JPH06162933A - 電子密度分布および電子ビームを測定する方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本願発明は、整列が容易なカラー受像管の電
子ビームの断面の電子密度分布を測定する装置を得るこ
とを目的とする。 【構成】 マスク手段により形成された輝度スポットの
画像を記録する画像コンバータカメラ19と、カラー受像
管の偏向装置17の駆動装置18と、電子密度分布と等価な
電子ビームの輝度分布を得るためにカメラによって記録
された画像を分析する分析装置20と、シーケンス制御装
置21とを具備し、このシーケンス制御装置21はシミュレ
ートされたマスク手段を発生し、電子密度分布を限定す
るために、電子ビームを段階的に変位するように駆動装
置18を駆動し、ステップの大きさは、変位ステップの前
に知覚可能になった各輝度スポットセグメントが変位ス
テップの後に知覚不可能になる大きさであり、分析装置
が全画像を蓄積し、電子ビームの輝度分布のために全体
的な画像に組立てることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はカラー受像管における電
子ビームの密度分布を測定する方法および装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】最初に、図６のａおよびｂを参照して従
来技術および本発明を表すために以下で使用されている
用語について説明する。図６のａはカラー受像管の輝度
スクリーンの部分的な平面図を概略的に示し、一方図６
のｂは電子ビームの密度分布を示す。 図６のａによる
輝度スクリーンは、赤に対してＲ、緑に対してＧ、青に
対してＢにより示された３つの異なるカラーのためのマ
トリクスストリップ10および蛍光体ストリップ11を有す
る。輝度スクリーン上でｘおよびｙ方向に走査される電
子ビームは各カラーと関連している。電子はスポット12
の形態でシャドウマスクマスク（示されていない）を透
過し、輝度スクリーンを照射する。図６のａによる例に
おいて、各スポットは 700μｍの高さおよび 220μｍの
幅を有する。隣接したスポットの始まりの間の垂直間隔
は 800μｍであり、水平間隔は 260μｍである。しかし
ながら、スポットはそれらの領域全体上ではなく、スポ
ットが蛍光体ストリップを照射する領域において輝度効
果を生成する。上記のディメンションは本質的にカラー
受像管の中心に与えられることが述べられるべきであ
る。蛍光体ストリップの幅は水平方向にエッジに向かっ
て大きくなり、スポット幅は小さくなる。垂直方向にお
いて、スポット幅はエッジに向かって小さくなる。

【０００３】ここで定められたような輝度領域は個々の
電子スポットが輝度効果を生成する輝度スクリーンの領
域はであるが、輝度セグメントはマスクの孔13を通して
知覚可能な輝度領域の一部分である。用語“輝度ドメイ
ン”は一般的な用語として使用される。輝度ドメインは
任意の輝度領域、例えばセグメントの一部分、或は複数
の輝度セグメントまたは領域であることが可能である。

【０００４】固定した電子ビームの境界を示すように設
計されたラインは図６のａにおいて円の破線のセグメン
トとして示されている。この境界はビームの最大輝度の
５％の位置で描かれる。輝度分布は図６のｂに示されて
いる。それは電子密度分布に本質的に対応し、したがっ
て後者は蛍光スクリーン上に電子ビームによって生成さ
れた輝度分布を測定することによって決定されることが
できる。

【０００５】シャドウマスクマスクが存在せず、スクリ
ーンが均一に蛍光体によって被覆され、電子ビームが良
好に形成されたならば、円形の電子スポットは蛍光スク
リーンを照射し、周辺が図６のａの破線14と一致する輝
度スポットをその上に生成する。しかしながら、この仮
定上の輝度スポットの少数の領域だけが実際に発光す
る。これらは図６のａに蛍光体ストリップＧ中の斜線に
よって示されている。この点においてカラー受像管が単
一の電子ビームにより動作されたとき、図６のａによる
全てのスポット12ではなく、放出された電子ビームに属
しているものだけ、例えば緑色放射蛍光体ストリップ中
の蛍光物質を励起するように設計されたものが知覚可能
であることが述べられるべきである。したがって、周辺
14と共に円内に存在するこれらの蛍光体ストリップの領
域だけが発光する。以下、電子スポットが論じられた場
合、シャドウマスクマスクが存在しない場合に、それは
単一の電子ビームによって発生される電子スポットとし
て理解されるべきである。“輝度スポット”は、蛍光ス
クリーンが蛍光体で均一に被覆されている場合、このよ
うな仮定上の電子スポットが発生するような領域を意味
すると理解されるであろう。

【０００６】カラー受像管中の電子ビームの断面上で観
察される電子密度分布を測定する既知のプロセスにおい
て、輝度スポットは付加的な光学系によりいくつかの環
境においてカメラとして動作する光感応性ダイオードに
より図６のａのマスク孔13を通して観察される。マスク
はマスク孔13を透過するもの以外の全ての光からダイオ
ードを遮蔽する。その後電子ビームは、その中心がマス
ク孔13と一致するように整列される（したがって図６の
ａにおける位置で始まると、少し上方に移動される必要
がある）。その後、電子ビームはマスク孔の下で水平に
および垂直に移動される。これは、水平中心線Ｈ（図６
のａ）に沿った輝度に対する局部プロフィールとして図
６のｂに示されたような時間に対する輝度のプロフィー
ルを生成する。垂直中心線に沿った輝度分布は、電子ビ
ームが円形対称的であるときには同じに見える。

【０００７】したがって、既知のプロセスは：電子ビー
ムを変位し、マスク手段の効果のために電子ビームが変
位されたときに、知覚可能な輝度スポットドメインの画
像を記録し、電子密度分布と本質的に同一である電子ビ
ームによって生成された輝度分布に関する結果を得るた
めに記録された画像を分析するステップを有している。

【０００８】既知の装置は：マスク手段と、［？ｗｏｒ
ｄ／ｓ ｍｉｓｓｉｎｇ］に関するマスク手段の動作に
より知覚可能な輝度スポットドメインの画像を記録する
カメラと、電子ビームがカメラに関して変位されるよう
に、カラー受像管上で偏向装置を駆動する駆動装置と、
電子密度分布と本質的に同じである電子ビームによって
生成された輝度分布に関する結果を得るためにカメラに
よって記録された画像を分析する分析装置とを具備して
いる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このプロセスおよび関
連した装置により、マスクは蛍光体ストリップの中心と
整列されなければならず、電子ビームはその中心が各場
合にマスク孔の中心と一致するようにマスク孔の背後に
おいてｘおよびｙ方向に移動されなければならない。こ
れらの面倒な整列工程は、スクリーン全体に対するビー
ム形状を試験するために異なるスクリーン位置で３つの
各電子ビームに対して反復されなければならない。上記
から明らかであるように、問題は整列努力を必要としな
い上記のタイプのプロセスおよび装置を提供することで
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による装置は上記
に示された装置特性を有し、カメラは画像コンバータカ
メラであり、シーケンス制御装置が存在し、これはシミ
ュレートされたマスク手段を発生するために、輝度スポ
ットが画像コンバータの全視界において生成される方法
で電子ビームを偏向するように駆動装置を駆動し、分析
装置が後での使用のために輝度スポットが画像化される
画像コンバータ領域内に存在する画像コンバータ領域を
選択するように分析装置を駆動し、選択された画像コン
バータ領域がシミュレートされたマスク手段のシミュレ
ートされたマスクスロットとして動作し、輝度スポット
セグメントが知覚可能であるように設計され、電子密度
分布を限定するために、電子ビームを段階的に変位する
ように駆動装置を駆動し、ステップの大きさは、変位ス
テップの前に知覚可能になった各輝度スポットセグメン
トが変位ステップの後に知覚不可能になる大きさであ
り、駆動は少なくとも水平方向において全ての輝度スポ
ットドメインが一度だけ知覚可能であったように多数の
ステップに対して発生し、画像コンバータカメラが第１
の変位ステップの前および別の各変位ステップの後に各
場合において知覚可能な輝度スポットセグメントの画像
を記録するように画像コンバータカメラを駆動し、分析
装置が全ての画像を蓄積し、電子ビームによって生成さ
れた輝度分布のために全体的な画像にそれらを組立てる
ように分析装置を駆動するように設計されていることを
特徴とする。

【００１１】本発明によるプロセスは上記に示された既
知のプロセスの処理ステップを具備し、さらに、画像を
記録するために画像コンバータカメラが使用され、シミ
ュレートされたマスク手段を発生するために、輝度スポ
ットが画像コンバータの視界全体において発生され、後
での使用のために選択された画像コンバータ領域が輝度
スポットが画像化される画像コンバータ領域内に位置し
ているものであり、これらの選択された画像コンバータ
領域は輝度スポットセグメントが知覚可能なシミュレー
トされたマスク手段のシミュレートされたマスクスロッ
トとして動作し、電子密度分布を限定するために、電子
ビームが段階的に変位され、ステップの大きさは、変位
ステップの前に知覚可能になった各輝度スポットセグメ
ントが変位ステップの後に知覚不可能になるような大き
さであり、駆動は少なくとも水平方向において全ての輝
度スポットドメインが一度だけ知覚可能であったように
多数のステップに対して発生し、画像コンバータカメラ
は第１の変位ステップの前および別の各変位ステップの
後に各場合において知覚可能な輝度スポットセグメント
の画像を記録するように駆動され、全ての画像は蓄積さ
れ、輝度分布のために全体的な画像に組立てられること
を特徴とする。

【００１２】本発明による装置およびプロセスにより、
第１にマスク手段は画像コンバータのある領域だけが画
像分析を許されることによってシミュレートされ、第２
に従来技術におけるように輝度分布の２つのセクション
が記録されることはなく、代わりとして全体的な（仮定
上の）輝度スポットに対する輝度分布が記録されるの
で、可能な限り正確にヒットされなければならないた
め、整列は全く必要ない。任意の所望のセクションは、
この方法で記録された全体画像中に電子手段によって容
易に適用されることができる。

【００１３】本発明による装置およびプロセスは、電子
ビームの段階的な変位により全ての輝度スポットドメイ
ンが記録されるように作用する。変位は偏向電流を変化
することによって発生させられる。考慮された各蛍光体
セグメントが前に考慮された隣接したセグメントと常に
直接隣接する各場合に電子ビームを変位するために、偏
向電流と変位ステップの大きさとの間の相関はできるだ
け正しく知られていなければならない。粗測定のため
に、この相関はそれぞれ特定の管のタイプおよびそれぞ
れ異なるスクリーン位置に対して適用され蓄積されるこ
とができる。しかしながら、各スクリーン位置に対して
実時間較正を行なうことはさらに正確である。このため
に、シミュレートされたマスク手段は、それがスロット
の長軸に垂直な方向において予め定められた距離だけ互
いに間隔を隔てられた互いに平行な少なくとも１対のシ
ミュレートされた較正スロットを有するように変化され
る。第１の較正ステップにおいて、電子ビームは予め定
められた位置に設定され、そうすることが必要な偏向電
流が測定される。予め定められた位置は、例えば最大輝
度が左のシミュレートされた較正スロットの背後で測定
される位置である。第２の較正ステップにおいて、電子
ビームは第２の予め定められた位置に設定され、再度そ
うすることが必要な偏向電流が測定される。この第２の
位置は、例えば最大輝度が右のシミュレートされた較正
スロットの背後で測定される位置である。（測定された
偏向電流間の差）と（シミュレートされた較正スロット
間の差）との比率が決定され、ステップの大きさ調節に
対する感度として使用される。要求された偏向電流はこ
の感応性および要求される変位距離から正確に計算され
ることができる。

【００１４】非常に多数のシミュレートされた測定スロ
ットと共にシミュレートされたマスク手段を使用し、シ
ミュレートされた測定スロットの構造がマスクスロット
の構造に対応し、ｘおよびｙ方向に隣接したシミュレー
トされた測定スロット間の距離が各場合にマスクスロッ
トの幅および高さの整数倍に対応することはそれぞれ特
に有効である。特に、この場合電子ビームは、各変位ス
テップ後に単一のシミュレートされた測定スロットを通
して１時に１つの画像だけが記録される場合より記録さ
れるべき全てのドメインに対して変位の必要な度数が少
なくできる。高い測定精度を達成するために、ＣＣＤ画
像コンバータを使用することが有効である。

【００１５】

【実施例】電子ビームの電子密度分布を測定する図１に
よる装置は、電子ビーム発生器16および偏向装置17を備
えたカラー受像管上で動作する。測定装置は電子ビーム
発生器16および偏向装置17を駆動する管駆動装置18、Ｃ
ＣＤ画像コンバータカメラ19および分析装置20を有す
る。管駆動装置18、ＣＣＤ画像コンバータカメラ19およ
び分析装置20が機能する一時的なシーケンスは、シーケ
ンス制御装置21によって制御される。分析装置20はＲＡ
Ｍ23、分析論理ユニット24およびディスプレイ25を有し
ている。

【００１６】画像コンバータカメラは、図２に示された
ようなＣＣＤを有する。それはｘおよびｙの両方向に 5
12個の画素を有する。各画素の幅は22μｍ、高さは16.5
μｍであり、したがって４：３の画像比を有する。ＣＣ
Ｄのエッジ長は11.2および 8.4mmである。各ＣＣＤ画素
は画素を照射する光の量に応じて１つの電荷量を蓄積す
る。

【００１７】ＣＣＤ画素からの電荷は、シーケンス制御
装置21によってＲＡＭ23に読取られる。このＲＡＭは、
それぞれ８ビットの２¹⁸［ｓｉｃ］（ 256キロバイト）
のセルを有する。理解を容易にするために、図２はｘお
よびｙ方向のそれぞれに 512個のＲＡＭセルの疑似アド
レスを想定し、ＣＣＤ画素の数および構造に対応する。
この図は、ＣＣＤによって記録された画像に対応した情
報がＲＡＭに蓄積されることができることを直接明らか
にする。

【００１８】その中の利用できる画像がマスク構造を通
して観察できるものに対応するように、ＲＡＭ中のある
領域だけが画像分析のために放出される。したがって、
ＲＡＭはマスク手段をシミュレートする。このシミュレ
ートされたマスク手段は、マスク構造22として図３に示
されている。それは２つのシミュレートされた較正スロ
ットＫＬおよびＫＲおよび複数のシミュレートされた測
定スロットＳａ．ｂ（ａ＝１，２，…，11；奇数のａに
対してｂ＝１，２，…，９、偶数のａに対して１，２，
…，８）を有する。２つのシミュレートされた較正スロ
ットＫＬおよびＫＲはそれぞれ 7.6mmの長さおよび50μ
ｍの幅でｙ方向に延在する。ｘ方向の間隔は10mmであ
る。シミュレートされた測定スロットＳａ．ｂはそれぞ
れ 130μｍの水平方向の幅Ｂｘおよび 400μｍの垂直方
向の幅Ｂｙを有する。ｘ方向のパターン間隔Ａｘは６×
130 ＝ 780μｍであり、一方ｙ方向のパターン間隔Ａｙ
は２×400 ＝ 800μｍである。

【００１９】図３において、マスク構造22の一部分は鎖
線によって包囲されている。シミュレートされたマスク
手段のこの部分のディメンションは図６のａのスクリー
ン部分のものに本質的に対応している。

【００２０】シミュレートされたマスク手段は、垂直中
心線が領域が発光している蛍光体ストリップの垂直中心
線と一致するように蛍光体ストリップに関して整列され
る。これは、検査されている電子ビームに属した画像コ
ンバータの視界中の全ての輝度スポットが発光するよう
に管を最初に動作することによって非常に簡単に行われ
る。この領域の画像は記録される。その後、ＲＡＭ中の
対応した領域が決定され、これらの領域内において次の
画像分析のために使用されるものが限定される。これら
はシミュレートされた測定スロットである。それらは輝
度スポットにおいて知覚可能なエッジ効果が後の測定時
にできる限り小さい衝撃を有するように置換される。

【００２１】図４および図５を参照すると、図１による
装置によって実行されることができ、図２および図３に
示されたディメンションに基づいたプロセスの１実施例
が説明される。

【００２２】最初に（ステップｓ１）、利用者は選択さ
れたスクリーン位置上にカメラ19を配置する。その後、
最後から２番目のパラグラフにおいて説明されたような
マスクシミュレーションシーケンスを開始する（ステッ
プｓ２）。データＢｘ、Ａｘ、ＢｙおよびＡｙが定めら
れる。これらのデータは、シミュレートされた測定スロ
ットがｘおよび／またはｙ方向において隣接したシミュ
レートされた測定スロットまでのドメインにどれだけ適
合するかを示す２つの整数ＭおよびＮを決定するために
使用される。これら２つの整数は、分析論理ユニット24
に含まれるＲＡＭに蓄積される。

【００２３】次に（ステップ３）、電子ビームは画像コ
ンバータのほぼ中心に移動される。電子ビームによって
発生された照明されたドメインは画像変換器カメラ19に
よって連続的に記録され、ＲＡＭ23における中間蓄積お
よび分析論理ユニット24における分析後に、ディスプレ
イ25上で表示される。したがって、利用者はディスプレ
イ25を観察することによってかなり正確に電子ビームを
中心に位置することができる。これが行われると直ぐ
に、ｙ方向に調節のために最後に供給された偏向電流Ａ
Ｉｙは獲得されて蓄積される。分析論理ユニット24にお
ける上記のＲＡＭはこのために使用される。

【００２４】次に、較正手順のためのステップｓ４乃至
ｓ９が続く。最初に、左のシミュレートされた較正スロ
ットＫＬが選択された較正スロットとして選択される
（ステップｓ４）。次に、電子ビームはほぼ中心におい
て選択された較正スロットを照射するように偏向される
（ステップｓ５）。次に電子ビームはその中心が明確に
選択された較正スロット上を移動するように複数の小さ
いステップで偏向される。画像は各ステップ後に記録さ
れ、この画像はシミュレートされた較正スロットを通過
する光の輝度を決定するために分析される。各ステップ
に対する輝度および関連した偏向電流が蓄積される（ス
テップｓ６）。これらの調節ステップが終了すると、選
択された較正スロットを通る最大輝度に対する偏向電流
が決定され、この値は蓄積される（ステップｓ７）。次
のステップｓ８において選択された較正スロットが左の
シミュレートされた較正スロットであることが認められ
た場合、次のステップｓ９において右のシミュレートさ
れた較正スロットＫＲが較正スロットとして選択され、
したがってステップｓ５乃至ｓ７が反復される。ステッ
プｓ８が再度到達されたとき、この時点で選択された較
正スロットが左のシミュレートレートされた較正スロッ
トではなく、したがってプロセスシーケンスの残りが続
くことが認められる。

【００２５】次のステップｓ10乃至ｓ12において、種々
の値はステップｓ４乃至ｓ９による較正手順において得
られた測定結果から計算される。最初に、最大輝度に対
する２つの偏向電流の平均ＡＩｘが決定される（ステッ
プｓ10）。この偏向電流が供給されたとき、電子ビーム
は２つのシミュレートされた較正スロット間の中間に正
確に位置される。ｘ方向において調節した感度Ｖｘが決
定され、（各場合における最大輝度に対する偏向電流間
の差）と（シミュレートされた較正スロット間の距離）
との比である。これは距離Ｂｘだけ電子ビームを変位す
る調節電流Ｉｘを生成する。すなわちＩｘ＝Ｂｘ×Ｖｘ
（ステップｓ11）である。対応した値はｙ方向に対して
必要とされる。ｘ方向のものに対応した較正手順はこの
ために実行されることができるが、予め定められた同じ
変位をそれぞれ生じさせるｘおよびｙ方向に対する偏向
電流間の比は、例えばｘ方向におけるあるｘ位置に達す
るために必要とされる電流より著しく大きい相対精度で
各スクリーン位置に対して知られているため、実際これ
は一般的に不要である。したがって、ｙ方向に対する調
節値は較正によってではなく、ｙ方向における調節感度
Ｖｙを決定すること、すなわちＶｙ＝ｆ×Ｖｘによって
決定され、ここでｆは予め定められた係数である。距離
Ｂｙだけ電子ビームを変位する調節電流ＩｙはＩｙ＝Ｂ
ｙ×Ｖｙである（ステップｓ12）。

【００２６】電子ビームの正しい調節に対する全ての変
数が決定されると、ステップｓ13乃至ｓ19が行われる。
これらのステップの目的は、シャドウマスクマスクが存
在せず、輝度スクリーンが電子ビームがシャドウマスク
マスクを通過した後に現在照射している蛍光体が均一に
被覆された場合に発生される仮定上の輝度スポットを記
録することである。

【００２７】図２を参照して前に説明されたように、電
子ビームは全ての輝度スポットドメインがシミュレート
された測定スロットを通して見られることができるため
に幅Ｂｘにわたって５度水平に、幅Ｂｙにわたって１度
垂直に変位されなければならない。第１および第２の両
垂直位置のｘ方向に対する合計６つの画像が必要とされ
る。２つの計算したパラメータｍｘおよびｎｙが画像の
ために使用される。ステップ13において、両パラメータ
は“１”の値に設定される。その後、電子ビームは中心
位置に関してほぼ対称的な位置に段階的に変位される。
このために電流ＡＩｘ＋（Ｍ／２）_i ×Ｉ_x −ｍ×Ｉ_x
は各場合においてｘ方向に供給され、偏向電流ＡＩｙ＋
（Ｎ／２）_i ×Ｉ_y −ｎ×Ｉ_y がｙ方向に供給される。
この場合の下付き文字ｉは分数の整数部分が平均にされ
たことを意味する。これらの電流が電子ビームに供給さ
れると直ぐに、シミュレートされた測定スロットにより
知覚可能なセグメントの画像はＲＡＭ23に記録され、蓄
積される（ステップｓ14）。

【００２８】全ての画像は同じシミュレートされた測定
スロットを通して記録され、したがって各ステップに対
して同じＣＣＤ画素によって記録されるが、画像は互い
に隣接している電子スポットのセグメントに関連してい
るため、これらの個々の画像は事実上互いの上にではな
く、互いに隣接して配置されることが保証されなければ
ならない。これは、ｘ方向にＭ−ｍｘ領域、またｙ方向
にＮ−ｎｙ領域だけＲＡＭ中の画像を変位することによ
ってステップｓ15において実行される。これが一度行わ
れると、ステップｓ16においてｘ方向の全てのセグメン
トに対する画像が既に記録されたか否かに関する決定が
行われる。これがそうでない場合、値ｍｘはステップｓ
17において“１”だけ増加され、ステップｓ14乃至ｓ16
は反復される。ステップｓ16においてｘ方向の必要な画
像が全て形成されていることが認められた場合、ステッ
プｓ18において全ての画像がｙ方向に対して完成された
か否かの検査が行われる。これはまだ完成されていない
ため、ステップｓ19において計算パラメータｎｙの値が
“２”に設定され、一方ｍｘはｘ方向の６つの画像が全
て第２のｙ位置に対しても準備ができるまで、ステップ
ｓ14乃至ｓ17のループが再び遂行されるように再度
“１”の値を割当てられる。これら６つの画像が準備さ
れたとき、再度ステップｓ18に至り、ここにおいて全て
のｙ位置が処理されることが認められる。残りはＲＡＭ
に蓄積された画像の輝度を分析することだけである（ス
テップｓ20）。これは例えば記録された画像の水平およ
び垂直中心軸に沿って行われることが可能であり、通常
のプロセスと同じ測定結果を生成する。本発明によるプ
ロセスおよび装置は、従来技術のように電子密度分布が
輝度分布と同じであるという仮定に基づいている。

【００２９】プロセスは最後に説明されたステップｓ20
後に終了する。それは他の２つのカラーの電子ビームに
対して従来の機械的な整列を必要とせずに上記の方法で
同じスクリーン位置で再度実行される。２つの残りの電
子ビームを測定するために必要なことは、ステップｓ１
乃至ｓ12において決定された値が予め定められたスクリ
ーン位置で全ての電子ビームに対して本質的に同じであ
るため、図４のシーケンスのステップｓ13乃至ｓ20を実
行することである。

【００３０】ｘ方向に関して、各ｙ位置に対するｘ方向
の５つの画像は、 130μｍではなく156μｍの幅を持つ
シミュレートされた測定スロットの使用を仮定した図６
の幾何学形状を十分に与えられる。しかしながら、これ
はマスクスロットのエッジ効果が認識可能である可能性
をなくさない。

【００３１】２つのｙ位置における変位の上記のシーケ
ンスは、実際に図６のａに示されたような連続的な蛍光
体ストリップにより必要ないことが述べられるべきであ
る。これは図３のシミュレートされたマスク構造を考慮
することによって容易に理解される。２×Ａｘの合計距
離にわたる上記のステップの大きさの段階的な変位は、
エッジ領域中のドメインを除いてマスクの背後に配置さ
れた全ての表面ドメインを見ることを可能にする。した
がって、ｙ変位ではなくｘ変位だけを実行することが有
効である。しかしながら、蛍光体のストリップではなく
蛍光体ドットを有する管中の輝度スポットを測定すると
きに、フロー図を参照して示されたシーケンスは必要で
ある。

【００３２】原理的に、単一のシミュレートされた測定
スロットで動作することが十分である。しかしながら、
これは電子ビームが非常に小さい直径を有している場合
にのみ薦められる。この場合にのみ１つのシミュレート
された測定スロットだけの存在にかかわらず少数の変位
だけを実行することができる。関連した画像記録に関す
る各変位は約30ミリ秒要する。完全な記録画像を分析す
る計算は約１秒要する。大きい電子スポットが例えば合
計12個の画像によりシミュレートされた40個の測定スロ
ットを使用して画像化された場合、較正に続く全体的な
測定は約２秒しか必要としない。しかしながら、単一の
シミュレートされた測定スロットが使用されたためにほ
ぼ40倍の画像が記録されなければならない場合、測定時
間は約30秒に増加する。

【００３３】どの場合にも存在する偏向装置ではなく、
軸方向の偏向装置が個々の測定のために電子ビームを変
位させるために使用できることが述べられなければなら
ない。

【００３４】上記により、電子ビームは測定手順中に少
量だけ変位される。しかしながら、この方法は非常に弱
い電子ビームの電子密度分布が測定された場合にのみ可
能である。３ｍＡのビーム電流を持つ電子ビームの場
合、それは測定シーケンス中に毎時20μ秒間50Ｈｚで、
すなわち１：1000のパルスデューティ率でパルス化され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】カラー受像管における電子ビームの電子密度分
布を測定するプロセスおよび装置を説明する機能的ブロ
ック図。

【図２】ＣＣＤ画像コンバータの画素とＲＡＭのメモリ
セルとの間の相関を説明するブロック回路図。

【図３】マスク手段によって効果がシミュレートされる
マスク構造の拡大平面図。

【図４】電子ビームの電子密度分布の測定プロセスの１
実施例を説明するフロー図。

【図５】電子ビームの電子密度分布の測定プロセスの１
実施例を説明するフロー図。

【図６】種々の関係を説明するための輝度スクリーンの
部分的平面図および水平方向における電子ビームの電子
密度のグラフ。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年６月２９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００８】 既知の装置は：マスク手段と、蛍光体ス
クリーン上のマスク手段の動作により知覚可能な輝度ス
ポットドメインの画像を記録するカメラと、電子ビーム
がカメラに関して変位されるように、カラー受像管上で
偏向装置を駆動する駆動装置と、電子密度分布と本質的
に同じである電子ビームによって生成された輝度分布に
関する結果を得るためにカメラによって記録された画像
を分析する分析装置とを具備している。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘルベルト・キルグス ドイツ連邦共和国、7306 デンケンドル フ、クラウディウスシュトラーセ 12 (72)発明者 ユルゲン・ラインクネヒト ドイツ連邦共和国、2864 ハンベルゲン、 ロルバウムスベルク ３アー

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子ビームがカラー受像管の輝度スクリ
   ーンを照射し、シャドウマスクマスクが存在せず、スク
   リーンが蛍光体により均一に被覆された場合には輝度ス
   ポットを発生し、輝度スクリーンのある領域が前記カラ
   ー受像管中の電子ビームによって発光するように励起さ
   れ、 マスク手段と、 マスク手段の動作により知覚可能である輝度スポットド
   メインの画像を記録するカメラと、 電子ビームがカメラに関して変位されるように、カラー
   受像管上の偏向装置を駆動する駆動装置と、 電子密度分布と本質的に同じである電子ビームによって
   生成された輝度分布に関する結果を得るためにカメラに
   よって記録された画像を分析する分析装置とを具備して
   いる電子ビームの断面上に観察される電子密度分布を測
   定する装置において、 カメラは画像コンバータカメラであり、 シーケンス制御装置を具備し、このシーケンス制御装置
   はシミュレートされたマスク手段を発生するために、 輝度スポットが画像コンバータの全視界において生成さ
   れる方法で電子ビームを偏向するように駆動装置を駆動
   し、 分析装置が後での使用のために輝度スポットが画像化さ
   れる画像コンバータ領域内に存在する画像コンバータ領
   域を選択するように分析装置を駆動し、選択された画像
   コンバータ領域がシミュレートされたマスク手段のシミ
   ュレートされたマスクスロットとして動作し、輝度スポ
   ットセグメントが知覚可能であるように設計され、 さらにシーケンス制御装置は、電子密度分布を限定する
   ために、 駆動装置が電子ビームを段階的に変位するように駆動装
   置を駆動し、それにおいて、ステップの大きさは、変位
   ステップの前に知覚可能になった各輝度スポットセグメ
   ントが変位ステップの後に知覚不可能になる大きさであ
   り、駆動は少なくとも水平方向において全ての輝度スポ
   ットドメインが一度だけ知覚可能であったように多数の
   ステップに対して発生し、 画像コンバータカメラが第１の変位ステップの前および
   別の各変位ステップの後に各場合において知覚可能な輝
   度スポットセグメントの画像を記録するように画像コン
   バータカメラを駆動し、 分析装置が全ての画像を蓄積し、電子ビームによって生
   成された輝度分布のために全体的な画像にそれらを組立
   てるように分析装置を駆動するように設計されているこ
   とを特徴とする電子密度分布の測定装置。
2. 【請求項２】 シミュレートされたマスク手段は、シミ
   ュレートされた較正スロットの長い軸に垂直な方向にお
   いて予め定められた距離だけ互いに間隔を隔てられてい
   る互いに平行な少なくとも１対のシミュレートされた較
   正スロットを有していることを特徴とする請求項１記載
   の装置。
3. 【請求項３】 電子ビームがカラー受像管の輝度スクリ
   ーンを照射し、蛍光体により均一に被覆されたスクリー
   ンを生成し、輝度スクリーンのある領域たけが前記カラ
   ー受像管中の電子ビームによって発光するように励起さ
   れ、 電子ビームを変位し、 電子ビームがマスク手段の効果により変位されたときに
   知覚可能である輝度スポットドメインの画像を記録し、 電子密度分布と本質的に同一である電子ビームによって
   生成された輝度分布に関する結果を得るために記録され
   た画像を分析するステップを含む電子ビームの断面上に
   観察される電子密度分布を測定する方法において、 画像を記録するために画像コンバータカメラが使用さ
   れ、 シミュレートされたマスク手段を発生するために、輝度
   スポットが画像コンバータの視界全体において発生さ
   れ、輝度スポットが画像化される画像コンバータ領域内
   に後での使用のために選択された画像コンバータ領域が
   位置しており、これらの選択された画像コンバータ領域
   は輝度スポットセグメントが知覚可能なシミュレートさ
   れたマスク手段のシミュレートされたマスクスロットと
   して動作し、 電子密度分布を限定するために、 電子ビームが段階的に変位され、ステップの大きさは、
   変位ステップの前に知覚可能になった各輝度スポットセ
   グメントが変位ステップの後に知覚不可能になる大きさ
   であり、駆動は少なくとも水平方向において全ての輝度
   スポットドメインが一度だけ知覚可能であったように多
   数のステップのために発生し、 画像コンバータカメラは第１の変位ステップの前および
   別の各変位ステップの後に各場合において知覚可能な輝
   度スポットセグメントの画像を記録するように駆動さ
   れ、 全ての画像は蓄積され、輝度分布のために全体的な画像
   に組立てられることを特徴とする電子密度分布の測定方
   法。
4. 【請求項４】 第１の較正ステップにおいて、電子ビー
   ムは予め定められた位置に設定され、それを行うために
   必要な偏向電流が測定され、 第２の較正ステップにおいて、電子ビームは第２の予め
   定められた位置に設定され、それを行うために必要な偏
   向電流が測定され、 変位ステップのためのステップの大きさの設定に使用さ
   れる感度は（測定された偏向電流間の差）と（シミュレ
   ートされた較正スロット間の距離）との比であることを
   特徴とする請求項３記載の方法。