JPH06162988A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH06162988A JPH06162988A JP4305747A JP30574792A JPH06162988A JP H06162988 A JPH06162988 A JP H06162988A JP 4305747 A JP4305747 A JP 4305747A JP 30574792 A JP30574792 A JP 30574792A JP H06162988 A JPH06162988 A JP H06162988A
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- JP
- Japan
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- cover
- opening
- bellows
- ion
- valve
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 abstract description 9
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 abstract description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、摺動シール部を無くすことによ
り、摩耗・発塵を防止すると共に構造を簡単にし保守点
検を不要にしたイオン注入装置を提供する。 【構成】 ディスク8を収容して、上下動作をカバー1
と、イオン源16に接続されたバルブ15との間をベロ
ーズ18で接続したことを特徴とする。 【効果】 本発明により、構造が簡単で、保守・点検が
不要で、安定した品質のイオン注入装置が提供できる。
り、摩耗・発塵を防止すると共に構造を簡単にし保守点
検を不要にしたイオン注入装置を提供する。 【構成】 ディスク8を収容して、上下動作をカバー1
と、イオン源16に接続されたバルブ15との間をベロ
ーズ18で接続したことを特徴とする。 【効果】 本発明により、構造が簡単で、保守・点検が
不要で、安定した品質のイオン注入装置が提供できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造装置で
あるイオン注入装置に関する。
あるイオン注入装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子製造に使用されるイオン注入
装置の構造を図2と図3に示す。図2は側断面図、図3
はその拡大図である。図2において、1は上下方向に長
径の開口部1aを有するカバー,2はカバー1を上下方
向に支持しているシリンダ,3はモーター,4はモータ
3の軸に連結したボールスクリュ,5はボールスクリュ
4にねじ込まれたナットで、カバー1に連結され、モー
タ3の回転によりカバー1を上下させている。シリンダ
2,モータ3,ボールスクリュ4,ナット5により上下
動作機構6を構成している。
装置の構造を図2と図3に示す。図2は側断面図、図3
はその拡大図である。図2において、1は上下方向に長
径の開口部1aを有するカバー,2はカバー1を上下方
向に支持しているシリンダ,3はモーター,4はモータ
3の軸に連結したボールスクリュ,5はボールスクリュ
4にねじ込まれたナットで、カバー1に連結され、モー
タ3の回転によりカバー1を上下させている。シリンダ
2,モータ3,ボールスクリュ4,ナット5により上下
動作機構6を構成している。
【0003】7は、カバー1内を開口部1aと反対側を
隔離しているチャンバ,8は、カバー1を開口部1a側
に配置されウェーハを固定し回転動作を行うディスク、
9はチャンバ7を貫通して、ディスク8を接続されたモ
ータ10の回転軸を支持する磁性流体シールである。
隔離しているチャンバ,8は、カバー1を開口部1a側
に配置されウェーハを固定し回転動作を行うディスク、
9はチャンバ7を貫通して、ディスク8を接続されたモ
ータ10の回転軸を支持する磁性流体シールである。
【0004】カバー1の開口部1aを拡大した側断面図
を図3に示す。図3において、カバー1の開口部1aの
外側に長径のリング状の溝1bがあり、この溝1b内に
弾力性のある材料からなるOリング11とすべりの良い
テフロン等からなるリング12を順次挿入し、小口13
aを貫通したスライディングシールプレート13に密着
させている。この溝1bは、外部の低真空ポンプ14
(図2参照)に接続されカバー1とスライディングシー
ルプレート13が相対的に移動しても、チャンパ7内の
気密性を保つようにしている。なお図示例では溝1b
は、1つしか示していないが、多重に設け各溝にOリン
グ11及びテフロンリング12を挿入して、気密性を確
実にしている。
を図3に示す。図3において、カバー1の開口部1aの
外側に長径のリング状の溝1bがあり、この溝1b内に
弾力性のある材料からなるOリング11とすべりの良い
テフロン等からなるリング12を順次挿入し、小口13
aを貫通したスライディングシールプレート13に密着
させている。この溝1bは、外部の低真空ポンプ14
(図2参照)に接続されカバー1とスライディングシー
ルプレート13が相対的に移動しても、チャンパ7内の
気密性を保つようにしている。なお図示例では溝1b
は、1つしか示していないが、多重に設け各溝にOリン
グ11及びテフロンリング12を挿入して、気密性を確
実にしている。
【0005】15は、スライディングシールプレート1
3とイオン源16との間に配置され両者を接続し、両者
間を開閉するバルブである。
3とイオン源16との間に配置され両者を接続し、両者
間を開閉するバルブである。
【0006】以下にこの装置の動作を説明する。
【0007】ディスク8に同心円上に多数枚のウェーハ
17を固定し、カバー1を上下動機構6によって上死点
まで持っていき、モータ10によりディスク8を回転さ
せ、バルブ15を開しイオン源16を作動させ、ウェー
ハ17上にイオンを照射する。この間上下動機構により
カバー1を上死点位置に上昇させカバー内のウェーハを
交換し、上記動作を繰り返す。
17を固定し、カバー1を上下動機構6によって上死点
まで持っていき、モータ10によりディスク8を回転さ
せ、バルブ15を開しイオン源16を作動させ、ウェー
ハ17上にイオンを照射する。この間上下動機構により
カバー1を上死点位置に上昇させカバー内のウェーハを
交換し、上記動作を繰り返す。
【0008】カバーの上下動の際に、カバー1の開口部
1aは、溝1b内のOリング11がテフロンリング12
をスライディングシールプレート13に密着させるとと
もに、溝16内を低真空ポンプ14で引くことにより、
真空状態を保っている。
1aは、溝1b内のOリング11がテフロンリング12
をスライディングシールプレート13に密着させるとと
もに、溝16内を低真空ポンプ14で引くことにより、
真空状態を保っている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、カバーの上
下動の際に溝16内のOリング11の弾性によりテフロ
ンリング12が、スライディングシールプレート13に
押しつけられ、面方向に移動するため、摩擦が大きく、
削れやすく、異物が発生し、テフロンリング12が浮き
上がり、リークが起こりやすい。
下動の際に溝16内のOリング11の弾性によりテフロ
ンリング12が、スライディングシールプレート13に
押しつけられ、面方向に移動するため、摩擦が大きく、
削れやすく、異物が発生し、テフロンリング12が浮き
上がり、リークが起こりやすい。
【0010】さらに、発生した異物が、チャンバ7の内
部に入り、ガスを発生して、真空度を低下させたり、ウ
ェーハ17に付着したりするため、品質低下の原因にな
っている。
部に入り、ガスを発生して、真空度を低下させたり、ウ
ェーハ17に付着したりするため、品質低下の原因にな
っている。
【0011】上記の悪影響のため、1週間に1度、スラ
イディングシールプレート13とテフロンリング12と
Oリング11を清掃しなければならない。
イディングシールプレート13とテフロンリング12と
Oリング11を清掃しなければならない。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、開口部を有し、上下動
するカバー内に回転ディスクを収容したチャンバを、回
転ディスクの一部を開口部に露出させて配置し、上記カ
バーの開口部をバルブを介して、イオン源に接続したイ
オン注入装置において、上記カバーとバルブをベローズ
にて接続したことを特徴とするイオン注入装置を提供す
る。
を目的として提案されたもので、開口部を有し、上下動
するカバー内に回転ディスクを収容したチャンバを、回
転ディスクの一部を開口部に露出させて配置し、上記カ
バーの開口部をバルブを介して、イオン源に接続したイ
オン注入装置において、上記カバーとバルブをベローズ
にて接続したことを特徴とするイオン注入装置を提供す
る。
【0013】
【作用】上記構成により、摺動部の摩擦による発塵を防
止し、カバーとベローズの間で気密性を保持した状態で
カバーを上下動させることができる。
止し、カバーとベローズの間で気密性を保持した状態で
カバーを上下動させることができる。
【0014】
【実施例】以下に本発明の実施例を図2装置に適用し
た。図1により説明する。図において、図2と同一符号
は、同一物を示し、説明を省略する。本発明装置は、図
2に示す装置と相違する点は、カバー1とバルブ15と
の間の接続部分にベローズ18を用いたことのみであ
る。
た。図1により説明する。図において、図2と同一符号
は、同一物を示し、説明を省略する。本発明装置は、図
2に示す装置と相違する点は、カバー1とバルブ15と
の間の接続部分にベローズ18を用いたことのみであ
る。
【0015】ベローズ18は、材質はステンレスで、バ
ルブ15から、カバー1に向かって拡開している。カバ
ー1との接続部の径は、カバー1の開口部1aにより決
定される。
ルブ15から、カバー1に向かって拡開している。カバ
ー1との接続部の径は、カバー1の開口部1aにより決
定される。
【0016】上記構成により、カバー1の上下動の際
に、図3に示すようにテフロンリング12がスライディ
ングシールプレート13に押しつけられ摩擦することが
ないため、異物の発生がなく、リークは生起しない。
に、図3に示すようにテフロンリング12がスライディ
ングシールプレート13に押しつけられ摩擦することが
ないため、異物の発生がなく、リークは生起しない。
【0017】その結果、イオン注入の品質が安定し、保
守・点検が不要となり、部品交換も不要となる。
守・点検が不要となり、部品交換も不要となる。
【0018】さらに構造が簡単になり、低真空ポンプも
不要となる。
不要となる。
【0019】
【発明の効果】本発明は、スライディングシールプレー
ト・テフロンリング・Oリングをなくし、ベローズに変
更したことによって、摺動部の摩擦によるゴミの発塵、
気密性保持部分の破壊を防止するとともに構造が簡単で
保守点検が不要で、安定した品質のイオン注入ができ
る。
ト・テフロンリング・Oリングをなくし、ベローズに変
更したことによって、摺動部の摩擦によるゴミの発塵、
気密性保持部分の破壊を防止するとともに構造が簡単で
保守点検が不要で、安定した品質のイオン注入ができ
る。
【図1】 本発明の実施例を示す側断面図
【図2】 従来のイオン注入装置の1例を示す側断面図
【図3】 図2の要部拡大即断面図
1 カバー 1a 開口部 7 チャンバ 8 ディスク 15 バルブ 16 イオン源 18 ベローズ
Claims (3)
- 【請求項1】開口部を有し、上下動するカバー内に、回
転ディスクを収容したチャンバを、回転ディスクの一部
を開口部に露出させて配置し、上記カバーの開口部をバ
ルブを介して、イオン源に接続したイオン注入装置にお
いて、上記カバーとバルブをベローズにて接続したこと
を特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項2】前記ベローズはイオン源から開口部に向け
て拡開形成した請求項1に記載したイオン注入装置。 - 【請求項3】イオン源と、このイオン源からのイオンビ
ーム通路に配したバルブ手段と、回転ディスクを収容す
るチャンバと、このチャンバの回転ディスクの一部を露
呈させる開口部を有するカバー筺体と、このカバー蓋体
の開口部と前記バルブ手段とを結合するベローズを上下
動自在に構成したイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4305747A JPH06162988A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4305747A JPH06162988A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06162988A true JPH06162988A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17948860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4305747A Pending JPH06162988A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06162988A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160140362A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 플라즈마 생성장치 및 열전자 방출부 |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP4305747A patent/JPH06162988A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160140362A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 플라즈마 생성장치 및 열전자 방출부 |
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