…ワイヤー 107…入出力ピン 108…キャップ 109…ヒートシンク 110…キャビティ 201…パッケージ基板 202…実装回路基板 203…マイクロプロセッサ(CPU)チップ 204…高速メモリチップ 205…ゲートアレイチップ 206…半田バンプ 207…入出力ピン 208…キャップ 209…ダミー半田バンプ 101 ... Package board 102 ... Mounting circuit board 103 ... Microprocessor (CPU) chip 104 ... High-speed memory chip 105 ... Gate array chip 106 ... Wire 107 ... Input / output pin 108 ... Cap 109 ... Heat sink 110 ... Cavity 201 ... Package board 202 ... Mounted circuit board 203 ... Microprocessor (CPU) chip 204 ... High-speed memory chip 205 ... Gate array chip 206 ... Solder bump 207 ... Input / output pin 208 ... Cap 209 ... Dummy solder bump

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 実装回路基板に複数のLSIチップを接
続してなるマルチチップモジュールにおいて、前記LS
Iチップの少なくとも1つが平面的に見て前記実装回路
基板の外部に搭載されていることを特徴とするマルチチ
ップモジュール。
1. A multi-chip module comprising a plurality of LSI chips connected to a mounting circuit board, wherein the LS
A multichip module, wherein at least one of the I chips is mounted on the outside of the mounting circuit board when seen in a plan view.
【請求項2】 前記LSIチップに形成されたI/Oパ
ッドと前記実装回路基板に形成されたI/Oパッドがワ
イヤーにより接続されていることを特徴とする請求項1
のマルチチップモジュール。
2. The I / O pad formed on the LSI chip and the I / O pad formed on the mounting circuit board are connected by a wire.
Multi-chip module.
【請求項3】 前記LSIチップに形成されたI/Oパ
ッドと前記実装回路基板に形成されたI/OパッドがT
ABリードにより接続されていることを特徴とする請求
項1のマルチチップモジュール。
3. The I / O pad formed on the LSI chip and the I / O pad formed on the mounting circuit board are T-shaped.
The multi-chip module according to claim 1, wherein the multi-chip module is connected by an AB lead.
【請求項4】 前記LSIチップに形成されたI/Oパ
ッドと前記実装回路基板に形成されたI/Oパッドが半
田ボールによりフリップチップ接続されていることを特
徴とする請求項1のマルチチップモジュール。
4. The multi-chip according to claim 1, wherein the I / O pad formed on the LSI chip and the I / O pad formed on the mounting circuit board are flip-chip connected by solder balls. module.
【請求項5】 前記LSIチップに形成されたI/Oパ
ッドが該LSIチップの特定の一辺の端部より500μ
m以内の範囲にのみ形成されていることを特徴とする請
求項1のマルチチップモジュール。
5. The I / O pad formed on the LSI chip is 500 μm away from the end of a specific side of the LSI chip.
The multi-chip module according to claim 1, wherein the multi-chip module is formed only in a range within m.
【請求項6】 前記LSIチップの特定した第一の辺の
端部より5mm以内にある第一のI/Oパッドは全て、
前記実装回路基板の高速バスにつながるI/Oパッドに
接続されてることおよび前記第一の辺に対向した位置に
ある第二の辺の端部より5mm以内にある第二のI/O
パッドは全てパッケージ基板のI/Oパッドに接続され
ることを特徴とする請求項1のマルチチップモジュー
ル。
6. All of the first I / O pads within 5 mm from the end of the specified first side of the LSI chip are
A second I / O connected to an I / O pad connected to a high-speed bus of the mounting circuit board and within 5 mm from an end of a second side facing the first side.
The multi-chip module according to claim 1, wherein the pads are all connected to the I / O pads of the package substrate.
【請求項7】 前記実装回路基板がシリコンで形成され
ていることを特徴とする請求項1のマルチチップモジュ
ール。
7. The multi-chip module according to claim 1, wherein the mounting circuit board is formed of silicon.
【請求項8】 前記請求項1から7に示されたマルチチ
ップモジュールを搭載したシステムおよび装置。
8. A system and apparatus equipped with the multichip module according to any one of claims 1 to 7.
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