JPH06163922A - Semiconductor element - Google Patents
Semiconductor elementInfo
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- JPH06163922A JPH06163922A JP31325492A JP31325492A JPH06163922A JP H06163922 A JPH06163922 A JP H06163922A JP 31325492 A JP31325492 A JP 31325492A JP 31325492 A JP31325492 A JP 31325492A JP H06163922 A JPH06163922 A JP H06163922A
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- Japan
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- data
- data storage
- storage portion
- ultraviolet
- writable
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- Pending
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線消去型記憶機能
部分を有する半導体素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having an ultraviolet erasable memory function portion.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１は従来の紫外線消去型記憶機能部分
を有する半導体素子を示す模式的断面図である。図中１
は、基板であり、この基板１上に、紫外線照射により記
憶データを消去することが可能なデータ記憶部分２及び
他の機能部分３が配設されている。そしてこれらを覆う
態様で基板１には半導体素子保護のためのガラスコート
５が取り付けられている。このガラスコート５はデータ
記憶部分２に紫外線を照射してデータの揮発が可能なよ
うに紫外線透過性の物質を使用している。このような従
来の半導体素子の全体に紫外線を照射すると、データ記
憶部分２に記憶されたデータを全て消去するようになっ
ている。2. Description of the Related Art FIG. 1 is a schematic sectional view showing a semiconductor device having a conventional ultraviolet erasable memory function portion. 1 in the figure
Is a substrate on which a data storage portion 2 and other functional portion 3 capable of erasing stored data by irradiation of ultraviolet rays are arranged. A glass coat 5 for protecting the semiconductor element is attached to the substrate 1 so as to cover them. The glass coat 5 is made of an ultraviolet-transparent substance so that the data storage portion 2 can be irradiated with ultraviolet rays to volatilize the data. When the whole of such a conventional semiconductor element is irradiated with ultraviolet rays, all the data stored in the data storage portion 2 is erased.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体素子は以
上のように構成されているので、データ記憶部分２のう
ち一部のデータを消去し、その他をを保持するというこ
とは行えないという問題があった。そこでこのようなこ
とを可能とするために複数種類の半導体素子を備える方
法があるが、そうすると面積を増大させることとなり小
型化が不可能であり、また製造工程も煩雑になる。本発
明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、紫外線
非透過性物質にて部分的に被覆することにより、１素子
内に、データ書き込み可能で消去可能な記憶部分と、デ
ータ書き込み可能で消去不可能な記憶部分とを備える半
導体素子を提供することを目的とする。Since the conventional semiconductor device is constructed as described above, it is impossible to erase a part of the data in the data storage portion 2 and retain the other data. was there. Therefore, there is a method of providing a plurality of types of semiconductor elements in order to enable such a thing. However, if this is done, the area is increased, miniaturization is not possible, and the manufacturing process becomes complicated. The present invention has been made in view of such circumstances, and by partially covering with an ultraviolet-impermeable substance, a data writable and erasable storage portion and a data writable portion can be formed in one element. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device including a storage portion that cannot be erased.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体素子
は、一部を紫外線非透過性物質にて被覆することによ
り、１素子内に、データ書き込み可能で消去可能なデー
タ記憶部分と、データ書き込み可能で消去不可能なデー
タ記憶部分とを備えることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention is partly covered with an ultraviolet ray non-transmissive material, and a data writable and erasable data storage portion and a data storage part are provided in one device. And a writable and non-erasable data storage portion.
【０００５】[0005]
【作用】本発明にあっては、紫外線非透過性物質を被覆
することにより、１素子内に、データ書き込み可能で消
去可能なデータ記憶部分と、データ書き込み可能で消去
不可能なデータ記憶部分とを備えるので、全面に紫外線
を照射しても、消去可能なデータ記憶部分ではデータは
消去されるが、消去不可能なデータ記憶部分ではこの紫
外線が遮られ、データが消去されることはない。According to the present invention, by covering with an ultraviolet ray non-transmissive material, a data writable and erasable data storage portion and a data writable and non-erasable data storage portion are provided in one element. Therefore, even if the entire surface is irradiated with ultraviolet light, the data is erased in the erasable data storage portion, but the ultraviolet light is blocked in the non-erasable data storage portion, and the data is not erased.
【０００６】[0006]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図２は本発明に係る半導体素子を
示す模式図であり、図２(a) はその平面図であり、図２
(b) はこのII−II線における断面図である。図中１は基
板であり、この基板１上に、データ記憶部分2a，2b及び
他の機能部分３が配設されている。そしてこれらを覆う
態様で基板１には半導体素子保護のためのガラスコート
５が取り付けられている。このガラスコート５はデータ
記憶部分2a，2bに紫外線を照射してデータの揮発が可能
なように紫外線透過性の物質を使用している。本発明に
おいてはデータ記憶部分2bの上面に、例えばエポキシ樹
脂からなる紫外線非透過性膜４を形成してある。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments. 2 is a schematic view showing a semiconductor device according to the present invention, and FIG. 2 (a) is a plan view thereof.
(b) is a sectional view taken along the line II-II. In the figure, reference numeral 1 is a substrate on which data storage portions 2a and 2b and other functional portion 3 are arranged. A glass coat 5 for protecting the semiconductor element is attached to the substrate 1 so as to cover them. The glass coat 5 is made of an ultraviolet-transparent material so that the data storage portions 2a and 2b can be irradiated with ultraviolet rays to volatilize the data. In the present invention, the ultraviolet impermeable film 4 made of, for example, an epoxy resin is formed on the upper surface of the data storage portion 2b.
【０００７】そして本発明に係る半導体素子の全体に紫
外線を照射すると、データ記憶部分2aには紫外線が照射
されるので、この部分のデータは揮発し消去される。一
方、データ記憶部分2bは紫外線非透過性膜４の存在によ
り紫外線は遮られるので、この部分のデータは揮発する
ことがなく従って消去されることはない。しかもこの半
導体素子は前記紫外線非透過性物質を形成する１工程を
追加するだけで得られ、この半導体素子の製造工程が煩
雑化することはない。When the entire semiconductor device according to the present invention is irradiated with ultraviolet rays, the data storage portion 2a is irradiated with ultraviolet rays, and the data in this portion is volatilized and erased. On the other hand, since the ultraviolet ray is blocked by the presence of the ultraviolet ray impermeable film 4 in the data storage portion 2b, the data in this portion is not volatilized and therefore is not erased. Moreover, this semiconductor element can be obtained by adding only one step of forming the ultraviolet-impermeable substance, and the manufacturing steps of this semiconductor element are not complicated.
【０００８】図３は本発明に係る半導体素子の他の実施
例を示す模式的断面図である。図２に示す場合と同様、
基板１上に複数のデータ記憶部分2a，2b及び他の機能部
分３が配設され、これらを覆う態様でガラスコート５が
取り付けられている。そして本実施例では、データ記憶
部分2a上を除く全面に紫外線非透過性膜４を形成してい
る。この場合も図２に示す場合と同様、半導体素子全面
に紫外線を照射すると、データ記憶部分2aのデータは消
去されるが、データ記憶部分2bのデータが消去されるこ
とはない。FIG. 3 is a schematic sectional view showing another embodiment of the semiconductor device according to the present invention. Similar to the case shown in FIG.
A plurality of data storage portions 2a, 2b and other functional portions 3 are arranged on the substrate 1, and a glass coat 5 is attached so as to cover them. In this embodiment, the ultraviolet impermeable film 4 is formed on the entire surface except the data storage portion 2a. In this case, as in the case shown in FIG. 2, when the entire surface of the semiconductor element is irradiated with ultraviolet rays, the data in the data storage portion 2a is erased, but the data in the data storage portion 2b is not erased.
【０００９】[0009]
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体素子
は、紫外線非透過性物質にてデータ記憶部分の一部を被
覆することにより、１素子内に、データ書き込み可能で
消去可能なデータ記憶部分と、データ書き込み可能で消
去不可能なデータ記憶部分とを形成することができ、小
型化が実現し、しかもその製造工程は非常に簡単である
等、本発明は優れた効果を奏する。As described above, in the semiconductor device according to the present invention, by covering a part of the data storage portion with the UV impermeable substance, the data writable and erasable data can be stored in one device. The present invention has excellent effects such that a storage portion and a data writable but non-erasable data storage portion can be formed, downsizing can be realized, and the manufacturing process thereof is very simple.
【図１】従来の半導体素子を示す模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional semiconductor element.
【図２】本発明に係る半導体素子を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing a semiconductor device according to the present invention.
【図３】本発明に係る半導体素子の他の実施例を示す模
式図である。FIG. 3 is a schematic view showing another embodiment of the semiconductor device according to the present invention.
１ 基板 2a, 2b データ記憶部分 ４ 紫外線非透過性膜 ５ ガラスコート 1 substrate 2a, 2b data storage part 4 ultraviolet impermeable film 5 glass coat
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/115 7210−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/10 ４３４ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 27/115 7210-4M H01L 27/10 434
Claims (1)
データを消去することが可能な半導体素子において、紫
外線非透過性物質により被覆されたデータ記憶部分と、
紫外線非透過性物質により被覆されていないデータ記憶
部分とを備えることを特徴とする半導体素子。1. A semiconductor device capable of erasing the data by irradiating the data storage portion with ultraviolet light, the data storage portion being covered with an ultraviolet-impermeable substance,
A semiconductor device, comprising: a data storage portion that is not covered with an ultraviolet ray opaque material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31325492A JPH06163922A (en) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | Semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31325492A JPH06163922A (en) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | Semiconductor element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163922A true JPH06163922A (en) | 1994-06-10 |
Family
ID=18038990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31325492A Pending JPH06163922A (en) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | Semiconductor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163922A (en) |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP31325492A patent/JPH06163922A/en active Pending
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