JPH06148123A - 半導体装置用処理液の劣化度検出装置 - Google Patents
半導体装置用処理液の劣化度検出装置Info
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- JPH06148123A JPH06148123A JP30402292A JP30402292A JPH06148123A JP H06148123 A JPH06148123 A JP H06148123A JP 30402292 A JP30402292 A JP 30402292A JP 30402292 A JP30402292 A JP 30402292A JP H06148123 A JPH06148123 A JP H06148123A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄液等の半導体装置用処理液の劣化度を非
接触、リアルタイムで検出することが可能な半導体装置
用処理液の劣化度検出装置を提供しようとするものであ
る。 【構成】 半導体装置用処理液が満たされる絶縁管１
と、前記絶縁管に互い所望距離隔てて取り付けられた一
対の環状電極２1 、２2 と、前記各環状電極に接続され
た高周波発振器３と、前記環状電極の一方の環状電極と
前記高周波発振器の間に介装されたインダクタンス６
と、前記インダクタンスの両端に接続され、前記絶縁管
１内に満たされた前記処理液、前記一対の環状電極およ
び前記インダクタンスにより形成される共振回路におけ
る電気的定数の変化による電圧または電流の変化を検出
するための検出手段７とを具備したことを特徴としてい
る。
接触、リアルタイムで検出することが可能な半導体装置
用処理液の劣化度検出装置を提供しようとするものであ
る。 【構成】 半導体装置用処理液が満たされる絶縁管１
と、前記絶縁管に互い所望距離隔てて取り付けられた一
対の環状電極２1 、２2 と、前記各環状電極に接続され
た高周波発振器３と、前記環状電極の一方の環状電極と
前記高周波発振器の間に介装されたインダクタンス６
と、前記インダクタンスの両端に接続され、前記絶縁管
１内に満たされた前記処理液、前記一対の環状電極およ
び前記インダクタンスにより形成される共振回路におけ
る電気的定数の変化による電圧または電流の変化を検出
するための検出手段７とを具備したことを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば洗浄液、エッチ
ング液、ポリッシングスラリ等の半導体装置用処理液の
劣化度を検出する装置に関する。
ング液、ポリッシングスラリ等の半導体装置用処理液の
劣化度を検出する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、各種
の洗浄液、エッチング液、レジスト剥離液等の処理液が
使用されている。これらの処理液は、使用期間が短く、
かつ低価格であるものの、その劣化度合は処理対象であ
る半導体装置の品質に直接影響を及ぼす。
の洗浄液、エッチング液、レジスト剥離液等の処理液が
使用されている。これらの処理液は、使用期間が短く、
かつ低価格であるものの、その劣化度合は処理対象であ
る半導体装置の品質に直接影響を及ぼす。
【０００３】このため、従来では前記処理液を一定期間
使用した後、廃棄し、交換して管理することが行われて
いる。しかしながら、処理液そのものは低価格である
が、廃水処理にコストが掛り、また環境上有害な成分を
多く含む廃液を大量に排出することにも問題がある。
使用した後、廃棄し、交換して管理することが行われて
いる。しかしながら、処理液そのものは低価格である
が、廃水処理にコストが掛り、また環境上有害な成分を
多く含む廃液を大量に排出することにも問題がある。
【０００４】このようなことから、前記処理液のｐＨ
値、光スペクトル吸収を測定して前記処理液の劣化度合
を判定することが行われている。しかしながら、かかる
方法では前記処理液の導電率および誘電率の変化として
捕えることができないため、劣化度合を高精度で判定す
ることができない。
値、光スペクトル吸収を測定して前記処理液の劣化度合
を判定することが行われている。しかしながら、かかる
方法では前記処理液の導電率および誘電率の変化として
捕えることができないため、劣化度合を高精度で判定す
ることができない。
【０００５】一方、前記処理液に金属からなる一対の電
極を浸漬して前記処理液の導電率を測定することにより
その劣化度合を判定することが行われている。しかしな
がら、かかる方法は次のような問題があった。（１）前
記一対の電極を前記処理液に直接接触するために、前記
電極により前記処理液を汚染するばかりか、前記処理液
の汚染によって電極自身も汚染される。（２）前記方法
は前記処理液の導電率のみの変化から劣化度を判定する
ため、他の要因（例えば誘電率の変化）による劣化を判
定することができない。
極を浸漬して前記処理液の導電率を測定することにより
その劣化度合を判定することが行われている。しかしな
がら、かかる方法は次のような問題があった。（１）前
記一対の電極を前記処理液に直接接触するために、前記
電極により前記処理液を汚染するばかりか、前記処理液
の汚染によって電極自身も汚染される。（２）前記方法
は前記処理液の導電率のみの変化から劣化度を判定する
ため、他の要因（例えば誘電率の変化）による劣化を判
定することができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、洗浄液、エ
ッチング液、ポリッシングスラリ等の半導体装置用処理
液の劣化度を非接触、リアルタイムで検出するすること
が可能な比較的安価な半導体装置用処理液の劣化度検出
装置を提供しようとするものである。
ッチング液、ポリッシングスラリ等の半導体装置用処理
液の劣化度を非接触、リアルタイムで検出するすること
が可能な比較的安価な半導体装置用処理液の劣化度検出
装置を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体装
置用処理液の劣化度検出装置は、半導体装置用処理液が
満たされた絶縁管と、前記絶縁管に互い所望距離隔てて
取り付けられた一対の環状電極と、前記各環状電極に接
続された高周波発振器と、前記環状電極の一方の環状電
極と前記高周波発振器の間に介装されたインダクタンス
と、
置用処理液の劣化度検出装置は、半導体装置用処理液が
満たされた絶縁管と、前記絶縁管に互い所望距離隔てて
取り付けられた一対の環状電極と、前記各環状電極に接
続された高周波発振器と、前記環状電極の一方の環状電
極と前記高周波発振器の間に介装されたインダクタンス
と、
【０００８】前記インダクタンスの両端に接続され、前
記絶縁管内に満たされた前記処理液、前記一対の環状電
極および前記インダクタンスにより形成される共振回路
における電気的定数の変化による電圧または電流の変化
を検出するための検出手段とを具備したことを特徴とす
るものである。前記絶縁管は、誘電率の低いポリテトラ
フルオロエチレン等のフッ素樹脂から形成することが望
ましい。
記絶縁管内に満たされた前記処理液、前記一対の環状電
極および前記インダクタンスにより形成される共振回路
における電気的定数の変化による電圧または電流の変化
を検出するための検出手段とを具備したことを特徴とす
るものである。前記絶縁管は、誘電率の低いポリテトラ
フルオロエチレン等のフッ素樹脂から形成することが望
ましい。
【０００９】前記半導体装置用処理液とは、シリコンウ
ェハ表面の有機物および微粒子を除去するための洗浄
液、シリコンウェハ表面を研磨するためのポリッシング
スラリ、半導体装置の製造工程で用いられる各種エッチ
ング液、シリコンインゴットのスライシングおよび面取
加工におけるクーラント、フォトレジストの剥離液、ラ
ッピングに用いられる砥粒スラリを意味するものであ
る。
ェハ表面の有機物および微粒子を除去するための洗浄
液、シリコンウェハ表面を研磨するためのポリッシング
スラリ、半導体装置の製造工程で用いられる各種エッチ
ング液、シリコンインゴットのスライシングおよび面取
加工におけるクーラント、フォトレジストの剥離液、ラ
ッピングに用いられる砥粒スラリを意味するものであ
る。
【００１０】前記洗浄液としては、例えば硫酸、塩酸、
硝酸、アンモニア、過酸化水素水および水酸化ナトリウ
ムから選ばれる少なくとも１種を水で溶解した溶液を用
いることができる。前記ポリッシングスラリとしては、
例えばコロイダルシリカを界面活性剤等の各種添加物と
ともにアルカリ溶液で懸濁した溶液を用いることができ
る。前記電気的定数とは、誘電率および／または導電率
を意味するものである。また、本発明に係わる別の半導
体装置用処理液の劣化度検出装置は半導体装置用処理液
が満たされた絶縁管と、前記絶縁管に取り付けられた環
状電極と、前記絶縁管に前記環状電極と所望距離隔てて
巻装された検出用コイルと、前記環状電極と前記検出コ
イルの一端に接続された高周波発振器と、
硝酸、アンモニア、過酸化水素水および水酸化ナトリウ
ムから選ばれる少なくとも１種を水で溶解した溶液を用
いることができる。前記ポリッシングスラリとしては、
例えばコロイダルシリカを界面活性剤等の各種添加物と
ともにアルカリ溶液で懸濁した溶液を用いることができ
る。前記電気的定数とは、誘電率および／または導電率
を意味するものである。また、本発明に係わる別の半導
体装置用処理液の劣化度検出装置は半導体装置用処理液
が満たされた絶縁管と、前記絶縁管に取り付けられた環
状電極と、前記絶縁管に前記環状電極と所望距離隔てて
巻装された検出用コイルと、前記環状電極と前記検出コ
イルの一端に接続された高周波発振器と、
【００１１】前記検出コイルの両端に接続され、前記絶
縁管内に満たされた前記処理液および前記検出コイルに
より形成される共振回路における電気的定数の変化によ
る電圧または電流の変化を検出するための検出手段とを
具備したことを特徴とするものである。本発明に係わる
各劣化度検出装置は、さらに周波数検出手段を付設する
ことを許容する。
縁管内に満たされた前記処理液および前記検出コイルに
より形成される共振回路における電気的定数の変化によ
る電圧または電流の変化を検出するための検出手段とを
具備したことを特徴とするものである。本発明に係わる
各劣化度検出装置は、さらに周波数検出手段を付設する
ことを許容する。
【００１２】
【作用】本発明に係わる半導体装置用処理液の劣化度検
出装置によれば、絶縁管内に半導体装置用処理液を満
し、前記絶縁管に互い所望距離隔てて取り付けられた一
対の環状電極に高周波発振器から高周波電力を供給する
と、前記一対の環状電極、前記環状電極間に位置する前
記絶縁管内の部分に満たされた前記処理液およびインダ
クタンスにより形成される共振回路が励起されて前記イ
ンダクタンス両端に端子電圧が発生する。前記高周波電
力の周波数を掃引すると、前記共振回路の共振周波数と
一致した周波数で前記インダクタンス両端の端子電圧が
最大になるピークが現れる。このように端子電圧が最大
になるピークが現れる周波数を前記一対の環状電極に供
給した状態において、前記絶縁管に供給された処理液が
変質、劣化すると、電気的定数（例えば誘電率）が変化
する、つまり静電容量が変化するため、前記端子電圧が
変化する。この端子電圧の変化は、前記インダクタンス
の両端に接続された検出手段により検出される。
出装置によれば、絶縁管内に半導体装置用処理液を満
し、前記絶縁管に互い所望距離隔てて取り付けられた一
対の環状電極に高周波発振器から高周波電力を供給する
と、前記一対の環状電極、前記環状電極間に位置する前
記絶縁管内の部分に満たされた前記処理液およびインダ
クタンスにより形成される共振回路が励起されて前記イ
ンダクタンス両端に端子電圧が発生する。前記高周波電
力の周波数を掃引すると、前記共振回路の共振周波数と
一致した周波数で前記インダクタンス両端の端子電圧が
最大になるピークが現れる。このように端子電圧が最大
になるピークが現れる周波数を前記一対の環状電極に供
給した状態において、前記絶縁管に供給された処理液が
変質、劣化すると、電気的定数（例えば誘電率）が変化
する、つまり静電容量が変化するため、前記端子電圧が
変化する。この端子電圧の変化は、前記インダクタンス
の両端に接続された検出手段により検出される。
【００１３】また、前記絶縁管に供給された処理液が変
質、劣化すると、電気的定数（例えば導電率）が変化す
る、つまり前記共振回路の導電率が変化するため、前記
端子電圧が変化する。この端子電圧の変化は、前記イン
ダクタンスの両端に接続された検出手段により検出され
る。
質、劣化すると、電気的定数（例えば導電率）が変化す
る、つまり前記共振回路の導電率が変化するため、前記
端子電圧が変化する。この端子電圧の変化は、前記イン
ダクタンスの両端に接続された検出手段により検出され
る。
【００１４】したがって、前記検出手段で検出された例
えば電圧の変化を監視することにより非接触、リアルタ
イムで前記絶縁管内に静止または流通する前記処理液の
劣化度合を高精度で判定することができる。特に、従来
の方法では微粒子等の存在による誘電率に起因した処理
液の劣化度合を判定することが困難であったが、本発明
では前記誘電率に起因する劣化度合も精度よく判定する
ことができる。その結果、(1) 前記処理液を使用限界ま
で使用することが可能になる、(2) 使用中に減少した処
理液中の成分を補充するための頻度を少なくすることが
できる、(3) 処理液の劣化に伴う半導体装置の処理不良
を防止することができる、等の種々の効果を奏する。
えば電圧の変化を監視することにより非接触、リアルタ
イムで前記絶縁管内に静止または流通する前記処理液の
劣化度合を高精度で判定することができる。特に、従来
の方法では微粒子等の存在による誘電率に起因した処理
液の劣化度合を判定することが困難であったが、本発明
では前記誘電率に起因する劣化度合も精度よく判定する
ことができる。その結果、(1) 前記処理液を使用限界ま
で使用することが可能になる、(2) 使用中に減少した処
理液中の成分を補充するための頻度を少なくすることが
できる、(3) 処理液の劣化に伴う半導体装置の処理不良
を防止することができる、等の種々の効果を奏する。
【００１５】また、本発明に係わる別の半導体装置用処
理液の劣化度検出装置によれば、絶縁管内に半導体装置
用処理液を満し、前記絶縁管に取り付けられた環状電極
および同絶縁管に前記電極と所望距離隔てて巻装された
検出用コイルの一端側に高周波発振器から高周波電力を
供給すると、前記検出コイルおよび前記検出コイルが巻
装された前記絶縁管内の部分に満たされた前記処理液に
より形成される共振回路が励起されて前記検出コイル両
端に端子電圧が発生する。前記高周波電力の周波数を掃
引すると、前記共振回路の共振周波数と一致した周波数
で前記検出コイル両端の端子電圧が最大になるピークが
現れる。このような最大になるピークが現れる周波数を
前記環状電極と前記検出コイルの一端側に供給した状態
において、前記絶縁管に供給された処理液が変質、劣化
すると、電気的定数（例えば誘電率）が変化する、つま
り静電容量が変化するため、前記端子電圧が変化する。
この端子電圧の変化は、前記検出コイルの両端に接続さ
れた検出手段により検出される。
理液の劣化度検出装置によれば、絶縁管内に半導体装置
用処理液を満し、前記絶縁管に取り付けられた環状電極
および同絶縁管に前記電極と所望距離隔てて巻装された
検出用コイルの一端側に高周波発振器から高周波電力を
供給すると、前記検出コイルおよび前記検出コイルが巻
装された前記絶縁管内の部分に満たされた前記処理液に
より形成される共振回路が励起されて前記検出コイル両
端に端子電圧が発生する。前記高周波電力の周波数を掃
引すると、前記共振回路の共振周波数と一致した周波数
で前記検出コイル両端の端子電圧が最大になるピークが
現れる。このような最大になるピークが現れる周波数を
前記環状電極と前記検出コイルの一端側に供給した状態
において、前記絶縁管に供給された処理液が変質、劣化
すると、電気的定数（例えば誘電率）が変化する、つま
り静電容量が変化するため、前記端子電圧が変化する。
この端子電圧の変化は、前記検出コイルの両端に接続さ
れた検出手段により検出される。
【００１６】また、前記絶縁管に供給された処理液が変
質、劣化すると、電気的定数（例えば導電率）が変化す
る、つまり前記共振回路の導電率が変化するため、前記
端子電圧が変化する。この端子電圧の変化は、前記検出
コイルの両端に接続された検出手段により検出される。
質、劣化すると、電気的定数（例えば導電率）が変化す
る、つまり前記共振回路の導電率が変化するため、前記
端子電圧が変化する。この端子電圧の変化は、前記検出
コイルの両端に接続された検出手段により検出される。
【００１７】したがって、前記検出手段で検出された電
圧の変化を監視することにより非接触、リアルタイムで
前記絶縁環内に静止または流通する前記処理液の劣化度
合を高精度で判定することができ、(1) 前記処理液を使
用限界まで使用することが可能になる、(2) 使用中に減
少した処理液中の成分を補充するための頻度を少なくす
ることができる、(3) 処理液の劣化に伴う半導体装置の
処理不良を防止することができる、等の種々の効果を奏
する。
圧の変化を監視することにより非接触、リアルタイムで
前記絶縁環内に静止または流通する前記処理液の劣化度
合を高精度で判定することができ、(1) 前記処理液を使
用限界まで使用することが可能になる、(2) 使用中に減
少した処理液中の成分を補充するための頻度を少なくす
ることができる、(3) 処理液の劣化に伴う半導体装置の
処理不良を防止することができる、等の種々の効果を奏
する。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。 実施例１
に説明する。 実施例１
【００１９】図１は、本発明の実施例１における劣化度
検出装置を示す概略図である。例えばポリテトラフルオ
ロエチレンからなる絶縁管１には、一対の環状電極
２1 、２2 が所望の間隔をあけて取り付けられている。
高周波発振器３は、前記一対の環状電極２1 、２2 にリ
ード４1 、４2 を通して接続されている。周波数カウン
タ５は、前記一方（左側）の環状電極２1 と前記高周波
発振器３の間に位置する前記リード４1 に接続されてい
る。インダクタンス６、前記他方（右側）の環状電極２
2 と前記高周波発振器３の間に位置する前記リード４2
に介装されている。電圧測定計７は、前記インダクタン
ス６両端の前記リード４2 に接続されている。前記高周
波発振器３と前記インダクタンス６の間に位置する前記
リード４2 部分は、接地されている。
検出装置を示す概略図である。例えばポリテトラフルオ
ロエチレンからなる絶縁管１には、一対の環状電極
２1 、２2 が所望の間隔をあけて取り付けられている。
高周波発振器３は、前記一対の環状電極２1 、２2 にリ
ード４1 、４2 を通して接続されている。周波数カウン
タ５は、前記一方（左側）の環状電極２1 と前記高周波
発振器３の間に位置する前記リード４1 に接続されてい
る。インダクタンス６、前記他方（右側）の環状電極２
2 と前記高周波発振器３の間に位置する前記リード４2
に介装されている。電圧測定計７は、前記インダクタン
ス６両端の前記リード４2 に接続されている。前記高周
波発振器３と前記インダクタンス６の間に位置する前記
リード４2 部分は、接地されている。
【００２０】このような構成によれば、前記絶縁管１内
に処理液（例えばアンモニアおよび過酸化水素水を水で
溶解した洗浄液）を満すと、前記一対の環状電極２1 、
２2、これら環状電極２1 、２2 間に位置する前記絶縁
管１内の部分に満たされた前記洗浄液および前記インダ
クタンス６により共振回路が形成される。高周波発振器
３から高周波電力を前記一対の環状電極２1 、２2 に供
給すると、前記共振回路が励起されて前記インダクタン
ス６両端に端子電圧が発生する。前記高周波発振器３に
より前記高周波電力の周波数を掃引すると、前記共振回
路の共振周波数と一致した周波数で前記インダクタンス
６両端の端子電圧が最大になるピークが現れる。
に処理液（例えばアンモニアおよび過酸化水素水を水で
溶解した洗浄液）を満すと、前記一対の環状電極２1 、
２2、これら環状電極２1 、２2 間に位置する前記絶縁
管１内の部分に満たされた前記洗浄液および前記インダ
クタンス６により共振回路が形成される。高周波発振器
３から高周波電力を前記一対の環状電極２1 、２2 に供
給すると、前記共振回路が励起されて前記インダクタン
ス６両端に端子電圧が発生する。前記高周波発振器３に
より前記高周波電力の周波数を掃引すると、前記共振回
路の共振周波数と一致した周波数で前記インダクタンス
６両端の端子電圧が最大になるピークが現れる。
【００２１】前記端子電圧が最大になるピークが現れる
周波数を前記一対の環状電極２1 、２2 に供給した状態
において、前記絶縁管１に供給された洗浄液が変質、劣
化すると、電気的定数（例えば誘電率）が変化する、つ
まり静電容量が変化するため、前記端子電圧が変化す
る。この端子電圧の変化は、前記インダクタンス６の両
端に接続された前記電圧測定計７により検出される。
周波数を前記一対の環状電極２1 、２2 に供給した状態
において、前記絶縁管１に供給された洗浄液が変質、劣
化すると、電気的定数（例えば誘電率）が変化する、つ
まり静電容量が変化するため、前記端子電圧が変化す
る。この端子電圧の変化は、前記インダクタンス６の両
端に接続された前記電圧測定計７により検出される。
【００２２】したがって、前記電圧測定計７で検出され
た電圧の変化を監視することによって、非接触、リアル
タイムで前記絶縁管１内に静止または流通する前記洗浄
液の劣化度合を高精度で判定することができる。特に、
従来の方法では微粒子等の存在による誘電率に起因した
洗浄液の劣化度合を判定することが困難であったが、前
述した図１に示す検出装置では前記誘電率に起因する劣
化度合も精度よく判定することができる。その結果、前
記洗浄液を使用限界まで使用することが可能になる。ま
た、使用中に減少した洗浄液中の成分（例えばアンモニ
ア、過酸化水素水）を補充するための頻度を少なくする
ことができると共に前記成分を所期目的の混合比率に調
節することができる。さらに、前記洗浄液の劣化に伴う
半導体装置の処理不良を防止することができる。
た電圧の変化を監視することによって、非接触、リアル
タイムで前記絶縁管１内に静止または流通する前記洗浄
液の劣化度合を高精度で判定することができる。特に、
従来の方法では微粒子等の存在による誘電率に起因した
洗浄液の劣化度合を判定することが困難であったが、前
述した図１に示す検出装置では前記誘電率に起因する劣
化度合も精度よく判定することができる。その結果、前
記洗浄液を使用限界まで使用することが可能になる。ま
た、使用中に減少した洗浄液中の成分（例えばアンモニ
ア、過酸化水素水）を補充するための頻度を少なくする
ことができると共に前記成分を所期目的の混合比率に調
節することができる。さらに、前記洗浄液の劣化に伴う
半導体装置の処理不良を防止することができる。
【００２３】また、前記絶縁管１に供給された前記洗浄
液が変質、劣化すると、電気的定数（例えば導電率）が
変化する、つまり前記共振回路の導電率が変化するた
め、前記端子電圧が変化する。したがって、前記端子電
圧の変化を前記電圧測定計７により検出し、その電圧の
変化を監視することによって、非接触、リアルタイムで
前記絶縁管１内に静止または流通する前記洗浄液の劣化
度合を高精度で判定することができる。 実施例２
液が変質、劣化すると、電気的定数（例えば導電率）が
変化する、つまり前記共振回路の導電率が変化するた
め、前記端子電圧が変化する。したがって、前記端子電
圧の変化を前記電圧測定計７により検出し、その電圧の
変化を監視することによって、非接触、リアルタイムで
前記絶縁管１内に静止または流通する前記洗浄液の劣化
度合を高精度で判定することができる。 実施例２
【００２４】図２は、本発明の実施例２における劣化度
検出装置を示す概略図である。例えばポリテトラフルオ
ロエチレンからなる絶縁管１には、環状電極２が取り付
けられている。検出コイル８は、前記環状電極２から所
望距離隔てた前記絶縁管１部分に巻装されている。高周
波発振器３は、前記環状電極２および前記検出コイル８
の一端側にリード４1 、４2 を通して接続されている。
周波数カウンタ５は、前記環状電極２と前記高周波発振
器３との間に位置する前記リード４1 に接続されてい
る。インダクタンス６、前記他方（右側）の環状電極２
2 と前記高周波発振器３を接続するための前記リード４
2 に介装されている。電圧測定計７は、前記高周波発振
器３および前記検出コイル８の間に位置する前記リード
４2 部分と前記検出コイル８の他端とに接続されてい
る。前記高周波発振器３と前記検出コイル８の一端側の
間に位置する前記リード４2 部分は、接地されている。
検出装置を示す概略図である。例えばポリテトラフルオ
ロエチレンからなる絶縁管１には、環状電極２が取り付
けられている。検出コイル８は、前記環状電極２から所
望距離隔てた前記絶縁管１部分に巻装されている。高周
波発振器３は、前記環状電極２および前記検出コイル８
の一端側にリード４1 、４2 を通して接続されている。
周波数カウンタ５は、前記環状電極２と前記高周波発振
器３との間に位置する前記リード４1 に接続されてい
る。インダクタンス６、前記他方（右側）の環状電極２
2 と前記高周波発振器３を接続するための前記リード４
2 に介装されている。電圧測定計７は、前記高周波発振
器３および前記検出コイル８の間に位置する前記リード
４2 部分と前記検出コイル８の他端とに接続されてい
る。前記高周波発振器３と前記検出コイル８の一端側の
間に位置する前記リード４2 部分は、接地されている。
【００２５】このような構成によれば、前記絶縁管１内
に処理液（例えばアンモニアおよび過酸化水素水を水で
溶解した洗浄液）を満すと、前記絶縁管１に巻装された
前記検出コイル８の巻数および前記検出コイル８の巻線
間に位置する前記絶縁管１内の部分に満たされた前記洗
浄液により共振回路が形成される。高周波発振器３から
高周波電力を前記環状電極２および前記検出コイル８の
一端に供給すると、前記共振回路が励起されて前記検出
コイル８の両端に端子電圧が発生する。前記高周波発振
器３により前記高周波電力の周波数を掃引すると、前記
共振回路の共振周波数と一致した周波数で前記検出コイ
ル８の両端の端子電圧が最大になるピークが現れる。
に処理液（例えばアンモニアおよび過酸化水素水を水で
溶解した洗浄液）を満すと、前記絶縁管１に巻装された
前記検出コイル８の巻数および前記検出コイル８の巻線
間に位置する前記絶縁管１内の部分に満たされた前記洗
浄液により共振回路が形成される。高周波発振器３から
高周波電力を前記環状電極２および前記検出コイル８の
一端に供給すると、前記共振回路が励起されて前記検出
コイル８の両端に端子電圧が発生する。前記高周波発振
器３により前記高周波電力の周波数を掃引すると、前記
共振回路の共振周波数と一致した周波数で前記検出コイ
ル８の両端の端子電圧が最大になるピークが現れる。
【００２６】前記端子電圧が最大になるピークが現れる
周波数を前記環状電極２および前記検出コイル８の一端
に供給した状態において、前記絶縁管１に供給された処
理液が変質、劣化すると、電気的定数（例えば誘電率）
が変化する、つまり静電容量が変化するため、前記端子
電圧が変化する。この端子電圧の変化は、前記検出コイ
ル８の両端に接続された前記電圧測定計７により検出さ
れる。
周波数を前記環状電極２および前記検出コイル８の一端
に供給した状態において、前記絶縁管１に供給された処
理液が変質、劣化すると、電気的定数（例えば誘電率）
が変化する、つまり静電容量が変化するため、前記端子
電圧が変化する。この端子電圧の変化は、前記検出コイ
ル８の両端に接続された前記電圧測定計７により検出さ
れる。
【００２７】したがって、前記電圧測定計７で検出され
た電圧の変化を監視することによって、非接触、リアル
タイムで前記絶縁管１内に静止または流通する前記洗浄
液の劣化度合を高精度で判定することができる。特に、
従来の方法では微粒子等の存在による誘電率に起因した
洗浄液の劣化度合を判定することが困難であったが、前
述した図２に示す検出装置では前記誘電率に起因する劣
化度合も精度よく判定することができる。その結果、前
記洗浄液を使用限界まで使用することが可能になる。ま
た、使用中に減少した洗浄液中の成分（例えばアンモニ
ア、過酸化水素水）を補充するための頻度を少なくする
ことができると共に前記成分を所期目的の混合比率に調
節することができる。さらに、前記洗浄液の劣化に伴う
半導体装置の処理不良を防止することができる。
た電圧の変化を監視することによって、非接触、リアル
タイムで前記絶縁管１内に静止または流通する前記洗浄
液の劣化度合を高精度で判定することができる。特に、
従来の方法では微粒子等の存在による誘電率に起因した
洗浄液の劣化度合を判定することが困難であったが、前
述した図２に示す検出装置では前記誘電率に起因する劣
化度合も精度よく判定することができる。その結果、前
記洗浄液を使用限界まで使用することが可能になる。ま
た、使用中に減少した洗浄液中の成分（例えばアンモニ
ア、過酸化水素水）を補充するための頻度を少なくする
ことができると共に前記成分を所期目的の混合比率に調
節することができる。さらに、前記洗浄液の劣化に伴う
半導体装置の処理不良を防止することができる。
【００２８】また、前記絶縁管１に供給された前記洗浄
液が変質、劣化すると、電気的定数（例えば導電率）が
変化する、つまり前記共振回路の導電率が変化するた
め、前記端子電圧が変化する。したがって、前記端子電
圧の変化を前記電圧測定計７により検出し、その電圧の
変化を監視することによって、非接触、リアルタイムで
前記絶縁管１内に静止または流通する前記洗浄液の劣化
度合を高精度で判定することができる。
液が変質、劣化すると、電気的定数（例えば導電率）が
変化する、つまり前記共振回路の導電率が変化するた
め、前記端子電圧が変化する。したがって、前記端子電
圧の変化を前記電圧測定計７により検出し、その電圧の
変化を監視することによって、非接触、リアルタイムで
前記絶縁管１内に静止または流通する前記洗浄液の劣化
度合を高精度で判定することができる。
【００２９】さらに、図２に示すにように共振回路の構
成部品として検出コイル８を用いることによって、図１
に示す構造に比べて前記電圧変化をより洗浄液の劣化度
合に相関した値で検出することができるため、より精度
の高い劣化度の判定を行うことができる。
成部品として検出コイル８を用いることによって、図１
に示す構造に比べて前記電圧変化をより洗浄液の劣化度
合に相関した値で検出することができるため、より精度
の高い劣化度の判定を行うことができる。
【００３０】さらに、周波数カウンタ５を設ければ前述
した高周波電力の周波数を掃引に際し、前記共振回路の
共振周波数と一致した周波数を前記カウンタ５で検出で
きる。一方、前記絶縁管１に変質、劣化した洗浄液を供
給した際、同様に前記高周波発振器３により前記高周波
電力の周波数を掃引して前記共振回路の共振周波数と一
致した周波数を前記カウンタ５で検出できる。したがっ
て、前記検出された周波数の変化から前記洗浄液の電気
的定数（例えば誘電率）の変化を検出することができる
ため、前記周波数変化を監視することにより非接触、リ
アルタイムで前記絶縁環内に静止または流通する前記処
理液の劣化度合を高精度で判定することができる。
した高周波電力の周波数を掃引に際し、前記共振回路の
共振周波数と一致した周波数を前記カウンタ５で検出で
きる。一方、前記絶縁管１に変質、劣化した洗浄液を供
給した際、同様に前記高周波発振器３により前記高周波
電力の周波数を掃引して前記共振回路の共振周波数と一
致した周波数を前記カウンタ５で検出できる。したがっ
て、前記検出された周波数の変化から前記洗浄液の電気
的定数（例えば誘電率）の変化を検出することができる
ため、前記周波数変化を監視することにより非接触、リ
アルタイムで前記絶縁環内に静止または流通する前記処
理液の劣化度合を高精度で判定することができる。
【００３１】なお、前記実施例では電圧計により共振回
路における電気的定数の変化による電圧の変化を測定し
たが、電流計を用いて前記電気的定数の変化による電流
の変化を検出してもよい。
路における電気的定数の変化による電圧の変化を測定し
たが、電流計を用いて前記電気的定数の変化による電流
の変化を検出してもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明に係わる半導
体装置用処理液の劣化度検出装置によれば洗浄液等の半
導体装置用処理液の劣化度を非接触、リアルタイムで検
出でき、ひいては前記処理液を使用限界まで使用でき
る、使用中に減少した処理液中の成分を補充するための
頻度を少なくできる、処理液の劣化に伴う半導体装置の
処理不良を防止できる、等顕著な効果を奏するものであ
る。
体装置用処理液の劣化度検出装置によれば洗浄液等の半
導体装置用処理液の劣化度を非接触、リアルタイムで検
出でき、ひいては前記処理液を使用限界まで使用でき
る、使用中に減少した処理液中の成分を補充するための
頻度を少なくできる、処理液の劣化に伴う半導体装置の
処理不良を防止できる、等顕著な効果を奏するものであ
る。
【図１】本発明の実施例１における劣化度検出装置を示
す概略図。
す概略図。
【図２】本発明の実施例２における劣化度検出装置を示
す概略図。
す概略図。
１…絶縁管、２1 、２2 、２…環状電極、３…高周波発
振器、５…周波数カウンタ、６…インダクタンス、７…
電圧計、８…検出コイル。
振器、５…周波数カウンタ、６…インダクタンス、７…
電圧計、８…検出コイル。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置用処理液が満たされた絶縁管
と、 前記絶縁管に互い所望距離隔てて取り付けられた一対の
環状電極と、 前記各環状電極に接続された高周波発振器と、 前記環状電極の一方の環状電極と前記高周波発振器の間
に介装されたインダクタンスと、 前記インダクタンスの両端に接続され、前記絶縁管内に
満たされた前記処理液、前記一対の環状電極および前記
インダクタンスにより形成される共振回路における電気
的定数の変化による電圧または電流の変化を検出するた
めの検出手段とを具備したことを特徴とする半導体装置
用処理液の劣化度検出装置。 - 【請求項２】 半導体装置用処理液が満たされた絶縁管
と、 前記絶縁管に取り付けられた環状電極と、 前記絶縁管に前記環状電極と所望距離隔てて巻装された
検出用コイルと、 前記環状電極と前記検出コイルの一端に接続された高周
波発振器と、 前記検出コイルの両端に接続され、前記絶縁管内に満た
された前記処理液および前記検出コイルにより形成され
る共振回路における電気的定数の変化による電圧または
電流の変化を検出するための検出手段とを具備したこと
を特徴とする半導体装置用処理液の劣化度検出装置。 - 【請求項３】 高周波の周波数を検出するための検出手
段がさらに備えることを特徴とする請求項２記載の半導
体装置用処理液の劣化度検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30402292A JP3206990B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 半導体装置用処理液の劣化度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30402292A JP3206990B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 半導体装置用処理液の劣化度検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148123A true JPH06148123A (ja) | 1994-05-27 |
| JP3206990B2 JP3206990B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=17928135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30402292A Expired - Fee Related JP3206990B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 半導体装置用処理液の劣化度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3206990B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016138747A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 株式会社荻原製作所 | 流体の導電率兼誘電率測定器 |
| JP2018185178A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 日新電機株式会社 | 電気機器用モールド材の劣化検出装置及び劣化検出方法 |
| US10942208B2 (en) * | 2015-08-28 | 2021-03-09 | Leoni Kabel Gmbh | Monitoring system, safety cable and tube for such a system, and method for operating a monitoring system |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3781934A1 (en) * | 2018-04-18 | 2021-02-24 | Universiteit Twente | System and method for measuring conductivity |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP30402292A patent/JP3206990B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016138747A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 株式会社荻原製作所 | 流体の導電率兼誘電率測定器 |
| US10942208B2 (en) * | 2015-08-28 | 2021-03-09 | Leoni Kabel Gmbh | Monitoring system, safety cable and tube for such a system, and method for operating a monitoring system |
| JP2018185178A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 日新電機株式会社 | 電気機器用モールド材の劣化検出装置及び劣化検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3206990B2 (ja) | 2001-09-10 |
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