JPH06160842A - 液晶表示装置用バックライトシステム - Google Patents
液晶表示装置用バックライトシステムInfo
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- JPH06160842A JPH06160842A JP4331151A JP33115192A JPH06160842A JP H06160842 A JPH06160842 A JP H06160842A JP 4331151 A JP4331151 A JP 4331151A JP 33115192 A JP33115192 A JP 33115192A JP H06160842 A JPH06160842 A JP H06160842A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、液晶表示装置のバックライ
トで、液晶セル裏面に導光板と端面発光型ＥＬを組み合
せて、高輝度で薄いバックライトシステム及び該液晶表
示装置用バックライトシステムを設けた液晶表示装置を
提供することにある。 【構成】 導光板（ａ）、電極間に発光層を挟持し、こ
の発光層端面から光を取り出すエレクトロ・ルミネッセ
ンス素子（以下、端面発光型ＥＬ素子と略称する）
（ｂ）、および前記端面発光型ＥＬ素子からの光を導光
板に入射させる手段（ｃ）を有することを特徴とする液
晶表示装置用バックライトシステム及び該液晶表示装置
用バックライトシステムを設けた液晶表示装置。
トで、液晶セル裏面に導光板と端面発光型ＥＬを組み合
せて、高輝度で薄いバックライトシステム及び該液晶表
示装置用バックライトシステムを設けた液晶表示装置を
提供することにある。 【構成】 導光板（ａ）、電極間に発光層を挟持し、こ
の発光層端面から光を取り出すエレクトロ・ルミネッセ
ンス素子（以下、端面発光型ＥＬ素子と略称する）
（ｂ）、および前記端面発光型ＥＬ素子からの光を導光
板に入射させる手段（ｃ）を有することを特徴とする液
晶表示装置用バックライトシステム及び該液晶表示装置
用バックライトシステムを設けた液晶表示装置。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、液晶表示装置用のバックライト
システム、および該システムを使用した液晶表示装置に
関する。
システム、および該システムを使用した液晶表示装置に
関する。
【０００２】
【従来技術】現在市販されている液晶表示装置のバック
ライトには、冷陰極管や分散型ＥＬ（特開平１−２７０
０２８）が用いられている。バックライトには、高輝度
で薄いことが要求される。冷陰極管を用いた場合はバッ
クライト自体の厚さは冷陰極管の管径に制限される。現
在冷陰極管の小型化は進んでいるが、構造的に小型化に
は制限がある。一方分散型ＥＬでは、発光体の厚さは１
mm以下で厚さの点では優れているが、輝度は低い（発光
材料が不透明であるため発光材料を増やしても輝度の向
上は望めない。）。もう一つの方法として薄膜ＥＬを用
いる方法も検討されている。薄膜ＥＬは発光層の透過率
が高いため、ＩＴＯ等の透明電極を用いた積層構造での
高輝度化も可能性はあるが、下層の光は発光層や透明電
極を通過するたびに減衰してしまい効率は低い。また液
晶表示装置全体の色調について、液晶セルは、セルギャ
ップや偏光軸のずれ等で、白色光を用いた透過モードで
も多少着色して見えることがある。従来技術では発光色
は蛍光材料や発光層材料により決まるため、個々の液晶
セルのバラツキに対応した補正を行うことは不可能であ
る。
ライトには、冷陰極管や分散型ＥＬ（特開平１−２７０
０２８）が用いられている。バックライトには、高輝度
で薄いことが要求される。冷陰極管を用いた場合はバッ
クライト自体の厚さは冷陰極管の管径に制限される。現
在冷陰極管の小型化は進んでいるが、構造的に小型化に
は制限がある。一方分散型ＥＬでは、発光体の厚さは１
mm以下で厚さの点では優れているが、輝度は低い（発光
材料が不透明であるため発光材料を増やしても輝度の向
上は望めない。）。もう一つの方法として薄膜ＥＬを用
いる方法も検討されている。薄膜ＥＬは発光層の透過率
が高いため、ＩＴＯ等の透明電極を用いた積層構造での
高輝度化も可能性はあるが、下層の光は発光層や透明電
極を通過するたびに減衰してしまい効率は低い。また液
晶表示装置全体の色調について、液晶セルは、セルギャ
ップや偏光軸のずれ等で、白色光を用いた透過モードで
も多少着色して見えることがある。従来技術では発光色
は蛍光材料や発光層材料により決まるため、個々の液晶
セルのバラツキに対応した補正を行うことは不可能であ
る。
【０００３】
【目的】本発明は液晶表示装置のバックライトで、液晶
セル裏面に導光板と端面発光型ＥＬを組み合せて、高輝
度で薄いバックライトシステムを提供することを目的と
する。
セル裏面に導光板と端面発光型ＥＬを組み合せて、高輝
度で薄いバックライトシステムを提供することを目的と
する。
【０００４】
【構成】本発明は液晶表示装置用バックライトシステ
ム、および該バックライトシステムを使用した液晶表示
装置に関する。本発明の液晶表示装置用バックライトシ
ステムは、導光板（ａ）、電極間に発光層を挟持し、こ
の端面から光を取り出すエレクトロ・ルミネッセンス素
子（以下、端面発光型ＥＬ素子と略称する）（ｂ）、お
よび前記端面発光型ＥＬ素子からの光を導光板に入射さ
せるための手段（ｃ）を有することを特徴とする。本発
明の液晶表示装置用バックライトシステムは、液晶セル
の裏面に取り付け可能であり、素子面積が制限されるこ
ともなく、また装置全体を大型化することもない。以
下、本発明の液晶表示装置用バックライトシステム、お
よび該バックライトシステムを使用した液晶表示装置の
構造および発光または表示動作を図面に基づいて説明す
る。
ム、および該バックライトシステムを使用した液晶表示
装置に関する。本発明の液晶表示装置用バックライトシ
ステムは、導光板（ａ）、電極間に発光層を挟持し、こ
の端面から光を取り出すエレクトロ・ルミネッセンス素
子（以下、端面発光型ＥＬ素子と略称する）（ｂ）、お
よび前記端面発光型ＥＬ素子からの光を導光板に入射さ
せるための手段（ｃ）を有することを特徴とする。本発
明の液晶表示装置用バックライトシステムは、液晶セル
の裏面に取り付け可能であり、素子面積が制限されるこ
ともなく、また装置全体を大型化することもない。以
下、本発明の液晶表示装置用バックライトシステム、お
よび該バックライトシステムを使用した液晶表示装置の
構造および発光または表示動作を図面に基づいて説明す
る。
【０００５】図１は本発明による液晶表示装置の構造図
である。端面発光型ＥＬ素子２の光はミラー３で反射し
て導光板４に入射され液晶パネル１のバックライトシス
テムを構成する。端面発光型ＥＬ素子の基本構成を図２
に示す。基板上に下部金属電極１７、絶縁層６、８、１
０、１２、１４、１６、発光層７、１１、１５および上
部金属電極を積層した構成のものである（９、１３は共
通電極とする）。但し、絶縁層の一方は、無くてもよ
い。光は金属電極間で多重反射し、発光層７、１１およ
び１５の端部より指向性の強い光が放出され、図１に示
すように反射板３で反射され、導光板４に入射される。
反射板３としては、くの字型のミラーが挙げられる。く
の字型の曲角度は、端面発光型ＥＬ素子の光を導光板に
入射できるものであれば特に制限されない。
である。端面発光型ＥＬ素子２の光はミラー３で反射し
て導光板４に入射され液晶パネル１のバックライトシス
テムを構成する。端面発光型ＥＬ素子の基本構成を図２
に示す。基板上に下部金属電極１７、絶縁層６、８、１
０、１２、１４、１６、発光層７、１１、１５および上
部金属電極を積層した構成のものである（９、１３は共
通電極とする）。但し、絶縁層の一方は、無くてもよ
い。光は金属電極間で多重反射し、発光層７、１１およ
び１５の端部より指向性の強い光が放出され、図１に示
すように反射板３で反射され、導光板４に入射される。
反射板３としては、くの字型のミラーが挙げられる。く
の字型の曲角度は、端面発光型ＥＬ素子の光を導光板に
入射できるものであれば特に制限されない。
【０００６】本発明で使用する端面発光型ＥＬ素子は、
単数層のものでもよいが、複数積層することで、（１）
同一色の発光層を用いた場合は輝度の向上を計ることが
でき、また（２）異なる色の発光層を用いた場合には、
各色の発光強度を調整することで液晶パネル透過後の色
調が調整可能である。例えば、赤、緑、青の三原色等の
加法混色することにより白色を再現できる。従来の薄膜
ＥＬ素子においては、薄膜ＥＬ素子を積層した場合、発
光層を挾む電極を両方とも透明電極としても、輝度は発
光層、透明電極を通過する度に減衰し、単体での各発光
層の輝度の和より低くなる（但し、分散型ＥＬの場合
は、発光層が不透明のため積層による高輝度化は行うこ
とができない）。さらに、一般に液晶セルはセルギャッ
プ、偏光軸のバラツキにより白色光を用いた透過モード
でも多少着色して見えることがある。冷陰極管を用いた
従来のシステムでは、冷陰極管の発光色は作製時の蛍光
材料の配合比で決まるため個々のパネルの色調を補正す
ることは不可能である。透明電極を用いた薄膜ＥＬで
は、色調の補正は可能だが前述のように、積層すること
で輝度が低下するため不適当である。本発明では液晶セ
ルの透過時の着色に対し補色を各発光色の輝度調整で作
製することで、液晶セル毎に最適の表示色を再現するこ
とができる。この場合も各発光色毎に複数の端面発光型
ＥＬ素子を用い高輝度化は可能である。また、この構成
ではカラーフィルターを用いない白−黒表示の液晶セル
をもちい、バツクライトを時分割で各色順次点灯し、バ
ックライトの発光色に対応する表示を行うことで、カラ
ーフィルターを使用せず、また解像度は同一画素ピッチ
で作製した通常のカラーフィルター付液晶パネルに対し
３倍の解像度を得ることができる。駆動回路について
は、一般に用いられているインバータ回路を用いること
ができる。本発明では複数の端面発光型ＥＬ素子を用い
た場合、インバータ回路は１回路のみ用い、各端面発光
型ＥＬ素子へ駆動電圧を分配する構成により、インバー
タ回路数を低減するものである。分配は一例として時分
割で行うことができる。図３にブロック図を、タイムチ
ャートを図４に示す。分配回路としては、ＦＥＴ等のス
イッチング素子を用いることができる。本発明のバック
ライトは、端面発光型ＥＬを液晶パネルの裏面全体に取
り付けることができるため、前述のミラー３は最大基板
の４辺に取り付けることができる。
単数層のものでもよいが、複数積層することで、（１）
同一色の発光層を用いた場合は輝度の向上を計ることが
でき、また（２）異なる色の発光層を用いた場合には、
各色の発光強度を調整することで液晶パネル透過後の色
調が調整可能である。例えば、赤、緑、青の三原色等の
加法混色することにより白色を再現できる。従来の薄膜
ＥＬ素子においては、薄膜ＥＬ素子を積層した場合、発
光層を挾む電極を両方とも透明電極としても、輝度は発
光層、透明電極を通過する度に減衰し、単体での各発光
層の輝度の和より低くなる（但し、分散型ＥＬの場合
は、発光層が不透明のため積層による高輝度化は行うこ
とができない）。さらに、一般に液晶セルはセルギャッ
プ、偏光軸のバラツキにより白色光を用いた透過モード
でも多少着色して見えることがある。冷陰極管を用いた
従来のシステムでは、冷陰極管の発光色は作製時の蛍光
材料の配合比で決まるため個々のパネルの色調を補正す
ることは不可能である。透明電極を用いた薄膜ＥＬで
は、色調の補正は可能だが前述のように、積層すること
で輝度が低下するため不適当である。本発明では液晶セ
ルの透過時の着色に対し補色を各発光色の輝度調整で作
製することで、液晶セル毎に最適の表示色を再現するこ
とができる。この場合も各発光色毎に複数の端面発光型
ＥＬ素子を用い高輝度化は可能である。また、この構成
ではカラーフィルターを用いない白−黒表示の液晶セル
をもちい、バツクライトを時分割で各色順次点灯し、バ
ックライトの発光色に対応する表示を行うことで、カラ
ーフィルターを使用せず、また解像度は同一画素ピッチ
で作製した通常のカラーフィルター付液晶パネルに対し
３倍の解像度を得ることができる。駆動回路について
は、一般に用いられているインバータ回路を用いること
ができる。本発明では複数の端面発光型ＥＬ素子を用い
た場合、インバータ回路は１回路のみ用い、各端面発光
型ＥＬ素子へ駆動電圧を分配する構成により、インバー
タ回路数を低減するものである。分配は一例として時分
割で行うことができる。図３にブロック図を、タイムチ
ャートを図４に示す。分配回路としては、ＦＥＴ等のス
イッチング素子を用いることができる。本発明のバック
ライトは、端面発光型ＥＬを液晶パネルの裏面全体に取
り付けることができるため、前述のミラー３は最大基板
の４辺に取り付けることができる。
【０００７】発光層材料は一例として、赤−ＣａＳ：Ｅ
ｕ，緑−ＺｎＳ：Ｔｂ，青−ＳｒＳｅ：Ｃｅ、青緑−Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ，白−ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕ等が使用で
き、絶縁層としてはＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2Ｏ3等の酸
化物、ＢＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4等の窒化物およびこれら
の複合膜、ＣａＦ2，ＭｇＦ2等の弗化物、あるいはＳｒ
ＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3等のペロブスカイト型強誘電体材
料を用いることができる。電極材料としてはＡｌ，Ａ
ｇ，Ｃｒ等を用いることができる。導光板としては、減
衰率の小さい透明材料、例えばＰＭＭＡ（ポリメチルメ
タクリレート）等を用いることができる。
ｕ，緑−ＺｎＳ：Ｔｂ，青−ＳｒＳｅ：Ｃｅ、青緑−Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ，白−ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕ等が使用で
き、絶縁層としてはＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2Ｏ3等の酸
化物、ＢＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4等の窒化物およびこれら
の複合膜、ＣａＦ2，ＭｇＦ2等の弗化物、あるいはＳｒ
ＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3等のペロブスカイト型強誘電体材
料を用いることができる。電極材料としてはＡｌ，Ａ
ｇ，Ｃｒ等を用いることができる。導光板としては、減
衰率の小さい透明材料、例えばＰＭＭＡ（ポリメチルメ
タクリレート）等を用いることができる。
【０００８】
実施例１ 端面発光型ＥＬ素子として発光層材料にＣａＳ：Ｅｕ，
ＳｒＳ：Ｃｅを用い、バックライトを作製した。液晶セ
ルは硬質炭素膜を用いたＭＩＭ素子をスイッチング素子
に用いたアクティブマトリクス方式のもので以下のよう
にして作製したものを用いた。透明基板にはパイレック
ス基板を用い、画素電極としてＩＴＯを１０００ÅＥ．
Ｂ．蒸着により堆積させた後、パターニングを行なっ
た。次に下部電極としてＡｌを蒸着法により１５００Å
堆積させた後、パターニングした。次に硬質炭素膜をプ
ラズマＣＶＤ法で９００Å堆積させた後、ドライエッチ
によりパターン化した。更に上部電極としてＮｉをＥ．
Ｂ．蒸着法により１５００Å堆積させた後、パターニン
グした。次に他方の透明基板（対向基板）としてパイレ
ックス基板上にＩＴＯをスパッタリング法により１００
０Å厚に堆積後、ストライプ状にパターン化して共通画
素電極を形成した。次に両基板の上に配向膜としてポリ
イミド膜を形成しラビング処理を行なった。次にこれら
の基板を各画素電極側を内側にして対向させ、ギャップ
材を介して貼合せ、更にこうして形成されたセル内に市
販の液晶材料を封入することにより液晶表示装置を作っ
た。この時、ＭＩＭ素子に用いた硬質炭素の成膜条件
は、 圧 力：０．０２ Ｔｏｒｒ ＣＨ4 流量：２０ ＳＣＣＭ ＲＦパワー：０．８Ｗ／ｃｍ2 温 度：８０℃ であった。また、導光板としてＰＭＭＡ樹脂（ポリメチ
ルメタクリレート）を用いた。端面発光型ＥＬ素子の作
製方法を示す。ガラス基板上にＡｌを蒸着により３００
０Å製膜し、絶縁層としてＡｌＮをスパッタ法で３００
０Å製膜した。更にＥ．Ｂ．蒸着法を用いて、ＳｒＳ：
Ｃｅ、Ｅｕを１μｍ成膜し、更に絶縁層としてＡｌＮを
３０００Å成膜した。２つの発光層に共通の電極として
Ａｌを３０００Å成膜し、さらに絶縁層（ＡｌＮ，３０
００Å）、発光層（ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕ，１μ
ｍ）、絶縁層（ＡｌＮ，３０００Å）、更に電極として
Ａｌを３０００Å成膜した。本実施例のように、複数の
端面発光型ＥＬ素子を積層する際に各発光層で挾まれた
電極を共通電極とすることで、電極数を少なくすること
ができ、製造工程数、製品コストの低減が計れる。駆動
用電源は各端面発光型ＥＬ素子に設けた。動作確認とし
て一方の端面発光型ＥＬ素子だけを駆動した場合と、両
方駆動した場合の輝度を比較した。結果としては両方の
端面発光型ＥＬ素子を使用すると、どちらか一方を駆動
した場合の２倍の輝度が得られ、本方法により効率良く
高輝度化が行えることがわかった。
ＳｒＳ：Ｃｅを用い、バックライトを作製した。液晶セ
ルは硬質炭素膜を用いたＭＩＭ素子をスイッチング素子
に用いたアクティブマトリクス方式のもので以下のよう
にして作製したものを用いた。透明基板にはパイレック
ス基板を用い、画素電極としてＩＴＯを１０００ÅＥ．
Ｂ．蒸着により堆積させた後、パターニングを行なっ
た。次に下部電極としてＡｌを蒸着法により１５００Å
堆積させた後、パターニングした。次に硬質炭素膜をプ
ラズマＣＶＤ法で９００Å堆積させた後、ドライエッチ
によりパターン化した。更に上部電極としてＮｉをＥ．
Ｂ．蒸着法により１５００Å堆積させた後、パターニン
グした。次に他方の透明基板（対向基板）としてパイレ
ックス基板上にＩＴＯをスパッタリング法により１００
０Å厚に堆積後、ストライプ状にパターン化して共通画
素電極を形成した。次に両基板の上に配向膜としてポリ
イミド膜を形成しラビング処理を行なった。次にこれら
の基板を各画素電極側を内側にして対向させ、ギャップ
材を介して貼合せ、更にこうして形成されたセル内に市
販の液晶材料を封入することにより液晶表示装置を作っ
た。この時、ＭＩＭ素子に用いた硬質炭素の成膜条件
は、 圧 力：０．０２ Ｔｏｒｒ ＣＨ4 流量：２０ ＳＣＣＭ ＲＦパワー：０．８Ｗ／ｃｍ2 温 度：８０℃ であった。また、導光板としてＰＭＭＡ樹脂（ポリメチ
ルメタクリレート）を用いた。端面発光型ＥＬ素子の作
製方法を示す。ガラス基板上にＡｌを蒸着により３００
０Å製膜し、絶縁層としてＡｌＮをスパッタ法で３００
０Å製膜した。更にＥ．Ｂ．蒸着法を用いて、ＳｒＳ：
Ｃｅ、Ｅｕを１μｍ成膜し、更に絶縁層としてＡｌＮを
３０００Å成膜した。２つの発光層に共通の電極として
Ａｌを３０００Å成膜し、さらに絶縁層（ＡｌＮ，３０
００Å）、発光層（ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕ，１μ
ｍ）、絶縁層（ＡｌＮ，３０００Å）、更に電極として
Ａｌを３０００Å成膜した。本実施例のように、複数の
端面発光型ＥＬ素子を積層する際に各発光層で挾まれた
電極を共通電極とすることで、電極数を少なくすること
ができ、製造工程数、製品コストの低減が計れる。駆動
用電源は各端面発光型ＥＬ素子に設けた。動作確認とし
て一方の端面発光型ＥＬ素子だけを駆動した場合と、両
方駆動した場合の輝度を比較した。結果としては両方の
端面発光型ＥＬ素子を使用すると、どちらか一方を駆動
した場合の２倍の輝度が得られ、本方法により効率良く
高輝度化が行えることがわかった。
【０００９】実施例２ 端面発光型ＥＬ素子として発光層材料ＳｒＳ：ＣｅとＣ
ａＳ：Ｅｕを用い、バックライトを作製した。液晶セル
は実施例１と同じものを用いた。端面発光型ＥＬ素子の
作製方法を示す。ガラス基板上にＡｌを蒸着により３０
００Å製膜し、絶縁層としてＡｌＮをスパッタ法で３０
００Å製膜した。更にＥ．Ｂ．蒸着法を用いて、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅを１μｍ成膜し、更に絶縁層としてＡｌＮを３
０００Å成膜した。２種類の発光層に共通の電極として
Ａｌを３０００Å成膜し、さらに絶縁層（ＡｌＮ，３０
００Å）、発光層（ＣａＳ：Ｅｕ，１μｍ）、絶縁層
（ＡｌＮ，３０００Å）、更に電極としてＡｌを３００
０Å成膜した。比較のために薄膜ＥＬを基板側の電極は
Ａｌを用い、他の電極はＩＴＯを３０００Å用いたバッ
クライトを作製した。動作確認として、本実施例のバッ
クライトシステムで白色発光を得る駆動条件で薄膜ＥＬ
によるバックライトを駆動した。薄膜ＥＬによるバック
ライトでは、下層のＳｒＳ：Ｃｅ（青緑色）の輝度が低
下し、全体に赤み掛かった白色となった。
ａＳ：Ｅｕを用い、バックライトを作製した。液晶セル
は実施例１と同じものを用いた。端面発光型ＥＬ素子の
作製方法を示す。ガラス基板上にＡｌを蒸着により３０
００Å製膜し、絶縁層としてＡｌＮをスパッタ法で３０
００Å製膜した。更にＥ．Ｂ．蒸着法を用いて、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅを１μｍ成膜し、更に絶縁層としてＡｌＮを３
０００Å成膜した。２種類の発光層に共通の電極として
Ａｌを３０００Å成膜し、さらに絶縁層（ＡｌＮ，３０
００Å）、発光層（ＣａＳ：Ｅｕ，１μｍ）、絶縁層
（ＡｌＮ，３０００Å）、更に電極としてＡｌを３００
０Å成膜した。比較のために薄膜ＥＬを基板側の電極は
Ａｌを用い、他の電極はＩＴＯを３０００Å用いたバッ
クライトを作製した。動作確認として、本実施例のバッ
クライトシステムで白色発光を得る駆動条件で薄膜ＥＬ
によるバックライトを駆動した。薄膜ＥＬによるバック
ライトでは、下層のＳｒＳ：Ｃｅ（青緑色）の輝度が低
下し、全体に赤み掛かった白色となった。
【００１０】実施例３ 端面発光型ＥＬとして、発光層材料にＳｒＳｅ：Ｃｅ，
ＣａＳ：Ｅｕ，ＺｎＳ：Ｔｂを用い、バックライトを作
製した。液晶セルは、実施例１と同じものを用いた。端
面発光型ＥＬ素子の作製方法を示す。各発光層は厚さ１
μｍ、発光層の両側には絶縁層としてＡｌＮを３０００
Å、更に両側に電極としてＡｌを３０００Å成膜したも
のを１単位として、各単位の間は絶縁層としてＡｌＮを
６０００Å成膜し、発光層の積層順序は基板側からＺｎ
Ｓ：Ｔｂ（１単位）、ＣａＳ：Ｅｕ（１単位）、ＳｒＳ
ｅ：Ｃｅ（２単位）とした。このバックライトを用い、
図４に示すタイムチャートで各発光色を時分割で発光さ
せ、液晶セルには各発光色に対応した表示データを入力
した。表示品質は良好だった。比較のために液晶セルと
して実施例１で使用した液晶セルに、ストライプ状に
赤、緑、青のカラーフィルタを設けたもの（以下比較例
１という。）と、信号側の画素数を３倍（画素ピッチは
１／３）にし同様にカラーフィルタを設けたもの（以下
比較例２という。）を用い表示品質を比較した。実施例
の表示品質は比較例２と同じ解像度を示した（比較例１
では実施例１の１／３の解像度しか得られなかった）。
更にグラフィックス表示を行うと、実施例１では同一画
素が時分割で赤、緑、青を表示するため、比較例２（異
なる画素で赤、緑、青を示す）より曲線や斜線が滑らか
に表示された。
ＣａＳ：Ｅｕ，ＺｎＳ：Ｔｂを用い、バックライトを作
製した。液晶セルは、実施例１と同じものを用いた。端
面発光型ＥＬ素子の作製方法を示す。各発光層は厚さ１
μｍ、発光層の両側には絶縁層としてＡｌＮを３０００
Å、更に両側に電極としてＡｌを３０００Å成膜したも
のを１単位として、各単位の間は絶縁層としてＡｌＮを
６０００Å成膜し、発光層の積層順序は基板側からＺｎ
Ｓ：Ｔｂ（１単位）、ＣａＳ：Ｅｕ（１単位）、ＳｒＳ
ｅ：Ｃｅ（２単位）とした。このバックライトを用い、
図４に示すタイムチャートで各発光色を時分割で発光さ
せ、液晶セルには各発光色に対応した表示データを入力
した。表示品質は良好だった。比較のために液晶セルと
して実施例１で使用した液晶セルに、ストライプ状に
赤、緑、青のカラーフィルタを設けたもの（以下比較例
１という。）と、信号側の画素数を３倍（画素ピッチは
１／３）にし同様にカラーフィルタを設けたもの（以下
比較例２という。）を用い表示品質を比較した。実施例
の表示品質は比較例２と同じ解像度を示した（比較例１
では実施例１の１／３の解像度しか得られなかった）。
更にグラフィックス表示を行うと、実施例１では同一画
素が時分割で赤、緑、青を表示するため、比較例２（異
なる画素で赤、緑、青を示す）より曲線や斜線が滑らか
に表示された。
【００１１】実施例４ 端面発光型ＥＬとして実施例１で作製したものをもち
い、駆動回路にインバータ１回路と、時分割で各端面発
光型ＥＬ素子の駆動電圧を分配する回路を作製した。比
較のために各端面発光型ＥＬ素子ごとにインバータ回路
を取り付け、同一構成のバックライトを作製した。分配
回路としてはｎ−ｃｈ，ｐ−ｃｈのＦＥＴを用いた。消
費電力、部品コストとも実施例１では低くなり、本発明
の構成による効果が確認できた。
い、駆動回路にインバータ１回路と、時分割で各端面発
光型ＥＬ素子の駆動電圧を分配する回路を作製した。比
較のために各端面発光型ＥＬ素子ごとにインバータ回路
を取り付け、同一構成のバックライトを作製した。分配
回路としてはｎ−ｃｈ，ｐ−ｃｈのＦＥＴを用いた。消
費電力、部品コストとも実施例１では低くなり、本発明
の構成による効果が確認できた。
【００１２】
（１）複数の端面発光型ＥＬ素子を積層することで、効
率良く高輝度化を行うことができる。 （２）端面発光型ＥＬ素子の上部に導光板をもち、端面
からの光を導光板に入射する構成を用いることで、薄い
バックライトシステムが実現できる。 （３）発光色の端面発光型ＥＬ素子の発光色毎に輝度を
調整することで、液晶パネルにより色調のずれをおこし
た場合、容易にかつ個々の製品ごとに最適な補正が容易
におこなえるバックライトシステムを提供する。
率良く高輝度化を行うことができる。 （２）端面発光型ＥＬ素子の上部に導光板をもち、端面
からの光を導光板に入射する構成を用いることで、薄い
バックライトシステムが実現できる。 （３）発光色の端面発光型ＥＬ素子の発光色毎に輝度を
調整することで、液晶パネルにより色調のずれをおこし
た場合、容易にかつ個々の製品ごとに最適な補正が容易
におこなえるバックライトシステムを提供する。
【図１】本発明の液晶表示装置の１例の断面構造を模式
的に示した図である。
的に示した図である。
【図２】本発明で使用する端面発光型ＥＬ素子の１例の
断面構造を模式的に示した図である。
断面構造を模式的に示した図である。
【図３】端面発光型ＥＬ素子へ駆動電圧を時分割で分配
する場合のブロック図である。
する場合のブロック図である。
【図４】端面発光型ＥＬ素子へ駆動電圧を時分割で分配
する場合のタイムチャート図である。
する場合のタイムチャート図である。
１ 液晶セル ２ 端面発光型ＥＬ素子 ３ 反射板 ４ 導光板 ５ 上部電極 ６ 絶縁層 ７ 発光層 ８ 絶縁層 １０ 絶縁層 １１ 発光層 １２ 絶縁層 １４ 絶縁層 １５ 発光層 １６ 絶縁層 １７ 下部電極 １８ 基板
Claims (6)
- 【請求項１】 導光板（ａ）、電極間に発光層を挟持
し、この発光層端面から光を取り出すエレクトロ・ルミ
ネッセンス素子（以下、端面発光型ＥＬ素子と略称す
る）（ｂ）、および前記端面発光型ＥＬ素子からの光を
導光板に入射させる手段（ｃ）を有することを特徴とす
る液晶表示装置用バックライトシステム。 - 【請求項２】 請求項１記載の液晶表示装置用バックラ
イトシステムにおいて、前記（ｂ）の発光層が複数の発
光層よりなるものであり、また、前記（ｃ）の手段が各
発光層からの光を同一の導光板に入射させるものである
ことを特徴とする液晶表示装置用バックライトシステ
ム。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の液晶表示装置用
バックライトシステムにおいて、前記（ｃ）の手段が反
射板（ｄ）を用いることを特徴とする液晶表示装置用バ
ックライトシステム。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の液晶表示装
置用バックライトシステムにおいて、前記（ｂ）の発光
層が異なった発光色の発光層からなるものであり、ま
た、各発光色の発光強度を調整するための輝度調整回路
（ｅ）を有することを特徴とする液晶表示装置用バック
ライトシステム。 - 【請求項５】 請求項４記載の液晶表示装置用バックラ
イトシステムにおいて、前記輝度調整回路（ｅ）が、液
晶セルの透過時の白色光の着色の補正を、各発光色の輝
度調整で行うことを特徴とする液晶表示装置用バックラ
イトシステム。 - 【請求項６】 液晶セルの裏面に、請求項１、２、３、
４または５記載の液晶表示装置用バックライトシステム
を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331151A JPH06160842A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 液晶表示装置用バックライトシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331151A JPH06160842A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 液晶表示装置用バックライトシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160842A true JPH06160842A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=18240446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4331151A Pending JPH06160842A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 液晶表示装置用バックライトシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06160842A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997043686A1 (fr) * | 1996-05-10 | 1997-11-20 | Seiko Epson Corporation | Systeme d'affichage par projection a cristaux liquides |
| JP2000066205A (ja) * | 1999-09-01 | 2000-03-03 | Seiko Epson Corp | 投写型液晶表示装置 |
| US6947105B2 (en) | 2000-01-17 | 2005-09-20 | Nitto Denko Corporation | Organic electroluminescent device, polarizing surface light source, and liquid-crystal display |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP4331151A patent/JPH06160842A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997043686A1 (fr) * | 1996-05-10 | 1997-11-20 | Seiko Epson Corporation | Systeme d'affichage par projection a cristaux liquides |
| US6507379B1 (en) | 1996-05-10 | 2003-01-14 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal projection device having a liquid crystal display element that includes an electroluminescent element |
| US6671014B2 (en) | 1996-05-10 | 2003-12-30 | Seiko Epson Corporation | Liquid projection device having a liquid crystal display element that includes an electroluminescent element |
| US6900858B2 (en) | 1996-05-10 | 2005-05-31 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal projection device having a liquid crystal display element that includes an electroluminescent element |
| JP2000066205A (ja) * | 1999-09-01 | 2000-03-03 | Seiko Epson Corp | 投写型液晶表示装置 |
| US6947105B2 (en) | 2000-01-17 | 2005-09-20 | Nitto Denko Corporation | Organic electroluminescent device, polarizing surface light source, and liquid-crystal display |
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