JPH0616494B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0616494B2 JPH0616494B2 JP14437786A JP14437786A JPH0616494B2 JP H0616494 B2 JPH0616494 B2 JP H0616494B2 JP 14437786 A JP14437786 A JP 14437786A JP 14437786 A JP14437786 A JP 14437786A JP H0616494 B2 JPH0616494 B2 JP H0616494B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光励起することにより薄膜を形成する薄膜形
成装置に関する。
成装置に関する。
近年、半導体デバイス製造プロセスにおいては、光ＣＶ
Ｄなどの光励起プロセス技術が、プロセスの低温化、工
程短縮などをもたらすものとして盛んに研究開発されて
いる。光ＣＶＤは、従来のプラズマプロセスに比べ、基
板やその上のデバイス層へ与えるダメージが少なく、よ
り低温で良質な膜形成を可能とするものとして期待が大
きい。既に光ＣＶＤの手法を用い、将来の配線材料とし
て有望なタングステンやモリブデンなどの金属材料や、
ＭＯＳ ＩＣのゲート絶縁膜に使用されるSiO2などの絶
縁体などの堆積が実現されている。たとえば、アプライ
ド・フィジックス・レター（Applied Physics letter
s）誌の第４０巻、第７１６〜７１９ページに、ボイヤ
ー（Boyer）氏等により、ArFエキシマーレーザを光源と
して、SiH4とN2O気体を原料気体として、SiO2膜を堆積
できることが報告されている。この文献によれば、得ら
れた堆積膜は、付着力やブレークダウン電圧などの特性
では熱酸化SiO2膜と同程度に優れた値を持つことが示さ
れている。しかし、界面準位密度が、熱酸化SiO2膜の１
０倍から１００倍程度と高く、また不純物として、炭化
水素や窒素がかなり含まれていることが記述されてい
る。界面準位は、ＭＯＳ ＩＣなどのゲート絶縁膜など
に使う場合に悪影響を与えるため、できるだけ低いこと
が望まれる。この論文では、この界面準位の増加の原因
には特に触れていないが、明らかに上記の窒素や炭化水
素などの不純物が悪影響を与えている。また、第３２回
春季応用物理学会予稿集（１９８５年）の講演番号３０
ｐ−Ｋ２の第３４０ページで関根等により示されている
ように、SiO2中の不純物のOH基がArFレーザ光の照射の
ためにトラップを形成し、界面準位の増加に招いている
例もある。これらの界面準位増加の原因を取り除くに
は、ＣＶＤ膜中の窒素や炭化水素、水素などの不純物の
含有を極力低減することが有効である。しかしながら、
従来の光ＣＶＤの装置では、効果的にこれらの不純物の
混入を低減することができないという問題があった。
Ｄなどの光励起プロセス技術が、プロセスの低温化、工
程短縮などをもたらすものとして盛んに研究開発されて
いる。光ＣＶＤは、従来のプラズマプロセスに比べ、基
板やその上のデバイス層へ与えるダメージが少なく、よ
り低温で良質な膜形成を可能とするものとして期待が大
きい。既に光ＣＶＤの手法を用い、将来の配線材料とし
て有望なタングステンやモリブデンなどの金属材料や、
ＭＯＳ ＩＣのゲート絶縁膜に使用されるSiO2などの絶
縁体などの堆積が実現されている。たとえば、アプライ
ド・フィジックス・レター（Applied Physics letter
s）誌の第４０巻、第７１６〜７１９ページに、ボイヤ
ー（Boyer）氏等により、ArFエキシマーレーザを光源と
して、SiH4とN2O気体を原料気体として、SiO2膜を堆積
できることが報告されている。この文献によれば、得ら
れた堆積膜は、付着力やブレークダウン電圧などの特性
では熱酸化SiO2膜と同程度に優れた値を持つことが示さ
れている。しかし、界面準位密度が、熱酸化SiO2膜の１
０倍から１００倍程度と高く、また不純物として、炭化
水素や窒素がかなり含まれていることが記述されてい
る。界面準位は、ＭＯＳ ＩＣなどのゲート絶縁膜など
に使う場合に悪影響を与えるため、できるだけ低いこと
が望まれる。この論文では、この界面準位の増加の原因
には特に触れていないが、明らかに上記の窒素や炭化水
素などの不純物が悪影響を与えている。また、第３２回
春季応用物理学会予稿集（１９８５年）の講演番号３０
ｐ−Ｋ２の第３４０ページで関根等により示されている
ように、SiO2中の不純物のOH基がArFレーザ光の照射の
ためにトラップを形成し、界面準位の増加に招いている
例もある。これらの界面準位増加の原因を取り除くに
は、ＣＶＤ膜中の窒素や炭化水素、水素などの不純物の
含有を極力低減することが有効である。しかしながら、
従来の光ＣＶＤの装置では、効果的にこれらの不純物の
混入を低減することができないという問題があった。
本発明の薄膜形成装置は、第１の波長の光を発生する第
１のパルスレーザ光源と、窓を備えたＣＶＤセルと、該
第１のパルスレーザ光源の出射光を該ＣＶＤセル内の基
板に導く第１の光学系と、該第１の波長の光の照射によ
って堆積反応を生ずる第１の気体成分を含む気体を該Ｃ
ＶＤセルに供給するＣＶＤ用原料気体供給系と、該ＣＶ
Ｄセル内に該基板を保持する機構とを具備する薄膜形成
装置において、該堆積反応により生成された薄膜の不純
物成分を第２の波長の光の照射によりエッチングする第
２の気体成分を該ＣＶＤセルに供給するエッチング用気
体供給系と、該第２の波長の光を発生する第２のパルス
レーザ光源と、該第２のパルスレーザ光源の出射光を該
ＣＶＤセル内の該基板に導く第２の光学系と、該薄膜の
一分子層成長に要する時間よりも短い所定の繰返し周期
でかつ第１のパルスレーザ光源と位相をずらして第２の
パルスレーザ光源の出射タイミングを制御する繰返し周
期制御ユニットとを備えてなるものである。
１のパルスレーザ光源と、窓を備えたＣＶＤセルと、該
第１のパルスレーザ光源の出射光を該ＣＶＤセル内の基
板に導く第１の光学系と、該第１の波長の光の照射によ
って堆積反応を生ずる第１の気体成分を含む気体を該Ｃ
ＶＤセルに供給するＣＶＤ用原料気体供給系と、該ＣＶ
Ｄセル内に該基板を保持する機構とを具備する薄膜形成
装置において、該堆積反応により生成された薄膜の不純
物成分を第２の波長の光の照射によりエッチングする第
２の気体成分を該ＣＶＤセルに供給するエッチング用気
体供給系と、該第２の波長の光を発生する第２のパルス
レーザ光源と、該第２のパルスレーザ光源の出射光を該
ＣＶＤセル内の該基板に導く第２の光学系と、該薄膜の
一分子層成長に要する時間よりも短い所定の繰返し周期
でかつ第１のパルスレーザ光源と位相をずらして第２の
パルスレーザ光源の出射タイミングを制御する繰返し周
期制御ユニットとを備えてなるものである。
パルスレーザ光を用いるＣＶＤ反応では、各レーザパル
スの照射ごとにＣＶＤ原料気体が分解もしくは反応し
て、生成された分子が基板上に堆積するステップを繰り
返し、薄膜が形成されていくと考えられる。この時１パ
ルス当りの堆積厚は、緻密な膜が得られる条件のもとで
は、多くとも１Å／パルス程度である。つまり各パルス
の照射により、新たに堆積する膜の平均的な厚みは、一
原子層よりも十分に薄いことになる。このため、各パル
ス照射御、不純物となる原子もしくは分子は、膜の最表
面に露出している状態にあると考えられる。本発明は、
この点に着目し、ＣＶＤ用の各レーザパルスの照射直後
に、堆積した原子層オーダーの薄い膜の中の不純物原子
もしくは分子に対して、別の波長の光を照射してエッチ
ング反応を起こし、この不純物成分を除去すれば、ＣＶ
Ｄ膜中への不純物の混入を抑えることができるとの考え
に基づいている。この方法によれば、ＣＶＤ反応単独で
は不純物の発生・混入が避けられない場合でも、ＣＶＤ
膜中に不純物が取り込まれる前にエッチング反応で不純
物を取り除くことができ、その結果として高純度のＣＶ
Ｄ膜を得ることができる。また、このエッチング反応を
起こさせるレーザ光には、エッチング反応による不純物
の除去の効果のほかにも、光脱離効果があり、この効果
によって表面に吸着している窒素や酸素などの揮発性分
子の除去を行うことができる。
スの照射ごとにＣＶＤ原料気体が分解もしくは反応し
て、生成された分子が基板上に堆積するステップを繰り
返し、薄膜が形成されていくと考えられる。この時１パ
ルス当りの堆積厚は、緻密な膜が得られる条件のもとで
は、多くとも１Å／パルス程度である。つまり各パルス
の照射により、新たに堆積する膜の平均的な厚みは、一
原子層よりも十分に薄いことになる。このため、各パル
ス照射御、不純物となる原子もしくは分子は、膜の最表
面に露出している状態にあると考えられる。本発明は、
この点に着目し、ＣＶＤ用の各レーザパルスの照射直後
に、堆積した原子層オーダーの薄い膜の中の不純物原子
もしくは分子に対して、別の波長の光を照射してエッチ
ング反応を起こし、この不純物成分を除去すれば、ＣＶ
Ｄ膜中への不純物の混入を抑えることができるとの考え
に基づいている。この方法によれば、ＣＶＤ反応単独で
は不純物の発生・混入が避けられない場合でも、ＣＶＤ
膜中に不純物が取り込まれる前にエッチング反応で不純
物を取り除くことができ、その結果として高純度のＣＶ
Ｄ膜を得ることができる。また、このエッチング反応を
起こさせるレーザ光には、エッチング反応による不純物
の除去の効果のほかにも、光脱離効果があり、この効果
によって表面に吸着している窒素や酸素などの揮発性分
子の除去を行うことができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の第１の実施例の主要部のブロック図で
ある。
ある。
この実施例は、SiO2のＣＶＤに本発明を適用した例であ
る。ＣＶＤ用原料気体供給系９はSiH2Cl2N2、N2O気体の
混合気体をＣＶＤセル８に供給する。またエッチング用
気体供給系１０は、エッチング用のCl2気体を供給す
る。ArFエキシマーレーザで構成される第１のパルスレ
ーザ光源１はＣＶＤ用原料気体を励起するために用いら
れ、その出射光は第２のミラー４、第３のミラー５、お
よび第２の窓７を通してＣＶＤセル８内に導かれる。Xe
Clエキシマーレーザで構成される第２のパルスレーザ光
源２は、エッチング用気体のCl2を励起するために用い
られ、出射光は、第１のミラー３および第１の窓６を通
してＣＶＤセル内の基板に照射される構成となってい
る。ヒータ１２は基板１３を良好な膜形成のできる温度
に昇温するために用いる。ＣＶＤセル８の内部圧力は、
排気ポンプ１１の排気速度とＣＶＤ用原料気体供給系９
及びエッチング用気体供給系１０からの供給量を調整す
ることにより、ＣＶＤ中所定の値になるよう制御され
る。繰返し周期制御ユニット１４は、第１のパルスレー
ザ光源１の出射信号を受け取り、遅延回路を通してこの
出射信号より第１のパルスレーザ光源１の繰返し周期よ
りも短い所定の遅れを持つトリガ信号を第２のパルスレ
ーザ光源２に与える構成になっている。
る。ＣＶＤ用原料気体供給系９はSiH2Cl2N2、N2O気体の
混合気体をＣＶＤセル８に供給する。またエッチング用
気体供給系１０は、エッチング用のCl2気体を供給す
る。ArFエキシマーレーザで構成される第１のパルスレ
ーザ光源１はＣＶＤ用原料気体を励起するために用いら
れ、その出射光は第２のミラー４、第３のミラー５、お
よび第２の窓７を通してＣＶＤセル８内に導かれる。Xe
Clエキシマーレーザで構成される第２のパルスレーザ光
源２は、エッチング用気体のCl2を励起するために用い
られ、出射光は、第１のミラー３および第１の窓６を通
してＣＶＤセル内の基板に照射される構成となってい
る。ヒータ１２は基板１３を良好な膜形成のできる温度
に昇温するために用いる。ＣＶＤセル８の内部圧力は、
排気ポンプ１１の排気速度とＣＶＤ用原料気体供給系９
及びエッチング用気体供給系１０からの供給量を調整す
ることにより、ＣＶＤ中所定の値になるよう制御され
る。繰返し周期制御ユニット１４は、第１のパルスレー
ザ光源１の出射信号を受け取り、遅延回路を通してこの
出射信号より第１のパルスレーザ光源１の繰返し周期よ
りも短い所定の遅れを持つトリガ信号を第２のパルスレ
ーザ光源２に与える構成になっている。
第２図は繰返し周期制御ユニットの第１の具体例のブロ
ック図である。
ック図である。
第１のパルスレーザ光源１の第１のトリガ信号に遅延回
路２２で遅れを与え、この遅延した信号を受けて繰返し
パルスの発生を開始するクロック発生回路２３の出力信
号をカウンタ回路１８の出力により開閉されるゲート回
路１９を通して第２のパルスレーザ光源２を制御する第
２のトリガ信号として出力する。このとき、カウンタ回
路１８は遅延回路２２の出力を受けてから、所定の数だ
けクロック信号を係数するまでの間だけゲート回路１９
を開くよう動作する。この場合、遅延時間、クロック周
期、カウンタのカウント数は、繰返し周期制御ユニット
１４が第１のトリガ信号を受けてから第２のトリガ信号
の出力が終了するまでの一連の時間が、第１のパルスレ
ーザ光源１の繰返し周期より短くなるよう設定してお
く。こうすることにより第１のパルスレーザ光源１と第
２のパルスレーザ光源２との出射タイミングの重なりを
避けることができる。こうして、第１のパルスレーザ光
源１からの照射１回につき複数回宛第２のパルスレーザ
光源２から照射を行うことができる。
路２２で遅れを与え、この遅延した信号を受けて繰返し
パルスの発生を開始するクロック発生回路２３の出力信
号をカウンタ回路１８の出力により開閉されるゲート回
路１９を通して第２のパルスレーザ光源２を制御する第
２のトリガ信号として出力する。このとき、カウンタ回
路１８は遅延回路２２の出力を受けてから、所定の数だ
けクロック信号を係数するまでの間だけゲート回路１９
を開くよう動作する。この場合、遅延時間、クロック周
期、カウンタのカウント数は、繰返し周期制御ユニット
１４が第１のトリガ信号を受けてから第２のトリガ信号
の出力が終了するまでの一連の時間が、第１のパルスレ
ーザ光源１の繰返し周期より短くなるよう設定してお
く。こうすることにより第１のパルスレーザ光源１と第
２のパルスレーザ光源２との出射タイミングの重なりを
避けることができる。こうして、第１のパルスレーザ光
源１からの照射１回につき複数回宛第２のパルスレーザ
光源２から照射を行うことができる。
第３図は繰返し周期制御ユニットの第２の具体例のブロ
ック図である。
ック図である。
カウンタ回路２０は第１のパルスレーザ光源１からの第
１のトリガ信号を計数し、所定の数を計数したときパル
ス信号を出力し、出射タイミングをずらすための遅延回
路２１を通して第２のトリガ信号としてパルス信号を出
力する構成となっている。この場合には、第１のパルス
レーザ光源からの複数回の照射につき１回宛第２のパル
スレーザ光源２から照射を行うことができる。
１のトリガ信号を計数し、所定の数を計数したときパル
ス信号を出力し、出射タイミングをずらすための遅延回
路２１を通して第２のトリガ信号としてパルス信号を出
力する構成となっている。この場合には、第１のパルス
レーザ光源からの複数回の照射につき１回宛第２のパル
スレーザ光源２から照射を行うことができる。
いずれの場合にも、第１のパルスレーザ光源と、第２の
パルスレーザ光源の出射タイミングは重なることがな
く、堆積速度に応じて適切な周期でエッチング用気体励
起用の光パルスを照射することができる。
パルスレーザ光源の出射タイミングは重なることがな
く、堆積速度に応じて適切な周期でエッチング用気体励
起用の光パルスを照射することができる。
次に、この実施例を用いた薄膜形成方法について説明す
る。用いた気体の組成は、SiH2Cl２１％、N２１０％、N
2O８６％、Cl２３％とし、ＣＶＤセル８内の圧力は１０
６６Pa、基板温度は３００℃としてSiO2膜を形成した。
る。用いた気体の組成は、SiH2Cl２１％、N２１０％、N
2O８６％、Cl２３％とし、ＣＶＤセル８内の圧力は１０
６６Pa、基板温度は３００℃としてSiO2膜を形成した。
第４図は、照射レーザを制御するトリガ信号波形図であ
る。
る。
実線ＣＶＤ用のArFレーザを制御する第１のトリガ信
号、一点鎖線はエッチング用のXeClレーザを制御する第
２のトリガ信号を示す。このタイミングの照射によれ
ば、ＣＶＤ用のArFレーザ光の照射により不純物を含むS
iO2膜が堆積しても、次のエッチング用のXeClレーザ光
の照射により、基板表面の炭化水素やH2は、CCl４やHCl
などの揮発性の塩化物となって気相に離脱する。N2は、
光脱離効果によりN2気体として表面から除去されると考
えられる。なお、Ｃｌ２は、ArFレーザの発振波長１９
３ｎｍには吸収がなく、逆に、ＣＶＤ用原料気体成分
は、XeClレーザの発振波長３０８ｎｍには吸収がないの
で、ＣＶＤおよび、エッチングの各反応は、それぞれ照
射するレーザ光の波長により選択的に起こすことがで
き、堆積反応などの目的とする以外の不用な反応は起こ
らない。このようにして得られた光ＣＶＤSiO2膜の界面
準位密度は、熱酸化SiO2膜の１．５倍程度と熱酸化法に
比べても殆んど遜色のないほど十分低くでき、ＭＯＳ
ＩＣのゲート絶縁膜として十分使い得る値であることが
わかった。一方、上述の光エッチング処理を行わない通
常の光ＣＶＤの場合の界面準位密度は、本発明によるも
のに対し２０倍以上高くなり、本発明が不純物などの影
響を受けやすい界面準位密度の改善に有効であることが
わかった。
号、一点鎖線はエッチング用のXeClレーザを制御する第
２のトリガ信号を示す。このタイミングの照射によれ
ば、ＣＶＤ用のArFレーザ光の照射により不純物を含むS
iO2膜が堆積しても、次のエッチング用のXeClレーザ光
の照射により、基板表面の炭化水素やH2は、CCl４やHCl
などの揮発性の塩化物となって気相に離脱する。N2は、
光脱離効果によりN2気体として表面から除去されると考
えられる。なお、Ｃｌ２は、ArFレーザの発振波長１９
３ｎｍには吸収がなく、逆に、ＣＶＤ用原料気体成分
は、XeClレーザの発振波長３０８ｎｍには吸収がないの
で、ＣＶＤおよび、エッチングの各反応は、それぞれ照
射するレーザ光の波長により選択的に起こすことがで
き、堆積反応などの目的とする以外の不用な反応は起こ
らない。このようにして得られた光ＣＶＤSiO2膜の界面
準位密度は、熱酸化SiO2膜の１．５倍程度と熱酸化法に
比べても殆んど遜色のないほど十分低くでき、ＭＯＳ
ＩＣのゲート絶縁膜として十分使い得る値であることが
わかった。一方、上述の光エッチング処理を行わない通
常の光ＣＶＤの場合の界面準位密度は、本発明によるも
のに対し２０倍以上高くなり、本発明が不純物などの影
響を受けやすい界面準位密度の改善に有効であることが
わかった。
なお上述の例では、エッチング用気体を励起するパルス
レーザ光の照射回数は、１回のＣＶＤ用原料気体励起用
パルス照射につき、１回の場合について説明したが、１
回のＣＶＤ用原料気体励起用の光パルス照射につき、複
数回のエッチング用気体励起用の光パルスを照射すれ
ば、不純物成分を除去する効果がより顕著になることは
自明である。また逆に、ＣＶＤ速度が極めて小さい場合
には、複数回のＣＶＤ用原料気体励起用の光パルス照射
ごとに１回のエッチング用気体励起用の光パルスを照射
してもよい。
レーザ光の照射回数は、１回のＣＶＤ用原料気体励起用
パルス照射につき、１回の場合について説明したが、１
回のＣＶＤ用原料気体励起用の光パルス照射につき、複
数回のエッチング用気体励起用の光パルスを照射すれ
ば、不純物成分を除去する効果がより顕著になることは
自明である。また逆に、ＣＶＤ速度が極めて小さい場合
には、複数回のＣＶＤ用原料気体励起用の光パルス照射
ごとに１回のエッチング用気体励起用の光パルスを照射
してもよい。
以上の例ではSiO2膜のＣＶＤを例にとって説明したが、
他の絶縁体や半導体、金属などのＣＶＤにおいても、Ｃ
ＶＤ用原料気体、エッチング用気体、及びこれらの気体
を励起できるパルスレーザ光源を組み合わせれば本発明
の薄膜形成装置を用いて、不純物の少ない良質なＣＶＤ
膜を形成できる。
他の絶縁体や半導体、金属などのＣＶＤにおいても、Ｃ
ＶＤ用原料気体、エッチング用気体、及びこれらの気体
を励起できるパルスレーザ光源を組み合わせれば本発明
の薄膜形成装置を用いて、不純物の少ない良質なＣＶＤ
膜を形成できる。
第５図は本発明の第２の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
第１の実施例と異なる点は、第１のパルスレーザ光源１
の出射光が、基板に垂直に入射されることであり、ダイ
クロイックミラー１５を用いて、第２のパルスレーザ光
源２の第１のパルスレーザ光源１からの出射光を合成し
て基板１３に照射する点が異なっている。この構成は、
基板表面に吸着したＣＶＤ用の原料気体分子が光ＣＶＤ
反応に与る場合に有効となる。このような原料気体とし
ては、金属カルボニルなどの有機金属化合物が挙げられ
る。
の出射光が、基板に垂直に入射されることであり、ダイ
クロイックミラー１５を用いて、第２のパルスレーザ光
源２の第１のパルスレーザ光源１からの出射光を合成し
て基板１３に照射する点が異なっている。この構成は、
基板表面に吸着したＣＶＤ用の原料気体分子が光ＣＶＤ
反応に与る場合に有効となる。このような原料気体とし
ては、金属カルボニルなどの有機金属化合物が挙げられ
る。
第６図は、本発明の第３の実施例を示すブロック図で、
第２の実施例に光路上に照射パターンを定めるマスク１
６とそのパターンを基板上に転写するレンズ１７を配置
したことが構成上の違いである。この構成によれば、基
板上の所要の位置にのみ選択的にＣＶＤ膜を形成するこ
とができる利点がある。
第２の実施例に光路上に照射パターンを定めるマスク１
６とそのパターンを基板上に転写するレンズ１７を配置
したことが構成上の違いである。この構成によれば、基
板上の所要の位置にのみ選択的にＣＶＤ膜を形成するこ
とができる利点がある。
以上述べたように、本発明の薄膜形成装置は不純物をエ
ッチングする気体を励起する第２のパルスレーザ光源を
備えているので、従来装置に比べ、不純物濃度を大幅に
低減した薄膜の形成が可能となり広い範囲の半導体製造
プロセスに光ＣＶＤの手法を適用することが可能とな
る。また、従来装置では膜への不純物の含有率が高くな
りすぎて、実用的に使うことの困難なＣＶＤ用原料気体
と光源の組み合せに対しても、本発明の装置を用いれ
ば、高純度のＣＶＤ膜の形成が可能となり、実用的に使
いうるＣＶＤ材料の選択の幅を大きく増やすことができ
る。
ッチングする気体を励起する第２のパルスレーザ光源を
備えているので、従来装置に比べ、不純物濃度を大幅に
低減した薄膜の形成が可能となり広い範囲の半導体製造
プロセスに光ＣＶＤの手法を適用することが可能とな
る。また、従来装置では膜への不純物の含有率が高くな
りすぎて、実用的に使うことの困難なＣＶＤ用原料気体
と光源の組み合せに対しても、本発明の装置を用いれ
ば、高純度のＣＶＤ膜の形成が可能となり、実用的に使
いうるＣＶＤ材料の選択の幅を大きく増やすことができ
る。
第１図は本発明の第１の実施例の主要部のブロック図、
第２，３図はれぞれ繰返し周期制御ユニットの第１，第
２の具体例のブロック図、第４図はトリガ信号波形図、
第５図、第６図はそれぞれ本発明の第２，第３の実施例
の主要部のブロック図である。 １……第１のパルスレーザ光源、２……第２のパルスレ
ーザ光源、３……第１のミラー、４……第２のミラー、
５……第３のミラー、６……第１の窓、７……第２の
窓、８……ＣＶＤセル、９……ＣＶＤ用原料気体供給
系、１０……エッチング用気体供給系、１１……排気ポ
ンプ、１２……ヒータ、１３……基板、１４……繰返し
周期制御ユニット、１５……ダイクロイックミラー、１
６……マスク、１７……レンズ、１８……カウンタ回
路、１９……ゲート回路、２０……カウンタ回路、２
１，２２……遅延回路、２３……クロック発生回路。
第２，３図はれぞれ繰返し周期制御ユニットの第１，第
２の具体例のブロック図、第４図はトリガ信号波形図、
第５図、第６図はそれぞれ本発明の第２，第３の実施例
の主要部のブロック図である。 １……第１のパルスレーザ光源、２……第２のパルスレ
ーザ光源、３……第１のミラー、４……第２のミラー、
５……第３のミラー、６……第１の窓、７……第２の
窓、８……ＣＶＤセル、９……ＣＶＤ用原料気体供給
系、１０……エッチング用気体供給系、１１……排気ポ
ンプ、１２……ヒータ、１３……基板、１４……繰返し
周期制御ユニット、１５……ダイクロイックミラー、１
６……マスク、１７……レンズ、１８……カウンタ回
路、１９……ゲート回路、２０……カウンタ回路、２
１，２２……遅延回路、２３……クロック発生回路。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の波長の光を発生する第１のパルスレ
ーザ光源と、窓を備えたＣＶＤセルと、該第１のパルス
レーザ光源の出射光を該ＣＶＤセル内の基板に導く第１
の光学系と、該第１の波長の光の照射によって堆積反応
を生ずる第１の気体成分を含む気体を該ＣＶＤセルに供
給するＣＶＤ用原料気体供給系と、該ＣＶＤセル内に該
基板を保持する機構とを具備する薄膜形成装置におい
て、該堆積反応により生成された薄膜の不純物成分を第
２の波長の光の照射によりエッチングする第２の気体成
分を該ＣＶＤセルに供給するエッチング用気体供給系
と、該第２の波長の光を発生する第２のパルスレーザ光
源と、該第２のパルスレーザ光源の出射光を該ＣＶＤセ
ル内の該基板に導く第２の光学系と、該薄膜の一分子層
成長に要する時間よりも短い所定の繰返し周期でかつ第
１のパルスレーザ光源と位相をずらして第２のパルスレ
ーザ光源の出射タイミングを制御する繰返し周期制御ユ
ニットとを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14437786A JPH0616494B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14437786A JPH0616494B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113A JPS63113A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH0616494B2 true JPH0616494B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=15360708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14437786A Expired - Lifetime JPH0616494B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616494B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019529A (ja) * | 2006-08-25 | 2007-01-25 | Nec Corp | 半導体薄膜形成装置 |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP14437786A patent/JPH0616494B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63113A (ja) | 1988-01-05 |
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