JPH06163191A - 加速器およびこれを用いた半導体製造装置 - Google Patents
加速器およびこれを用いた半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH06163191A JPH06163191A JP30870492A JP30870492A JPH06163191A JP H06163191 A JPH06163191 A JP H06163191A JP 30870492 A JP30870492 A JP 30870492A JP 30870492 A JP30870492 A JP 30870492A JP H06163191 A JPH06163191 A JP H06163191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- anode
- accelerator
- ion beam
- negative ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高効率で大強度の負イオンビームが簡単で安
価に得られる加速器を提供することを目的としている。 【構成】 陽極１６と陰極１４の対向面が実質的に３０
〜６０度の角度をなして相対向するように構成すると共
に、引き出し電極４３を上記陰極または陽極の中心軸と
実質的に直角をなす方向に設けた。
価に得られる加速器を提供することを目的としている。 【構成】 陽極１６と陰極１４の対向面が実質的に３０
〜６０度の角度をなして相対向するように構成すると共
に、引き出し電極４３を上記陰極または陽極の中心軸と
実質的に直角をなす方向に設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマ放電を利用
して負イオン（特に負金属イオン）を発生させ加速する
加速器、およびこの加速器を用いた半導体製造装置に関
するものである。
して負イオン（特に負金属イオン）を発生させ加速する
加速器、およびこの加速器を用いた半導体製造装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、例えば刊行物（応用物理学会
誌，第６０巻，第７号，ｐｐ．７１６〜７１７（１９９
１））に示された従来の加速器を示す模式図で、図にお
いて、４０はプラズマ容器、４１はタ−ゲット、２３は
電源、４３はイオンビ−ム引き出し電極、４５はイオン
ビ−ム引き出し電源である。
誌，第６０巻，第７号，ｐｐ．７１６〜７１７（１９９
１））に示された従来の加速器を示す模式図で、図にお
いて、４０はプラズマ容器、４１はタ−ゲット、２３は
電源、４３はイオンビ−ム引き出し電極、４５はイオン
ビ−ム引き出し電源である。
【０００３】同図において，プラズマ容器４０の内部に
はＸｅとＣｓのプラズマが磁場（図には示さない）によ
り閉じ込められている。
はＸｅとＣｓのプラズマが磁場（図には示さない）によ
り閉じ込められている。
【０００４】上記構成に係る加速器の動作について説明
する。プラズマ容器４０内で電源２３により発生させた
プラズマ中の正イオン（Ｘｅ，Ｃｓ）は，タ−ゲット４
１とプラズマ間に形成する薄いイオンシ−ス中の電場に
より加速され，タ−ゲット４１をたたく。このスパッタ
リングによりタ−ゲットの金属原子は真空中に飛びだ
し，このとき，金属中の電子はトンネル効果により原子
に移行し，負イオンが生成する。こうして生成した負イ
オンはイオンビ−ム引き出し電極４３にイオンビ−ム引
き出し電源４５により正の電圧を印加することにより負
イオンビ−ムとしてプラズマ容器４０外の真空空間に引
き出される。
する。プラズマ容器４０内で電源２３により発生させた
プラズマ中の正イオン（Ｘｅ，Ｃｓ）は，タ−ゲット４
１とプラズマ間に形成する薄いイオンシ−ス中の電場に
より加速され，タ−ゲット４１をたたく。このスパッタ
リングによりタ−ゲットの金属原子は真空中に飛びだ
し，このとき，金属中の電子はトンネル効果により原子
に移行し，負イオンが生成する。こうして生成した負イ
オンはイオンビ−ム引き出し電極４３にイオンビ−ム引
き出し電源４５により正の電圧を印加することにより負
イオンビ−ムとしてプラズマ容器４０外の真空空間に引
き出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の加
速器では，高価なＸｅを使用しておりしかも負イオンビ
−ムの強度が弱く効率も悪いため、負イオンビ−ムの強
度を増大するためには多量のＸｅイオンを発生する必要
があり、このためのプラズマ容器すなわち加速器を大き
くしなければならず、コストが高くなるという問題があ
った。
速器では，高価なＸｅを使用しておりしかも負イオンビ
−ムの強度が弱く効率も悪いため、負イオンビ−ムの強
度を増大するためには多量のＸｅイオンを発生する必要
があり、このためのプラズマ容器すなわち加速器を大き
くしなければならず、コストが高くなるという問題があ
った。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、高効率で大強度の負イオンビ
ームが簡単で安価に得られる加速器を提供することを目
的としている。
るためになされたもので、高効率で大強度の負イオンビ
ームが簡単で安価に得られる加速器を提供することを目
的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る加
速器は、真空容器内で互いに相対する陽極と陰極で構成
される一対の電極、上記電極間でプラズマ放電を発生さ
せる電源、および上記電極間で発生するプラズマ放電に
より生成する負金属イオンをビ−ム状に引き出すための
引き出し電極と引き出し電源を備え、上記陽極と陰極の
対向面が実質的に３０〜６０度の角度をなして相対向す
るように構成すると共に、上記引き出し電極を上記陰極
または陽極の中心軸と実質的に直角をなす方向に設けた
ことを特徴とするものである。
速器は、真空容器内で互いに相対する陽極と陰極で構成
される一対の電極、上記電極間でプラズマ放電を発生さ
せる電源、および上記電極間で発生するプラズマ放電に
より生成する負金属イオンをビ−ム状に引き出すための
引き出し電極と引き出し電源を備え、上記陽極と陰極の
対向面が実質的に３０〜６０度の角度をなして相対向す
るように構成すると共に、上記引き出し電極を上記陰極
または陽極の中心軸と実質的に直角をなす方向に設けた
ことを特徴とするものである。
【０００８】請求項２の発明に係る加速器は、陽極に負
イオンとして引き出す金属を使用し、陰極にタングステ
ンより仕事関数の小さい金属を使用することを特徴とす
るものである。
イオンとして引き出す金属を使用し、陰極にタングステ
ンより仕事関数の小さい金属を使用することを特徴とす
るものである。
【０００９】請求項３の発明に係る加速器は、プラズマ
放電として収縮アーク放電を用いるかまたは電流密度が
１〜２Ａ／ｍｍ2以上のアーク放電を 用いることを特徴
とするものである。
放電として収縮アーク放電を用いるかまたは電流密度が
１〜２Ａ／ｍｍ2以上のアーク放電を 用いることを特徴
とするものである。
【００１０】請求項４の発明に係る加速器は、陽極は棒
状または針状で陰極は板状の電極形状とすることを特徴
とするものである。
状または針状で陰極は板状の電極形状とすることを特徴
とするものである。
【００１１】請求項５の発明に係る加速器は、陽極はリ
ング状で陰極は筒状の電極形状とすることを特徴とする
ものである。
ング状で陰極は筒状の電極形状とすることを特徴とする
ものである。
【００１２】請求項６の発明に係る半導体製造装置は、
上記請求項第１項ないし第５項の何れかに記載の加速器
を用いて、不純物イオンの注入プロセスにおいて負イオ
ンビームの発生と加速を行うものである。
上記請求項第１項ないし第５項の何れかに記載の加速器
を用いて、不純物イオンの注入プロセスにおいて負イオ
ンビームの発生と加速を行うものである。
【００１３】
【作用】請求項１のように構成された加速器では、負イ
オンビームがプラズマ放電から陰極または陽極の中心軸
にほぼ直角方向に引き出されるので、高価なＸｅ等を必
要とせず、しかも高効率で大強度の負イオンビームが引
き出される。
オンビームがプラズマ放電から陰極または陽極の中心軸
にほぼ直角方向に引き出されるので、高価なＸｅ等を必
要とせず、しかも高効率で大強度の負イオンビームが引
き出される。
【００１４】また、請求項２のように構成された加速器
では、より高い負イオンの生成効率が得られる。
では、より高い負イオンの生成効率が得られる。
【００１５】また、請求項３のように構成された加速器
では、より大強度の負イオンビームが得られる。
では、より大強度の負イオンビームが得られる。
【００１６】また、請求項４のように構成された加速器
では、指向性の良い負イオンビームが得られる。
では、指向性の良い負イオンビームが得られる。
【００１７】また、請求項５のように構成された加速器
では、収束性の良い負イオンビームが得られる。
では、収束性の良い負イオンビームが得られる。
【００１８】さらに、請求項６のように構成された半導
体製造装置では、安価でしかも基板に正イオンが帯電す
ることにより発生する基板を貫通する放電を防止でき
る。
体製造装置では、安価でしかも基板に正イオンが帯電す
ることにより発生する基板を貫通する放電を防止でき
る。
【００１９】
実施例１．次に本発明の一実施例による加速器について
説明する。図１は本発明による加速器の一実施例を示
し、図６と同一または相当部分は同一符号を附してその
説明は省略する。同図において、ア−ク電源２３の正の
高圧端子は陽極１６に電気的に接続され、低圧端子は真
空容器１０を介して陰極１４に電気的に接続されてい
る。負イオンビ−ム引き出し電源４５の正の高圧端子は
負イオンビ−ム引き出し電極４３に電気的に接続され、
低圧端子は真空容器１０を介して陰極１４に電気的に接
続されている。４６は真空排気装置である。陽極１６と
しては負イオンとして引き出す金属、例えばＣｕ、Ａ
ｌ、Ｆｅを用い、陰極１４としては例えば仕事関数４．
１〜４．２ｅＶのＺｎや、４．７ｅＶのＷなどの金属を
用いる。この場合、陰極１４としてはできるだけ仕事関
数の小さい金属を用いた方が負イオンの生成効率が良く
なることが、発明者等の研究により明かにされており、
Ｗより仕事関数の小さい金属を用いるのが望ましい。ま
た、陽極１６と陰極１４の対向面が実質的に３０〜６０
度（この例では４５度）の角度をなして相対向するよう
に構成すると共に、引き出し電極４３が陰極１４または
陽極１６の中心軸と実質的に直角をなす方向に設けられ
ている。
説明する。図１は本発明による加速器の一実施例を示
し、図６と同一または相当部分は同一符号を附してその
説明は省略する。同図において、ア−ク電源２３の正の
高圧端子は陽極１６に電気的に接続され、低圧端子は真
空容器１０を介して陰極１４に電気的に接続されてい
る。負イオンビ−ム引き出し電源４５の正の高圧端子は
負イオンビ−ム引き出し電極４３に電気的に接続され、
低圧端子は真空容器１０を介して陰極１４に電気的に接
続されている。４６は真空排気装置である。陽極１６と
しては負イオンとして引き出す金属、例えばＣｕ、Ａ
ｌ、Ｆｅを用い、陰極１４としては例えば仕事関数４．
１〜４．２ｅＶのＺｎや、４．７ｅＶのＷなどの金属を
用いる。この場合、陰極１４としてはできるだけ仕事関
数の小さい金属を用いた方が負イオンの生成効率が良く
なることが、発明者等の研究により明かにされており、
Ｗより仕事関数の小さい金属を用いるのが望ましい。ま
た、陽極１６と陰極１４の対向面が実質的に３０〜６０
度（この例では４５度）の角度をなして相対向するよう
に構成すると共に、引き出し電極４３が陰極１４または
陽極１６の中心軸と実質的に直角をなす方向に設けられ
ている。
【００２０】次に動作について説明する。陽極１６と陰
極１４間に発生したア−クの放電電流密度が１〜２Ａ／
ｍｍ2以上になると陽極輝点が発生し、陽極金属の蒸気
や正イオンが電極間に放出されて、陰極表面や陰極付近
で陰極金属の蒸気や電子と相互作用することにより陽極
金属の負イオンが生成する。この負イオンは引き出し電
極４３とア−ク空間の間に引き出し電源４５から印加さ
れた電界により容易に負イオンビ−ムとして引き出せ
る。
極１４間に発生したア−クの放電電流密度が１〜２Ａ／
ｍｍ2以上になると陽極輝点が発生し、陽極金属の蒸気
や正イオンが電極間に放出されて、陰極表面や陰極付近
で陰極金属の蒸気や電子と相互作用することにより陽極
金属の負イオンが生成する。この負イオンは引き出し電
極４３とア−ク空間の間に引き出し電源４５から印加さ
れた電界により容易に負イオンビ−ムとして引き出せ
る。
【００２１】このさい、図２に示すように陽極１６を針
状または棒状、陰極１４を板状とすることにより指向性
の良いビ−ムとして引き出せる。
状または棒状、陰極１４を板状とすることにより指向性
の良いビ−ムとして引き出せる。
【００２２】実施例２．さらに、図３に示すように陽極
１６をリング状、陰極１４を円筒状とすることにより収
束性の良いビ−ムとして引き出せる。
１６をリング状、陰極１４を円筒状とすることにより収
束性の良いビ−ムとして引き出せる。
【００２３】また、本発明による加速器は半導体製造装
置，薄膜形成装置，医療用装置，あるいは素粒子・原子
核実験や核融合研究装置において必要である負イオンビ
−ムの加速器として使用でき、Ｘｅ、Ｃｓ等のガスを用
いなくてもよいので装置のコストが安価になる。また、
特に半導体製造装置に用いた場合には、コストが安価に
なることに加えて基板に正イオンが帯電することにより
発生する基板を貫通する放電を防止できる。
置，薄膜形成装置，医療用装置，あるいは素粒子・原子
核実験や核融合研究装置において必要である負イオンビ
−ムの加速器として使用でき、Ｘｅ、Ｃｓ等のガスを用
いなくてもよいので装置のコストが安価になる。また、
特に半導体製造装置に用いた場合には、コストが安価に
なることに加えて基板に正イオンが帯電することにより
発生する基板を貫通する放電を防止できる。
【００２４】実施例３．図４には半導体製造装置におい
て必要である不純物元素のイオンを注入するための加速
器としてこの発明の一実施例による加速器を用いた場合
を示し、負イオン加速器５０により発生したＰやＢなど
の負イオンビ−ムを質量分析器５１を通して電子を分離
した後、収束レンズ５２により回転円板３２に取り付け
たＳｉ等の基板３１へ注入するものである。従来装置で
は、正イオンが用いられており、正イオンは寿命が長
く、基板３１が正に帯電することにより高電界が発生し
て、基板３１を貫通して放電が発生するという問題点が
あった。これに対して、この実施例では寿命の短い負イ
オンを用いることにより、帯電による高電界が発生しな
いので、基板３１を貫通する放電は起こらない。
て必要である不純物元素のイオンを注入するための加速
器としてこの発明の一実施例による加速器を用いた場合
を示し、負イオン加速器５０により発生したＰやＢなど
の負イオンビ−ムを質量分析器５１を通して電子を分離
した後、収束レンズ５２により回転円板３２に取り付け
たＳｉ等の基板３１へ注入するものである。従来装置で
は、正イオンが用いられており、正イオンは寿命が長
く、基板３１が正に帯電することにより高電界が発生し
て、基板３１を貫通して放電が発生するという問題点が
あった。これに対して、この実施例では寿命の短い負イ
オンを用いることにより、帯電による高電界が発生しな
いので、基板３１を貫通する放電は起こらない。
【００２５】実施例４．図５にはＴａＮ，ＺｒＮ，Ｔｉ
Ｎ，ＡｌＮ，ＣｕＮ，ＣｒＮ等の窒化物やＣｕＯ，Ｃｒ
Ｏ，ＴｉＯ，ＰｂＴｉＯ等の酸化物、あるいはＺｒＢ，
ＴｉＢ等の硼化物等の薄膜形成装置において必要である
加速器としてこの発明の一実施例による加速器を用いた
場合を示し、回転円板３２に取り付けた基板３１上への
負イオン加速器５０による金属の蒸着と気体イオン源５
３によるＮ，Ｏ，Ｂ等の正イオンの照射を行ない各々窒
化物，酸化物あるいは硼化物を成膜するものである。こ
の場合、Ｘｅ、Ｃｓ等のガスを用いなくてもよいので装
置のコストが安価になる。
Ｎ，ＡｌＮ，ＣｕＮ，ＣｒＮ等の窒化物やＣｕＯ，Ｃｒ
Ｏ，ＴｉＯ，ＰｂＴｉＯ等の酸化物、あるいはＺｒＢ，
ＴｉＢ等の硼化物等の薄膜形成装置において必要である
加速器としてこの発明の一実施例による加速器を用いた
場合を示し、回転円板３２に取り付けた基板３１上への
負イオン加速器５０による金属の蒸着と気体イオン源５
３によるＮ，Ｏ，Ｂ等の正イオンの照射を行ない各々窒
化物，酸化物あるいは硼化物を成膜するものである。こ
の場合、Ｘｅ、Ｃｓ等のガスを用いなくてもよいので装
置のコストが安価になる。
【００２６】また、医療用装置においてはＣやＳｉ等、
原子核・素粒子実験や核融合研究装置においてはＴａ，
Ｐｂ，Ｐｄ，Ｕなどの負イオンビ−ムの加速器を用いた
場合にも上記実施例４と同様の効果が得られる。
原子核・素粒子実験や核融合研究装置においてはＴａ，
Ｐｂ，Ｐｄ，Ｕなどの負イオンビ−ムの加速器を用いた
場合にも上記実施例４と同様の効果が得られる。
【００２７】その他の適用例としては、セラミックスへ
のＡｕや、光ファイバ−へのＬｉ，Ｃ等の負イオン注入
用の加速器として使える。
のＡｕや、光ファイバ−へのＬｉ，Ｃ等の負イオン注入
用の加速器として使える。
【００２８】なお、上記各図１、５では真空容器１０と
真空排気装置４６が接続されたものを示したが、真空容
器１０と真空排気装置４６が真空弁により分離されたも
のでもよく、真空容器１０を排気後に真空弁で封止切る
ことにより真空排気装置４６と切り離すことができる。
真空排気装置４６が接続されたものを示したが、真空容
器１０と真空排気装置４６が真空弁により分離されたも
のでもよく、真空容器１０を排気後に真空弁で封止切る
ことにより真空排気装置４６と切り離すことができる。
【００２９】また，相対向する電極は一対のものを示し
たが複数対であってもよい。
たが複数対であってもよい。
【００３０】また、陽極１６に使用する金属は上記以外
の金属や半導体でもよく負イオンとして生成するもので
あれば何でもよい。
の金属や半導体でもよく負イオンとして生成するもので
あれば何でもよい。
【００３１】また、上記実施例では何れもプラズマ放電
としてアーク放電を用いた場合について説明したが、こ
れに限るものではなく例えばグロー放電であってもよ
い。
としてアーク放電を用いた場合について説明したが、こ
れに限るものではなく例えばグロー放電であってもよ
い。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、真空容器内で互いに相対する陽極と陰極で構成され
る一対の電極、上記電極間でプラズマ放電を発生させる
電源、および上記電極間で発生するプラズマ放電により
生成する負金属イオンをビ−ム状に引き出すための引き
出し電極と引き出し電源を備え、上記陽極と陰極の対向
面が実質的に３０〜６０度の角度をなして相対向するよ
うに構成すると共に、上記引き出し電極を上記陰極また
は陽極の中心軸と実質的に直角をなす方向に設けたの
で、負イオンビームがプラズマ放電から陰極または陽極
の中心軸にほぼ直角方向に引き出されるので、高効率で
大強度の負イオンビームが引き出される。
ば、真空容器内で互いに相対する陽極と陰極で構成され
る一対の電極、上記電極間でプラズマ放電を発生させる
電源、および上記電極間で発生するプラズマ放電により
生成する負金属イオンをビ−ム状に引き出すための引き
出し電極と引き出し電源を備え、上記陽極と陰極の対向
面が実質的に３０〜６０度の角度をなして相対向するよ
うに構成すると共に、上記引き出し電極を上記陰極また
は陽極の中心軸と実質的に直角をなす方向に設けたの
で、負イオンビームがプラズマ放電から陰極または陽極
の中心軸にほぼ直角方向に引き出されるので、高効率で
大強度の負イオンビームが引き出される。
【００３３】また、請求項２の発明によれば、陽極に負
イオンとして引き出す金属を使用し、陰極にタングステ
ンより仕事関数の小さい金属を使用するので、より高い
負イオンの生成効率が得られる。
イオンとして引き出す金属を使用し、陰極にタングステ
ンより仕事関数の小さい金属を使用するので、より高い
負イオンの生成効率が得られる。
【００３４】また、請求項３の発明によれば、プラズマ
放電として収縮アーク放電を用いるかまたは電流密度が
１〜２Ａ／ｍｍ2以上のアーク放電を用いるので、より
大強度の負イオンビームが得られる。
放電として収縮アーク放電を用いるかまたは電流密度が
１〜２Ａ／ｍｍ2以上のアーク放電を用いるので、より
大強度の負イオンビームが得られる。
【００３５】また、請求項４の発明によれば、陽極は棒
状または針状で陰極は板状の電極形状とするので、指向
性の良い負イオンビームが得られる。
状または針状で陰極は板状の電極形状とするので、指向
性の良い負イオンビームが得られる。
【００３６】また、請求項５の発明によれば、陽極はリ
ング状で陰極は筒状の電極形状とするので、収束性の良
い負イオンビームが得られる。
ング状で陰極は筒状の電極形状とするので、収束性の良
い負イオンビームが得られる。
【００３７】さらに、請求項６の発明によれば、上記請
求項第１項ないし第５項の何れかに記載の加速器を用い
て、不純物イオンの注入プロセスにおいて負イオンビー
ムの発生と加速を行うので、装置が安価にでき、しかも
基板に正イオンが帯電することによる基板を貫通する放
電を防止できる。
求項第１項ないし第５項の何れかに記載の加速器を用い
て、不純物イオンの注入プロセスにおいて負イオンビー
ムの発生と加速を行うので、装置が安価にでき、しかも
基板に正イオンが帯電することによる基板を貫通する放
電を防止できる。
【図１】この発明の実施例１による加速器を示す構成図
である。
である。
【図２】実施例１による加速器の要部を示す構成図であ
る。
る。
【図３】この発明の実施例２による加速器の要部を示す
構成図である。
構成図である。
【図４】この発明の実施例３による加速器を半導体製造
装置に適用した例を示す構成図である。
装置に適用した例を示す構成図である。
【図５】この発明の実施例４による加速器を薄膜形成装
置に適用した例を示す構成図である。
置に適用した例を示す構成図である。
【図６】従来の加速器を示す構成図である。
１０ 真空容器 １４ 陰極 １６ 陽極 ２３ ア−ク電源 ３１ 基板 ３２ 回転円板 ４３ イオンビーム引き出し電極 ４５ イオンビーム引き出し電源 ５１ 質量分析器 ５２ 収束レンズ ５３ 気体イオン源
Claims (6)
- 【請求項１】 真空容器内で互いに相対する陽極と陰極
で構成される一対の電極、上記電極間でプラズマ放電を
発生させる電源、および上記電極間で発生するプラズマ
放電により生成する負金属イオンをビ−ム状に引き出す
ための引き出し電極と引き出し電源を備え、上記陽極と
陰極の対向面が実質的に３０〜６０度の角度をなして相
対向するように構成すると共に、上記引き出し電極を上
記陰極または陽極の中心軸と実質的に直角をなす方向に
設けたことを特徴とする加速器。 - 【請求項２】 陽極に負イオンとして引き出す金属を使
用し、陰極にタングステンより仕事関数の小さい金属を
使用することを特徴とする請求項第１項記載の加速器。 - 【請求項３】 プラズマ放電として収縮アーク放電を用
いるかまたは電流密度が１〜２Ａ／ｍｍ2以上のアーク
放電を用いることを特徴とする請求項第１項または第２
項記載の加速器。 - 【請求項４】 陽極は棒状または針状で陰極は板状の電
極形状とすることを特徴とする請求項第１項ないし第３
項の何れかに記載の加速器。 - 【請求項５】 陽極はリング状で陰極は筒状の電極形状
とすることを特徴とする請求項第１項ないし第３項の何
れかに記載の加速器。 - 【請求項６】 上記請求項第１項ないし第５項の何れか
に記載の加速器を用いて、不純物イオンの注入プロセス
において負イオンビームの発生と加速を行うことを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30870492A JPH06163191A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 加速器およびこれを用いた半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30870492A JPH06163191A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 加速器およびこれを用いた半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163191A true JPH06163191A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17984280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30870492A Pending JPH06163191A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 加速器およびこれを用いた半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163191A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11087461B2 (en) | 2016-06-28 | 2021-08-10 | Sony Corporation | Image processing device, image processing method, medical imaging system |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP30870492A patent/JPH06163191A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11087461B2 (en) | 2016-06-28 | 2021-08-10 | Sony Corporation | Image processing device, image processing method, medical imaging system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0055326B1 (en) | System and method for deflecting and focusing a broad plasma beam | |
| TW201705179A (zh) | 離子束裝置、離子植入裝置、離子束放出方法 | |
| US4737688A (en) | Wide area source of multiply ionized atomic or molecular species | |
| Hernandez-Garcia et al. | Compact− 300 kV dc inverted insulator photogun with biased anode and alkali-antimonide photocathode | |
| US4851668A (en) | Ion source application device | |
| JP2849771B2 (ja) | スパッタ型イオン源 | |
| JPH06163191A (ja) | 加速器およびこれを用いた半導体製造装置 | |
| US4939425A (en) | Four-electrode ion source | |
| US6084241A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices and apparatus therefor | |
| Rogov et al. | A discharge cell that combines a magnetron and a hollow cathode for cleaning substrates and subsequent deposition of coatings | |
| US20220285123A1 (en) | Ion gun and ion milling machine | |
| JP3606842B2 (ja) | 電子銃および電子ビーム照射処理装置 | |
| JP2020173984A (ja) | イオン源及びイオン注入装置並びにマグネシウムイオン生成方法 | |
| JPS62235484A (ja) | 薄膜装置 | |
| US11600473B2 (en) | Ion source with biased extraction plate | |
| JP5625965B2 (ja) | Ｘ線管 | |
| Fusellier et al. | A microwave plasma cathode electron gun for ion beam neutralization | |
| JPH04154036A (ja) | スパッタイオンポンプ | |
| JPH0665200B2 (ja) | 高速原子線源装置 | |
| JP2627420B2 (ja) | 高速原子線源 | |
| JP2769506B2 (ja) | イオン源 | |
| EP0095879B1 (en) | Apparatus and method for working surfaces with a low energy high intensity ion beam | |
| JP2000080470A (ja) | 偏向器を有するスパッタリング装置 | |
| JPS6320450A (ja) | 基板のクリ−ニング装置 | |
| JPH08241687A (ja) | Ｅｃｒ型イオン源 |