JP2001223442A - Light source unit and light pickup device - Google Patents

Light source unit and light pickup device

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JP2001223442A
JP2001223442A JP2000032555A JP2000032555A JP2001223442A JP 2001223442 A JP2001223442 A JP 2001223442A JP 2000032555 A JP2000032555 A JP 2000032555A JP 2000032555 A JP2000032555 A JP 2000032555A JP 2001223442 A JP2001223442 A JP 2001223442A
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JP
Japan
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laser diode
diode chip
light
laser
source unit
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JP2000032555A
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Japanese (ja)
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Goro Nakamura
五郎 中村
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Nidec Sankyo Corp
Original Assignee
Nidec Sankyo Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure of a light source unit and light pickup device which emits laser light of different wavelengths by which power can be easily supplied to laser diode chips even if they are laminated, an adjustment of an optical axis can be made easily, and the heat radiation property can be improved. SOLUTION: In the light source unit 10, the laser diode chips 11, 12 are laminated with a conductive heat radiation board 7 made from a metal plate put inbetween. The heat radiation board 7 overhangs the laser diode chips 11, 12 on both sides. One of the overhanging parts 70 is used as a power supplying section 30 which is to be wire-bonded 31. The heat radiation board 7 is so disposed that an end face 77 located on the side of light emission end faces 110, 120 of the laser diode chips 11, 12 recedes in the optical axis direction from the light emission end faces 110, 120.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、波長が異なるレー
ザ光を出射する光源ユニット、およびこの光源ユニット
を用いた光ピックアップ装置に関するものである。更に
詳しくは、光源ユニットで用いるレーザダイオードチッ
プの配置技術に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a light source unit for emitting laser beams having different wavelengths, and an optical pickup device using the light source unit. More specifically, the present invention relates to a technique for arranging laser diode chips used in a light source unit.

【0002】[0002]

【従来の技術】光記録ディスク(光記録媒体)として
は、従来、厚さ1.2mmのCD(コンパクトディス
ク)が主流であったが、波長の短い赤色レーザダイオー
ドが実用化されるに伴なって、CDと同程度の大きさで
大容量化した厚さ0.6mmのDVD(デジタルバーサ
タイルディスク)が商品化されつつある。すなわち、光
記録媒体のディスク面に形成される光スポットの大きさ
は波長の2乗に比例するため、波長が780nm帯の赤
外光のAlGaAs系のレーザダイオードを用いるCD
よりも、波長が635/650nm帯の赤色光のAlG
aInP系のレーザダイオードを用いるDVDの方が波
長が短い分、高密度記録を実現できる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an optical recording disk (optical recording medium), a CD (compact disk) having a thickness of 1.2 mm has been mainly used, but with the practical use of a red laser diode having a short wavelength. Thus, a DVD (digital versatile disk) having a thickness of 0.6 mm, which is about the same size as a CD and has a large capacity, is being commercialized. That is, since the size of the light spot formed on the disk surface of the optical recording medium is proportional to the square of the wavelength, a CD using a 780 nm infrared infrared AlGaAs laser diode is used.
Than 635/650 nm band red light AlG
A DVD using an aInP-based laser diode can realize high-density recording because the wavelength is shorter.

【0003】但し、既存のデータを活用するという観点
からすれば、DVD駆動装置においてもCD系の光記録
ディスク(以下、CD系ディスクという。)からの再生
が可能であることは重要である。ここで、波長が635
/650nm帯の赤色レーザ光によれば、光記録ディス
クに対する対物レンズの絞りを操作して焦点深度を変え
ることにより、基本的には、DVD系ディスクの記録再
生と、CD系ディスクの再生が可能である。しかし、6
35/650nmの赤色レーザ光は、CD系ディスクの
うち、CD−R(一度だけ書換可能な追記型CD)に用
いた有機色素の吸収帯に相当するため、波長が635/
650nm帯の赤色レーザ光ではCD−Rの記録・再生
が不可能である。
[0003] However, from the viewpoint of utilizing existing data, it is important that a DVD drive device can reproduce data from a CD optical recording disk (hereinafter, referred to as a CD disk). Here, the wavelength is 635
According to the / 650 nm red laser beam, by operating the aperture of the objective lens with respect to the optical recording disk to change the depth of focus, it is basically possible to record and play back DVD-based discs and play back CD-based discs. It is. However, 6
The 35/650 nm red laser beam corresponds to the absorption band of the organic dye used for CD-R (write-once-read-only CD) among CD-based discs, and thus has a wavelength of 635/650 nm.
Recording / reproducing of CD-R is impossible with the 650 nm band red laser light.

【0004】そこで、1つの光ピックアップ装置に、波
長が635/650nmの第1のレーザ光を出射する第
1のレーザダイオードと、波長が780nmの第2のレ
ーザ光を出射する第2のレーザダイオードとを搭載し、
かつ、これらのレーザダイオードから出射されたレーザ
光を各種の光学素子を用いて共通の光路上に導くものが
案出されている。
Therefore, one optical pickup device has a first laser diode for emitting a first laser beam having a wavelength of 635/650 nm and a second laser diode for emitting a second laser beam having a wavelength of 780 nm. Equipped with
In addition, a laser light emitted from these laser diodes is guided on a common optical path using various optical elements.

【0005】たとえば、特開平10−326428号公
報には、図6に示すように、第1のレーザダイオード1
1Xから出射された波長が635/650nmの第1の
レーザ光L1と、第2のレーザダイオード12Xから出
射された波長が780nmの第2のレーザ光L2とをプ
リズム31を用いて共通の光路L0上に導くように構成
した光ピックアップ装置が開示されている。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-326428 discloses a first laser diode 1 as shown in FIG.
The first laser beam L1 having a wavelength of 635/650 nm emitted from 1X and the second laser beam L2 having a wavelength of 780 nm emitted from the second laser diode 12X are shared by the prism 31 using a common optical path L0. An optical pickup device configured to be directed above is disclosed.

【0006】また、特開平10−289468号公報に
は、図7に示すように、第1のレーザダイオード11X
から出射された波長が635/650nmの第1のレー
ザ光L1と、第2のレーザダイオード12Xから出射さ
れた波長が780nmの第2のレーザ光L2とを回折格
子32を用いて共通の光路L0上に導くように構成した
光ピックアップ装置が開示されている。
Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 10-289468 discloses a first laser diode 11X as shown in FIG.
A first laser beam L1 having a wavelength of 635/650 nm and a second laser beam L2 having a wavelength of 780 nm emitted from the second laser diode 12X are shared by a common optical path L0 using a diffraction grating 32. An optical pickup device configured to be directed above is disclosed.

【0007】このような構成の光ピックアップ装置によ
れば、波長の短い第1のレーザ光L1を用いてDVDか
らの信号再生を行なうことができるとともに、波長の長
い第2のレーザ光L2を用いてCD系ディスクからの信
号再生を行なうことができる。また、第1のレーザ光L
1と第2のレーザ光L2とを共通の光路L0上に導くの
で、対物レンズや光検出器を共通化することができる。
それ故、このような光ピックアップ装置では、光学系の
簡素化を図ることができる。
According to the optical pickup device having such a configuration, it is possible to reproduce a signal from a DVD using the first laser beam L1 having a short wavelength and to use the second laser beam L2 having a long wavelength. Signal reproduction from a CD-based disc. Further, the first laser light L
Since the first and second laser beams L2 are guided on the common optical path L0, the objective lens and the photodetector can be shared.
Therefore, in such an optical pickup device, the optical system can be simplified.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
2波長レーザ光を用いた光ピックアップ装置のように、
2つのレーザダイオード11X、12Xを各々互いに離
れた位置で所定の方向に向かせた状態で配置する構成で
は、光ピックアップ装置を組み立てるとき、両者の光軸
調整に手間がかかるので、生産性が低いという問題点が
ある。
However, like a conventional optical pickup device using two-wavelength laser light,
In the configuration in which the two laser diodes 11X and 12X are arranged at positions separated from each other and oriented in a predetermined direction, when assembling the optical pickup device, it takes time to adjust the optical axes of both, so that the productivity is low. There is a problem.

【0009】そこで、2つのレーザダイオードチップを
ハイブリッド実装したものを単一のパッケージ内に収納
することにより、光ピックアップ装置を組み立てる際に
2つのレーザダイオードチップの光軸調整を簡略するこ
とのできる光源ユニットが検討されている。
A light source which can simplify the adjustment of the optical axis of the two laser diode chips when assembling the optical pickup device by housing the hybrid mounting of the two laser diode chips in a single package. The unit is being considered.

【0010】このような構成を有する光源ユニットとし
ては、たとえば、図8に示すように、2つのレーザダイ
オードチップ11、12を2段積みにしたものが考えら
れている。
As a light source unit having such a configuration, for example, as shown in FIG. 8, a unit in which two laser diode chips 11 and 12 are stacked in two stages is considered.

【0011】しかしながら、2つのレーザダイオードチ
ップ11、12を積層すると、レーザダイオードチップ
11、12のいずれにおいても放熱性が著しく低下する
ので、発光特性や信頼性が低下するという問題点があ
る。
However, when the two laser diode chips 11 and 12 are stacked, the heat dissipation of both the laser diode chips 11 and 12 is significantly reduced, so that there is a problem that the light emission characteristics and reliability are reduced.

【0012】また、図8に示す構成において、2つのレ
ーザダイオードチップ11、12として同一サイズのも
のを用いると、上下面に各々形成されている各電極11
1、112、121、122のうち、互いに重なり合う
2つの電極112、121に給電を行なおうにも、これ
らの電極112、121にはワイヤーボンディングを行
なうスペースがない。従って、下側のレーザダイオード
チップ11にワイヤーボンディング31を施すための領
域125を確保し、ここからレーザダイオードチップ1
1、12の電極112、121に給電する必要があるた
め、下側のレーザダイオードチップ11ではサイズがか
なり大きくなってしまうという問題点がある。
In the configuration shown in FIG. 8, when two laser diode chips 11 and 12 having the same size are used, each electrode 11 formed on the upper and lower surfaces is used.
Even when power is supplied to two electrodes 112, 121 overlapping one another among the electrodes 1, 112, 121, 122, these electrodes 112, 121 have no space for wire bonding. Therefore, an area 125 for applying the wire bonding 31 to the lower laser diode chip 11 is secured.
Since it is necessary to supply power to the electrodes 112 and 121 of 1 and 12, there is a problem that the size of the lower laser diode chip 11 becomes considerably large.

【0013】さらに、図8に示す光源ユニット10にお
いて、2つのレーザダイオードチップ11、12を発光
端面110、120が同一方向に向くように接着剤ある
いは融着剤などの接合材を用いて接合したとき、図9に
示すように、接合材40がレーザダイオードチップ1
1、12の発光端面110、120にまで回り込んで、
レーザダイオードチップ11、12が動作不良を起すお
それがある。このような問題点は、たとえ、図10に示
すように、レーザダイオードチップ11、12を前後に
ずらして発光端面120が発光端面110より前方に位
置させたときでも、レーザダイオード11の発光端面1
10に接合材40が回り込むのを完全に防止することは
不可能である。
Further, in the light source unit 10 shown in FIG. 8, the two laser diode chips 11 and 12 are joined using a joining material such as an adhesive or a fusing agent so that the light emitting end faces 110 and 120 face in the same direction. At this time, as shown in FIG.
It goes around to the light emitting end faces 110 and 120 of 1 and 12,
The laser diode chips 11 and 12 may malfunction. Such a problem occurs even when the light emitting end face 120 is positioned forward of the light emitting end face 110 by shifting the laser diode chips 11 and 12 back and forth as shown in FIG.
It is impossible to completely prevent the joining material 40 from wrapping around 10.

【0014】このような問題点に鑑みて、本発明の課題
は、波長の異なるレーザ光を出射する光源ユニットおよ
び光ピックアップ装置において、レーザダイオードチッ
プを重ねてもこれらのレーザダイオードに対して容易に
給電でき、かつ、光軸の調整作業の簡略化および放熱性
の向上を図ることのできる構成を提案することにある。
In view of these problems, an object of the present invention is to provide a light source unit and an optical pickup device that emit laser beams having different wavelengths, even if laser diode chips are stacked, on these laser diodes easily. An object of the present invention is to propose a configuration capable of supplying power, simplifying the adjustment work of the optical axis, and improving heat dissipation.

【0015】また、本発明の課題は、この種の光源ユニ
ットおよび光ピックアップ装置において、レーザダイオ
ードチップの発光端面への接合材の回り込みを防止する
ことのできる構成を提案することにある。
Another object of the present invention is to propose a configuration in this kind of light source unit and optical pickup device that can prevent a bonding material from wrapping around a light emitting end face of a laser diode chip.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明では、少なくとも、第1のレーザ光を出射す
る第1のレーザダイオードチップと、該第1のレーザダ
イオードチップと異なる波長の第2のレーザ光を出射す
る第2のレーザダイオードチップとを備える光源ユニッ
トにおいて、前記第1のレーザダイオードチップと前記
第2のレーザダイオードチップは、導電性の放熱板を挟
んで積層されていることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided at least a first laser diode chip for emitting a first laser beam, and a first laser diode chip having a wavelength different from that of the first laser diode chip. In a light source unit including a second laser diode chip that emits a second laser beam, the first laser diode chip and the second laser diode chip are stacked with a conductive heat sink interposed therebetween. It is characterized by the following.

【0017】本発明を適用した光源ユニットでは、第1
のレーザダイオードチップと第2のレーザダイオードチ
ップが放熱板を挟んで搭載されているため、第1のレー
ザダイオードチップと第2のレーザダイオードチップと
の相対位置が固定されている。このため、前記第1のレ
ーザダイオードチップと前記第2のレーザダイオードチ
ップとの間で光軸の調整を簡単に行うことができる。従
って、光源ユニットの製造工程および光ピックアップ装
置の製造工程において、光軸調整の作業を簡略化でき
る。また、第1のレーザダイオードチップと第2のレー
ザダイオードチップは、放熱板を挟んで積層されている
ので、これらのレーザダイオードチップからの放熱性が
高い。
In the light source unit to which the present invention is applied, the first
Since the laser diode chip and the second laser diode chip are mounted with the heat sink interposed therebetween, the relative positions of the first laser diode chip and the second laser diode chip are fixed. For this reason, the optical axis can be easily adjusted between the first laser diode chip and the second laser diode chip. Therefore, in the manufacturing process of the light source unit and the manufacturing process of the optical pickup device, the operation of adjusting the optical axis can be simplified. Further, since the first laser diode chip and the second laser diode chip are stacked with a heat radiating plate interposed therebetween, heat radiation from these laser diode chips is high.

【0018】また、放熱板は、導電性を有しているの
で、放熱板にワイヤーボンディングなどの配線接続を行
なうことにより、放熱板を介して、第1のレーザダイオ
ードチップにおいて放熱板と接合されている電極、およ
び第2のレーザダイオードチップにおいて放熱板と接合
されている電極に給電を行なうことができる。
Since the heat radiating plate is conductive, the first laser diode chip is connected to the heat radiating plate through the heat radiating plate by wiring connection such as wire bonding. Power can be supplied to the electrodes that are connected and the electrodes that are joined to the heat sink in the second laser diode chip.

【0019】本発明において、前記放熱板は、前記第1
のレーザダイオードチップと前記第2のレーザダイオー
ドチップとの間からはみ出していることが好ましい。こ
のように構成すると、放熱板のはみ出した部分をワイヤ
ーボンディングなどの配線接続のスペースとして利用で
きる。また、放熱面積が増えるので、放熱板の放熱性を
高めることができる。
In the present invention, the radiator plate is provided with the first heat sink.
It is preferable to protrude from between the laser diode chip and the second laser diode chip. With this configuration, the protruding portion of the heat sink can be used as a space for wiring connection such as wire bonding. Further, since the heat dissipation area increases, the heat dissipation of the heat dissipation plate can be improved.

【0020】放熱板に接合されたレーザダイオードチッ
プの各電極に対しては、放熱板から給電することができ
るので、一方のレーザダイオードチップのサイズを大型
化する必要がない。よって、本発明において、第1のレ
ーザダイオードチップと第2のレーザダイオードチップ
は面積が略同一のものを用いることができる。
Since power can be supplied from the heat radiating plate to each electrode of the laser diode chip bonded to the heat radiating plate, it is not necessary to increase the size of one laser diode chip. Therefore, in the present invention, the first laser diode chip and the second laser diode chip having substantially the same area can be used.

【0021】本発明において、前記第1のレーザダイオ
ードチップと前記第2のレーザダイオードチップは、互
いに発光端面が同一方向を向くように積層され、前記放
熱板は、前記発光端面側の端部が前記第1のレーザダイ
オードチップの発光端面および前記第2のレーザダイオ
ードチップの発光端面のいずれよりも光軸方向後方に位
置するように配置された状態で前記第1のレーザダイオ
ードチップおよび前記第2のレーザダイオードチップと
接合材によって接合されていることが好ましい。このよ
うに構成すると、接合材が放熱板の発光端面側の端部に
回り込んできても、この放熱板の端部は、第1のレーザ
ダイオードチップの発光端面および第2のレーザダイオ
ードチップの発光端面からみて後退した位置にあるの
で、レーザダイオードチップの発光端面まで接合材が回
り込むことがない。従って、接合材の回り込みによって
レーザダイオードチップが動作不良を起すという問題を
回避できる。
In the present invention, the first laser diode chip and the second laser diode chip are stacked so that the light emitting end faces face in the same direction, and the heat sink has an end on the light emitting end face side. The first laser diode chip and the second laser diode chip are arranged so as to be located behind the light emitting end face of the first laser diode chip and the light emitting end face of the second laser diode chip in the optical axis direction. It is preferable to be bonded to the laser diode chip by a bonding material. With such a configuration, even if the bonding material reaches the end on the light emitting end face side of the heat sink, the end of the heat sink is connected to the light emitting end face of the first laser diode chip and the second laser diode chip. Since it is located at the position retracted from the light emitting end face, the bonding material does not wrap around to the light emitting end face of the laser diode chip. Therefore, it is possible to avoid a problem that the laser diode chip malfunctions due to the wraparound of the bonding material.

【0022】このような光源ユニットは、たとえば、レ
ーザ光源から出射されたレーザ光を光記録媒体上に収束
させる対物レンズと、光記録媒体上で反射してきた戻り
光を受光する光検出器とを有する光ピックアップ装置に
おいて、前記レーザ光源として用いることが好ましい。
Such a light source unit includes, for example, an objective lens for converging laser light emitted from a laser light source on an optical recording medium, and a photodetector for receiving return light reflected on the optical recording medium. In an optical pickup device having the same, it is preferable to use it as the laser light source.

【0023】このような光ピックアップ装置に対して、
本発明に係る光源ユニットを用いた場合に、前記第1の
レーザ光の波長を635nmあるいは650nmとし、
前記第2のレーザ光の波長を780nmとすれば、1つ
の光ピックアップ装置によって、DVDおよびCD系デ
ィスクの双方から好適に信号を再生することができる。
For such an optical pickup device,
When the light source unit according to the present invention is used, the wavelength of the first laser light is 635 nm or 650 nm,
If the wavelength of the second laser beam is 780 nm, a single optical pickup device can suitably reproduce signals from both DVD and CD discs.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
の実施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0025】[光ピックアップ装置の構成例]本発明を
適用した光源ユニットを説明する前に、図1を参照し
て、この光源ユニットを用いた光ピックアップ装置の一
例を説明しておく。
[Configuration Example of Optical Pickup Device] Before describing a light source unit to which the present invention is applied, an example of an optical pickup device using this light source unit will be described with reference to FIG.

【0026】図1は、本発明を適用した光源ユニットが
搭載される光ピックアップ装置の一例を示す概略構成図
である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an optical pickup device on which a light source unit to which the present invention is applied is mounted.

【0027】図1において、本例の光ピックアップ装置
1は、635nm(あるいは650nm)および780
nmのレーザ光を用いてDVDおよびCD系ディスクの
双方から信号の再生可能なものである。
In FIG. 1, the optical pickup device 1 according to the present embodiment has 635 nm (or 650 nm) and 780 nm.
Signals can be reproduced from both DVD and CD discs using a laser beam of nm.

【0028】詳細に説明すると、本例の光ピックアップ
装置1は、まず、波長が635nm(あるいは650n
m)の第1のレーザ光L1、および波長が780nmの
第2のレーザ光L2を出射する光源ユニット10を有し
ている。この光源ユニット10から出射された第1のレ
ーザ光L1および第2のレーザ光L2は、共通の光学系
を介して光記録ディスク2(光記録媒体)であるDVD
あるいはCD系ディスクに導かれる。また、光記録ディ
スク2からの戻り光も共通の光学系を介して共通の光検
出器115(ホトダイオードあるいはホトトランジス
タ)に導かれる。共通光学系は、第1のレーザ光L1お
よび第2のレーザ光L2から3ビームを生成する回折格
子103、この回折格子103を通過してきた光を部分
反射するハーフ・ミラー104、このハーフ・ミラー1
04から反射してきた光を平行光束に変換するコリメー
トレンズ105、このコリメートレンズ105から出射
された光の進行方向を直角に折り曲げる全反射ミラー1
06、およびこの全反射ミラー106から反射してきた
光を光記録ディスク2のディスク面に収束させる対物レ
ンズ107を含んでいる。ここに示す例でも、回折格子
103が使用されているが、この回折格子103は、あ
くまで3ビームを生成するもので、第1のレーザ光L1
の光軸と第2のレーザ光L2の光軸とを合成するもので
はない。
More specifically, the optical pickup device 1 of this embodiment has a wavelength of 635 nm (or 650 nm).
m), a light source unit 10 for emitting the first laser light L1 and the second laser light L2 having a wavelength of 780 nm. The first laser light L1 and the second laser light L2 emitted from the light source unit 10 are transmitted through a common optical system to the DVD as the optical recording disk 2 (optical recording medium).
Alternatively, it is led to a CD-based disc. The return light from the optical recording disk 2 is also guided to a common photodetector 115 (photodiode or phototransistor) via a common optical system. The common optical system includes a diffraction grating 103 that generates three beams from the first laser light L1 and the second laser light L2, a half mirror 104 that partially reflects light that has passed through the diffraction grating 103, and a half mirror 1
A collimating lens 105 for converting the light reflected from the light source 04 into a parallel light beam, and a total reflection mirror 1 for bending the traveling direction of the light emitted from the collimating lens 105 at a right angle.
06, and an objective lens 107 for converging the light reflected from the total reflection mirror 106 on the disk surface of the optical recording disk 2. Also in the example shown here, the diffraction grating 103 is used, but this diffraction grating 103 generates only three beams, and the first laser light L1
Is not combined with the optical axis of the second laser beam L2.

【0029】また、共通光学系には、光記録ディスク2
から反射してきた戻り光が対物レンズ107、全反射ミ
ラー106、コリメートレンズ105およびハーフ・ミ
ラー104によって導かれてきたのを収束させるセンサ
ーレンズ109、およびこのセンサーレンズ109によ
って非点収差を付与された戻り光を検出する光検出器1
15も含まれている。
The common optical system includes an optical recording disk 2
A sensor lens 109 that converges the return light reflected from the object by being guided by the objective lens 107, the total reflection mirror 106, the collimating lens 105, and the half mirror 104, and astigmatism is given by the sensor lens 109. Photodetector 1 for detecting return light
15 is also included.

【0030】なお、上記の例では、光源ユニット10に
おいて、第1のレーザ光L1の光軸と第2のレーザ光L
2の光軸との離間距離を実質的に無視できるものとし
て、第1のレーザ光L1と第2のレーザ光L2とを共通
光学系に導くための光学系を配置していないが、第1の
レーザ光L1の光軸と第2のレーザ光L2の光軸との離
間距離を無視できない場合には、第1のレーザ光L1と
第2のレーザ光L2とを光軸を重ねて共通光学系に導く
ための光学系を配置してもよい。
In the above example, in the light source unit 10, the optical axis of the first laser light L1 and the second laser light L
The optical system for guiding the first laser light L1 and the second laser light L2 to the common optical system is not provided, assuming that the separation distance from the second optical axis is substantially negligible. If the distance between the optical axis of the laser light L1 and the optical axis of the second laser light L2 cannot be neglected, the first laser light L1 and the second laser light L2 are overlapped on the optical axis and shared. An optical system for guiding the system may be provided.

【0031】このように構成した光ピックアップ装置1
において、光記録ディスク2としてDVDから信号を再
生するときには、光源ユニット10からは、波長が63
5nm(あるいは650nm)の第1のレーザ光L1が
出射される。光源ユニット10から出射された第1のレ
ーザ光L1は、ハーフ・ミラー104によってその進行
方向が90度折り曲げられてコリメートレンズ105に
入射する。コリメートレンズ105に入射した第1のレ
ーザ光L1は、コリメートレンズ105によってほぼ平
行な光束に変換される。平行な光束に変換された第1の
レーザ光L1は、全反射ミラー106および対物レンズ
107によって、DVDのディスク面に光スポットとし
て収束する。
The optical pickup device 1 configured as described above
In reproducing the signal from the DVD as the optical recording disk 2, the light source unit 10 outputs
A first laser beam L1 of 5 nm (or 650 nm) is emitted. The first laser light L1 emitted from the light source unit 10 has its traveling direction bent by 90 degrees by the half mirror 104 and enters the collimator lens 105. The first laser light L1 incident on the collimator lens 105 is converted by the collimator lens 105 into a substantially parallel light beam. The first laser light L1 converted into a parallel light flux is converged as a light spot on the DVD disk surface by the total reflection mirror 106 and the objective lens 107.

【0032】このDVDのディスク面で反射した第1の
レーザ光L1の戻り光は、共通光学系を再度通って光検
出器115に導かれる。すなわち、DVD2からの戻り
光は、対物レンズ107、全反射ミラー106、コリメ
ートレンズ105、ハーフ・ミラー104、センサーレ
ンズ109を介して光検出器115に集光する。光検出
器115は、例えば、4分割された受光面を備えてお
り、この受光面で検出された受光信号は制御装置(図示
せず)によって信号再生のための処理が行われる。
The return light of the first laser light L1 reflected by the DVD disk surface passes through the common optical system again and is guided to the photodetector 115. That is, the return light from the DVD 2 is focused on the photodetector 115 via the objective lens 107, the total reflection mirror 106, the collimator lens 105, the half mirror 104, and the sensor lens 109. The photodetector 115 has, for example, a four-divided light-receiving surface, and a light-receiving signal detected on this light-receiving surface is subjected to signal reproduction processing by a control device (not shown).

【0033】これに対して、光記録ディスク2としてC
D系ディスクから信号を再生するときには、光源ユニッ
ト10からは、波長が780nmの第2のレーザ光L2
が出射される。光源ユニット10から出射された第2の
レーザ光L2も、第1のレーザ光L1と同様、ハーフ・
ミラー104、コリメートレンズ105、全反射ミラー
106および対物レンズ107によってCD系ディスク
のディスク面に光スポットとして収束する。
On the other hand, as the optical recording disk 2, C
When reproducing a signal from a D-system disc, the light source unit 10 outputs a second laser beam L2 having a wavelength of 780 nm.
Is emitted. The second laser light L2 emitted from the light source unit 10 is also a half laser light similarly to the first laser light L1.
The light is converged as a light spot on the disc surface of the CD disc by the mirror 104, the collimating lens 105, the total reflection mirror 106, and the objective lens 107.

【0034】このCD系ディスクのディスク面で反射し
た第2のレーザ光L2の戻り光も、共通光学系を再度通
って光検出器115に導かれ、この光検出器115の受
光面で検出された受光信号は、制御装置(図示せず)に
よって信号再生のための処理が行われる。
The return light of the second laser beam L2 reflected on the disk surface of the CD disk also passes through the common optical system again, is guided to the photodetector 115, and is detected on the light receiving surface of the photodetector 115. The received light signal is subjected to signal reproduction processing by a control device (not shown).

【0035】[実施の形態1]図2および図3は各々、
図1に示す光ピックアップ装置などに用いられる光源ユ
ニットの要部の概略構成を示す斜視図および側面図であ
る。なお、図3にはワイヤーボンディングを省略してあ
る。なお、以下の説明において、従来の構成と共通する
部分については同一符号を付して説明する。
[Embodiment 1] FIGS. 2 and 3 show
FIG. 2 is a perspective view and a side view showing a schematic configuration of a main part of a light source unit used in the optical pickup device shown in FIG. 1 and the like. In FIG. 3, the wire bonding is omitted. In the following description, portions common to the conventional configuration will be denoted by the same reference numerals.

【0036】図2および図3に示すように、光ピックア
ップ装置においてレーザ光源として用いた光源ユニット
10では、波長が635nm(あるいは650nm)の
第1のレーザ光L1(赤色光)を出射するAlGaIn
P系の第1のレーザダイオードチップ11と、波長が7
80nmの第2のレーザ光L2(赤外光)を出射するA
lGaAs系の第2のレーザダイオードチップ12と
が、金属板などからなる共通のヒートシンク8(サブマ
ウント)上に搭載され、この状態で共通のパッケージ
(図示せず)内に収納されてハイブリッド化されてい
る。
As shown in FIGS. 2 and 3, in the light source unit 10 used as a laser light source in the optical pickup device, AlGaIn which emits a first laser light L1 (red light) having a wavelength of 635 nm (or 650 nm) is used.
P-type first laser diode chip 11 and wavelength 7
A that emits the second laser light L2 (infrared light) of 80 nm
The lGaAs-based second laser diode chip 12 is mounted on a common heat sink 8 (submount) made of a metal plate or the like, and is housed in a common package (not shown) in this state to be hybridized. ing.

【0037】本形態では、第1のレーザダイオードチッ
プ11と第2のレーザダイオードチップ12は、金属板
からなる所定厚の放熱板7を挟んで積層され、ヒートシ
ンク8上において、第1のレーザダイオードチップ1
1、放熱板7、および第2のレーザダイオードチップ1
2が下から上へこの順に積層されている。従って、第1
のレーザダイオードチップ11は、その両面に形成され
ている電極111、112のうち、電極111はヒート
シンク8の上面81に対して接合され、電極112は放
熱板7の下面71に対して導電性の接合材によって接合
されている。また、第2のレーザダイオードチップ12
は、その両面に形成されている電極121、122のう
ち、電極121が放熱板7の上面72に対して導電性の
接合材によって接合され、電極122は上方に開放状態
にある。このため、ヒートシンク8の上面81にワイヤ
ーボンディング33を行なえば、このヒートシンク8を
介して第1のレーザダイオードチップ11の電極111
に給電することができる。また、第2のレーザダイオー
ドチップ12の電極122には、直接、ワイヤーボンデ
ィング32を行なうことができる。
In the present embodiment, the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 are stacked with a predetermined thickness of the heat radiating plate 7 made of a metal plate interposed therebetween. Chip 1
1, heat sink 7, and second laser diode chip 1
2 are stacked in this order from bottom to top. Therefore, the first
Of the electrodes 111 and 112 formed on both surfaces of the laser diode chip 11, the electrode 111 is bonded to the upper surface 81 of the heat sink 8, and the electrode 112 is electrically conductive to the lower surface 71 of the heat sink 7. It is joined by a joining material. Also, the second laser diode chip 12
Of the electrodes 121 and 122 formed on both surfaces thereof, the electrode 121 is bonded to the upper surface 72 of the heat sink 7 by a conductive bonding material, and the electrode 122 is open upward. For this reason, if the wire bonding 33 is performed on the upper surface 81 of the heat sink 8, the electrode 111 of the first laser diode chip 11 is
Can be powered. Further, the wire bonding 32 can be directly performed on the electrode 122 of the second laser diode chip 12.

【0038】ここで用いた接合材とは、導電性の接着剤
あるいは導電性の融着剤である。
The bonding material used here is a conductive adhesive or a conductive fusing agent.

【0039】また、放熱板7は、第1のレーザダイオー
ドチップ11と第2のレーザダイオードチップ12との
間から両側にはみ出しており、これらのはみ出し部分7
0の一方は、ワイヤーボンディング31が施された給電
部30として用いられている。従って、第1のレーザダ
イオードチップ11および第2のレーザダイオードチッ
プ12の電極112、121に対しては、放熱板7を介
して給電することができる。このため、本形態では、図
8を参照して説明したものと違って、第1のレーザダイ
オードチップ11および第2のレーザダイオードチップ
12については、面積が等しいなど、同一サイズのもの
が用いられている。
Further, the heat radiating plate 7 protrudes from both sides between the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12, and these protruding portions 7 are formed.
One of the 0s is used as the power supply unit 30 to which the wire bonding 31 has been applied. Therefore, power can be supplied to the electrodes 112 and 121 of the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 via the heat sink 7. Therefore, in the present embodiment, unlike the one described with reference to FIG. 8, the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 have the same size, such as the same area. ing.

【0040】本形態において、第1のレーザダイオード
チップ11と第2のレーザダイオードチップ12は、互
いの光軸が平行になるように互いの発光端面110、1
20が同一方向に向いて積層され、かつ、これらの発光
端面110、120は同一平面上にある。
In the present embodiment, the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 have their light emitting end faces 110 and 1 so that their optical axes are parallel to each other.
20 are stacked in the same direction, and the light emitting end faces 110 and 120 are on the same plane.

【0041】これに対して、放熱板7は、発光端面11
0、120側に位置する端面77が第1のレーザダイオ
ードチップ11の発光端面110および第2のレーザダ
イオードチップ12の発光端面120よりも光軸方向後
方に位置するように配置されている。このため、第1の
レーザダイオードチップ11と放熱板7との間で接合材
40が放熱板7の端面77にまで回り込んできても、接
合材40は、端面77と第1のレーザダイオードチップ
11の電極112とが形成する角部分に止まり、第1の
レーザダイオードチップ11の発光端面110まで回り
込むことがない。また、第2のレーザダイオードチップ
12と放熱板7との間で接合材40が放熱板7の端面7
7にまで回り込んできても、接合材40は、端面77と
第2のレーザダイオードチップ12の電極121とが形
成する角部分に止まり、第2のレーザダイオードチップ
12の発光端面120まで回り込むことがない。
On the other hand, the heat radiating plate 7 is
The end faces 77 located on the 0 and 120 sides are arranged behind the light emitting end face 110 of the first laser diode chip 11 and the light emitting end face 120 of the second laser diode chip 12 in the optical axis direction. For this reason, even if the bonding material 40 goes around to the end face 77 of the heat sink 7 between the first laser diode chip 11 and the heat sink 7, the bonding material 40 is connected to the end face 77 and the first laser diode chip. It stops at the corner formed by the eleventh electrode 112 and does not reach the light emitting end face 110 of the first laser diode chip 11. In addition, the bonding material 40 is provided between the second laser diode chip 12 and the heat sink 7 so that the end face 7 of the heat sink 7 is closed.
7, the bonding material 40 stops at the corner formed by the end face 77 and the electrode 121 of the second laser diode chip 12, and goes to the light emitting end face 120 of the second laser diode chip 12. There is no.

【0042】このように、本形態の光源ユニット10で
は、第1のレーザダイオードチップ11と第2のレーザ
ダイオードチップ12がヒートシンク8上に一体に搭載
されているため、光ピックアップ装置を組み立てる際
に、第1のレーザダイオードチップ11と第2のレーザ
ダイオードチップとの間で光軸の調整を簡単にすること
ができる。また、第1のレーザダイオードチップ11と
第2のレーザダイオードチップ12との離間距離につい
ては、放熱板7の厚さによって高い精度で管理できる。
従って、光源ユニット10および光ピックアップ装置を
製造する際に光軸の調整作業を簡略化できる。
As described above, in the light source unit 10 of the present embodiment, the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 are integrally mounted on the heat sink 8, so that when the optical pickup device is assembled, The adjustment of the optical axis between the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip can be simplified. Further, the distance between the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 can be controlled with high accuracy by the thickness of the heat sink 7.
Therefore, the operation of adjusting the optical axis when manufacturing the light source unit 10 and the optical pickup device can be simplified.

【0043】また、第1のレーザダイオードチップ11
と第2のレーザダイオードチップ12は、放熱板7を挟
んで積層されているので、第1のレーザダイオードチッ
プ11および第2のレーザダイオードチップ12で発生
した熱は、放熱板7を介して効率よく放熱される。しか
も、放熱板7は、第1のレーザダイオードチップ11と
第2のレーザダイオードチップ12との間からはみ出し
ているので、放熱板7の放熱性はかなり高い状態にあ
る。それ故、第1のレーザダイオードチップ11および
第2のレーザダイオードチップ12の温度上昇を抑える
ことができるので、第1のレーザダイオードチップ11
および第2のレーザダイオードチップ12の動作不良や
信頼性の低下を防止することができる。
Also, the first laser diode chip 11
And the second laser diode chip 12 are stacked with the heat radiating plate 7 interposed therebetween, so that the heat generated by the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 is efficiently transmitted through the heat radiating plate 7. Dissipates heat well. Moreover, since the heat radiation plate 7 protrudes from between the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12, the heat radiation of the heat radiation plate 7 is in a considerably high state. Therefore, the temperature rise of the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 can be suppressed, so that the first laser diode chip 11
In addition, it is possible to prevent a malfunction and a decrease in reliability of the second laser diode chip 12.

【0044】さらに、放熱板7では、第1のレーザダイ
オードチップ11と第2のレーザダイオードチップ12
との間からのはみ出し部70を給電部30として、ここ
にワイヤーボンディング31を行なっている。従って、
放熱板7を共通電極として、第1のレーザダイオードチ
ップ12において放熱板7と接合されている電極11
2、および第2のレーザダイオードチップ12において
放熱板7と接合されている電極121に給電を行なうこ
とができる。それ故、下側に配置された第1のレーザダ
イオードチップ11に関しては、わざわざ大サイズに形
成してワイヤーボンディング31を行なうための領域を
確保する必要がないので、第2のレーザダイオードチッ
プ12と同一サイズの小型のものを用いることができ
る。
Further, the heat sink 7 has a first laser diode chip 11 and a second laser diode chip 12.
The wire bonding 31 is performed here by using the protruding portion 70 extending from the space between them as the power supply portion 30. Therefore,
The electrode 11 joined to the heat sink 7 in the first laser diode chip 12 using the heat sink 7 as a common electrode
In the second and second laser diode chips 12, power can be supplied to the electrode 121 bonded to the heat sink 7. Therefore, the first laser diode chip 11 disposed on the lower side does not need to be formed into a large size to secure an area for performing the wire bonding 31, so that the second laser diode chip 12 Small ones of the same size can be used.

【0045】さらにまた、放熱板7は、第1のレーザダ
イオードチップ11および第2のレーザダイオードチッ
プ12よりも後退した位置に配置されているので、第1
のレーザダイオードチップ11および第2のレーザダイ
オードチップ12の発光端面110、120まで接合材
40が回り込むことがない。従って、接合材40の回り
込みによって第1のレーザダイオードチップ11および
第2のレーザダイオードチップ12が動作不良を起すこ
とがない。
Further, since the heat radiating plate 7 is disposed at a position retracted from the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12, the first
The bonding material 40 does not reach the light emitting end faces 110 and 120 of the laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12. Therefore, the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 do not malfunction due to the wraparound of the bonding material 40.

【0046】なお、本形態の光源ユニット10では、図
3に示すように、第1のレーザダイオードチップ11の
発光端面110とヒートシンク8の端面80が同一平面
上にあるが、第1のレーザダイオードチップ11とヒー
トシンク8との接合にも導電性の接合材を用いたとき
に、この接合材が第1のレーザダイオードチップ11の
発光端面110まで回り込むのを防止することを目的
に、ヒートシンク8の発光端面110側の端面80につ
いては、図3に一点鎖線L1で示す位置まで後退させて
もよい。
In the light source unit 10 of this embodiment, as shown in FIG. 3, the light emitting end face 110 of the first laser diode chip 11 and the end face 80 of the heat sink 8 are on the same plane. When a conductive bonding material is also used to bond the chip 11 and the heat sink 8, the heat sink 8 may be connected to the first laser diode chip 11 in order to prevent the bonding material from reaching the light emitting end face 110. The end face 80 on the light emitting end face 110 side may be retracted to the position shown by the dashed line L1 in FIG.

【0047】[実施の形態2]図4および図5は各々、
光ピックアップ装置に用いた光源ユニットの要部の概略
構成を示す斜視図、および平面図である。なお、図5に
はワイヤーボンディングを省略してある。
[Embodiment 2] FIGS. 4 and 5 show
It is the perspective view and the top view which show schematic structure of the principal part of the light source unit used for the optical pick-up apparatus. In FIG. 5, the wire bonding is omitted.

【0048】図4および図5に示すように、本形態の光
源ユニット10では、波長が635nm(あるいは65
0nm)の第1のレーザ光L1(赤色光)を出射する第
1のレーザダイオードチップ11と、波長が780nm
の第2のレーザ光L2(赤外光)を出射する第2のレー
ザダイオードチップ12とが絶縁性の共通のサブマウン
ト8′上に搭載され、この状態で共通のパッケージ(図
示せず)内に収納されてハイブリッド化されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, in the light source unit 10 of this embodiment, the wavelength is 635 nm (or 65 nm).
0 nm) and a first laser diode chip 11 for emitting a first laser beam L1 (red light) having a wavelength of 780 nm.
The second laser diode chip 12 for emitting the second laser light L2 (infrared light) is mounted on a common insulating submount 8 ', and in this state, a common package (not shown) is used. It is housed in a hybrid.

【0049】本形態でも、第1のレーザダイオードチッ
プ11と第2のレーザダイオードチップ12は、金属板
からなる導電性の放熱板7を挟んで積層され、サブマウ
ント8′上において、第1のレーザダイオードチップ1
1、放熱板7、および第2のレーザダイオードチップ1
2がこの順に横方向に積層されている。従って、第1の
レーザダイオードチップ11の電極112は、放熱板7
の一方の面71′に対して導電性の接合材によって接合
され、電極111は側方に開放状態にある。また、第2
のレーザダイオードチップ12の電極121は、放熱板
7の他方の面72′に対して導電性の接合材によって接
合され、電極122は側方に開放状態にある。このた
め、第1のレーザダイオードチップ11の電極111、
および第2のレーザダイオードチップ12の電極122
には、直接、ワイヤーボンディング36、37などによ
って配線接続を行なうことができる。
Also in this embodiment, the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 are stacked with the conductive heat radiating plate 7 made of a metal plate interposed therebetween. Laser diode chip 1
1, heat sink 7, and second laser diode chip 1
2 are stacked in this order in the horizontal direction. Therefore, the electrode 112 of the first laser diode chip 11 is
Is bonded to the other surface 71 'by a conductive bonding material, and the electrode 111 is open laterally. Also, the second
The electrode 121 of the laser diode chip 12 is bonded to the other surface 72 ′ of the heat sink 7 by a conductive bonding material, and the electrode 122 is open laterally. For this reason, the electrode 111 of the first laser diode chip 11,
And the electrode 122 of the second laser diode chip 12
In this case, wiring connection can be made directly by wire bonding 36, 37 or the like.

【0050】また、放熱板7は、第1のレーザダイオー
ドチップ11と第2のレーザダイオードチップ12との
間から上方および後方にはみ出しており、これらのはみ
出し部分78は、ワイヤボンディング31が施される給
電部30として用いられている。従って、第1のレーザ
ダイオードチップ11および第2のレーザダイオードチ
ップ12の電極112、121に対しては、放熱板7を
介して給電することができる。このため、本形態では、
図8を参照して説明したものと違って、第1のレーザダ
イオードチップ11および第2のレーザダイオードチッ
プ12については、面積が等しいなど、同一サイズのも
のが用いられている。
The heat radiating plate 7 protrudes upward and backward from between the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12, and the protruding portions 78 are subjected to wire bonding 31. Used as the power supply unit 30. Therefore, power can be supplied to the electrodes 112 and 121 of the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 via the heat sink 7. For this reason, in this embodiment,
Unlike the one described with reference to FIG. 8, the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12 have the same size, such as equal areas.

【0051】本形態においても、第1のレーザダイオー
ドチップ11と第2のレーザダイオードチップ12は、
互いの光軸が平行になるように互いの発光端面110、
120が同一方向に向いて積層され、かつ、これらの発
光端面110、120は同一平面上にある。
Also in this embodiment, the first laser diode chip 11 and the second laser diode chip 12
The light emitting end faces 110 of each other so that their optical axes are parallel,
120 are stacked in the same direction, and the light emitting end faces 110 and 120 are on the same plane.

【0052】これに対して、放熱板7は、発光端面11
0、120側に位置する端面77が第1のレーザダイオ
ードチップ11の発光端面110および第2のレーザダ
イオードチップ12の発光端面120よりも光軸方向後
方に位置するように配置されている。このため、第1の
レーザダイオードチップ11と放熱板7との間で接合材
40が放熱板7の端面77にまで回り込んできても、接
合材40は、端面77と第1のレーザダイオードチップ
11の電極112とが形成する角部分に止まり、第1の
レーザダイオードチップ11の発光端面110まで回り
込むことがない。また、第2のレーザダイオードチップ
12と放熱板7との間で接合材40が放熱板7の端面7
7にまで回り込んできても、接合材40は、端面77と
第2のレーザダイオードチップ12の電極121とが形
成する角部分に止まり、第2のレーザダイオードチップ
12の発光端面120まで回り込むことがない。
On the other hand, the heat radiating plate 7 is
The end faces 77 located on the 0 and 120 sides are arranged behind the light emitting end face 110 of the first laser diode chip 11 and the light emitting end face 120 of the second laser diode chip 12 in the optical axis direction. For this reason, even if the bonding material 40 goes around to the end face 77 of the heat sink 7 between the first laser diode chip 11 and the heat sink 7, the bonding material 40 is connected to the end face 77 and the first laser diode chip. It stops at the corner formed by the eleventh electrode 112 and does not reach the light emitting end face 110 of the first laser diode chip 11. In addition, the bonding material 40 is provided between the second laser diode chip 12 and the heat sink 7 so that the end face 7 of the heat sink 7 is closed.
7, the bonding material 40 stops at the corner formed by the end face 77 and the electrode 121 of the second laser diode chip 12, and goes to the light emitting end face 120 of the second laser diode chip 12. There is no.

【0053】このように、本形態の光源ユニット10で
も、第1のレーザダイオードチップ11と第2のレーザ
ダイオードチップ12との離間距離については放熱板7
の厚さによって高い精度で管理できるので、光源ユニッ
ト10および光ピックアップ装置を製造する際に光軸の
調整作業を簡略化でき、かつ、放熱板7によって放熱性
がかなり高いなど、実施の形態1と同様な効果を奏す
る。
As described above, also in the light source unit 10 of the present embodiment, the distance between the first laser diode chip 11 and the second
Can be controlled with high precision by the thickness of the light source unit 10 and the optical pickup device can be simplified in adjusting the optical axis when the light source unit 10 and the optical pickup device are manufactured. It has the same effect as.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光源
ユニットでは、第1のレーザダイオードチップと第2の
レーザダイオードチップが放熱板を挟んで搭載されてい
るため、第1のレーザダイオードチップと第2のレーザ
ダイオードチップとの相対位置が固定されている。従っ
て、第1のレーザダイオードチップと第2のレーザダイ
オードチップとの間で光軸の調整を簡単に行うことがで
きるので、光源ユニットの製造工程および光ピックアッ
プの製造工程において、光軸調整の作業を簡略化でき
る。また、第1のレーザダイオードチップと第2のレー
ザダイオードチップは、放熱板を挟んで積層されている
ので、これらのレーザダイオードチップからの放熱性が
高い。
As described above, in the light source unit according to the present invention, the first laser diode chip and the second laser diode chip are mounted with the heat radiating plate interposed therebetween. And the second laser diode chip has a fixed relative position. Therefore, the optical axis can be easily adjusted between the first laser diode chip and the second laser diode chip, so that the optical axis adjustment work is performed in the light source unit manufacturing process and the optical pickup manufacturing process. Can be simplified. Further, since the first laser diode chip and the second laser diode chip are stacked with a heat radiating plate interposed therebetween, heat radiation from these laser diode chips is high.

【0055】また、放熱板が第1のレーザダイオードチ
ップと第2のレーザダイオードチップとの間からはみ出
しておれば、このはみ出し部分を第1のレーザダイオー
ドチップおよび第2のレーザダイオードチップへの給電
部としてワイヤーボンディングなどを行なうことができ
るので、ワイヤボンディングの場所を確保する目的で一
方のレーザダイオードチップのサイズを大型化する必要
がない。よって、第1のレーザダイオードチップと第2
のレーザダイオードチップとは、面積が略同一のものを
用いることができる。
If the heat radiating plate protrudes from between the first laser diode chip and the second laser diode chip, this protruding portion is supplied to the first laser diode chip and the second laser diode chip. Since wire bonding or the like can be performed as a part, it is not necessary to increase the size of one laser diode chip in order to secure a place for wire bonding. Therefore, the first laser diode chip and the second
The laser diode chips having the same area can be used.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用した光源ユニットが搭載される光
ピックアップ装置の一例を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an optical pickup device on which a light source unit to which the present invention is applied is mounted.

【図2】本発明の実施の形態1に係る光ピックアップ装
置に用いた光源ユニットの要部の概略構成を示す斜視図
である。
FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a main part of a light source unit used in the optical pickup device according to Embodiment 1 of the present invention.

【図3】図2に示す光源ユニットの要部の概略構成を示
す側面図である。
FIG. 3 is a side view showing a schematic configuration of a main part of the light source unit shown in FIG. 2;

【図4】本発明の実施の形態2に係る光ピックアップ装
置に用いた光源ユニットの要部の概略構成を示す斜視図
である。
FIG. 4 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a main part of a light source unit used in an optical pickup device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図4に示す光源ユニットの要部の概略構成を示
す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of a main part of the light source unit shown in FIG.

【図6】従来の光ピックアップ装置に用いたレーザ光源
およびプリズムの配置を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing an arrangement of a laser light source and a prism used in a conventional optical pickup device.

【図7】従来の別の光ピックアップ装置に用いたレーザ
光源および回折格子の配置を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an arrangement of a laser light source and a diffraction grating used in another conventional optical pickup device.

【図8】参考例に係る光ピックアップ装置に用いた光源
ユニットの概略構成を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a light source unit used in an optical pickup device according to a reference example.

【図9】図8に示す光源ユニットの概略構成を示す側面
図である。
FIG. 9 is a side view showing a schematic configuration of the light source unit shown in FIG.

【図10】別の参考例に係る光ピックアップ装置に用い
た光源ユニットの概略構成を示す側面図である。
FIG. 10 is a side view showing a schematic configuration of a light source unit used in an optical pickup device according to another reference example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光ピックアップ装置 2 光記録ディスク(光記録媒体) 8 ヒートシンク 8′ サブマウント 10 光源ユニット 11 第1のレーザダイオードチップ 12 第2のレーザダイオードチップ 30 給電部 40 接合材 70、78 放熱板のはみ出し部分 103 回折格子 104 ハーフ・ミラー 105 コリメートレンズ 106 全反射ミラー 107 対物レンズ 109 センサーレンズ 110、120 発光端面 111、112、121、122 電極 31、32、33、36、37 ワイヤーボンディング 115 光検出器 L1 第1のレーザ光 L2 第2のレーザ光 REFERENCE SIGNS LIST 1 optical pickup device 2 optical recording disk (optical recording medium) 8 heat sink 8 ′ submount 10 light source unit 11 first laser diode chip 12 second laser diode chip 30 power supply unit 40 bonding material 70, 78 protruding portion of heat sink 103 Diffraction grating 104 Half mirror 105 Collimating lens 106 Total reflection mirror 107 Objective lens 109 Sensor lens 110, 120 Light emitting end face 111, 112, 121, 122 Electrode 31, 32, 33, 36, 37 Wire bonding 115 Photodetector L1 First 1st laser beam L2 2nd laser beam

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも、第1のレーザ光を出射する
第1のレーザダイオードチップと、該第1のレーザダイ
オードチップと異なる波長の第2のレーザ光を出射する
第2のレーザダイオードチップとを備える光源ユニット
において、 前記第1のレーザダイオードチップと前記第2のレーザ
ダイオードチップは、導電性の放熱板を挟んで積層され
ていることを特徴とする光源ユニット。
At least a first laser diode chip that emits a first laser light and a second laser diode chip that emits a second laser light having a wavelength different from that of the first laser diode chip are provided. In the light source unit provided, the first laser diode chip and the second laser diode chip are stacked with a conductive heat radiating plate interposed therebetween.
【請求項2】 請求項1において、前記放熱板は、前記
第1のレーザダイオードチップと前記第2のレーザダイ
オードチップとの間からはみ出していることを特徴とす
る光源ユニット。
2. The light source unit according to claim 1, wherein the heat radiating plate protrudes from between the first laser diode chip and the second laser diode chip.
【請求項3】 請求項1または2において、前記第1の
レーザダイオードチップと前記第2のレーザダイオード
チップは、面積が略同一であることを特徴とする光源ユ
ニット。
3. The light source unit according to claim 1, wherein the first laser diode chip and the second laser diode chip have substantially the same area.
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記第1のレーザダイオードチップと前記第2のレーザ
ダイオードチップは、互いに発光端面が同一方向を向く
ように積層され、 前記放熱板は、前記発光端面側の端部が前記第1のレー
ザダイオードチップの発光端面および前記第2のレーザ
ダイオードチップの発光端面のいずれよりも光軸方向後
方に位置するように配置された状態で前記第1のレーザ
ダイオードチップおよび前記第2のレーザダイオードチ
ップと接合材によって接合されていることを特徴とする
光源ユニット。
4. The method according to claim 1, wherein
The first laser diode chip and the second laser diode chip are stacked so that the light emitting end faces thereof face in the same direction, and the heat sink has an end on the light emitting end face side of the first laser diode chip. The first laser diode chip, the second laser diode chip, and the bonding material in a state where the first laser diode chip and the second laser diode chip are disposed so as to be located behind the light emitting end face of the second laser diode chip and the light emitting end face of the second laser diode chip. A light source unit characterized by being joined by.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに規定する
光源ユニットを用いた光ピックアップ装置であって、前
記光源ユニットと、該光源ユニットから出射された前記
第1のレーザ光および前記第2のレーザ光を光記録媒体
上に収束させる対物レンズと、光記録媒体上で反射して
きた戻り光を受光する光検出器とを有することを特徴と
する光ピックアップ装置。
5. An optical pickup device using the light source unit defined in any one of claims 1 to 4, wherein the light source unit, the first laser beam emitted from the light source unit, and the second An optical pickup device comprising: an objective lens for converging the laser light on an optical recording medium; and a photodetector for receiving return light reflected on the optical recording medium.
【請求項6】 請求項5において、前記第1のレーザ光
の波長は635nmあるいは650nmであり、前記第
2のレーザ光の波長は780nmであることを特徴とす
る光ピックアップ装置。
6. The optical pickup device according to claim 5, wherein the wavelength of the first laser light is 635 nm or 650 nm, and the wavelength of the second laser light is 780 nm.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005055383A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-16 Pioneer Corporation Process for fabricating semiconductor laser device
CN100363993C (en) * 2003-02-26 2008-01-23 三星电子株式会社 Optical pickup apparatus
JP2019192915A (en) * 2018-04-28 2019-10-31 エスゼット ディージェイアイ テクノロジー カンパニー リミテッドSz Dji Technology Co.,Ltd Semiconductor apparatus

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