JPH06172371A - ヘキサアルキルジスタナンの製法 - Google Patents
ヘキサアルキルジスタナンの製法Info
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- JPH06172371A JPH06172371A JP5229949A JP22994993A JPH06172371A JP H06172371 A JPH06172371 A JP H06172371A JP 5229949 A JP5229949 A JP 5229949A JP 22994993 A JP22994993 A JP 22994993A JP H06172371 A JPH06172371 A JP H06172371A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/22—Tin compounds
- C07F7/2288—Compounds with one or more Sn-metal linkages
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヘキサアルキルジスタナンの製法
【構成】 不活性溶剤中で、ビス−〔トリアルキル錫〕
オキシドを、安定化されたアルコール性NaBH4−溶
液と反応させる。
オキシドを、安定化されたアルコール性NaBH4−溶
液と反応させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、簡単な方法実施により
限定された、殆ど定量的な収率で単離されるヘキサアル
キルジスタナンの改良製法に関する。
限定された、殆ど定量的な収率で単離されるヘキサアル
キルジスタナンの改良製法に関する。
【0002】
【従来の技術】ヘキサアルキルジスタナン、殊にヘキサ
ブチルジスタナンは、有機合成のための重要、かつ非常
に多用性の試薬である。これは、多くの工業的方法にお
ける触媒として重要性が増している。
ブチルジスタナンは、有機合成のための重要、かつ非常
に多用性の試薬である。これは、多くの工業的方法にお
ける触媒として重要性が増している。
【0003】その詳細な情報は、例えば、次のいくつか
の文献中に存在する: W.P.Neumann:Die Organische Chemie des Zinns,Ferdin
and Enke Verlag,Stuttgart 1967; R.C.Poller:The Che
mistry of Organotin Compounds,Logos Press Limited,
1970; M.Pereyre,J.P.Quintard and A.Rahm:Tin in Or
ganic Synthesis,Butterworth,London 1987; I.Omar,Or
ganotin Chemistry,Elsevier,Amsterdam 1989;P.G.Harr
ison,Chemistry of Tin,Blackie,Glasgow. ジスタナンの製法は、文献に記載されている。これら
は、経費のかかる方法を必要とし、ジスタナンを劣悪な
収率で生じるか又は、高価な装入物質、例えばトリアル
キル錫ヒドリドを必要とする。
の文献中に存在する: W.P.Neumann:Die Organische Chemie des Zinns,Ferdin
and Enke Verlag,Stuttgart 1967; R.C.Poller:The Che
mistry of Organotin Compounds,Logos Press Limited,
1970; M.Pereyre,J.P.Quintard and A.Rahm:Tin in Or
ganic Synthesis,Butterworth,London 1987; I.Omar,Or
ganotin Chemistry,Elsevier,Amsterdam 1989;P.G.Harr
ison,Chemistry of Tin,Blackie,Glasgow. ジスタナンの製法は、文献に記載されている。これら
は、経費のかかる方法を必要とし、ジスタナンを劣悪な
収率で生じるか又は、高価な装入物質、例えばトリアル
キル錫ヒドリドを必要とする。
【0004】Sn-Sn結合を有する化合物の製造は、
例えば、次の文献中に記載されている: −Houben Weyl,Methoden der Organischen Chemie Band
13/6,401-416 −A.G.Davies,P.J.Smith, Comprehensive Organometall
ic Chemistry,PergamonPress,591 − A.K.Sawyer:Organotin Compounds Vol.3,Marcel De
kker,Inc.New York 1972,823-879 − W.P. Neumann:Die Organische Chemie des Zinns,F
erdinand Enke Verlag,Stuttgart 1967, 102-121 。
例えば、次の文献中に記載されている: −Houben Weyl,Methoden der Organischen Chemie Band
13/6,401-416 −A.G.Davies,P.J.Smith, Comprehensive Organometall
ic Chemistry,PergamonPress,591 − A.K.Sawyer:Organotin Compounds Vol.3,Marcel De
kker,Inc.New York 1972,823-879 − W.P. Neumann:Die Organische Chemie des Zinns,F
erdinand Enke Verlag,Stuttgart 1967, 102-121 。
【0005】トリアルキル錫ヒドリドとトリアルキル錫
アミン、−アルコキシド又はビス〔トリアルキル錫〕オ
キシドとの縮合は、ヘキサアルキルジスタナンを、良好
な収率で生ぜしめる。この反応は、高価な装入物質の使
用を必要とし、更に、その高い反応性に基づき、取扱い
に経費がかかる( W.P.Neumann,B.Schneider,Angew.Ch
em.,Int.Ed.Engl.3,751,(1964);W.P.Neumann,J.Pedain,
Tetrahedron Lett.,Int.1964,2461 )。
アミン、−アルコキシド又はビス〔トリアルキル錫〕オ
キシドとの縮合は、ヘキサアルキルジスタナンを、良好
な収率で生ぜしめる。この反応は、高価な装入物質の使
用を必要とし、更に、その高い反応性に基づき、取扱い
に経費がかかる( W.P.Neumann,B.Schneider,Angew.Ch
em.,Int.Ed.Engl.3,751,(1964);W.P.Neumann,J.Pedain,
Tetrahedron Lett.,Int.1964,2461 )。
【0006】ヘキサアルキルジスタナンは、トリアルキ
ル錫ヒドリドから触媒的水素分解により、高収率で製造
できる( W.P.Neumann,Angew.Chem.73,541 (1961))。
ル錫ヒドリドから触媒的水素分解により、高収率で製造
できる( W.P.Neumann,Angew.Chem.73,541 (1961))。
【0007】カナダ特許(CA)第98:89536y
号及び同第101:111072y号明細書中には、P
d−錯体の存在でヒドリドからの71〜89%の収率で
のジスタナンの合成が記載されている。トリアリキル錫
ヒドリドは、その場で、LiALH4を用いるトリアル
キル錫−又はトリアリール錫クロリドの還元により得ら
れる。
号及び同第101:111072y号明細書中には、P
d−錯体の存在でヒドリドからの71〜89%の収率で
のジスタナンの合成が記載されている。トリアリキル錫
ヒドリドは、その場で、LiALH4を用いるトリアル
キル錫−又はトリアリール錫クロリドの還元により得ら
れる。
【0008】ビス〔トリアルキル錫〕オキシドと蟻酸と
の反応で、ポリ錫化合物で不純化されたヘキサアルキル
ジスタナンが得られる(B.Jousseaume等の
J.Organomet.Chem.,294(3),
C41−45). 熱分解により、トリアルキル錫ホルミエートから、他の
分解生成物で著しく汚染されたヘキサアルキルジスタナ
ンを得ることができる(DE−A−1955241). カナダ特許第95:123026g号(特開昭56−5
8981号)明細書には、トリアルキル−及びトリアリ
ール錫ホルミエートの経費のかかる電気分解によりジス
タナンを得ることが記載されている。
の反応で、ポリ錫化合物で不純化されたヘキサアルキル
ジスタナンが得られる(B.Jousseaume等の
J.Organomet.Chem.,294(3),
C41−45). 熱分解により、トリアルキル錫ホルミエートから、他の
分解生成物で著しく汚染されたヘキサアルキルジスタナ
ンを得ることができる(DE−A−1955241). カナダ特許第95:123026g号(特開昭56−5
8981号)明細書には、トリアルキル−及びトリアリ
ール錫ホルミエートの経費のかかる電気分解によりジス
タナンを得ることが記載されている。
【0009】トリアルキル錫−リチウム又は−ナトリウ
ムとトリアルキル錫ハロゲニドとの反応でジスタナンに
することは、G.Wittig等によりLiebigs
Ann.Chem.571,167 (1951)に
開示されている。
ムとトリアルキル錫ハロゲニドとの反応でジスタナンに
することは、G.Wittig等によりLiebigs
Ann.Chem.571,167 (1951)に
開示されている。
【0010】米国特許(US−A)第3699138号
明細書中には、トリアルキル錫ハロゲニドと溶融ナトリ
ウムとからジスタナンを製造することが記載されてい
る。
明細書中には、トリアルキル錫ハロゲニドと溶融ナトリ
ウムとからジスタナンを製造することが記載されてい
る。
【0011】Ti、K、NaまたはMgを用いるビス−
〔トリアルキル錫〕オキシドの還元により、60−82
%の収率でヘキサアルキルジスタナンを生じる(B.J
ousseaum, E.Chanson,M.Per
eyre,Organometallics,5
(6),1271−1)。
〔トリアルキル錫〕オキシドの還元により、60−82
%の収率でヘキサアルキルジスタナンを生じる(B.J
ousseaum, E.Chanson,M.Per
eyre,Organometallics,5
(6),1271−1)。
【0012】THF中でのトリブチル錫クロリドとマグ
ネシウムとの反応により、70%の収率でヘキサブチル
ジスタナンを生じる(CA72:9053j)。
ネシウムとの反応により、70%の収率でヘキサブチル
ジスタナンを生じる(CA72:9053j)。
【0013】ヘキサアルキルジスタナンは、トリアルキ
ル錫ハロゲニドとNa−金属から出発して、液体アンモ
ニア又はエーテル中でのウルツ反応(Wurtzreaktion)
により製造できる(R.K.Ingham,S.D.R
osenberg,H.Gilmann,Chem.R
ev.60,459(1960);G.Gruettn
er,Chem.Ber.1917,50,180
8)。
ル錫ハロゲニドとNa−金属から出発して、液体アンモ
ニア又はエーテル中でのウルツ反応(Wurtzreaktion)
により製造できる(R.K.Ingham,S.D.R
osenberg,H.Gilmann,Chem.R
ev.60,459(1960);G.Gruettn
er,Chem.Ber.1917,50,180
8)。
【0014】トリブチルアミン中のナトリウムとトリブ
チル錫クロリドとの反応で、経費のかかる後処理の後に
ヘキサブチルジスタナンが93%の収率で生じる(BE
−A−672867)。
チル錫クロリドとの反応で、経費のかかる後処理の後に
ヘキサブチルジスタナンが93%の収率で生じる(BE
−A−672867)。
【0015】
【発明の構成】ところで、意外にも、本発明により、ビ
ス−〔トリアルキル錫〕オキシドと安定化されたアルコ
ール性、有利にメタノール性NaBH4−溶液とを、不
活性溶剤の存在下に反応させる際に、一般式: R1R2R3Sn-SnR1R2R3 〔式中R1、R2、R3は、同一又は異なるもので、分枝
及び/又は非分枝の及び/又は置換アルキル基である〕
のヘキサアルキルジスタナンを製造できることを発見し
た。
ス−〔トリアルキル錫〕オキシドと安定化されたアルコ
ール性、有利にメタノール性NaBH4−溶液とを、不
活性溶剤の存在下に反応させる際に、一般式: R1R2R3Sn-SnR1R2R3 〔式中R1、R2、R3は、同一又は異なるもので、分枝
及び/又は非分枝の及び/又は置換アルキル基である〕
のヘキサアルキルジスタナンを製造できることを発見し
た。
【0016】この場合に、0.5〜3時間の後反応時間
を保持することが有利である。
を保持することが有利である。
【0017】反応温度は、0〜200℃、有利に50〜
80℃であるべきである。
80℃であるべきである。
【0018】本発明方法で、ヘキサアルキルジスタナン
とも、中間的に得られるオルガノ錫ヒドリドとも、Na
BH4とも反応しない不活性溶剤を選択するのが有利で
ある。この際、溶剤としては、ジエチルエーテル、ジオ
キサン、アセトニトリル、炭化水素、有利にテトラヒド
ロフランがこれに該当する。出発化合物は、化学量論的
又はほぼ化学量論的な割合で、ビス〔トリアルキル錫〕
オキシド1モルに対しNaBH4 0.5〜1.5モル
の範囲で使用するのが有利である。
とも、中間的に得られるオルガノ錫ヒドリドとも、Na
BH4とも反応しない不活性溶剤を選択するのが有利で
ある。この際、溶剤としては、ジエチルエーテル、ジオ
キサン、アセトニトリル、炭化水素、有利にテトラヒド
ロフランがこれに該当する。出発化合物は、化学量論的
又はほぼ化学量論的な割合で、ビス〔トリアルキル錫〕
オキシド1モルに対しNaBH4 0.5〜1.5モル
の範囲で使用するのが有利である。
【0019】安全な取扱いのために、安定化されたアル
コール性NaBH4−溶液を使用するのが有利であり、
このためには、殊に塩基、例えば水酸化ナトリウムが好
適である。
コール性NaBH4−溶液を使用するのが有利であり、
このためには、殊に塩基、例えば水酸化ナトリウムが好
適である。
【0020】還元の際に、促進のために、0.1〜10
重量%の水素酸化合物、例えばチオサリチル酸、乳酸、
ラウリルメルカプタン特にチオグリコール酸を使用する
のが有利である。
重量%の水素酸化合物、例えばチオサリチル酸、乳酸、
ラウリルメルカプタン特にチオグリコール酸を使用する
のが有利である。
【0021】従来公知の方法に比べて、この特許請求の
範囲で定義されている反応は、簡単かつ安全な反応実施
を保証し、その装入物質は、取扱いに問題がなく、価格
的に有利である。
範囲で定義されている反応は、簡単かつ安全な反応実施
を保証し、その装入物質は、取扱いに問題がなく、価格
的に有利である。
【0022】ビス−〔トリアルキル錫〕オキシドと安定
化されたアルコール性NaBH4−溶液とからヘキサア
ルキルジスタナンを生じる反応は、還元剤の管理供給よ
り簡単に制御できる。逆の反応実施、即ちNaHB4−
溶液を予め装入することは、収率損失なしに可能であ
る。
化されたアルコール性NaBH4−溶液とからヘキサア
ルキルジスタナンを生じる反応は、還元剤の管理供給よ
り簡単に制御できる。逆の反応実施、即ちNaHB4−
溶液を予め装入することは、収率損失なしに可能であ
る。
【0023】この反応は、水素酸化合物例えばチオサリ
チル酸、乳酸又は有利にチオグリコール酸により促進さ
れる。
チル酸、乳酸又は有利にチオグリコール酸により促進さ
れる。
【0024】成分の供給の間に、おそらく、NaBH4
とビス−〔トリアルキル錫〕オキシドとの反応から中間
的にトリアルキル錫ヒドリドが生じ、これが直接、更に
反応して、ヘキサアルキルジスタナンになる。
とビス−〔トリアルキル錫〕オキシドとの反応から中間
的にトリアルキル錫ヒドリドが生じ、これが直接、更に
反応して、ヘキサアルキルジスタナンになる。
【0025】溶剤の留去及び濾過の後に、ヘキサアルキ
ルジスタナンは、高い純度で単離される。
ルジスタナンは、高い純度で単離される。
【0026】この方法の特別な利点は、ワンショット法
で、価格的に有利で、取扱いが簡単な装入物質から出発
し、所望のヘキサアルキルジスタナンを殆ど定量的な収
率で製造する、簡単な反応実施にある。
で、価格的に有利で、取扱いが簡単な装入物質から出発
し、所望のヘキサアルキルジスタナンを殆ど定量的な収
率で製造する、簡単な反応実施にある。
【0027】
例1 THF100ml中のビス−〔トリブチル錫〕オキシド
119.2gの溶液に、還流温度で、メタノール200
ml中に溶かされ、水酸化ナトリウム8.0g(0.2
モル)で安定化されたNaBH4 8.5g(0.2モ
ル)を、1時間かかって供給する。
119.2gの溶液に、還流温度で、メタノール200
ml中に溶かされ、水酸化ナトリウム8.0g(0.2
モル)で安定化されたNaBH4 8.5g(0.2モ
ル)を、1時間かかって供給する。
【0028】還流温度で1時間の後反応の後に、冷却
し、THF−相を分離する。全収率を高めるために、メ
タノール相をTHFで抽出することができる。集めた有
機相の溶剤を留去する。濾過の後に、ヘキサブチルジス
タナン111g(96%)がガスクロマトグラフィ分析
による純度>96%で単離される。生成物は、トリブチ
ル錫ヒドリドをもビス−〔トリブチル錫〕オキシドをも
含有しない。
し、THF−相を分離する。全収率を高めるために、メ
タノール相をTHFで抽出することができる。集めた有
機相の溶剤を留去する。濾過の後に、ヘキサブチルジス
タナン111g(96%)がガスクロマトグラフィ分析
による純度>96%で単離される。生成物は、トリブチ
ル錫ヒドリドをもビス−〔トリブチル錫〕オキシドをも
含有しない。
【0029】例2 水酸化ナトリウム8.0g(0.2モル)で安定化され
たメタノール200ml中のNaBH4 8.5g
(0.2モル)の溶液に、THF100ml中に溶かさ
れたビス−〔トリブチル錫〕オキシド119.2g
(0.2モル)を、還流温度で1時間にわたって供給す
る。
たメタノール200ml中のNaBH4 8.5g
(0.2モル)の溶液に、THF100ml中に溶かさ
れたビス−〔トリブチル錫〕オキシド119.2g
(0.2モル)を、還流温度で1時間にわたって供給す
る。
【0030】還流温度で1時間の後反応の後に、溶剤を
留去し、生成物を濾過して、沈殿固体物質を分離除去す
る。ヘキサブチルジスタナンが109g(94%)の収
量で単離される。
留去し、生成物を濾過して、沈殿固体物質を分離除去す
る。ヘキサブチルジスタナンが109g(94%)の収
量で単離される。
【0031】例3 例1に記載の条件下で、チオグリコール酸2.5重量%
の存在で、ビス−〔トリブチル錫〕オキシドの反応によ
り、後反応なしに、ジスタナンを97%の収率で生じ
る。
の存在で、ビス−〔トリブチル錫〕オキシドの反応によ
り、後反応なしに、ジスタナンを97%の収率で生じ
る。
【0032】例4 THF100ml中のビス−〔トリブチル錫〕オキシド
119.2gの溶液に、還流温度で、エタノール中20
0mlに溶かされ、水酸化ナトリウム8.0gで安定化
されたNaBH4 8.5g(0.2モル)を1時間か
かって供給する。
119.2gの溶液に、還流温度で、エタノール中20
0mlに溶かされ、水酸化ナトリウム8.0gで安定化
されたNaBH4 8.5g(0.2モル)を1時間か
かって供給する。
【0033】還流温度での1時間の後反応の後に、、溶
剤を留去し、生成物を濾過して沈殿固体物質を分離除去
する。ヘキサブチルジスタナンが104g(90%9の
収量で単離される。
剤を留去し、生成物を濾過して沈殿固体物質を分離除去
する。ヘキサブチルジスタナンが104g(90%9の
収量で単離される。
【0034】例5 THF150ml中のビス−〔トリオクチル錫〕オキシ
ド186.5g(0.2モル)の溶液に、還流温度で、
メタノール200ml中に溶かされ、水酸化ナトリウム
8.0gで安定化されたNaBH4 8.5g(0.2
2モル)を1時間かかって供給する。例1に記載の後処
理の後に、ヘキサオクチルジスタナン176g(96
%)が単離される。
ド186.5g(0.2モル)の溶液に、還流温度で、
メタノール200ml中に溶かされ、水酸化ナトリウム
8.0gで安定化されたNaBH4 8.5g(0.2
2モル)を1時間かかって供給する。例1に記載の後処
理の後に、ヘキサオクチルジスタナン176g(96
%)が単離される。
Claims (7)
- 【請求項1】 一般式: R1R2R3Sn-SnR1R2R3 〔式中R1、R2、R3は、同一又は異なるもので、分枝
及び/又は非分枝の及び/又は置換アルキル基である〕
のヘキサアルキルジスタナンを製造するために、ビス−
〔トリアルキル錫〕オキシドと安定化されたアルコール
性NaBH4−溶液とを不活性溶剤の存在下に反応させ
ることを特徴とする、ヘキサアルキルジスタナンの製
法。 - 【請求項2】 0.5〜3時間の後反応時間を保持す
る、請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 不活性溶剤として、ヘキサアルキルジ
スタナン、中間的に得られるトリアルキル錫ヒドリドと
もNaBH4とも反応しない溶剤を使用する、請求項1
又は2に記載の方法。 - 【請求項4】 溶剤としてTHFを使用する、請求項1
から3のいずれかに記載の方法。 - 【請求項5】 ビス−〔トリアルキル錫〕オキシドとN
aBH4とのモル比は、約1:1である、請求項1から
4のいずれかに記載の方法。 - 【請求項6】 アルコール性NaBH4−溶液の安定化
のために、塩基を使用する、請求項1から5のいずれか
に記載の方法。 - 【請求項7】 反応を、0.1〜10重量%の水素酸化
合物の添加により促進させる、請求項1から6のいずれ
かに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4231083A DE4231083A1 (de) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | Verfahren zur Herstellung von Distannanen |
DE4231083.0 | 1992-09-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06172371A true JPH06172371A (ja) | 1994-06-21 |
Family
ID=6468158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5229949A Pending JPH06172371A (ja) | 1992-09-17 | 1993-09-16 | ヘキサアルキルジスタナンの製法 |
Country Status (8)
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---|---|
US (1) | US5298641A (ja) |
EP (1) | EP0592779B1 (ja) |
JP (1) | JPH06172371A (ja) |
AT (1) | ATE170526T1 (ja) |
CA (1) | CA2098338C (ja) |
DE (2) | DE4231083A1 (ja) |
DK (1) | DK0592779T3 (ja) |
ES (1) | ES2121038T3 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991002327A1 (fr) * | 1989-08-02 | 1991-02-21 | Hirokazu Yoshida | Lecteur de donnees numeriques pour feuille d'enregistrement de donnees numeriques |
US5726435A (en) * | 1994-03-14 | 1998-03-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Optically readable two-dimensional code and method and apparatus using the same |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9899047B2 (en) | 2013-10-10 | 2018-02-20 | Seagate Technology Llc | Bond pad sharing for powering a multiplicity of electrical components |
US9812158B1 (en) | 2015-12-16 | 2017-11-07 | Seagate Technology Llc | Bond pad sharing for powering a multiplicity of electrical components of a recording head |
US9607641B1 (en) | 2016-01-27 | 2017-03-28 | Seagate Technology Llc | Bond pad sharing for powering multiple writers of a recording head |
US9905255B1 (en) | 2016-02-01 | 2018-02-27 | Seagate Technology Llc | Bond pad sharing for powering multiple heaters of a magnetic recording head |
US9905254B1 (en) | 2016-02-09 | 2018-02-27 | Seagate Technology Llc | Bond pad sharing for powering multiple components of a recording head |
US9934807B2 (en) | 2016-06-29 | 2018-04-03 | Seagate Technology Llc | Bond pad sharing for powering multiple writers of a recording head |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3211769A (en) * | 1962-09-04 | 1965-10-12 | Quaker Oats Co | Process for producing alkyltin compounds |
DE1940678U (de) * | 1966-02-12 | 1966-06-16 | Braun Ag | Luefter mit querstromgeblaese. |
US3652618A (en) * | 1968-11-04 | 1972-03-28 | M & T Chemicals Inc | Process for preparing hexaorganoditin compounds |
US3726906A (en) * | 1968-11-04 | 1973-04-10 | M & T Chemicals Inc | Organotin process |
US3699138A (en) * | 1971-06-18 | 1972-10-17 | M & T Chemicals Inc | Preparation of distannanes |
-
1992
- 1992-09-17 DE DE4231083A patent/DE4231083A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-06-14 CA CA002098338A patent/CA2098338C/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-06-30 US US08/085,509 patent/US5298641A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-28 DE DE59308952T patent/DE59308952D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-28 ES ES93112020T patent/ES2121038T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-28 DK DK93112020T patent/DK0592779T3/da active
- 1993-07-28 EP EP93112020A patent/EP0592779B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-28 AT AT93112020T patent/ATE170526T1/de not_active IP Right Cessation
- 1993-09-16 JP JP5229949A patent/JPH06172371A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991002327A1 (fr) * | 1989-08-02 | 1991-02-21 | Hirokazu Yoshida | Lecteur de donnees numeriques pour feuille d'enregistrement de donnees numeriques |
AU637127B2 (en) * | 1989-08-02 | 1993-05-20 | Teiryo Sangyo Co., Ltd | Digital data reader of digital data recording sheet |
US5726435A (en) * | 1994-03-14 | 1998-03-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Optically readable two-dimensional code and method and apparatus using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK0592779T3 (da) | 1999-06-07 |
CA2098338C (en) | 1997-11-18 |
DE4231083A1 (de) | 1994-03-24 |
EP0592779A1 (de) | 1994-04-20 |
ATE170526T1 (de) | 1998-09-15 |
CA2098338A1 (en) | 1994-03-18 |
US5298641A (en) | 1994-03-29 |
EP0592779B1 (de) | 1998-09-02 |
ES2121038T3 (es) | 1998-11-16 |
DE59308952D1 (de) | 1998-10-08 |
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