JPH06148458A - 光直接点弧型半導体装置 - Google Patents
光直接点弧型半導体装置Info
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- JPH06148458A JPH06148458A JP4298391A JP29839192A JPH06148458A JP H06148458 A JPH06148458 A JP H06148458A JP 4298391 A JP4298391 A JP 4298391A JP 29839192 A JP29839192 A JP 29839192A JP H06148458 A JPH06148458 A JP H06148458A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B28/00—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
- C04B28/02—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing hydraulic cements other than calcium sulfates
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-
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B5/00—Treatment of metallurgical slag ; Artificial stone from molten metallurgical slag
- C04B5/06—Ingredients, other than water, added to the molten slag or to the granulating medium or before remelting; Treatment with gases or gas generating compounds, e.g. to obtain porous slag
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Abstract
(57)【要約】
【目的】微弱な光信号によっても安全に光直接点弧型半
導体装置を駆動させることができる、信頼性の高い光直
接点弧型半導体装置を提供すること。 【構成】Ｌ字形状ライトガイド１のテーパ比率を減少さ
せ、Ｌ字形状ライトガイド１での光信号伝送効率を向上
させることにより、光直接点弧型半導体装置全体として
の光信号伝送効率を向上させることが可能となる光直接
点弧型半導体装置。
導体装置を駆動させることができる、信頼性の高い光直
接点弧型半導体装置を提供すること。 【構成】Ｌ字形状ライトガイド１のテーパ比率を減少さ
せ、Ｌ字形状ライトガイド１での光信号伝送効率を向上
させることにより、光直接点弧型半導体装置全体として
の光信号伝送効率を向上させることが可能となる光直接
点弧型半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光直接点弧型半導体装置
に関し、光直接点弧型半導体装置外部からの半導体装置
制御用光信号をいかに効率良く伝達するかということに
関する。特に半導体装置制御用の光信号を伝達するライ
トガイドを半導体装置内に保持する光直接点弧型半導体
装置において、光直接点弧型半導体装置の総合の光伝送
効率を向上するのに好適なライトガイドの形状に関す
る。
に関し、光直接点弧型半導体装置外部からの半導体装置
制御用光信号をいかに効率良く伝達するかということに
関する。特に半導体装置制御用の光信号を伝達するライ
トガイドを半導体装置内に保持する光直接点弧型半導体
装置において、光直接点弧型半導体装置の総合の光伝送
効率を向上するのに好適なライトガイドの形状に関す
る。
【０００２】光直接点弧型半導体装置の一種である光直
接点弧型サイリスタは従来の電気点弧型サイリスタと比
較し、主回路と制御回路との電気的絶縁性が優れてお
り、制御回路を簡略化することができ、電磁誘導による
ノイズに対して強く、誤動作が少ないなどの利点を有す
る。このため、近年、光直接点弧型サイリスタはこれら
の利点を発揮することができる高電圧直流送電変換装置
用として使用、実用化されている。
接点弧型サイリスタは従来の電気点弧型サイリスタと比
較し、主回路と制御回路との電気的絶縁性が優れてお
り、制御回路を簡略化することができ、電磁誘導による
ノイズに対して強く、誤動作が少ないなどの利点を有す
る。このため、近年、光直接点弧型サイリスタはこれら
の利点を発揮することができる高電圧直流送電変換装置
用として使用、実用化されている。
【０００３】
【従来の技術】ここで、従来の光直接点弧型サイリスタ
の一例を図２及び図３を用いて詳細に説明する。図２は
光直接点弧型半導体素子の断面図である。光直接点弧型
半導体素子９は、熱膨張係数がシリコンの値と近似して
いるタングステン等の金属板１０を介してアノード外部
電極１１に固定されている。アノード外部電極１１はセ
ラミック等の絶縁円筒８を介してカソード外部電極１２
と光直接点弧型半導体素子９を気密封止して固定できる
ようになっている。光直接点弧型半導体装置外部の発光
体からの光信号を伝送する光ファイバ束３は、光ファイ
バ束支持体１４により保護，支持され、絶縁円筒８の一
部を貫通して気密に固着されている金属筒６により光透
過窓２に光学的に結合される。光透過窓２は、例えば銀
−ろう材などを用いて金属筒６に気密封着される。以上
の様な構成にて外部発光体から伝送された光信号は、光
透過窓を透過した後、Ｌ字形状のライトガイド１により
光直接点弧型半導体素子９の光感応部１３に導かれる。
このような構成になる光直接点弧型半導体装置は、例え
ば特公昭63−59549 号公報により公知となっている。こ
こで解決しなければならない課題は、光直接点弧型半導
体装置外部からの半導体装置制御用光信号をいかに効率
良く伝達するかということにある。
の一例を図２及び図３を用いて詳細に説明する。図２は
光直接点弧型半導体素子の断面図である。光直接点弧型
半導体素子９は、熱膨張係数がシリコンの値と近似して
いるタングステン等の金属板１０を介してアノード外部
電極１１に固定されている。アノード外部電極１１はセ
ラミック等の絶縁円筒８を介してカソード外部電極１２
と光直接点弧型半導体素子９を気密封止して固定できる
ようになっている。光直接点弧型半導体装置外部の発光
体からの光信号を伝送する光ファイバ束３は、光ファイ
バ束支持体１４により保護，支持され、絶縁円筒８の一
部を貫通して気密に固着されている金属筒６により光透
過窓２に光学的に結合される。光透過窓２は、例えば銀
−ろう材などを用いて金属筒６に気密封着される。以上
の様な構成にて外部発光体から伝送された光信号は、光
透過窓を透過した後、Ｌ字形状のライトガイド１により
光直接点弧型半導体素子９の光感応部１３に導かれる。
このような構成になる光直接点弧型半導体装置は、例え
ば特公昭63−59549 号公報により公知となっている。こ
こで解決しなければならない課題は、光直接点弧型半導
体装置外部からの半導体装置制御用光信号をいかに効率
良く伝達するかということにある。
【０００４】図３は光直接点弧型半導体装置光導入部の
詳細寸法図及びＬ字形状ライトガイドの光信号入力端で
の光強度分布のモデル図である。光直接点弧型半導体装
置外部からの光信号を伝達するファイバ束３は単芯光フ
ァイバの束として構成され、その径はφＤ1 である。ラ
イトガイド３からでた光束の径は、光ファイバ束出口か
ら距離ＬだけはなれたＬ字形状のライトガイド１の入り
口端の位置で、φＤ2になる。このため、従来構造では
ファイバ束３からの出射光を全てライトガイド１へ入射
させるため、Ｌ字形状のライトガイド１の入り口径φＤ
3 をφＤ2 よりも大きくする構造としていた。Ｌ字形状
のライトガイド１は所定の最小光入力を得るために出力
端の径を光直接点弧型半導体素子９の構造から決定され
る値φＤ4(図示せず）にする必要があり、一般にφＤ3
≧φＤ4のテーパ形状としている。しかしながらこのテ
ーパ形状の比率が大きいとＬ字形状のライトガイド１の
光伝送効率が低下してしまい、結果として光直接点弧型
半導体装置全体としての光伝送効率が低下してしまうた
め、光直接点弧半導体装置としての光点弧感度が低下す
る欠点があった。
詳細寸法図及びＬ字形状ライトガイドの光信号入力端で
の光強度分布のモデル図である。光直接点弧型半導体装
置外部からの光信号を伝達するファイバ束３は単芯光フ
ァイバの束として構成され、その径はφＤ1 である。ラ
イトガイド３からでた光束の径は、光ファイバ束出口か
ら距離ＬだけはなれたＬ字形状のライトガイド１の入り
口端の位置で、φＤ2になる。このため、従来構造では
ファイバ束３からの出射光を全てライトガイド１へ入射
させるため、Ｌ字形状のライトガイド１の入り口径φＤ
3 をφＤ2 よりも大きくする構造としていた。Ｌ字形状
のライトガイド１は所定の最小光入力を得るために出力
端の径を光直接点弧型半導体素子９の構造から決定され
る値φＤ4(図示せず）にする必要があり、一般にφＤ3
≧φＤ4のテーパ形状としている。しかしながらこのテ
ーパ形状の比率が大きいとＬ字形状のライトガイド１の
光伝送効率が低下してしまい、結果として光直接点弧型
半導体装置全体としての光伝送効率が低下してしまうた
め、光直接点弧半導体装置としての光点弧感度が低下す
る欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光直
接点弧型半導体装置に関し、特に、半導体装置制御用の
光信号を伝達するライトガイドを半導体装置内に保持
し、外部からの光信号を高効率で伝送することにより、
最小光点弧入力を低減できる構造を有する光直接点弧型
半導体装置を提供することにある。
接点弧型半導体装置に関し、特に、半導体装置制御用の
光信号を伝達するライトガイドを半導体装置内に保持
し、外部からの光信号を高効率で伝送することにより、
最小光点弧入力を低減できる構造を有する光直接点弧型
半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明においては、前記Ｌ字形状のライトガイド
の光信号入力端の径φＤ3を光ファイバの束の径φＤ1よ
りも小さくすることにより、Ｌ字形状ライトガイドのテ
ーパ比率を小さくし、Ｌ字形状ライトガイドでの光信号
伝送効率を向上させ、光直接点弧型半導体装置全体とし
て、光信号を高効率で伝送可能な構造としている。
めに、本発明においては、前記Ｌ字形状のライトガイド
の光信号入力端の径φＤ3を光ファイバの束の径φＤ1よ
りも小さくすることにより、Ｌ字形状ライトガイドのテ
ーパ比率を小さくし、Ｌ字形状ライトガイドでの光信号
伝送効率を向上させ、光直接点弧型半導体装置全体とし
て、光信号を高効率で伝送可能な構造としている。
【０００７】
【作用】前記Ｌ字形状のライトガイドの光信号入力端の
径φＤ3 を光ファイバの束の径φＤ1 よりも小さくする
ことにより、光直接点弧型半導体装置外部からの光信号
は光ファイバ束を介して伝達され、光透過窓を通過した
後、Ｌ字形状ライトガイドに伝達時、その伝送光量が減
少してしまう。
径φＤ3 を光ファイバの束の径φＤ1 よりも小さくする
ことにより、光直接点弧型半導体装置外部からの光信号
は光ファイバ束を介して伝達され、光透過窓を通過した
後、Ｌ字形状ライトガイドに伝達時、その伝送光量が減
少してしまう。
【０００８】しかしながら、Ｌ字形状ライトガイドの光
信号入力端での光強度分布は、図３のようであり、光束
が全体としてφＤ2まで広がったとしても、半値幅径φ
Ｄ5は光ファイバ束の径φＤ1 程度である。したがって
Ｌ字形状のライトガイドの入力端の径φＤ3 をφＤ2 か
らφＤ1 に小さくしても、Ｌ字形状のライトガイドに伝
達される光信号の減少はわずかである。
信号入力端での光強度分布は、図３のようであり、光束
が全体としてφＤ2まで広がったとしても、半値幅径φ
Ｄ5は光ファイバ束の径φＤ1 程度である。したがって
Ｌ字形状のライトガイドの入力端の径φＤ3 をφＤ2 か
らφＤ1 に小さくしても、Ｌ字形状のライトガイドに伝
達される光信号の減少はわずかである。
【０００９】一方、Ｌ字形状のライトガイドの光信号入
力端の径φＤ3 を光ファイバ束の径φＤ1 よりも小さく
することは、Ｌ字形状ライトガイドのテーパ比率を減少
させ、Ｌ字形状ライトガイドでの光信号伝送効率を向上
させることになる。その結果、光直接点弧型半導体装置
全体としての光信号伝送効率を向上させることができ
る。
力端の径φＤ3 を光ファイバ束の径φＤ1 よりも小さく
することは、Ｌ字形状ライトガイドのテーパ比率を減少
させ、Ｌ字形状ライトガイドでの光信号伝送効率を向上
させることになる。その結果、光直接点弧型半導体装置
全体としての光信号伝送効率を向上させることができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１，図２及び図
３を用いて説明する。
３を用いて説明する。
【００１１】図１は、本発明にしたがって、光信号導入
用の光透過窓２及び半導体素子の光感応部に光信号を伝
達するＬ字形状のライトガイド１を半導体装置内部に具
備した光直接点弧型半導体装置の光信号導入部の断面図
である。
用の光透過窓２及び半導体素子の光感応部に光信号を伝
達するＬ字形状のライトガイド１を半導体装置内部に具
備した光直接点弧型半導体装置の光信号導入部の断面図
である。
【００１２】光透過窓２は光直接点弧型半導体装置の絶
縁円筒８の一部を貫通して、予め、これと熱膨張係数が
近似している例えばＦｅＮｉＣｒ合金からなる金属筒６
の内部に、例えば銀−ロウ材を用いて、固着される。金
属筒６もまた、例えば銀−ロウ材を用いて絶縁円筒８に
気密に封着されている。
縁円筒８の一部を貫通して、予め、これと熱膨張係数が
近似している例えばＦｅＮｉＣｒ合金からなる金属筒６
の内部に、例えば銀−ロウ材を用いて、固着される。金
属筒６もまた、例えば銀−ロウ材を用いて絶縁円筒８に
気密に封着されている。
【００１３】Ｌ字形状のライトガイド１は、光透過窓２
と光学的に結合させるため、固定具４及び固定具５によ
り固定され、光透過窓２が固着されている金属筒６に接
続される。固定具４は、光直接点弧型半導体装置の駆動
時に発生する熱応力によりＬ字形状のライトガイド１が
破損しないようにこれと熱膨張係数の近似した例えばＦ
ｅ−Ｎｉ合金等の材料からなり、一方、固定具５は成形
が容易で、弾力性があり比較的強度の高い熱可塑性樹脂
よりなる物質で構成される。
と光学的に結合させるため、固定具４及び固定具５によ
り固定され、光透過窓２が固着されている金属筒６に接
続される。固定具４は、光直接点弧型半導体装置の駆動
時に発生する熱応力によりＬ字形状のライトガイド１が
破損しないようにこれと熱膨張係数の近似した例えばＦ
ｅ−Ｎｉ合金等の材料からなり、一方、固定具５は成形
が容易で、弾力性があり比較的強度の高い熱可塑性樹脂
よりなる物質で構成される。
【００１４】ここで、前記作用の項で説明した例を図
４，図５，図６を用いて示す。Ｐ1 は、光ファイバ３か
らの光信号の出力値であり、Ｐ2 はＬ字形状のライトガ
イド１への入力値，Ｐ3 はＬ字形状のライトガイド１か
らの出力値である。光ファイバ３から出力された光信号
は光透過窓２を介し半導体装置内部に伝達されるが、光
透過窓２の径は光ファイバ３の光ファイバ束の径φＤ1
より十分大きく全光信号を半導体装置内部に伝達するこ
とが出来る。一方、光透過窓２を透過した光信号は半導
体装置内部の光ファイバ１の入力端に到達したときには
その径はφＤ2 までに広がることになる。したがって光
ファイバ１の入力端の径φＤ3 を十分に大きくすること
によりＰ2／Ｐ1を、即ち光ファイバ３からＬ字形状のラ
イトガイド１への光信号伝送効率を向上させることが出
来る。
４，図５，図６を用いて示す。Ｐ1 は、光ファイバ３か
らの光信号の出力値であり、Ｐ2 はＬ字形状のライトガ
イド１への入力値，Ｐ3 はＬ字形状のライトガイド１か
らの出力値である。光ファイバ３から出力された光信号
は光透過窓２を介し半導体装置内部に伝達されるが、光
透過窓２の径は光ファイバ３の光ファイバ束の径φＤ1
より十分大きく全光信号を半導体装置内部に伝達するこ
とが出来る。一方、光透過窓２を透過した光信号は半導
体装置内部の光ファイバ１の入力端に到達したときには
その径はφＤ2 までに広がることになる。したがって光
ファイバ１の入力端の径φＤ3 を十分に大きくすること
によりＰ2／Ｐ1を、即ち光ファイバ３からＬ字形状のラ
イトガイド１への光信号伝送効率を向上させることが出
来る。
【００１５】一方、光ファイバ３に入力された光信号
は、光ファイバ３内部を伝搬し半導体素子９の受光部１
３に到達するが、光ファイバ３の出力端の径φＤ4 は半
導体素子９の構造から決定される値に制限されてしま
う。一般に光ファイバ３の出力端の径φＤ4 は光ファイ
バ束の径φＤ1 より小さく、ライトガイド１の入力端径
φＤ3と出力端の径φＤ4の関係はφＤ3＞φＤ4とライト
ガイド１をテーパ形状にする必要がある。
は、光ファイバ３内部を伝搬し半導体素子９の受光部１
３に到達するが、光ファイバ３の出力端の径φＤ4 は半
導体素子９の構造から決定される値に制限されてしま
う。一般に光ファイバ３の出力端の径φＤ4 は光ファイ
バ束の径φＤ1 より小さく、ライトガイド１の入力端径
φＤ3と出力端の径φＤ4の関係はφＤ3＞φＤ4とライト
ガイド１をテーパ形状にする必要がある。
【００１６】ここでは、光ファイバ束３の出口径φＤ1
と光ファイバ１の出口端の径φＤ4の比率が１.３３：１
の場合につき例示する。光ファイバ束の径φＤ1 と光
ファイバ１の入力端の径φＤ3 が等しく、光ファイバ１
の入力端φＤ3 と出力端の径φＤ4 の比率が１：０.７
５ の場合、光ファイバ束３の出口から光ファイバ１の
入口への光伝送効率をＰ2／Ｐ1＝１，光ファイバ１の入
力端から出力端への光伝送効率をＰ3／Ｐ2＝１とし、全
体の伝送効率を（Ｐ2／Ｐ1）×（Ｐ3／Ｐ2）＝１×１＝
１とする。
と光ファイバ１の出口端の径φＤ4の比率が１.３３：１
の場合につき例示する。光ファイバ束の径φＤ1 と光
ファイバ１の入力端の径φＤ3 が等しく、光ファイバ１
の入力端φＤ3 と出力端の径φＤ4 の比率が１：０.７
５ の場合、光ファイバ束３の出口から光ファイバ１の
入口への光伝送効率をＰ2／Ｐ1＝１，光ファイバ１の入
力端から出力端への光伝送効率をＰ3／Ｐ2＝１とし、全
体の伝送効率を（Ｐ2／Ｐ1）×（Ｐ3／Ｐ2）＝１×１＝
１とする。
【００１７】先ず、光ファイバ１の入力端φＤ3 の径を
光ファイバ束３の径φＤ1 より大きくした従来構造は、
光ファイバ束３の出口径φＤ1 と光ファイバ１の入力端
の径φＤ3 の比が０.９１：１の場合、光ファイバ１の
入力端の径φＤ3と出力端の径φＤ4 の比が１：０.６８
となり、光ファイバ束３の出口端から光ファイバ１の
入力端への光伝送効率は、Ｐ2／Ｐ1＝１.１ ，光ファイ
バ１の入力端から出力端への光伝送効率はＰ3／Ｐ2＝
０.５８，総合の伝送効率はＰ3／Ｐ1＝(Ｐ2／Ｐ1)×
（Ｐ3／Ｐ2）＝１.１×０.５８＝０.６４ となる。
光ファイバ束３の径φＤ1 より大きくした従来構造は、
光ファイバ束３の出口径φＤ1 と光ファイバ１の入力端
の径φＤ3 の比が０.９１：１の場合、光ファイバ１の
入力端の径φＤ3と出力端の径φＤ4 の比が１：０.６８
となり、光ファイバ束３の出口端から光ファイバ１の
入力端への光伝送効率は、Ｐ2／Ｐ1＝１.１ ，光ファイ
バ１の入力端から出力端への光伝送効率はＰ3／Ｐ2＝
０.５８，総合の伝送効率はＰ3／Ｐ1＝(Ｐ2／Ｐ1)×
（Ｐ3／Ｐ2）＝１.１×０.５８＝０.６４ となる。
【００１８】次に、光ファイバ１の入力端の径φＤ3 を
光ファイバ束３の径φＤ1 より小さくした本構造は、光
ファイバ束３の出口径φＤ1 と光ファイバ１の入力端の
径φＤ3 の比が１.１：１ ，光ファイバ１の入力端φＤ
3 と出力端の径φＤ4 の比が１：０.８３ となり、前記
の構造に対して光ファイバ１のテーパ比率を小さくして
いる。本構造による光ファイバ束３の出口端から光ファ
イバ１の入力端への光伝送効率は、Ｐ2／Ｐ1＝０.９１
と光ファイバ１の入力端の径を光ファイバ束３の径φＤ
1 より大きくした前記の構造に比べて８３％に減少する
（図５）。
光ファイバ束３の径φＤ1 より小さくした本構造は、光
ファイバ束３の出口径φＤ1 と光ファイバ１の入力端の
径φＤ3 の比が１.１：１ ，光ファイバ１の入力端φＤ
3 と出力端の径φＤ4 の比が１：０.８３ となり、前記
の構造に対して光ファイバ１のテーパ比率を小さくして
いる。本構造による光ファイバ束３の出口端から光ファ
イバ１の入力端への光伝送効率は、Ｐ2／Ｐ1＝０.９１
と光ファイバ１の入力端の径を光ファイバ束３の径φＤ
1 より大きくした前記の構造に比べて８３％に減少する
（図５）。
【００１９】一方、光ファイバ１の入力端から出力端へ
の光伝送効率はＰ3／Ｐ2＝１.４５と前記構造の０.５８
に対し大幅に増加する（図６）ので、総合の伝送効率
ではＰ3／Ｐ1＝（Ｐ2／Ｐ1）×（Ｐ3／Ｐ2）＝０.９１
×１.４５＝１.３ と２倍に向上する。
の光伝送効率はＰ3／Ｐ2＝１.４５と前記構造の０.５８
に対し大幅に増加する（図６）ので、総合の伝送効率
ではＰ3／Ｐ1＝（Ｐ2／Ｐ1）×（Ｐ3／Ｐ2）＝０.９１
×１.４５＝１.３ と２倍に向上する。
【００２０】以上、Ｌ字形状のライトガイド１の光信号
入力端の径φＤ3 を光ファイバ束３の外径φＤ1 よりも
小さくし、Ｌ字形状ライトガイド１のテーパ比率を減少
させることにより、Ｌ字形状ライトガイド１での光信号
伝送効率を大幅に向上させ、半導体装置全体としての光
信号伝送効率の向上を図ることができる。
入力端の径φＤ3 を光ファイバ束３の外径φＤ1 よりも
小さくし、Ｌ字形状ライトガイド１のテーパ比率を減少
させることにより、Ｌ字形状ライトガイド１での光信号
伝送効率を大幅に向上させ、半導体装置全体としての光
信号伝送効率の向上を図ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、Ｌ字
形状ライトガイドのテーパ比率を減少させ、Ｌ字形状ラ
イトガイド１での光信号伝送効率を向上させることによ
り、光直接点弧型半導体装置全体としての光信号伝送効
率を向上させることが可能となる。その結果、微弱な光
信号によっても安全に光直接点弧型半導体装置を駆動さ
せることができる、信頼性の高い光直接点弧型半導体装
置を提供することが可能となる。
形状ライトガイドのテーパ比率を減少させ、Ｌ字形状ラ
イトガイド１での光信号伝送効率を向上させることによ
り、光直接点弧型半導体装置全体としての光信号伝送効
率を向上させることが可能となる。その結果、微弱な光
信号によっても安全に光直接点弧型半導体装置を駆動さ
せることができる、信頼性の高い光直接点弧型半導体装
置を提供することが可能となる。
【図１】本発明による光直接点弧型半導体装置の光信号
導入部の断面図である。
導入部の断面図である。
【図２】光直接点弧型半導体装置の拡大断面図である。
【図３】本発明による光信号伝送効率向上の原理図であ
る。
る。
【図４】光信号の伝送効率を示す原理図である。
【図５】光ファイバ束３の外径φＤ1 とＬ字形状のライ
トガイド１の光信号入力端の径φＤ3 の径比による伝送
効率を示す図である。
トガイド１の光信号入力端の径φＤ3 の径比による伝送
効率を示す図である。
【図６】Ｌ字形状のライトガイド１の光信号入力端の径
φＤ3 と出力端の径φＤ4 の径比による伝送効率を示す
図である。
φＤ3 と出力端の径φＤ4 の径比による伝送効率を示す
図である。
１…Ｌ字形状ライトガイド、２…光透過窓、３…光ファ
イバ束。
イバ束。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 31/111 (72)発明者 赤羽根 克己 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 鈴木 悟 茨城県日立市弁天町三丁目10番２号 日立 原町電子工業株式会社内 (72)発明者 野々山 茂晴 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 添川 ▲廣▼一 茨城県日立市日高町五丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内
Claims (3)
- 【請求項１】光直接点弧型半導体素子と、半導体素子の
陽極及び陰極と電気的に接続される一対の外部電極と、
前記外部電極と共に気密容器を形成し半導体素子を収納
すると共に両外部電極間を電気的に絶縁する絶縁円筒
と、上記気密容器に気密封止固定された光信号導入用の
光透過窓及び一方の端部が前記光透過窓に光学的に接続
され他方の端部が半導体素子の光感応部に光学的に接続
されるライトガイドを具備する光直接点弧型半導体装置
で、光信号が半導体素子外部のライトガイドから光透過
窓を通して前記半導体素子内部の光感応部に光信号を導
く伝送路となる前記ライトガイドが、光信号入力側の径
より光信号出力側の径が小さいテーパ構造を有する構造
において、 前記ライトガイドの光信号入力側の径を、上記光直接点
弧型半導体装置外部の発光体からの光信号を伝送する光
ファイバの出力端の径より小さくすることを特徴とする
光直接点弧型半導体装置。 - 【請求項２】前記ライトガイドは、光信号の伝送効率が
優れた物質で構成されることを特徴とする請求項１記載
の光直接点弧型半導体装置。 - 【請求項３】前記光透過窓の外径が前記光直接点弧型半
導体装置外部の発光体からの光信号を伝送する光ファイ
バの出力端の光ファイバ束の外径よりも大きいことを特
徴とする請求項１記載の光直接点弧型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4298391A JPH06148458A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 光直接点弧型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4298391A JPH06148458A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 光直接点弧型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148458A true JPH06148458A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17859098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4298391A Pending JPH06148458A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 光直接点弧型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093793A1 (fr) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Kabushiki Kaisha Sogo Kaihatsu Jimusho | Procede et systeme de communication optique |
| WO2008142796A1 (ja) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP4298391A patent/JPH06148458A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093793A1 (fr) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Kabushiki Kaisha Sogo Kaihatsu Jimusho | Procede et systeme de communication optique |
| JP2002344424A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sogo Kaihatsu Jimusho:Kk | 光受信器及びそれを用いた光通信システム、並びに光通信方法 |
| WO2008142796A1 (ja) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | 半導体装置 |
| AU2007353545B2 (en) * | 2007-05-24 | 2011-06-02 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Semiconductor device |
| US8145020B2 (en) | 2007-05-24 | 2012-03-27 | Toshiba Mitsubishi—Electric Industrial Systems Corporation | Semiconductor device |
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