JPH06175092A - Spatial optical modulation element - Google Patents

Spatial optical modulation element

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Publication number
JPH06175092A
JPH06175092A JP35158392A JP35158392A JPH06175092A JP H06175092 A JPH06175092 A JP H06175092A JP 35158392 A JP35158392 A JP 35158392A JP 35158392 A JP35158392 A JP 35158392A JP H06175092 A JPH06175092 A JP H06175092A
Authority
JP
Japan
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transparent electrode
film
electrode film
light
transparent
Prior art date
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Pending
Application number
JP35158392A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukihisa Osugi
幸久 大杉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP35158392A priority Critical patent/JPH06175092A/en
Publication of JPH06175092A publication Critical patent/JPH06175092A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To prevent the occurrence of an interference pattern of reflected light caused by a transparent electrode. CONSTITUTION:Transparent insulating films 3 and 4 are provided on both sides of a BSO crystal body 1. A laminated body formed by laminating transference electrode films 9 and 10 and reflection preventing films 7 and 8 on glass substrates 11 and 12 is attached and connected to the transparent insulating film. By such constitution, the reflected light from the transparent electrode is prevented, and then the undesired interference pattern is prevented from occurring.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、BSOのような電気光
学結晶体を用いた空間光変調素子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spatial light modulator using an electro-optic crystal such as BSO.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電気光学結晶材料を用いた空間光
変調素子としてPROM素子(PockelsReadant Optical
Modulator) が既知である。このPROM素子では、電
気光学結晶材料として例えばBi12SiO20 単結晶(BS
O)が用いられ、BSO単結晶体の一方の側又は両側に
透明絶縁膜がそれぞれ形成され、これら透明絶縁膜上に
透明電極膜が形成されているからガラス基板がそれぞれ
接着結合されている。そして、光伝導効果を利用して画
像情報の書込みが行なわれ、画像情報の読出はポッケル
ス効果を利用して行なわれるている。すなわち、画像情
報を書込む場合、PROM素子に直流バイアス電圧を印
加した状態で書込光を照射し、素子の内部に画像情報に
対応した分極電荷を形成して画像記録を行ない、記録さ
れている画像情報を読出す場合には直流バイアス又は無
バイアス状態で直線偏光した光を投射し、内部に形成さ
れている分極電荷に基くポッケルス効果を利用して画像
情報の読出が行なわれている。このPROM素子を用い
た画像記録再生装置を用いれば、インコヒーレント光画
像をコヒーレント光画像に変換したり、光フーリエ変換
を行なうことができるため、画像解析上種々の利点が達
成される。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a spatial light modulator using an electro-optic crystal material, a PROM element (Pockels Readable Optical
Modulator) is known. In this PROM element, for example, Bi 12 SiO 20 single crystal (BS
O) is used, a transparent insulating film is formed on one side or both sides of the BSO single crystal, and a transparent electrode film is formed on these transparent insulating films, so that the glass substrates are adhesively bonded to each other. Image information is written by utilizing the photoconductive effect, and image information is read by utilizing the Pockels effect. That is, when writing image information, writing light is irradiated with a DC bias voltage applied to the PROM element to form polarized charges corresponding to the image information inside the element to perform image recording, and the information is recorded. When the image information is read out, linearly polarized light is projected in a DC bias or non-biased state, and the image information is read out by utilizing the Pockels effect based on the polarization charge formed inside. When the image recording / reproducing apparatus using the PROM element is used, an incoherent light image can be converted into a coherent light image and an optical Fourier transform can be performed, so that various advantages can be achieved in image analysis.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】PROM素子に情報を
記録し又は再生する場合、レーザ光のようなコヒーレン
トな光を用いる場合が多い。従って、PROM素子を用
いる場合、鮮明な画像を記録するためには干渉パターン
の発生を防止することが極めて重要である。しかしなが
ら、PROM素子を構成する各材料層の屈折率は、BS
Oが2.53、透明絶縁膜が1.46、透明電極膜が1.90、ガラ
ス基板が1.46であり、光入射側から光射出側に亘って屈
折率が不連続な状態で形成されている。このため、各材
料層間の界面で反射が生じ、コヒーレントな光で記録再
生する場合各界面での反射光同士が互いに干渉し合い、
この結果不所望な干渉縞が生じてしまう。この干渉縞
は、不規則なパターンの場合、ノイズとして記録されて
しまうため、鮮明な画像を記録再生する際の大きな障害
となっていた。
When recording or reproducing information on a PROM element, coherent light such as laser light is often used. Therefore, when using a PROM element, it is extremely important to prevent the occurrence of interference patterns in order to record a clear image. However, the refractive index of each material layer constituting the PROM element is BS
O is 2.53, the transparent insulating film is 1.46, the transparent electrode film is 1.90, and the glass substrate is 1.46, and the refractive index is discontinuous from the light incident side to the light emitting side. Therefore, reflection occurs at the interface between each material layer, and when recording and reproducing with coherent light, the reflected light at each interface interferes with each other,
As a result, undesired interference fringes occur. In the case of an irregular pattern, this interference fringe is recorded as noise, which has been a major obstacle in recording and reproducing a clear image.

【0004】従って、本発明の目的は、各材料層の界面
で生ずる反射光による不規則な干渉パターンの発生を防
止し、鮮明な画像情報を記録再生できる空間光変調素子
を実現することにある。
Therefore, an object of the present invention is to realize a spatial light modulator capable of preventing the occurrence of an irregular interference pattern due to the reflected light generated at the interface of each material layer and recording and reproducing clear image information. .

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明による空間光変調
素子は、書込光の光量に応じて電荷を発生する電気光学
結晶体と、この電気光学結晶体の両側にそれぞれ形成し
た透明絶縁膜と、これら透明絶縁膜とそれぞれ隣接する
透明電極膜とを具える空間光変調素子において、前記2
個の透明電極膜の少なくとも一方の透明電極膜に反射防
止膜を形成したことを特徴とするものである。
A spatial light modulator according to the present invention includes an electro-optical crystal body that generates electric charges according to the amount of writing light, and transparent insulating films formed on both sides of the electro-optical crystal body. And a transparent electrode film adjacent to each of these transparent insulating films, wherein
An antireflection film is formed on at least one transparent electrode film of the individual transparent electrode films.

【0006】[0006]

【作用】透明電極膜は一般的にその屈折率が高いため、
透明電極膜を用いる空間光変調素子においては、透明電
極膜の前後の界面において屈折率の不整合が生じ、不所
望な反射光が生じてしまう。このため、本発明では、透
明電極膜と直接接触するように反射防止膜を形成する。
この際、透明電極膜の膜厚は極めて薄くできるため、透
明電極の屈折率及び膜厚を考慮して透明電極と反射防止
膜とを積層して全体として反射防止効果を発揮するよう
に設定する。このように構成すれば、透明電極膜の入射
面及び出射面の両方における反射を同時に除去すること
ができる。この結果、コヒーレントな光を用いて画像の
記録再生する場合でも不所望な干渉パターンの発生を防
止でき鮮明な画像を記録し再生することができる。
[Function] Since the transparent electrode film generally has a high refractive index,
In a spatial light modulator using a transparent electrode film, a mismatch in refractive index occurs at the front and rear interfaces of the transparent electrode film, resulting in unwanted reflected light. Therefore, in the present invention, the antireflection film is formed so as to be in direct contact with the transparent electrode film.
At this time, since the film thickness of the transparent electrode film can be made extremely thin, the transparent electrode and the antireflection film are laminated in consideration of the refractive index and the film thickness of the transparent electrode so as to exhibit the antireflection effect as a whole. . According to this structure, it is possible to simultaneously remove the reflection on both the incident surface and the emission surface of the transparent electrode film. As a result, even when an image is recorded / reproduced using coherent light, it is possible to prevent the generation of an unwanted interference pattern and record / reproduce a clear image.

【0007】[0007]

【実施例】図1は本発明による空間光変調素子の一例の
構成を示す断面図である。本例では透過型PROM素子
を例にして説明する。電気光学結晶体として、厚さ30
0μmのBi12SiO20 単結晶プレート(BSOプレー
ト)1を用いる。このBSOプレートの両側に透明接着
剤であるエポキシ樹脂層(屈折率1.56、厚さ1.5 μm)
2をそれぞれ介して合成石英ガラス(厚さ10μm、屈
折率1.46)から成る透明絶縁層3及び4をそれぞれ接着
により結合する。これら透明絶縁層3及び4上にそれぞ
れ透明接着材5及び6を介して反射防止膜7及び8をそ
れぞれ設ける。さらに反射防止膜7及び8上にそれぞれ
酸化インジウムスズから成る透明電極膜(厚さ400
Å、屈折率1.90)をそれぞれ形成する。さらに透明電極
膜9及び10上にガラス基板(厚さ3mm、屈折率1.4
6)を配置する。尚、このPROM素子を製造する場
合、ガラス基板11に透明電極膜9を真空蒸着により形
成し、この透明電極膜9上に反射防止膜7を真空蒸着
し、この積層構造体をエポキシ樹脂により接着結合す
る。同様に、ガラス基板12側においても、ガラス基板
12上に透明電極10及び反射防止膜8を真空蒸着によ
り順次積層形成する。また、透明電極膜9及び10に接
続端子13及び14をそれぞれ設け、これら接続端子を
介してBSOプレート1に電界を印加する。
1 is a sectional view showing the structure of an example of a spatial light modulator according to the present invention. In this example, a transmissive PROM element will be described as an example. As an electro-optical crystal, the thickness is 30
A 0 μm Bi 12 SiO 20 single crystal plate (BSO plate) 1 is used. Epoxy resin layer that is a transparent adhesive on both sides of this BSO plate (refractive index 1.56, thickness 1.5 μm)
The transparent insulating layers 3 and 4 made of synthetic quartz glass (thickness 10 μm, refractive index 1.46) are bonded to each other via 2 via adhesive. Antireflection films 7 and 8 are provided on the transparent insulating layers 3 and 4 via transparent adhesives 5 and 6, respectively. Further, on the antireflection films 7 and 8, a transparent electrode film (thickness 400
Å and refractive index 1.90) respectively. Furthermore, on the transparent electrode films 9 and 10, a glass substrate (thickness 3 mm, refractive index 1.4
6) Place. When manufacturing this PROM element, the transparent electrode film 9 is formed on the glass substrate 11 by vacuum evaporation, the antireflection film 7 is vacuum evaporated on this transparent electrode film 9, and this laminated structure is bonded by epoxy resin. Join. Similarly, on the glass substrate 12 side, the transparent electrode 10 and the antireflection film 8 are sequentially laminated on the glass substrate 12 by vacuum vapor deposition. Further, connection terminals 13 and 14 are provided on the transparent electrode films 9 and 10, respectively, and an electric field is applied to the BSO plate 1 via these connection terminals.

【0008】次に、このPROM素子に画像情報を記録
し再生する方法について説明する。Bi12SiO20 は青色
光に対して光伝導性を有しているから、書込光として青
色領域の波長光を用いる。矢印方向から書込光を投射す
るとBSOプレートの光伝導効果により書込光強度に対
応した電荷が発生する。この際、端子13と14との間に直
流バイアス電圧を印加すると、光伝導効果によって発生
した電荷が分極し、分極電荷として保持され画像記録が
行なわれる。一方、記録した画像情報を再生する場合、
このPROM素子に向けて再生光( 青色光以外の波長
光、例えば赤色光) を投射する。BSOプレートは、そ
の内部に分極電荷が形成されると分極電荷に対応した強
度の電界が形成され、複屈折性が生ずる。従って、再生
光として直線偏光した光を投射すると、PROM素子か
ら分極電荷に応じた楕円偏光が射出するので、階段に配
置した検光子及び投影光学系を介して投影することによ
り記録した画像を光学像として再生することができる。
Next, a method of recording and reproducing image information on this PROM element will be described. Bi 12 SiO 20 has photoconductivity with respect to blue light, and therefore, wavelength light in the blue region is used as writing light. When writing light is projected from the direction of the arrow, a charge corresponding to the writing light intensity is generated due to the photoconductive effect of the BSO plate. At this time, when a DC bias voltage is applied between the terminals 13 and 14, the charges generated by the photoconductive effect are polarized and held as polarized charges for image recording. On the other hand, when playing back the recorded image information,
Reproduction light (light having a wavelength other than blue light, for example, red light) is projected toward the PROM element. When polarization charges are formed inside the BSO plate, an electric field having an intensity corresponding to the polarization charges is formed, and birefringence occurs. Therefore, when linearly polarized light is projected as the reproduction light, elliptically polarized light corresponding to the polarization charge is emitted from the PROM element. It can be reproduced as an image.

【0009】一方、上述した構成のPROM素子は、屈
折率が不連続な部分が有り、例えば透明電極膜の屈折率
は1.90とその周囲部材の屈折率よりも高いため、透
明電極膜の前後の界面で反射が生じてしまう。また、B
SO単結晶の屈折率も2.53とその周囲部材であるエ
ポキシ樹脂膜の屈折率よりも極めて高いため、その前後
の界面において反射が生じてしまう。PROM素子への
画像の書込と再生は各々波長488nmのアルゴンイオ
ンレーザと波長633nmのヘリウムネオンレーザを光
源として用いる場合が多い。これらのレーザ光は干渉性
が高いため2枚の反射面が有ると、この間で光が反射を
くり返し互いに干渉をひきおこし干渉縞を形成する。書
込と再生時に発生した干渉縞はいずれも再生像を不鮮明
にする。PROM素子内に存在する、先に述べた反射面
のうちでBSO単結晶の両面間での多重反射と、透明電
極膜とそれに隣接する側のBSO単結晶の表面との間で
の多重反射によって発生する干渉縞はコントラストが高
く再生像に悪影響を及ぼしていた。このため、本発明で
は、BSOプレート1の光出射側の面をその光軸と直交
する面に対して25分だけ傾斜するようにテーパを設け
る。このようにテーパを形成することにより先に述べた
干渉膜発生原因のうちBSOプレート1の光入射面1a
での反射光と光出射面1bでの反射光によって形成され
る干渉パターンは規則的な干渉パターンとなり、従って
ノイズとはならず、反射による悪影響を除去することが
てきる。
On the other hand, in the PROM element having the above-mentioned structure, there is a portion where the refractive index is discontinuous. For example, since the refractive index of the transparent electrode film is 1.90, which is higher than the refractive index of the surrounding members, the transparent electrode film Reflection occurs at the front and back interfaces. Also, B
The SO single crystal also has a refractive index of 2.53, which is much higher than the refractive index of the epoxy resin film that is a surrounding member thereof, so that reflection occurs at the interface before and after that. For writing and reproducing an image in the PROM element, an argon ion laser having a wavelength of 488 nm and a helium neon laser having a wavelength of 633 nm are often used as light sources. Since these laser lights have high coherence, if there are two reflecting surfaces, the lights repeatedly reflect between them and interfere with each other to form interference fringes. The interference fringes generated at the time of writing and reproducing make the reproduced image unclear. Due to the multiple reflection between the both surfaces of the BSO single crystal among the above-mentioned reflecting surfaces existing in the PROM element, and the multiple reflection between the transparent electrode film and the surface of the BSO single crystal adjacent to the transparent electrode film. The interference fringes generated have a high contrast and adversely affect the reproduced image. Therefore, in the present invention, a taper is provided so that the surface of the BSO plate 1 on the light emission side is inclined by 25 minutes with respect to the surface orthogonal to the optical axis. By forming the taper in this way, the light incident surface 1a of the BSO plate 1 among the causes of the interference film described above is generated.
The interference pattern formed by the reflected light at 1 and the reflected light at the light emitting surface 1b becomes a regular interference pattern, and therefore does not become noise, and the adverse effect due to reflection can be removed.

【0010】次に先に述べた2組の干渉縞発生原因のう
ち後者の透明電極膜とそれに隣接する側のBSO単結晶
の表面の組での多重な反射について考える。先に述べた
と同様に両者の間にテーパを形成し干渉縞の影響を除去
するためには、両方の反射層の間にはさまれた絶縁層に
テーパを形成する必要が生じる。しかしこのテーパによ
り生ずる絶縁層の厚さのばらつきにより素子の特性が不
均一になるため、素子特性に悪影響を及ぼす。別の干渉
縞の除去の方法として、一組の反射面のうち、どちらか
の面に反射防止膜を設けてその面の反射率を低くする方
法がとられる。この場合、BSO表面又は透明電極膜の
表面に反射防止膜を設けることが考えられる。しかし、
前者の場合、反射防止膜が低い電気抵抗率を持つ場合、
PROM素子への画像記憶時に反射防止膜を通して電荷
が移動するため素子内に発生する電荷の分布が乱されて
しまい再生画像が劣化してしまう。従って高抵抗率の反
射防止膜が要求される。しかし高い抵抗率を持った反射
防止膜は作製が困難である。従って、BSO表面に反射
防止膜を設けることは望ましくない。一方透明電極表面
に設ける反射防止膜は上記の様な電気特性を要求されな
いため作製が容易である。さらに透明電極膜と反射防止
膜はどちらも真空蒸着法やスパッタ法等の成膜方法で一
体的に作製できるため一回の工程で両者を作製でき工程
の合理化の点でも有利である。このため、本例では、透
明電極膜9及び10の出射面及び入射面にそれぞれ反射
防止膜7及び8を設けて反射光による干渉パターンの発
生を除去する。透明電極膜9及び10における反射は、
その入射面及び出射面の両方において発生し、干渉パタ
ーンはこれら入射面での反射光と出射面での反射光との
間で発生する。従って、入射面又は出射面での反射光の
うちいずれか一方の反射光を除去することにより干渉パ
ターンの発生を除去することができる。しかしながら、
入射面及び出射面での反射光の両方を除去できれば、P
ROM素子内での他の界面との間で生ずる多重反射が低
減されノイズを一層低減することができる。また、透明
電極膜9及び10の膜厚を薄くすれば、透明電極膜と反
射防止膜とを適切に積層することより、入射面及び出射
面の両方における反射光を共に除去することができる。
このため本例では、反射防止膜7及び8を透明電極9及
び10上に積層形成する際、透明電極膜の膜厚及び屈折
率を考慮して透明電極膜の入射面及び出射面の両方にお
ける反射光が全体としてほぼ零になるように一体的に積
層形成する。このように構成することにより、1個の反
射防止膜を形成するだけで入射面及び出射面における反
射光を除去することができ、記録再生におけるノイズの
発生を一層低減することができる。このように反射防止
膜とし、例えばTiO2 とSiO2 との積層構造体を用
いることができる。
Next, of the above-mentioned two sets of causes of interference fringes, consideration will be given to the multiple reflection on the latter set of the transparent electrode film and the surface of the BSO single crystal adjacent to the latter. In order to eliminate the influence of interference fringes by forming a taper between them as in the case described above, it is necessary to form a taper in the insulating layer sandwiched between both reflection layers. However, variations in the thickness of the insulating layer caused by this taper make the characteristics of the element non-uniform, which adversely affects the element characteristics. Another method of removing interference fringes is to provide an antireflection film on either surface of a set of reflecting surfaces to reduce the reflectance of that surface. In this case, it is conceivable to provide an antireflection film on the BSO surface or the transparent electrode film surface. But,
In the former case, when the antireflection film has a low electrical resistivity,
When the image is stored in the PROM element, the charge moves through the antireflection film, so that the distribution of the charge generated in the element is disturbed and the reproduced image is deteriorated. Therefore, a high-resistivity antireflection film is required. However, it is difficult to manufacture an antireflection film having a high resistivity. Therefore, it is not desirable to provide an antireflection film on the surface of BSO. On the other hand, the antireflection film provided on the surface of the transparent electrode is not required to have the above-mentioned electrical characteristics, so that it is easy to manufacture. Further, since both the transparent electrode film and the antireflection film can be integrally formed by a film forming method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method, both can be formed in one step, which is also advantageous in streamlining the steps. Therefore, in this example, the antireflection films 7 and 8 are provided on the exit surface and the entrance surface of the transparent electrode films 9 and 10, respectively, to eliminate the occurrence of the interference pattern due to the reflected light. The reflection on the transparent electrode films 9 and 10 is
The interference pattern is generated on both the incident surface and the emission surface, and the interference pattern is generated between the reflected light on the incident surface and the reflected light on the emission surface. Therefore, it is possible to eliminate the occurrence of the interference pattern by removing one of the reflected lights on the incident surface or the exit surface. However,
If it is possible to remove both the reflected light on the incident surface and the emitted surface, then P
Multiple reflections occurring between the ROM device and other interfaces are reduced, and noise can be further reduced. Further, if the transparent electrode films 9 and 10 are made thin, the reflected light on both the incident surface and the emission surface can be removed by appropriately laminating the transparent electrode film and the antireflection film.
Therefore, in this example, when the antireflection films 7 and 8 are laminated on the transparent electrodes 9 and 10, the film thickness and the refractive index of the transparent electrode film are taken into consideration in both the incident surface and the emission surface of the transparent electrode film. They are integrally laminated so that the reflected light becomes almost zero as a whole. With such a configuration, the reflected light on the incident surface and the exit surface can be removed by forming only one antireflection film, and the generation of noise during recording and reproduction can be further reduced. Thus, as the antireflection film, for example, a laminated structure of TiO 2 and SiO 2 can be used.

【0011】図2はガラス基板上に透明電極膜と反射防
止膜を積層形成した場合の反射特性を示す。本例では、
透明電極膜として厚さ0.04μm の酸化インジウムスズを
用い、反射除去膜としてTiO2 とSiO2 との積層体
を用いた。図2において、横軸は波長(nm)を示し、
縦軸は反射率(%)を示す。図2から明らかなように、
波長488 nmの書込光に対して反射率を0.3 %以下に低
減することができ、しかも波長633 nmの再生光に対し
て反射率を0.01%以下に低減することができた。
FIG. 2 shows the reflection characteristics when a transparent electrode film and an antireflection film are laminated on a glass substrate. In this example,
A 0.04 μm thick indium tin oxide film was used as the transparent electrode film, and a laminated body of TiO 2 and SiO 2 was used as the reflection removal film. In FIG. 2, the horizontal axis represents wavelength (nm),
The vertical axis represents the reflectance (%). As is clear from FIG.
It was possible to reduce the reflectance to 0.3% or less for the writing light having the wavelength of 488 nm, and to reduce the reflectance to 0.01% or less for the reproducing light having the wavelength of 633 nm.

【0012】次に、反射防止膜の効果について説明す
る。図3は図1に示すPROM素子の反射防止膜を形成
しない場合の白地パターンを記録した場合における再生
時の投影写真であり、図4は反射防止膜を形成した場合
の投影写真である。図3に示すように、反射防止膜がな
い場合、強い干渉パターンが生じている。これに対し
て、反射防止膜を形成した場合、干渉パターンはほとん
ど除去されている。
Next, the effect of the antireflection film will be described. FIG. 3 is a projection photograph at the time of reproducing when a white background pattern is recorded when the antireflection film of the PROM element shown in FIG. 1 is not formed, and FIG. 4 is a projection photograph when the antireflection film is formed. As shown in FIG. 3, when there is no antireflection film, a strong interference pattern occurs. On the other hand, when the antireflection film is formed, the interference pattern is almost removed.

【0013】図5は本発明による空間光変調素子の変形
例を示す断面図である。本例は、反射型PROM素子に
ついて適用した例を示す。BSOプレート20の一方の
側に金属反射膜21を蒸着により形成する。この金属反
射膜21はチタン,アルミニウム等の金属膜から成り、
反射層として機能すると共に電極としての作用も果た
す。BSOプレート20の他方の側にエポキシ樹脂層2
2を介して絶縁膜23を設ける。この絶縁膜23上にエ
ポキシ樹脂24介して、ガラス基板25、透明電極膜2
6及び反射防止膜27の積層体を設ける。情報の書込及
び再生は、ガラス基板25側から書込光及び再生光を投
射することにより行なう。本例においても、透明電極膜
の前後における屈折率の不整合により生ずる反射光によ
って不所望な干渉パターンが生じてしまう。従って、透
明電極膜26上に反射防止膜27を形成することにより
干渉パターンの発生を防止して鮮明な画像を記録再生す
ることができる。
FIG. 5 is a sectional view showing a modification of the spatial light modulator according to the present invention. This example shows an example applied to a reflective PROM element. A metal reflective film 21 is formed on one side of the BSO plate 20 by vapor deposition. The metal reflection film 21 is made of a metal film of titanium, aluminum or the like,
It functions not only as a reflective layer but also as an electrode. Epoxy resin layer 2 on the other side of BSO plate 20
Insulating film 23 is provided via 2. A glass substrate 25 and a transparent electrode film 2 are formed on the insulating film 23 via an epoxy resin 24.
A laminated body of 6 and the antireflection film 27 is provided. Writing and reproducing of information is performed by projecting writing light and reproducing light from the glass substrate 25 side. Also in this example, an undesired interference pattern is generated by the reflected light generated by the mismatch of the refractive index before and after the transparent electrode film. Therefore, by forming the antireflection film 27 on the transparent electrode film 26, it is possible to prevent the occurrence of an interference pattern and record and reproduce a clear image.

【0014】本発明は上述した実施例だけに限定されず
種々の変更や変形が可能である。例えば透過型のPRO
M素子において、BSOプレートの両側の透明電極膜上
に反射防止膜をそれぞれ形成したが、勿論一方の側の透
明電極膜上にだけ反射防止膜を形成する場合でも不所望
な干渉パターンの発生を十分に低減することができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications can be made. For example, a transparent PRO
In the M element, the antireflection films are formed on the transparent electrode films on both sides of the BSO plate respectively, but of course, even when the antireflection film is formed only on the transparent electrode film on one side, an undesired interference pattern is generated. It can be sufficiently reduced.

【0015】また、上述した実施例では、透明電極膜と
透明絶縁膜との間に反射防止膜を形成したが、反射防止
膜は透明電極膜の光入射側又は光出射側のいずれの側に
形成しても同様な効果を達成することができる。
Further, in the above-mentioned embodiments, the antireflection film is formed between the transparent electrode film and the transparent insulating film, but the antireflection film is provided on either the light incident side or the light emitting side of the transparent electrode film. Even if formed, the same effect can be achieved.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
屈折率の大きい透明電極膜上に反射防止膜を一体的に積
層形成しているから、透明電極膜の界面で発生する反射
光を低減することができ、従って干渉パターンのない鮮
明な画像を記録し再生することができる。しかも、透明
電極膜と反射防止膜とを同一工程で一体的に積層形成し
ているので、製造工程も容易になる。
As described above, according to the present invention,
Since the antireflection film is integrally laminated on the transparent electrode film with a large refractive index, the reflected light generated at the interface of the transparent electrode film can be reduced, and therefore a clear image without interference patterns can be recorded. And can be replayed. Moreover, since the transparent electrode film and the antireflection film are integrally laminated in the same process, the manufacturing process is facilitated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は発明による空間光変調素子の一例の構成
を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of an example of a spatial light modulator according to the invention.

【図2】図2は透明電極膜と反射防止膜との積層体の反
射特性を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing the reflection characteristics of a laminate of a transparent electrode film and an antireflection film.

【図3】図3は反射型防止膜がない場合の投影画像を示
す写真である。
FIG. 3 is a photograph showing a projected image in the case where there is no reflection preventing film.

【図4】図4は反射防止膜がある場合の投影画像を示す
写真である。
FIG. 4 is a photograph showing a projected image with an antireflection film.

【図5】図5は本発明による空間光変調素子の変形例を
示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a modified example of the spatial light modulator according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 BSOプレート 2,5,6 エポキシ樹脂層 3,4 透明絶縁膜 7,8 反射防止膜 9,10 透明電極膜 11,12 ガラス基板 1 BSO plate 2, 5, 6 epoxy resin layer 3, 4 transparent insulating film 7, 8 antireflection film 9, 10 transparent electrode film 11, 12 glass substrate

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 書込光の光量に応じて電荷を発生する電
気光学結晶体と、この電気光学結晶体の両側にそれぞれ
形成した透明絶縁膜と、これら透明絶縁膜とそれぞれ隣
接する透明電極膜とを具える空間光変調素子において、 前記2個の透明電極膜の少なくとも一方の透明電極膜に
反射防止膜を形成したことを特徴とする空間光変調素子
1. An electro-optical crystal body that generates electric charges according to the amount of writing light, transparent insulating films formed on both sides of the electro-optical crystal body, and transparent electrode films adjacent to these transparent insulating films. A spatial light modulation element comprising: an antireflection film formed on at least one transparent electrode film of the two transparent electrode films.
【請求項2】 書込光の光量に応じて電荷を発生する電
気光学結晶体と、この電気光学結晶体の一方の側に絶縁
膜を介して設けた透明電極膜と、前記電気光学結晶体の
他方の側に設けた反射性電極膜とを具える空間光変調素
子において、 前記透明電極膜に反射防止膜を形成したことを特徴とす
る空間光変調素子。
2. An electro-optic crystal body that generates electric charges according to the amount of writing light, a transparent electrode film provided on one side of the electro-optic crystal body via an insulating film, and the electro-optic crystal body. A spatial light modulation element comprising a reflective electrode film provided on the other side of the above, wherein an antireflection film is formed on the transparent electrode film.
【請求項3】 前記反射防止膜を前記透明電極膜上に積
層形成し、透明電極膜の両側の界面における反射光が共
に除去されるように形成したことを特徴とする請求項1
又は2に記載の空間光変調素子。
3. The antireflection film is laminated on the transparent electrode film so as to remove reflected light at both interfaces of the transparent electrode film.
Alternatively, the spatial light modulator according to item 2.
【請求項4】 前記電気光学結晶体の一方の面を、光軸
と直交する面に対して傾斜するように形成したことを特
徴とする請求項1,2又は3に記載の空間光変調素子。
4. The spatial light modulator according to claim 1, wherein one surface of the electro-optic crystal body is formed so as to be inclined with respect to a surface orthogonal to an optical axis. .
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