JPH06149480A

JPH06149480A - データ記憶装置

Info

Publication number: JPH06149480A
Application number: JP4301901A
Authority: JP
Inventors: Masayoshi Takei; 正善武居; Toshihiro Sakai; 利弘酒井; Akinao Tanigawa; 亮直谷川; Toshiichi Uchiyama; 敏一内山; Hiroyuki Hongo; 博之本郷; Noboru Takemura; 登竹村; 雅史 ▲崎▼田; Masafumi Sakida
Original assignee: Fujitsu Ltd; PFU Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd; PFU Ltd
Priority date: 1992-11-12
Filing date: 1992-11-12
Publication date: 1994-05-27

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体ディスクを磁気ディスクを用いた活性
ユニットと互換性を持たせる。【構成】磁気ディスク装置を用いた活性ユニットとこ
の活性ユニットを用いる情報処理装置との接合部形状と
同一の接合部形状とし、同一のコネクタ14を用いた取合
部と、半導体メモリ11と、磁気ディスク12と、半導体メ
モリ11の読み書きを制御するとともに磁気ディスク12と
半導体メモリ11の間のデータ転送を制御するインタフェ
ース制御部13とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、データ記憶装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】外部記憶装置として磁気ディスク装置が
広く用いられている。この磁気ディスク装置を情報処理
装置に装着する方法として、活性ユニットにして情報処
理装置に設けられた挿入スペース（以降スロットと呼
ぶ）に情報処理装置が稼動中でも挿入、拔去できるよう
にする方法がある。ここで活性ユニットとは磁気ディス
ク装置を電源シーケンスを取ることが可能なコネクタを
用い、情報処理装置に設けられたスロットに自由に挿入
／拔去できる構造の箱（ユニット）に設置したものであ
る。

【０００３】活性ユニットが挿入されるスロットは情報
処理装置の筐体に複数個存在する。またスロットの内、
１つは保守専用のスロットであり、ある活性ユニット内
の磁気ディスク装置の寿命が近づいた場合、新品の活性
ユニットを保守専用のスロットに挿入し、一時的に二重
化ディスク状態とし、寿命の近い磁気ディスクの活性ユ
ニットを拔去することにより情報処理装置を停止するこ
となく、活性ユニットの交換を可能とする。これを活性
保守と言う。なお、磁気ディスク装置は故障する前に書
込み／読出し時エラーなどで寿命が近づいた徴候が認識
できる性質を持っている。

【０００４】電源シーケンスを取ることが可能なコネク
タとは図４に示すようなコネクタである。磁気ディスク
に限らず、情報処理装置の部品はアース、電源、信号線
により動作している。他の部品が動作中、アース（ＧＮ
Ｄ）されていない素子に電源が供給されたり、ＧＮＤ／
電源が供給されていない素子が他の信号線と接続される
と素子破壊、信号線の論理不定などが発生する。このた
め、図４に示すようにＧＮＤ、電源、信号線の順に接続
されるコネクタが用いられる。

【０００５】半導体メモリと磁気ディスクを組み合わ
せ、半導体メモリのアクセス高速性を生かし、電源切断
時には磁気ディスクに格納し、電源投入時に半導体メモ
リに読み出すようにした半導体ディスクと呼ばれる装置
が用いられている。

【０００６】図５は磁気ディスク装置と半導体ディスク
装置を示したものである。（ａ）は磁気ディスク装置で
あり、磁気ディスク６と、磁気ディスク６の所定の円盤
位置にヘッドを移動するなどの制御を行うと共にチャネ
ル５とのデータ転送を行うディスクコントローラ７より
なる。（ｂ）は半導体ディスク装置であり、半導体メモ
リ１と、電源切断時に半導体メモリ１の内容を退避する
磁気ディスク２と、半導体メモリ１とチャネル５とのデ
ータ転送および磁気ディスク２への退避と読み出しを制
御すると共にチャネル５とのデータ転送を制御するイン
タフェース制御部３よりなる。インタフェース制御部３
はチャネル５からほぼ磁気ディスクと同等に見えるよう
に制御を行う。

【０００７】半導体ディスクは情報処理装置のチャネル
とのデータのやりとりを半導体メモリで行うため、高速
のアクセスが可能である。これに対し磁気ディスクの場
合、機械的に磁気ヘッドの移動、円盤の回転による待ち
時間などがあるためアクセス時間がかかる。このため半
導体ディスクが用いられるようになってきている。現在
用いられている半導体ディスクは専用の筐体を用い、信
頼性を高めるためメモリ部、データ退避用ディスク、イ
ンタフェース制御部を二重化して用いている。図６はこ
のような二重化した半導体ディスクを示したものであ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】半導体ディスクは高速
アクセスが可能のため、用いられるようになってきてい
るが上述のように専用の筐体に二重化されて構成されて
いるため、価格がかなり高価となっている。また専用の
筐体に格納されているため、スペース的に余裕のある大
型コンピュータの場合はよいが、設置スペースが制限さ
れるオフイスコンピュータなど小型コンピュータ分野で
は小型化の要望が高まっている。

【０００９】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
もので、半導体ディスクを磁気ディスクを用いた活性ユ
ニットと互換性のあるユニットにしたデータ記憶装置を
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、磁気ディスク装置を活性ユニットにして使用する情
報処理装置の前記活性ユニットと前記情報処理装置との
接合部形状と同一の接合部形状とし同一のコネクタ14を
用いた取合部と、半導体メモリ11と、磁気ディスク12
と、前記半導体メモリ11へのアクセスを制御し前記磁気
ディスク12と前記半導体メモリ11との間のデータ転送を
制御すると共に前記活性ユニットと同一のインタフェー
ス規約を満たす通信をするインタフェース制御部13とを
備えたものである。

【００１１】

【作用】磁気ディスク装置の活性ユニットと同一の接合
部形状、および同一のコネクタを用いているので、磁気
ディスク装置の活性化ユニットを挿入できるスロットを
有する情報処理装置に対して磁気ディスク装置の活性ユ
ニットと同様に用いることができる。磁気ディスク装置
の活性ユニットと同一のインタフェース規約に従って通
信を行うので情報処理装置のチャネル側からは磁気ディ
スク装置と同一の制御が可能である。また活性ユニット
としてのコネクタを用いているので、情報処理装置が稼
動中でも挿入／拔去が可能であり、本発明のデータ記憶
装置を複数個用いたり、または磁気ディスク装置の活性
ユニットと一緒に用いることにより二重化を実現でき
る。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本実施例の半導体メモリ活性ユニット10
と、従来の磁気ディスクを用いた活性ユニット30との両
方を挿入／拔去可能な情報処理装置20を示す。情報処理
装置20のチャネル21には複数の活性ユニット用のスロッ
ト22が設けられており、その内の１つは保守スロット23
として用いる。保守スロット23とは動作中の活性ユニッ
トに故障する前兆が現れた場合、この保守スロット23に
正常な活性ユニットを挿入して、故障の前兆の現れた活
性ユニットと一時的に二重化状態にしてデータの複写を
行い、終了後この故障の前兆の現れた活性ユニットを拔
去する。このように保守スロット23は、活性ユニット用
スロット22と全く同じで、その位置は固定せず、つまり
空いているスロットが保守スロット23になる。

【００１３】なお、磁気ディスクは突然故障するケース
は稀で、リード／ライト失敗、リトライで成功を繰り返
し、最終的に故障するという性質がある。このため、リ
トライ情報をシステム（ＯＳ等）が記憶しておき、ある
回数以上になるとその磁気ディスクの予防保守交換のメ
ッセージを出す。

【００１４】半導体メモリ活性ユニット10は、機能的に
は、半導体メモリ11と、電源切断時半導体メモリの記憶
内容を格納し、電源投入時読み出して半導体メモリ11に
書き込むようにする磁気ディスク12と、半導体メモリ11
と磁気ディスク12との間のデータの転送および半導体メ
モリ11とチャネル21とのデータの転送の制御をするイン
タフェース制御部13より構成される。また構造的には、
活性ユニットスロット22に嵌合する筐体15とコネクタ14
を有する。

【００１５】図２は半導体メモリ活性ユニット10の構造
を示す図である。筐体15内の両側には半導体メモリ11が
配置され中央に磁気ディスク12とインタフェース制御部
13が配置され、活性ユニット用スロット22との取合部に
はコネクタ14が設けられている。近年、大容量のメモリ
素子や大規模ＬＳＩ、磁気ディスク装置の小型化などが
進みコンパクトな半導体メモリ活性化ユニット10の実現
が可能となった。

【００１６】図３は通常の磁気ディスクを用いた活性ユ
ニット30の構成を示す。コネクタ33と筐体34は図２に示
す半導体メモリ活性ユニット10と同一である。磁気ディ
スク31とこの磁気ディスク31の制御および磁気ディスク
31とチャネル21とのデータ転送を制御するコントローラ
32より構成される。

【００１７】図４は活性ユニットを実現するコネクタ1
4,33 の構成を示す図である。チャネル21側と接続する
場合、まず最初にアース（ＧＮＤ）が接続され、次に電
源が接続され、最後に信号線が接続されるように、この
順でピンの長さが長くなっている。このように接続する
ことにより信号線に接続する素子破壊や論理不定を防止
できるので、チャネル21側が稼動中でも活性ユニットを
挿入／拔去することが可能となる。

【００１８】このように半導体メモリ活性ユニット10と
磁気ディスク活性ユニット30とは、コネクタ14,33 、チ
ャネル側と取合う筐体15, 34の形状を同一とし、インタ
フェースも同一の規格、例えばＳＣＳＩ（Small Comput
er System Interface)を用いているので情報処理装置20
としては、半導体メモリ活性ユニット10を複数用いた
り、半導体メモリ活性ユニット10と磁気ディスク活性ユ
ニット30を混用することもできる。

【００１９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、磁気ディスク活性ユニットとインタフェース、コネ
クタを同一にした半導体メモリ活性ユニットとしたの
で、半導体メモリの高速アクセス性を活用すると共に磁
気ディスク活性ユニットと互換性を有するので利用範囲
が大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】実施例の各構成要素の配置を示す図である。

【図３】磁気ディスクを用いた活性ユニットの構成を示
す図である。

【図４】活性ユニットに用いられるコネクタの構成を示
す図である。

【図５】磁気ディスク装置と半導体ディスク装置とを説
明する図である。

【図６】半導体ディスク装置を二重化した構成を示す図
である。

【符号の説明】

10 半導体メモリ活性ユニット 11 半導体メモリ 12 磁気ディスク 13 インタフェース制御部 14 コネクタ 20 情報処理装置 21 チャネル 22 活性ユニット用スロット 23 保守スロット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者酒井利弘神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者谷川亮直神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者内山敏一神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者本郷博之石川県河北郡宇ノ気町字宇野気ヌ98番地の２株式会社ピーエフユー内 (72)発明者竹村登石川県河北郡宇ノ気町字宇野気ヌ98番地の２株式会社ピーエフユー内 (72)発明者 ▲崎▼田雅史石川県河北郡宇ノ気町字宇野気ヌ98番地の２株式会社ピーエフユー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気ディスク装置を活性ユニットにして
使用する情報処理装置の前記活性ユニットと前記情報処
理装置との接合部形状と同一の接合部形状とし同一のコ
ネクタ（14) を用いた取合部と、半導体メモリ（11)
と、磁気ディスク（12) と、前記半導体メモリ（11) へ
のアクセスを制御し前記磁気ディスク（12) と前記半導
体メモリ（11) との間のデータ転送を制御すると共に前
記活性ユニットと同一のインタフェース規約を満たす通
信をするインタフェース制御部（13) とを備えたことを
特徴とするデータ記憶装置。