JPS62241358A - One-time program type semiconductor device - Google Patents
One-time program type semiconductor deviceInfo
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- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
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- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/18—Circuits for erasing optically
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔Ｍ梁上の利用分野〕
本発明は、ワンタイムプログラム型中導体装置技術に関
し、竹に、光消去可能でデータ保持特性。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of application on M beam] The present invention relates to one-time programmable medium conductor device technology, which has optical erasable and data retention characteristics in bamboo.
書き込み特性などの評価が可能な結果高信頼性を確保で
きるワンタイムプログラム型ＩＣカードに有効な技術に
関する。The present invention relates to a technology effective for one-time program type IC cards that can ensure high reliability as a result of being able to evaluate write characteristics, etc.
近時、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ ＰＲＯＭ、消
去可能なＦＲＯＭ）を用いたワンタイムプログラム（Ｏ
ｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍ以下単にＯＴＰとい
う）型メモリカードが提案されている。Recently, one-time programming (O
A new Time Program (hereinafter simply referred to as OTP) type memory card has been proposed.
しかし、従来の当該カードに組み込まれたＩＣバクケー
ジは、一般に、ＥＰＲＯＭ素子を、不透明レジンのボク
テイングにより抜機（封止）したものであるので、紫外
線照射により素子のセル中に捕獲されているチャージを
消すことができないために、書き込み特性をテストし、
それを保証し、あるいは、データの保持特性をテストし
、それを保証しようとしても、それができないという問
題があった。However, since the IC back cage incorporated in the conventional card is generally an EPROM element that has been punched out (sealed) by boxing with opaque resin, the charges trapped in the element's cells can be removed by ultraviolet irradiation. Test the writing characteristics in order to be unerasable,
Even if you tried to guarantee this or test the data retention characteristics and guarantee it, there was a problem that it was impossible.
ＥＰＲＯＭにあっては、全ビット書き込みが可能で、全
ビットのデータ保持性能があることが、高信頼性の確保
のためには必要であり、消去ができず、製造工程で上記
のごとき評価ができないことは、高信頼性の確保という
面で問題がある。For EPROMs, it is necessary to be able to write all bits and have data retention performance for all bits in order to ensure high reliability. If it cannot be done, there is a problem in terms of ensuring high reliability.
なお、メモリカードなどのＩｃカードについて述べた特
許の例としてｔｊｆ！ｊ開昭５９−４８９８４号公報が
ある。Note that tjf! is an example of a patent that describes IC cards such as memory cards. There is Japanese Patent Publication No. 59-48984.
本発明は、かかる従来技術の有する欠点を解消し、書き
込みｔ時性やデータ保持能力があるかどうかがＭ造過程
においてチェックでき、しかも、消去可能であるのでチ
ェック後に元の状態に戻すことができ、したがう曵、か
かる素子＊ｊ性をチェックできるので、高信頼性を確保
できる技術？：提供することを目的とする。The present invention eliminates the drawbacks of the prior art, and allows checking whether the write timeability and data retention ability are present during the M manufacturing process. Moreover, since it is erasable, it is not possible to return to the original state after checking. Is there a technology that can ensure high reliability because it can check the characteristics of the elements? : The purpose is to provide.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
不明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of the present invention include:
This will become clear from the description in the unclear specification and the attached drawings.
４７、偵において開示される発明のうち代表的なものの
概要？簡単に説明すれば、下記のとおりである。47. Outline of typical inventions disclosed in the investigation? A brief explanation is as follows.
すなわち、不発明ではＥＰＲＯＭ素子のレジンモールド
に際し、先ず、紫外線透過型レジンをボッティングする
。次いで、紫外線非透過型レジンをその上にさらにボッ
ティングする。That is, in the present invention, when resin molding an EPROM element, first, an ultraviolet transmitting resin is potted. Next, an ultraviolet opaque resin is further potted thereon.
上記のように、先ず、紫外線透過型レジンをボッティン
グによりモールドすると、レジンが紫外線透過型である
ので、素子時性をチェックでき、チェック後には消去を
行うことによ、り再び最初の状態に戻すことができ、次
いで、紫外線非透過型レジンをボッティングによりモー
ルドすることにより、消去できないＯＴＰ型の半導体装
置が可能となる。As mentioned above, first, by molding with UV-transparent resin by botting, since the resin is UV-transparent, it is possible to check the element stability, and after checking, by erasing it, it can be returned to the initial state. Then, by molding an ultraviolet opaque resin by botting, an OTP type semiconductor device that cannot be erased becomes possible.
〔実施例１〕
次に、不発明を、図面に示す実施例に基づいて説明する
。[Example 1] Next, the invention will be described based on an example shown in the drawings.
第１図は不発明に用いるＩＣバクケージの断面を示す。FIG. 1 shows a cross section of an IC back cage used in the invention.
このバクケージは、ガラスエポキシ基板に、所望の配線
パターンにされたｇ４箔から成るような導体層２を形成
し、該導体層２と上記と同様な鋼箔から構成された下部
電極としての導体層３とをスルーホール導体層形成技術
によって形成される導体層４によって電気的に接続する
。この導体層２上の所定位置にＥＰＲＯＭ素子５ｆｔダ
イボンデイングし、該素子５上の電極６と導体層２とを
コネクタ用ワイヤ７によりワイヤボンディング方式によ
り接続する。当該ワイヤボンディング後、レジンポツテ
ィング時の流れ止め用に、刀ラスエポキシなどの材質で
成るボッティング砕８をエポキシ系の接着剤などでガラ
スエポキシフィルム基板１に取付け、最初に、紫外線透
過型レジン９ｆｊｔボツテイングし、それを硬化させる
ことによっ℃、ＥＰＲＯＭ素子５をモールドする。この
段階で全バイト書き込ろテストを行ない、書き込みがで
きるかどうかをチェックする。In this back cage, a conductor layer 2 made of G4 foil with a desired wiring pattern is formed on a glass epoxy substrate, and a conductor layer 2 as a lower electrode made of steel foil similar to the above conductor layer 2 is formed. 3 are electrically connected by a conductor layer 4 formed by a through-hole conductor layer forming technique. A 5ft EPROM element is die-bonded to a predetermined position on the conductor layer 2, and the electrode 6 on the element 5 and the conductor layer 2 are connected by a wire bonding method using a connector wire 7. After the wire bonding, to prevent the resin from flowing when potting the resin, a potting block 8 made of a material such as epoxy is attached to the glass epoxy film substrate 1 using an epoxy adhesive, and first, an ultraviolet transparent resin is attached. The EPROM element 5 is molded by bottling 9fjt and curing it at 9°C. At this stage, perform a test to write all bytes to check whether writing is possible.
次に、当該電子組立品を高温下に置くことによってエー
ジングを行なう。その後データ保持能力をチェックする
。チェック後、紫外線照射によりデータを消去する。こ
れによって、ＥＰＲＯＭ素子の記憶状態は、一番最初の
状態すなわち書き込みが行なわれ℃いない状態に戻る。The electronic assembly is then aged by placing it under high temperature. Then check the data retention ability. After checking, the data will be erased by UV irradiation. As a result, the storage state of the EPROM element returns to its initial state, ie, a state in which no writing has been performed.
従って後の書き込みが可能である。Therefore, later writing is possible.
次いで、消去できないように、上記紫外線透過型レジン
９の異面に、さらに、紫外線透過型レジン１（ｌボッチ
インクしてモールドする。Next, an ultraviolet transmissive resin 1 (1 mark) is inked and molded on a different surface of the ultraviolet transmissive resin 9 so that it cannot be erased.
紫外線透過型レジン９には、ＥＰＲＯＭ素子５のセル中
に捕獲され℃いる電荷（チャージ）がディスチャージ
できるようなエネルギーをもった光が透過するレジンが
使用され、透明レジンであって、例えばアクリル系レジ
ンなどが使用される。The ultraviolet transmitting resin 9 is a resin that transmits light having enough energy to discharge the charges trapped in the cells of the EPROM element 5, and is a transparent resin, such as an acrylic resin. Resin etc. are used.
一方、紫外線透過型レジン１０には、ＤＩＬ（デエアル
インライン）プラスチックパッケージなどの１］！１脂
封止型半導体装置のモールドレジンとして使用されてい
るエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などが使用される。On the other hand, the ultraviolet-transmissive resin 10 includes a DIL (Deal-In-Line) plastic package, etc. 1]! Epoxy resins, silicone resins, and the like, which are used as mold resins for 1-liquid-sealed semiconductor devices, are used.
〔実施例２〕
第２図はＩＣカードの一例平面図であり、第３図は第２
図Ｉ−Ｉ？ｆＪ断面図である。[Example 2] Fig. 2 is a plan view of an example of an IC card, and Fig. 3 is a plan view of an example of an IC card.
Figure I-I? It is an fJ sectional view.
第２図に示すようなＩＣカードにおいて、上記と同様に
して得られたＩＣモジュール１１が組み込みされる。図
示していないが、カード基材には当該モジー−ル埋設用
の凹部が設けられており、そこにＩＣモジュール１１が
第３図に示すように埋設される。In the IC card shown in FIG. 2, the IC module 11 obtained in the same manner as above is incorporated. Although not shown, the card base material is provided with a recess for embedding the module, and the IC module 11 is embedded therein as shown in FIG.
カード基材は、例えば硬質塩化ビニールより成るセンタ
コア１２に、オフセント印刷などで表裏に所望の絵柄１
３を印刷した後、透明硬質塩化ビニールで成るオーバー
シート１４を表裏に当てがい、ステンレスなどの鏡面に
仕上げられた２枚の金楓板に挾持せしめ加熱加圧し、所
望の積層体を得、上記した凹部な形成する。そして接着
剤１５によってＩＣモジュール１１がセンターコア１２
に密着したＩＣカードを得る。なお、第２図にて、１６
は磁気ストライプを示す。The card base material is made of, for example, a center core 12 made of hard vinyl chloride, and a desired pattern 1 is printed on the front and back sides by off-cent printing or the like.
After printing 3, an oversheet 14 made of transparent hard vinyl chloride is applied to the front and back sides, and the sheets are sandwiched between two mirror-finished gold maple plates made of stainless steel or the like and heated and pressurized to obtain the desired laminate. Form a concave part. Then, the IC module 11 is attached to the center core 12 by the adhesive 15.
Obtain an IC card that is in close contact with the In addition, in Figure 2, 16
indicates a magnetic stripe.
この第２実施例のＩＣモジュール１１は、第３図のよう
な構成にされている。すなわち、基板１の一衣面に導体
層２とともに、Ｅ Ｐ ｒｔＯＭ素子５、該素子５上の
電極６と導体層２とのコネクタ用ワイヤ７、ボクテイン
グ枠８、紫外線透過型レジン９、及び紫外線非透過型レ
ジン１０が設けられている。基板１の他の表面には、Ｉ
Ｃカードにおける外部電極として機能する導体層３が設
けられており、この導体層３は、基板１の頁通導体層４
？！′介して導体層２に電気的に結合されている。The IC module 11 of this second embodiment has a configuration as shown in FIG. That is, on one surface of the substrate 1, together with the conductor layer 2, there is an EP rtOM element 5, a connector wire 7 between the electrode 6 on the element 5 and the conductor layer 2, a boxing frame 8, an ultraviolet transmitting resin 9, and an ultraviolet ray transmitting resin 9. A non-transmissive resin 10 is provided. On the other surface of the substrate 1, I
A conductor layer 3 that functions as an external electrode in the C card is provided, and this conductor layer 3 is connected to the page-conducting conductor layer 4 of the substrate 1.
? ! ' is electrically coupled to the conductor layer 2 through the conductor layer 2.
本発明によれば、紫外線透過型レジン（透明レジン）９
をボッティング後、データリチンシラン（保持）など通
常のＤＩＬＧ（デュアルインラインガラス）パッケージ
並のチェックを行ない、後に紫外線非透過型（不透明レ
ジン）１（１’ボクテイングするので、製造工程におい
てＥ Ｆ ＲＯＭ素子５の素子特性をチェックすること
ができ、また、紫外線非透過型レジン１０でコートしで
あるので消去不可のＯＴＰ型Ｉ型上Ｃモジュールし、Ｏ
ＴＰ型ＩＣカードを得ることができ、これらは上記のご
と（チェック可能であり、また、チェック済であるので
信願度の高いものである。According to the present invention, ultraviolet transmitting resin (transparent resin) 9
After botting, we perform checks similar to normal DILG (dual in-line glass) packages, such as data retin silane (retention), and then perform UV non-transparent type (opaque resin) 1 (1' botting), so E F ROM is removed during the manufacturing process. It is possible to check the element characteristics of the element 5, and since it is coated with an ultraviolet opaque resin 10, it can be used as an OTP type I type upper C module that cannot be erased.
TP type IC cards can be obtained, and these can be checked (as described above), and have been checked, so they have a high degree of trust.
以上不発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で捌々変史ｈ
１能であることはいうまでもない。Although the invention made by the non-inventor has been specifically explained based on the examples above, the present invention is not limited to the above examples, and has undergone many changes without departing from the gist of the invention.
Needless to say, he is highly skilled.
例えば、上記実施例では紫外線透過型レジンの上に紫外
線非透過型レジンをポツティングし、コートする例を示
したが、紫外線透過型レジンによりモールドされた当該
素子組豆品を外部からの紫外線の侵入を阻止できる容器
内に収納してもよく、その他、紫外線により消去できな
いように、キャップを使用するなどの消去不可の形態に
するものであれば何でもよい。For example, in the above embodiment, a non-UV transparent resin is potted and coated on top of a UV transparent resin. It may be stored in a container that can prevent UV rays from being erased, or any other non-erasable form may be used, such as using a cap so that it cannot be erased by ultraviolet rays.
以上の説明では本発明のＩＣモジュールについてＰＬＣ
Ｃ（プラスチック・リードレス嗜チップ・キャリア）パ
ッケージに適用した場合について説明したが、セラミッ
クを使用するＬＣＣバクケージにも適用でざる。In the above explanation, the IC module of the present invention is
Although the case where the present invention is applied to a C (plastic leadless chip carrier) package has been described, it is not applicable to an LCC back cage using ceramic.
また、本発明におけるＩＣカードとは、マイクロコンビ
エータ、メモリなどのＩＣモジュール（チップ）？：装
着もしくは内蔵したチップカード、メモリカード、マイ
コンカード、電子カードなどと称されるカード類を総称
したもので、メモリカードの他各種のカード類を包含す
る。Also, the IC card in the present invention refers to an IC module (chip) such as a micro combinator or memory? : A general term for cards that are installed or built-in, such as chip cards, memory cards, microcomputer cards, electronic cards, etc., and includes various types of cards in addition to memory cards.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
本発明においてはレジンを内外層２層構造とするなどに
より消去可能となり、高信頼性のＯＴＰ型半導体装置が
得られた。In the present invention, the resin can be erased by forming the resin into a two-layer structure, such as an inner and outer layer, and a highly reliable OTP type semiconductor device has been obtained.
第１図は本発明の実施例を示すバクケージの一例を示す
断面構造図、
第２図はＩＣカードの一例を示す平面図、第３図は第２
図Ｉ−Ｉ線断面図である。
１・・・基板、２・・・導体層、３・・・下部電極、４
・・・スルーホール、５・・・Ｅ Ｌ？ ＲＯＭ素子、
６・・・１１極、７・・・コネクタ用ワイヤ、８・・・
ボクテイング枠、９・・・紫外線透過型レジン、１０・
・・紫外線非透過型レジン、１１・・・Ｉｃバクケージ
（モジュール）、１２・・・センタコア、１３・・・絵
柄、１４・・・オーバーシート、１５・・・接着剤、１
６・・・磁気ストライプ。Fig. 1 is a cross-sectional structural view showing an example of a back cage showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a plan view showing an example of an IC card, and Fig. 3 is a cross-sectional structural view showing an example of an IC card.
It is a sectional view taken along the line I-I in FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Substrate, 2... Conductor layer, 3... Lower electrode, 4
...Through hole, 5...E L? ROM element,
6...11 poles, 7...Connector wire, 8...
Boxing frame, 9... Ultraviolet transparent resin, 10.
...Ultraviolet opaque resin, 11...Ic back cage (module), 12...Center core, 13...Picture, 14...Oversheet, 15...Adhesive, 1
6...Magnetic stripe.
Claims (1)
形成された紫外線非透過型のレジンとによって覆かれて
なることを特徴とするワンタイムプログラム型半導体装
置。 ２、ＥＰＲＯＭ素子を紫外線透過型レジンにより被覆後
、当該素子組立品の素子特性をチェックし、次いで、紫
外線非透過型レジンでさらに前記紫外線透過型レジン表
面を被覆するかあるいは前記チェック後の当該素子組立
品を外部からの紫外線の侵入を阻止できる容器内に収納
して成るパッケージを用いたワンタイムプログラム型半
導体装置。 ３、各レジンの被覆が、それぞれボッティングにより行
われて成る、特許請求の範囲第２項記載のワンタイムプ
ログラム型半導体装置。[Scope of Claims] 1. A one-time program semiconductor device characterized in that an EPROM element is covered with an ultraviolet-transmissive resin and an ultraviolet-opaque resin formed thereon. 2. After coating the EPROM element with an ultraviolet-transmitting resin, check the element characteristics of the device assembly, and then further coating the surface of the ultraviolet-transmitting resin with a non-UV-transmitting resin, or A one-time programmable semiconductor device that uses a package in which an assembled product is housed in a container that prevents ultraviolet rays from entering from the outside. 3. The one-time programmable semiconductor device according to claim 2, wherein each resin coating is performed by botting.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8411786A JPS62241358A (en) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | One-time program type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8411786A JPS62241358A (en) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | One-time program type semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241358A true JPS62241358A (en) | 1987-10-22 |
Family
ID=13821574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8411786A Pending JPS62241358A (en) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | One-time program type semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62241358A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1986
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