JPH06152067A - Semiconductor laser unit and optical head for optical memory device - Google Patents
Semiconductor laser unit and optical head for optical memory deviceInfo
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- JPH06152067A JPH06152067A JP4300088A JP30008892A JPH06152067A JP H06152067 A JPH06152067 A JP H06152067A JP 4300088 A JP4300088 A JP 4300088A JP 30008892 A JP30008892 A JP 30008892A JP H06152067 A JPH06152067 A JP H06152067A
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- semiconductor laser
- stem
- laser unit
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザーユニット
及び、前記レーザーユニットを搭載した光メモリ装置用
光ヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser unit and an optical head for an optical memory device equipped with the laser unit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体レーザーユニットを図１
２、及び図１３に示す。ヒートシンク６を円形金属部材
１にロー付け等で接合して構成されるステムを用いてい
る。2. Description of the Related Art A conventional semiconductor laser unit is shown in FIG.
2 and FIG. A stem formed by joining the heat sink 6 to the circular metal member 1 by brazing or the like is used.
【０００３】他の従来の半導体レーザーユニットを図１
４、及び図１５に示す。図１５に示すようにヒートシン
ク６と一体となったヒートシンク部材５に円形金属部材
１を接合して構成されるステムを用いている。FIG. 1 shows another conventional semiconductor laser unit.
4 and FIG. As shown in FIG. 15, a stem formed by joining the circular metal member 1 to the heat sink member 5 integrated with the heat sink 6 is used.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】フォトダイオードをヒ
ートシンク上に実装する場合、端子の数を増やし、ヒー
トシンクを歪なく実現する必要がある。従来の第１例で
はヒートシンクを円形金属部材にロー付けによって接合
した後、ヒートシンク側面を押して位置修正しているた
め、ヒートシンク上面が歪むという欠点がある。また、
従来の第２例では円形金属部材の外形を制限すると、端
子の数を増やせないという欠点がある。When the photodiode is mounted on the heat sink, it is necessary to increase the number of terminals and realize the heat sink without distortion. In the first conventional example, since the heat sink is joined to the circular metal member by brazing and then the side surface of the heat sink is pressed to correct the position, the upper surface of the heat sink is distorted. Also,
The second conventional example has a drawback that the number of terminals cannot be increased when the outer shape of the circular metal member is limited.
【０００５】そこで、本発明はこの様な問題を解決する
もので、その目的とするところは、フォトダイオードを
複数実装することにより端子の本数が増えた場合、及び
フォトダイオードをレーザーダイオード搭載用のヒート
シンクに実装するために、ヒートシンクに段差を設ける
等ヒートシンク形状が複雑になる場合に、ステムの最外
形に対するヒートシンクの位置精度が確保出来、かつヒ
ートシンク精度が確保出来るハイパワーレーザー用のス
テムを提供するところにある。Therefore, the present invention solves such a problem. An object of the present invention is to mount a plurality of photodiodes to increase the number of terminals and to mount the photodiodes on a laser diode. Provided is a stem for a high-power laser that can secure the positional accuracy of the heat sink with respect to the outermost shape of the stem and can secure the heat sink accuracy when the heat sink shape is complicated such as providing a step on the heat sink for mounting on the heat sink. Where it is.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザー
ユニットは、 （１） 端子をガラスにてシールした金属部材の中心部
に段差を設け、ヒートシンク部材を前記段差に実装す
る。In the semiconductor laser unit of the present invention, (1) a step is provided at the center of a metal member whose terminals are sealed with glass, and a heat sink member is mounted on the step.
【０００７】（２） 第一項記載の半導体レーザー用ス
テムにおいてヒートシンク部材のレーザーダイオード搭
載用ブロック部にフォトダイオードを搭載するための段
差を設ける。(2) In the semiconductor laser stem according to the first aspect, a step for mounting a photodiode is provided on the laser diode mounting block portion of the heat sink member.
【０００８】上記（１）、（２）項記載内容を特徴とす
る半導体レーザー用ステムに、レーザーダイオード、サ
ブマウント、フォトダイオードを搭載し、ワイアーボン
ド、キャップシールして構成することを特徴とする。A laser diode, a submount, and a photodiode are mounted on a semiconductor laser stem characterized by the above items (1) and (2), and a wire bond and a cap seal are formed. .
【０００９】本発明の光メモリ装置用光ヘッドは、上記
半導体レーザーユニットを搭載して構成することを特徴
とする。An optical head for an optical memory device according to the present invention is characterized in that the semiconductor laser unit is mounted.
【００１０】[0010]
（実施例１）本発明の半導体レーザーユニットの第一の
実施例を図１及び図２に示す。図２は半導体レーザーユ
ニットの外観を示す斜視図であり、図１は図２の半導体
レーザーユニットの部分断面図である。本実施例に示す
半導体レーザーユニットに用いている半導体レーザー用
ステムを図３及び図４に示す。図３は半導体レーザース
テムの外形を示す斜視図であり、図４は図３の半導体レ
ーザーステムのヒートシンク部の分解図である。図４に
示す半導体レーザー用ステムは、つぶし端子２、及び端
子３をガラス４にてシールし、中心付近に前記ブロック
を実装する為の段差１ａを設けた円形金属部材１と、ヒ
ートシンク６と一体構造としたヒートシンク部材５とか
ら成り、それらをロー付け、叉はプロジェクション溶接
して構成される。ヒートシンク部材５には、モニター用
フォトダイオードを搭載するための窪み７を設けてい
る。また、ヒートシンク６には光メモリ装置用信号を受
光するためのフォトダイオードを搭載する段差６ａを設
けている。ヒートシンク部材５に突起５ｂ、円形金属部
材１の前記中心付近段差に窪み１ｂを設けることによ
り、円形金属部材１に対するヒートシンク６の位置を容
易に出せる構造としている。(Embodiment 1) A first embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention is shown in FIGS. 2 is a perspective view showing the external appearance of the semiconductor laser unit, and FIG. 1 is a partial sectional view of the semiconductor laser unit of FIG. A semiconductor laser stem used in the semiconductor laser unit shown in this embodiment is shown in FIGS. 3 is a perspective view showing the outer shape of the semiconductor laser stem, and FIG. 4 is an exploded view of the heat sink portion of the semiconductor laser stem of FIG. The semiconductor laser stem shown in FIG. 4 is integrally formed with a heat sink 6 and a circular metal member 1 in which a crushed terminal 2 and a terminal 3 are sealed with glass 4 and a step 1a for mounting the block is provided near the center. The heat sink member 5 having a structure is used, and they are brazed or projection welded. The heat sink member 5 is provided with a recess 7 for mounting a monitor photodiode. Further, the heat sink 6 is provided with a step 6a for mounting a photodiode for receiving a signal for the optical memory device. By providing the protrusion 5b on the heat sink member 5 and the recess 1b in the step near the center of the circular metal member 1, the position of the heat sink 6 with respect to the circular metal member 1 can be easily taken out.
【００１１】つぶし端子２はレーザーダイオードからの
ワイアーをボンディングするためのもの、端子２はフォ
トダイオードからのワイアーをボンディングするための
ものである。The crushing terminal 2 is for bonding a wire from a laser diode, and the terminal 2 is for bonding a wire from a photodiode.
【００１２】また、円形金属部材１は鉄、叉はコバール
の材料を用い、プレス成形、叉はメタルインジェクショ
ンで作られる。一体構造のヒートシンク６及びヒートシ
ンク部材５は銅等の熱伝導率の良い材料を用い、メタル
インジェクション、叉は鍛造、叉はプレス成形で作られ
る。The circular metal member 1 is made of iron or Kovar, and is formed by press molding or metal injection. The heat sink 6 and the heat sink member 5 having an integral structure are made of a material having a high thermal conductivity such as copper, and are made by metal injection, forging, or press molding.
【００１３】次に図１において、図４に示した半導体レ
ーザー用ステム９のヒートシンクにサブマウント１２、
レーザーダイオード１３及び光メモリ用信号を受光する
ためのフォトダイオード１６を搭載し、ヒートシンク部
にモニタ用フォトダイオード１４を搭載し、レーザーダ
イオード１３からつぶし端子２へ、フォトダイオード１
４、及び１６から端子３へワイアー１５で接合される。
さらにカバーガラス１１が取り付けられたキャップ１０
を一般的には窒素雰囲気でステム９に接合されて構成さ
れる。Next, referring to FIG. 1, the submount 12 is attached to the heat sink of the semiconductor laser stem 9 shown in FIG.
A laser diode 13 and a photodiode 16 for receiving an optical memory signal are mounted, a monitor photodiode 14 is mounted on the heat sink, and the laser diode 13 is connected to the crush terminal 2 and the photodiode 1 is mounted.
The wire 15 is joined to the terminal 3 from the wires 4 and 16.
Further, a cap 10 to which a cover glass 11 is attached
Is generally bonded to the stem 9 in a nitrogen atmosphere.
【００１４】半導体レーザー用ステム内部に光メモリ装
置用信号を受光するためのフォトダイオード１６を実装
して構成する場合、半導体レーザー用ステムにハーメチ
ックシールする端子３の数が増える。また、光メモリ装
置用信号を受光するためのフォトダイオード１６の実装
位置を半導体レーザーの出射面と同一に出来ない場合、
ヒートシンク６に段差を設けなければならない等形状が
複雑になる。そこでヒートシンクをメタルインジェクシ
ョン、鍛造及びプレス等によって一体成形し、本例に示
す構造にすることによってハイパワーレーザ用ステムを
精度良く実現することが出来る。When a photodiode 16 for receiving a signal for an optical memory device is mounted inside the semiconductor laser stem, the number of terminals 3 hermetically sealed to the semiconductor laser stem increases. When the mounting position of the photodiode 16 for receiving the signal for the optical memory device cannot be the same as the emitting surface of the semiconductor laser,
The heat sink 6 must be provided with a step, which complicates the shape. Therefore, the heat sink is integrally formed by metal injection, forging, pressing, or the like to have the structure shown in this example, whereby the stem for high power laser can be realized with high accuracy.
【００１５】（実施例２）本発明の半導体レーザユニッ
トの第二の実施例を図５に示す。図は部分断面図であ
る。本実施例に示す半導体レーザーユニットに用いてい
る半導体レーザー用ステムを図６及び図７に示す。図６
は半導体レーザー用ステムの外観を示す斜視図であり、
図７は図６の半導体レーザー用ステムのヒートシンク部
の分解図である。図７に示す半導体レーザー用ステムに
おいて、第一の実施例と比較してヒートシンク６に設け
た段差６ａ形状、及び円形金属部材１の中心部付近に設
けた段差１ａ形状と、それとはめ合うヒートシンク部材
５の形状が異なっているところが特徴である。ヒートシ
ンク部材５を円形金属部材１にロー付け叉はプロジェク
ション溶接で接合して構成される。(Second Embodiment) FIG. 5 shows a second embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention. The figure is a partial sectional view. A semiconductor laser stem used in the semiconductor laser unit shown in this embodiment is shown in FIGS. 6 and 7. Figure 6
Is a perspective view showing an external appearance of a semiconductor laser stem,
FIG. 7 is an exploded view of the heat sink portion of the semiconductor laser stem of FIG. In the semiconductor laser stem shown in FIG. 7, a step 6a shape provided on the heat sink 6 and a step 1a shape provided near the central portion of the circular metal member 1 as compared with the first embodiment, and a heat sink member fitted thereto. The feature is that the shapes of 5 are different. The heat sink member 5 is joined to the circular metal member 1 by brazing or projection welding.
【００１６】次に図５において、図６に示した半導体レ
ーザー用ステム９のヒートシンクにサブマウント１２、
レーザーダイオード１３及びモニター用フォトダイオー
ド１４を搭載し、光メモリ用信号を受光するためのフォ
トダイオード１６を段差６ａに搭載し、さらにフォトダ
イオード１６表面に偏光板１８を接着している。レーザ
ーダイオード１３及びフォトダイオード１４、１６から
端子２、及び端子３へワイアー１５で接合される。さら
にカバーガラス１１が取付けられたキャップ１０をステ
ム９に接合されて構成される。Next, referring to FIG. 5, the submount 12 is attached to the heat sink of the semiconductor laser stem 9 shown in FIG.
A laser diode 13 and a monitor photodiode 14 are mounted, a photodiode 16 for receiving an optical memory signal is mounted on the step 6a, and a polarizing plate 18 is bonded to the surface of the photodiode 16. The laser diode 13 and the photodiodes 14 and 16 are joined to the terminal 2 and the terminal 3 by the wire 15. Furthermore, the cap 10 to which the cover glass 11 is attached is joined to the stem 9.
【００１７】本ユニットの特徴として、第一点はレーザ
ーダイオードのモニター用フォトダイオード１４をヒー
トシンク６の上面に実装し、カバーガラス１１等レーザ
ーダイオードより前方にある光学部品からの反射光を受
光する構成とし、レーザーダイオードの前方出射モニタ
ー対応になっている点にある。第二点は光メモリ装置用
信号を受光するフォトダイオード１６表面に検光子とし
ての偏光板１８を実装し、光磁気信号を半導体レーザー
ユニットの外部に偏光ビームスプリッタ、復屈折プリズ
ム等の検光子を設けないで受光可能としている光ヘッド
に対応している点にある。The first feature of this unit is that the monitoring photodiode 14 of the laser diode is mounted on the upper surface of the heat sink 6, and the reflected light from the optical components such as the cover glass 11 in front of the laser diode is received. The point is that the laser diode is compatible with the front emission monitor. The second point is that a polarizing plate 18 as an analyzer is mounted on the surface of the photodiode 16 which receives a signal for an optical memory device, and an analyzer such as a polarization beam splitter or a birefringent prism is provided outside the semiconductor laser unit for the magneto-optical signal. It is compatible with optical heads that can receive light without it.
【００１８】（実施例３）本発明の半導体レーザユニッ
トの第三の実施例を図８に示す。図は部分断面図であ
る。本実施例に示す半導体レーザーユニットに用いてい
る半導体レーザー用ステムを図９及び図１０に示す。図
９は半導体レーザー用ステムの外観を示す斜視図であ
り、図１０は図９に示す半導体レーザー用ステムのヒー
トシンク部の分解図である。図１０に示す半導体レーザ
ー用ステムでは、つぶし端子２、及び端子３をガラス４
にてシールし、中心付近に段差１ａを設けた円形金属部
材１と、上記段差１ａに実装するヒートシンク部材５か
ら成る。ヒートシンク部材５はヒートシンク６、及び光
メモリ装置用信号を受光するためのフォトダイオードを
搭載する、フォトダイオード固定台８を一体構造として
いる。また、ヒートシンク部材５には、モニター用フォ
トダイオード搭載するための窪み７を設けている。(Embodiment 3) FIG. 8 shows a third embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention. The figure is a partial sectional view. A semiconductor laser stem used in the semiconductor laser unit shown in this embodiment is shown in FIGS. 9 and 10. 9 is a perspective view showing the appearance of the semiconductor laser stem, and FIG. 10 is an exploded view of the heat sink portion of the semiconductor laser stem shown in FIG. In the semiconductor laser stem shown in FIG. 10, the crushing terminal 2 and the terminal 3 are made of glass 4
And a heat sink member 5 mounted on the step 1a. The heat sink member 5 has an integrated structure of a heat sink 6 and a photodiode fixing base 8 on which a photodiode for receiving a signal for an optical memory device is mounted. In addition, the heat sink member 5 is provided with a recess 7 for mounting a monitor photodiode.
【００１９】本例でも円形金属部材１の中心部付近に設
けた段差１ａ形状と、それにはめ合うヒートシンク部材
５形状が実施例１、２と異なっている。これらの段差形
状及びヒートシンク部材形状の組み合わせは実施例で入
れ換えて考えることも可能である。上記ヒートシンク部
材５と円形金属部材１をロー付け、プロジェクション溶
接等で接合して構成される。Also in this example, the shape of the step 1a provided in the vicinity of the central portion of the circular metal member 1 and the shape of the heat sink member 5 fitted thereto are different from those of the first and second embodiments. The combination of these step shapes and heat sink member shapes can be exchanged and considered in the embodiments. The heat sink member 5 and the circular metal member 1 are brazed and joined by projection welding or the like.
【００２０】次に図８において、第一の実施例に示した
と同様に、サブマウント１２、レーザーダイオード１
３、光メモリ装置用信号を受光するためのフォトダイオ
ード１６及びモニター用フォトダイオード１４をヒート
シンク及びヒートシンク部材に搭載し、レーザーダイオ
ード１３とつぶし端子２、フォトダイオード１６と端子
３間をワイアー１５で接合し、カバーガラス１１が取付
けられたキャップでシールされて構成される。Next, in FIG. 8, as in the first embodiment, the submount 12 and the laser diode 1 are shown.
3. The photodiode 16 for receiving the signal for the optical memory device and the monitoring photodiode 14 are mounted on the heat sink and the heat sink member, and the laser diode 13 and the crushing terminal 2 and the photodiode 16 and the terminal 3 are connected by the wire 15. , The cover glass 11 is sealed by a cap to which the cover glass 11 is attached.
【００２１】本例の特徴としてはヒートシンク部材５
に、光メモリ装置用信号を受光するためのフォトダイオ
ードを搭載するフォトダイオード固定台８を設けている
点にある。The feature of this example is that the heat sink member 5
In addition, the photodiode fixing base 8 on which the photodiode for receiving the signal for the optical memory device is mounted is provided.
【００２２】（実施例４）本発明の光メモリ装置用光ヘ
ッドの実施例を図１１に示す。図は光ヘッドの光学部品
構成を示した図である。本例では実施例２に示した半導
体レーザーユニットを用いて光磁気ディスク用光ヘッド
を構成している。(Embodiment 4) An embodiment of an optical head for an optical memory device of the present invention is shown in FIG. The figure is a diagram showing the configuration of optical components of the optical head. In this example, the semiconductor laser unit shown in Example 2 is used to form an optical head for a magneto-optical disk.
【００２３】実施例２に示した半導体レーザーユニット
１７とホログラム素子１９、対物レンズ２０、及び媒体
２１で構成される。レーザーダイオード１３から出射さ
れたレーザービーム２２はホログラム素子１９、対物レ
ンズ２０を透過し、媒体２１に集光される。媒体２１で
反射した光は同様に対物レンズ２０、ホログラム素子１
９を透過し、ホログラム素子１９で回折したレーザービ
ーム１次回折光２３、及びレーザービーム−１次回折光
２４が偏光板１８を透過してフォトダイオード１６に集
光する。媒体２１に記録されている信号、及び媒体２１
にフォーカシング及びトラッキングサーボをかける為の
エラー信号をフォトダイオード１６で検出している。The semiconductor laser unit 17, the hologram element 19, the objective lens 20, and the medium 21 shown in the second embodiment are used. The laser beam 22 emitted from the laser diode 13 passes through the hologram element 19 and the objective lens 20, and is focused on the medium 21. The light reflected by the medium 21 is similarly the objective lens 20 and the hologram element 1.
The laser beam 1st-order diffracted light 23 and the laser beam-1st-order diffracted light 24 that pass through 9 and are diffracted by the hologram element 19 pass through the polarizing plate 18 and are condensed on the photodiode 16. Signal recorded on medium 21, and medium 21
An error signal for applying focusing and tracking servo is detected by the photodiode 16.
【００２４】本例の光ヘッドはフォーカスエラー信号検
出としては、ホログラム１９で非点収差を発生させるこ
とにより、非点収差法で検出している。トラッキングエ
ラー検出はプッシュプル法で行っている。フォーカシン
グサーボ及びトラッキングサーボをかけるために、対物
レンズを二軸アクチュエータに搭載し、対物レンズのみ
を駆動する方式が一般的である。本構成の光ヘッドは構
成部品が少ないため、光学系全体を二軸アクチュエータ
に搭載することも可能である。媒体に記録された信号検
出は、媒体で反射する時に含まれるカー回転成分を半導
体レーザーユニット内部に実装した偏光板を検光子とし
て検出している。In the optical head of this example, as the focus error signal detection, astigmatism is generated by the hologram 19 to detect the astigmatism. The tracking error is detected by the push-pull method. In order to apply a focusing servo and a tracking servo, it is common to mount an objective lens on a biaxial actuator and drive only the objective lens. Since the optical head of this configuration has few components, it is possible to mount the entire optical system on the biaxial actuator. The signal recorded on the medium is detected by using a polarizing plate having the Kerr rotation component included when reflected by the medium mounted inside the semiconductor laser unit as an analyzer.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上述べたように本発明の半導体レーザ
ーユニットの構造を用いることにより、フォトダイオー
ドを複数ステム内に実装することによって端子の本数が
増えた場合、及びフォトダイオードをレーザーダイオー
ド搭載用ヒートシンクに実装するためにヒートシンクに
段差を設ける等、ヒートシンク形状が複雑になる場合
に、ヒートシンクの位置精度、及びヒートシンク精度が
確保されたハイパワーレーザー用ステムが実現可能とな
る。As described above, by using the structure of the semiconductor laser unit of the present invention, when the number of terminals is increased by mounting the photodiodes in a plurality of stems, and when the photodiodes are mounted on the laser diode. When the heat sink has a complicated shape such as a step formed on the heat sink for mounting on the heat sink, it is possible to realize a high-power laser stem in which the position accuracy of the heat sink and the accuracy of the heat sink are secured.
【図１】 本発明の半導体レーザーユニット第一の実施
例を示す部分断面図。FIG. 1 is a partial sectional view showing a first embodiment of a semiconductor laser unit of the present invention.
【図２】 本発明の半導体レーザーユニットの外観を示
す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of a semiconductor laser unit of the present invention.
【図３】 本発明の半導体レーザーユニット第一の実施
例に搭載しているステムの斜視図。FIG. 3 is a perspective view of a stem mounted in the first embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention.
【図４】 本発明の半導体レーザーユニット第一の実施
例に搭載しているステムの分解図。FIG. 4 is an exploded view of the stem mounted in the first embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention.
【図５】 本発明の半導体レーザーユニット第二の実施
例を示す部分断面図。FIG. 5 is a partial sectional view showing a second embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention.
【図６】 本発明の半導体レーザーユニット第二の実施
例に搭載しているステムの斜視図。FIG. 6 is a perspective view of a stem mounted in a second embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention.
【図７】 本発明の半導体レーザーユニット第二の実施
例に搭載しているステムの分解図。FIG. 7 is an exploded view of a stem mounted in the second embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention.
【図８】 本発明の半導体レーザーユニット第三の実施
例を示す部分断面図。FIG. 8 is a partial sectional view showing a third embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention.
【図９】 本発明の半導体レーザーユニット第三の実施
例に搭載しているステムの斜視図。FIG. 9 is a perspective view of a stem mounted in the third embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention.
【図１０】本発明の半導体レーザーユニット第三の実施
例に搭載しているステムの分解図。FIG. 10 is an exploded view of a stem mounted in the third embodiment of the semiconductor laser unit of the present invention.
【図１１】本発明の光メモリ装置用光ヘッド光学部品構
成を示す図。FIG. 11 is a diagram showing an optical head optical component configuration for an optical memory device of the present invention.
【図１２】従来の半導体レーザーユニットの斜視図。FIG. 12 is a perspective view of a conventional semiconductor laser unit.
【図１３】従来の半導体レーザーユニットに搭載してい
るステムの斜視図。FIG. 13 is a perspective view of a stem mounted on a conventional semiconductor laser unit.
【図１４】他の従来の半導体レーザーユニットの斜視
図。FIG. 14 is a perspective view of another conventional semiconductor laser unit.
【図１５】他の従来の半導体レーザーユニットに搭載し
ているステムの分解図。FIG. 15 is an exploded view of a stem mounted on another conventional semiconductor laser unit.
１、 円形金属部材 １ａ、段差 １ｂ、窪み ２、 つぶし端子 ３、 端子 ４、 ガラス ５、 ヒートシンク部材 ５ｂ、突起 ６、 ヒートシンク ６ａ、段差 ７、 モニター用フォトダイオード搭載用窪み ８、 フォトダイオード固定台 ９、 ステム １０、キャップ １１、カバーガラス １２、サブマウント １３、レーザーダイオード １４、モニター用フォトダイオード １５、ワイアー １６、フォトダイオード １７、レーザーユニット １８、偏光板 １９、ホログラム素子 ２０、対物レンズ ２１、媒体 ２２、レーザービーム ２３、レーザービーム１次回折光 ２４、レーザービーム−１次回折光 1, circular metal member 1a, step 1b, recess 2, crushed terminal 3, terminal 4, glass 5, heat sink member 5b, protrusion 6, heat sink 6a, step 7, monitor photodiode mounting recess 8, photodiode fixing base 9 , Stem 10, cap 11, cover glass 12, submount 13, laser diode 14, monitor photodiode 15, wire 16, photodiode 17, laser unit 18, polarizing plate 19, hologram element 20, objective lens 21, medium 22 , Laser beam 23, laser beam first-order diffracted light 24, laser beam-1st-order diffracted light
Claims (4)
心部に段差を設け、ヒートシンク部材を前記段差に実装
した半導体レーザー用ステムに、レーザーダイオード、
サブマウント、及びフォトダイオードを搭載し、ワイア
ーボンド、キャップシールしたことを特徴とする半導体
レーザーユニット。1. A semiconductor laser stem having a step formed at the center of a metal member whose terminals are sealed with glass, and a heat sink member mounted on the step, a laser diode,
A semiconductor laser unit that is equipped with a submount and a photodiode, and is wire-bonded and cap-sealed.
部材のレーザーダイオード搭載用ブロック部に、フォト
ダイオードを搭載するための段差を設けたことを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザーユニット。2. The semiconductor laser unit according to claim 1, wherein a step for mounting a photodiode is provided on the laser diode mounting block portion of the heat sink member of the semiconductor laser stem.
プレス成形、叉はメタルインジェクションで製作し、ヒ
ートシンク部材をメタルインジェクション、叉は鍛造、
叉はプレス成形で製作し、それらをロー付け、叉は抵抗
溶接、叉は接着で接合した半導体レーザー用ステムを用
いたことを特徴とする請求項１、叉は２記載の半導体レ
ーザーユニット。3. A metal member for sealing a terminal with glass is manufactured by press molding or metal injection, and a heat sink member is metal injection, or forging,
The semiconductor laser unit according to claim 1 or 2, characterized in that a semiconductor laser stem manufactured by press molding, brazed, resistance welded, or bonded together is used.
２、叉は３記載の半導体レーザーユニットを搭載したこ
とを特徴とする光メモリ装置用光ヘッド。4. An optical head for an optical memory device according to claim 1,
An optical head for an optical memory device, comprising the semiconductor laser unit described in 2 or 3.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4300088A JPH06152067A (en) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | Semiconductor laser unit and optical head for optical memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP4300088A JPH06152067A (en) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | Semiconductor laser unit and optical head for optical memory device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152067A true JPH06152067A (en) | 1994-05-31 |
Family
ID=17880568
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| JP4300088A Pending JPH06152067A (en) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | Semiconductor laser unit and optical head for optical memory device |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH06152067A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1992
- 1992-11-10 JP JP4300088A patent/JPH06152067A/en active Pending
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