JPH06140191A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH06140191A JPH06140191A JP4313970A JP31397092A JPH06140191A JP H06140191 A JPH06140191 A JP H06140191A JP 4313970 A JP4313970 A JP 4313970A JP 31397092 A JP31397092 A JP 31397092A JP H06140191 A JPH06140191 A JP H06140191A
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ 高電圧ターミナルと床との間の放電の確率を
小さくすること。 ［構成］ 抵抗体５１、５２、５３、５４とこれと同径
の金属筒体５５、５６、５７を交互に配設、整列して固
定し、その上端部は高電圧ターミナル２の底壁部に電気
的に接続し、その下端部はグランドレベルに固定する。
小さくすること。 ［構成］ 抵抗体５１、５２、５３、５４とこれと同径
の金属筒体５５、５６、５７を交互に配設、整列して固
定し、その上端部は高電圧ターミナル２の底壁部に電気
的に接続し、その下端部はグランドレベルに固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオン注入装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】図５乃至図７は従来例の
イオン注入装置を示すものあるが、図において本装置は
全体として１で示され、ほぼ直方形状の高電圧ターミナ
ル２はシールドケース３内に配設されており、絶縁支柱
１３乃至２０により床Ｓ上に支持されている。高電圧タ
ーミナル２の一側面とこれと対向するシールドボックス
３の内壁との間には、高電圧発生装置６の高電圧（本従
来例では４００ｋＶ）を導出する導線を被覆したブッシ
ング４が取り付けられている。又、高電圧ターミナル２
の他の側面とこれと対向するシールドボックス３との対
向する内壁面との間には、加速管５が取り付けられてい
る。高電圧発生装置６は公知の構造を有しコックロフト
ウォルトン型であるが、ダイオードとコンデンサからな
り、この一端部に供給される高周波電圧を順次、倍にし
て増圧して４００ｋＶとしている。
イオン注入装置を示すものあるが、図において本装置は
全体として１で示され、ほぼ直方形状の高電圧ターミナ
ル２はシールドケース３内に配設されており、絶縁支柱
１３乃至２０により床Ｓ上に支持されている。高電圧タ
ーミナル２の一側面とこれと対向するシールドボックス
３の内壁との間には、高電圧発生装置６の高電圧（本従
来例では４００ｋＶ）を導出する導線を被覆したブッシ
ング４が取り付けられている。又、高電圧ターミナル２
の他の側面とこれと対向するシールドボックス３との対
向する内壁面との間には、加速管５が取り付けられてい
る。高電圧発生装置６は公知の構造を有しコックロフト
ウォルトン型であるが、ダイオードとコンデンサからな
り、この一端部に供給される高周波電圧を順次、倍にし
て増圧して４００ｋＶとしている。
【０００３】本従来例では絶縁支柱は８本でなるが、こ
の各々は同一の構造を有し、絶縁支柱１４について述べ
ると、断面がほぼ十字形状の絶縁ブロック１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ及び１４ｄを上下に接続してなり、その全体
は床Ｓ上に取り付けられている。各絶縁支柱１３乃至２
０の外周部には、金属フープ２６が等間隔で取り付けら
れている。これらは各絶縁支柱１３乃至２０において、
それぞれ対向して配設させており、又これら金属フープ
２６間は金属棒２５により接続されており、更に絶縁支
柱１３、１４間には図５に示すように、抵抗２１がその
上端部は高電圧ターミナル２の底壁部に、又その下端部
は絶縁支柱１４の最上段に取り付けられている金属フー
プ２６に図７に示すようにして取り付けられており、同
様に抵抗２２には絶縁支柱１４の最上段の金属フープ２
５と絶縁支柱１３の上方から２番目の金属フープ２６に
取り付けられており、更に抵抗２３の上端部は絶縁支柱
の上方から２番目の金属フープ２６及び下端部は絶縁支
柱１４の上方から３番目の金属フープ２６に、そして最
下段の抵抗２４の上端部は絶縁支柱１４の上方から３番
目の金属フープに固定され、その下端部は絶縁支柱１３
を支持している基台２７に固定されている。以上のよう
にして、絶縁支柱１３乃至２０間の電位は上下方向に等
分割されている。
の各々は同一の構造を有し、絶縁支柱１４について述べ
ると、断面がほぼ十字形状の絶縁ブロック１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ及び１４ｄを上下に接続してなり、その全体
は床Ｓ上に取り付けられている。各絶縁支柱１３乃至２
０の外周部には、金属フープ２６が等間隔で取り付けら
れている。これらは各絶縁支柱１３乃至２０において、
それぞれ対向して配設させており、又これら金属フープ
２６間は金属棒２５により接続されており、更に絶縁支
柱１３、１４間には図５に示すように、抵抗２１がその
上端部は高電圧ターミナル２の底壁部に、又その下端部
は絶縁支柱１４の最上段に取り付けられている金属フー
プ２６に図７に示すようにして取り付けられており、同
様に抵抗２２には絶縁支柱１４の最上段の金属フープ２
５と絶縁支柱１３の上方から２番目の金属フープ２６に
取り付けられており、更に抵抗２３の上端部は絶縁支柱
の上方から２番目の金属フープ２６及び下端部は絶縁支
柱１４の上方から３番目の金属フープ２６に、そして最
下段の抵抗２４の上端部は絶縁支柱１４の上方から３番
目の金属フープに固定され、その下端部は絶縁支柱１３
を支持している基台２７に固定されている。以上のよう
にして、絶縁支柱１３乃至２０間の電位は上下方向に等
分割されている。
【０００４】高電圧発生装置６のブッシング４の外周部
にも等間隔で金属フープ２８が取り付けられており、こ
れらの間には抵抗２９が接続されている。又加速管５の
外周面にも等間隔で金属フープ３１が取り付けられてお
り、これらの間は抵抗３０により接続されている。
にも等間隔で金属フープ２８が取り付けられており、こ
れらの間には抵抗２９が接続されている。又加速管５の
外周面にも等間隔で金属フープ３１が取り付けられてお
り、これらの間は抵抗３０により接続されている。
【０００５】以上のような構成により、高電圧ターミナ
ル２と床Ｓ間には破線Ｅで示すような等電位面が形成さ
れる。
ル２と床Ｓ間には破線Ｅで示すような等電位面が形成さ
れる。
【０００６】図２に示すように高電圧ターミナル２内に
は、公知のようにイオン源９及び質量分離磁石８、これ
から導出されるイオンを加速管５内に導くための導管１
２、引出電極１０及びイオンガスタンク１１などが配設
されており、図示せずとも電力供給装置によりこれらを
作動するための電力が供給される。
は、公知のようにイオン源９及び質量分離磁石８、これ
から導出されるイオンを加速管５内に導くための導管１
２、引出電極１０及びイオンガスタンク１１などが配設
されており、図示せずとも電力供給装置によりこれらを
作動するための電力が供給される。
【０００７】図７には各抵抗２１、２２、２３及び２４
を高電圧ターミナル２又は絶縁支柱１４の金属フープ２
６に取り付けるための詳細な構造が示されているが、
今、最上段の抵抗２１について説明すると、この抵抗２
１の上端部には金属でなる電極部２１ａが一体的に形成
されており、これにねじ孔が形成されていて断面がＶ字
形状の取付部材４１の一方のアーム部に開けられた孔に
ねじを嵌挿させて、取付部材４１が抵抗２１の一方の電
極部２１ａに固定されると共に、他方のアーム部は高電
圧ターミナル２の底壁部２ａに形成されたねじ挿通孔を
ねじ４３を挿通させ、かつ部材４１に形成されたねじ孔
に螺着締付けることにより、抵抗２１の上端部は高電圧
ターミナル２に固定され、又、この下端部に形成される
電極部２１ａは同様な取付部材４４の一方のアーム部に
同様にねじにより固定され、かつ他方のアーム部は金属
フープ２６の環状部２６ａの径内方に一体的に形成され
る平板部２６ｂにあてがい、ねじ孔にねじ４６を螺着締
付けることにより、金属フープ２６に対し固定されてい
る。同様にこれより下方の抵抗２２、２３及び２４のそ
れぞれ上下端部は同様なＶ字形状の取付部材によりそれ
ぞれ金属フープ２６に固定されている。そして最下段の
抵抗２４の下端部の電極部は絶縁支柱１３を支持してい
る基台２７に固定されている。
を高電圧ターミナル２又は絶縁支柱１４の金属フープ２
６に取り付けるための詳細な構造が示されているが、
今、最上段の抵抗２１について説明すると、この抵抗２
１の上端部には金属でなる電極部２１ａが一体的に形成
されており、これにねじ孔が形成されていて断面がＶ字
形状の取付部材４１の一方のアーム部に開けられた孔に
ねじを嵌挿させて、取付部材４１が抵抗２１の一方の電
極部２１ａに固定されると共に、他方のアーム部は高電
圧ターミナル２の底壁部２ａに形成されたねじ挿通孔を
ねじ４３を挿通させ、かつ部材４１に形成されたねじ孔
に螺着締付けることにより、抵抗２１の上端部は高電圧
ターミナル２に固定され、又、この下端部に形成される
電極部２１ａは同様な取付部材４４の一方のアーム部に
同様にねじにより固定され、かつ他方のアーム部は金属
フープ２６の環状部２６ａの径内方に一体的に形成され
る平板部２６ｂにあてがい、ねじ孔にねじ４６を螺着締
付けることにより、金属フープ２６に対し固定されてい
る。同様にこれより下方の抵抗２２、２３及び２４のそ
れぞれ上下端部は同様なＶ字形状の取付部材によりそれ
ぞれ金属フープ２６に固定されている。そして最下段の
抵抗２４の下端部の電極部は絶縁支柱１３を支持してい
る基台２７に固定されている。
【０００８】イオン源９からのイオンのうち質量分離磁
石８により、所定のイオンのみを導管１２を通って加速
管５に導入する作用や、その他は公知であるので省略す
るが、高電圧発生装置６により高電圧、例えば４００ｋ
Ｖを高電圧ターミナル２に印加する。この電圧は抵抗２
１、２２、２３及び２４を通ってグランドレベルまで順
次、電圧降下されて、金属棒２５の接続などにより図５
に示すように、同じ高さでは同じ電位Ｅなる分布を強制
的に形成し、よって高電圧ターミナル２と床Ｓ間に放電
が生じるのを未然に防止することができるのであるが、
図７に示すように抵抗２１の上下端部の電極部２１ａ、
２１ａは断面がＶ字形状の取付部材４１、４４により高
電圧ターミナル２の底壁部２ａ又は金属フープ２６に固
定されているが、この部材４１、４４に高電圧が加えら
れ、又これには角部を有し強電界Ｅ中に突出しているの
で、この角部の近傍で形成される電界強度が高くなりこ
こにコロナ放電を発生し、あるいは誘発しやすく、場合
によっては気中での絶縁破壊に至り、高電圧ターミナル
２から床Ｓのグランドまでの空間において放電が起こる
などの問題が生ずる。
石８により、所定のイオンのみを導管１２を通って加速
管５に導入する作用や、その他は公知であるので省略す
るが、高電圧発生装置６により高電圧、例えば４００ｋ
Ｖを高電圧ターミナル２に印加する。この電圧は抵抗２
１、２２、２３及び２４を通ってグランドレベルまで順
次、電圧降下されて、金属棒２５の接続などにより図５
に示すように、同じ高さでは同じ電位Ｅなる分布を強制
的に形成し、よって高電圧ターミナル２と床Ｓ間に放電
が生じるのを未然に防止することができるのであるが、
図７に示すように抵抗２１の上下端部の電極部２１ａ、
２１ａは断面がＶ字形状の取付部材４１、４４により高
電圧ターミナル２の底壁部２ａ又は金属フープ２６に固
定されているが、この部材４１、４４に高電圧が加えら
れ、又これには角部を有し強電界Ｅ中に突出しているの
で、この角部の近傍で形成される電界強度が高くなりこ
こにコロナ放電を発生し、あるいは誘発しやすく、場合
によっては気中での絶縁破壊に至り、高電圧ターミナル
２から床Ｓのグランドまでの空間において放電が起こる
などの問題が生ずる。
【０００９】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、耐電圧を向上させるイオン注入装置を
提供することを目的としている。
に鑑みてなされ、耐電圧を向上させるイオン注入装置を
提供することを目的としている。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】以上の目的は、少なく
ともイオン源及び質量分離磁石を内蔵させたケーシング
を複数の絶縁支柱により地上に支持させ、高電圧電源装
置により前記ケーシングに所定の高電圧を印加し、電力
供給装置により前記イオン源や質量分離磁石などに電力
を供給するようにし、前記ケーシングを電磁気的に遮蔽
するシールドボックスを設け、前記複数の絶縁支柱に上
下に等間隔で環状の電極をこれら絶縁支柱に相互に対向
して取り付け、かつこれら電極と対向する各電極とを各
々金属棒で接続させているイオン注入装置において、円
筒形状の抵抗体と、該抵抗体と同径の金属筒体とを交互
に整列して、固定し相接続して条体を形成し、該条体を
斜めに配設し、この上端部の金属筒体を前記ケーシング
に電気的に接続し、下端部をグランドレベルに電気的に
接続し、かつ前記抵抗体間の金属筒体は、前記絶縁支柱
に取り付けられた環状の電極のいずれかと同一の高さに
あるように配設されており、これら金属筒体を各々、同
一高さにある環状の電極と円筒金属体を介して電気的に
接続させていることを特徴とするイオン注入装置、によ
って達成される。
ともイオン源及び質量分離磁石を内蔵させたケーシング
を複数の絶縁支柱により地上に支持させ、高電圧電源装
置により前記ケーシングに所定の高電圧を印加し、電力
供給装置により前記イオン源や質量分離磁石などに電力
を供給するようにし、前記ケーシングを電磁気的に遮蔽
するシールドボックスを設け、前記複数の絶縁支柱に上
下に等間隔で環状の電極をこれら絶縁支柱に相互に対向
して取り付け、かつこれら電極と対向する各電極とを各
々金属棒で接続させているイオン注入装置において、円
筒形状の抵抗体と、該抵抗体と同径の金属筒体とを交互
に整列して、固定し相接続して条体を形成し、該条体を
斜めに配設し、この上端部の金属筒体を前記ケーシング
に電気的に接続し、下端部をグランドレベルに電気的に
接続し、かつ前記抵抗体間の金属筒体は、前記絶縁支柱
に取り付けられた環状の電極のいずれかと同一の高さに
あるように配設されており、これら金属筒体を各々、同
一高さにある環状の電極と円筒金属体を介して電気的に
接続させていることを特徴とするイオン注入装置、によ
って達成される。
【００１１】
【作用】条体には角部が存在しないので、この一部の周
りに特異な強電界を生ずることがなく、放電の確率を非
常に小さくすることができる。
りに特異な強電界を生ずることがなく、放電の確率を非
常に小さくすることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例によるイオン注入装置
について図１乃至図４を参照して説明する。なお、従来
例に対応する部分については同様の符号を付し、その詳
細な説明は省略する。
について図１乃至図４を参照して説明する。なお、従来
例に対応する部分については同様の符号を付し、その詳
細な説明は省略する。
【００１３】すなわち、本実施例においても絶縁支柱１
３乃至２０には等間隔で金属フープ２６が取り付けられ
ており、又これらが対向する絶縁支柱の金属フープ２６
と、金属ロッド２５で接続されている。
３乃至２０には等間隔で金属フープ２６が取り付けられ
ており、又これらが対向する絶縁支柱の金属フープ２６
と、金属ロッド２５で接続されている。
【００１４】本実施例によれば、図３に明示されるよう
に抵抗５１、５２、、５３、５４とこれと同径の金属で
なる接続部材５５、５６、５７が交互に配列し、整列し
て取り付けられており、一本の条体５０を形成してい
る。この条体５０の上端部は、高電圧ターミナル２の底
壁部２ａに形成された開口２ｃを通って高電圧ターミナ
ル２内に位置し、その上端部は高電圧ターミナル２の底
壁部２ａと導線２ｄにより電気的に接続されている。又
この下端部、すなわち金属筒体５８は装置の床上に置か
れた基台２７に取り付けられている。又各抵抗体５１、
５１、５２、５３、５４間の金属筒体５５、５６、５７
はこれと同径の円筒状の金属棒５９、６０、６１を介し
て、それぞれのレベルにおいて対向する絶縁支柱１４、
１５、１６の金属フープ２６に接続されている。
に抵抗５１、５２、、５３、５４とこれと同径の金属で
なる接続部材５５、５６、５７が交互に配列し、整列し
て取り付けられており、一本の条体５０を形成してい
る。この条体５０の上端部は、高電圧ターミナル２の底
壁部２ａに形成された開口２ｃを通って高電圧ターミナ
ル２内に位置し、その上端部は高電圧ターミナル２の底
壁部２ａと導線２ｄにより電気的に接続されている。又
この下端部、すなわち金属筒体５８は装置の床上に置か
れた基台２７に取り付けられている。又各抵抗体５１、
５１、５２、５３、５４間の金属筒体５５、５６、５７
はこれと同径の円筒状の金属棒５９、６０、６１を介し
て、それぞれのレベルにおいて対向する絶縁支柱１４、
１５、１６の金属フープ２６に接続されている。
【００１５】図４は各抵抗５１、５２、５３、５４間の
金属筒体５５、５６、５７とこれが各レベルにおいて対
向する絶縁支柱１４、１５、１６に取り付けている金属
フープ２６との接続構造を示すものであるが、抵抗体５
１、５２の端部には金属でなる電極部５１ａ、５２ａが
一体的に形成されており、これらにそれぞれねじ孔５１
ｂ、５２ｂが形成されている。又これらの間に配設され
る金属筒体５５の中心軸にはスタッドボルト５６が埋設
されており、このスタッドボルト５６の金属筒体５５か
ら突出する部分が抵抗５１、５２の端部に一体的に形成
される電極部５１ａ、５２ａのねじ孔５１ｂ、５２ｂに
螺着締付けることにより一体化される。
金属筒体５５、５６、５７とこれが各レベルにおいて対
向する絶縁支柱１４、１５、１６に取り付けている金属
フープ２６との接続構造を示すものであるが、抵抗体５
１、５２の端部には金属でなる電極部５１ａ、５２ａが
一体的に形成されており、これらにそれぞれねじ孔５１
ｂ、５２ｂが形成されている。又これらの間に配設され
る金属筒体５５の中心軸にはスタッドボルト５６が埋設
されており、このスタッドボルト５６の金属筒体５５か
ら突出する部分が抵抗５１、５２の端部に一体的に形成
される電極部５１ａ、５２ａのねじ孔５１ｂ、５２ｂに
螺着締付けることにより一体化される。
【００１６】又、金属フープ２６の一部には半円形状の
凹み２６ａが形成されており、又これと対向する位置に
金属筒体５５の一部に半円形状の凹み５５ａが形成され
ており、これらの間に金属棒５９が配設されるのである
が、その上端部にボウルプランジャ６０、６１が取り付
けられており、そのボウル部がプランジャ６０、６１が
内蔵するばねの力により、これが対向する凹み２６ａ、
５５ａに圧接、嵌合することにより金属棒５９は金属筒
体５５と金属フープ２６との間に固着され電気的に導通
となる。なお、ボウルプランジャ６０、６１は公知の構
造を示し、筒体の中にばねを内蔵させており、これがボ
ウルを上記凹み２６ａ、５５ａに向って付勢しているの
であるが、その筒体の外周面にねじが切られており、こ
れが金属棒５９の上端部に形成されるねじ孔に螺着する
ことにより、これらがボウルプランジャ６０、６１を金
属棒５９に取り付け固定している。
凹み２６ａが形成されており、又これと対向する位置に
金属筒体５５の一部に半円形状の凹み５５ａが形成され
ており、これらの間に金属棒５９が配設されるのである
が、その上端部にボウルプランジャ６０、６１が取り付
けられており、そのボウル部がプランジャ６０、６１が
内蔵するばねの力により、これが対向する凹み２６ａ、
５５ａに圧接、嵌合することにより金属棒５９は金属筒
体５５と金属フープ２６との間に固着され電気的に導通
となる。なお、ボウルプランジャ６０、６１は公知の構
造を示し、筒体の中にばねを内蔵させており、これがボ
ウルを上記凹み２６ａ、５５ａに向って付勢しているの
であるが、その筒体の外周面にねじが切られており、こ
れが金属棒５９の上端部に形成されるねじ孔に螺着する
ことにより、これらがボウルプランジャ６０、６１を金
属棒５９に取り付け固定している。
【００１７】以上のようにして、条体５０が絶縁支柱１
３乃至１６の列と、１７乃至２０の列との間に位置する
のであるが、各抵抗体５１、５２、５３、５４間に接続
されている金属筒体５５、５６、５７は図２に明示され
るように絶縁支柱１３乃至１６に取り付けられている金
属フープ２６のどれかと同一レベルで対向しており、こ
れら同一レベルの金属筒体５５、５６、５７と金属フー
プ２６とが図４に明示されるような取付構造で金属棒５
９が接続固定されている。他の金属棒６０、６１も同様
に金属筒体５６、５７と金属フープ２６に取り付けられ
ている。
３乃至１６の列と、１７乃至２０の列との間に位置する
のであるが、各抵抗体５１、５２、５３、５４間に接続
されている金属筒体５５、５６、５７は図２に明示され
るように絶縁支柱１３乃至１６に取り付けられている金
属フープ２６のどれかと同一レベルで対向しており、こ
れら同一レベルの金属筒体５５、５６、５７と金属フー
プ２６とが図４に明示されるような取付構造で金属棒５
９が接続固定されている。他の金属棒６０、６１も同様
に金属筒体５６、５７と金属フープ２６に取り付けられ
ている。
【００１８】本発明の実施例は以上のように構成される
のであるが、イオン加速作用については従来と同一であ
る。条体５０は同一径の金属筒体５５、５６、５７によ
り各抵抗体５１、５２、５３、５４が接続されているの
であるが、これらの接続部に従来の接続金具のような角
部が存在しないので、この周りの強電界によりここで放
電が生ずることがなくなる。金属棒５９、６０、６１を
介しての金属筒体５５、５６、５７とこれら同一レベル
にある絶縁支柱に取り付けられている金属フープ２６と
の接続部においても同様に角部がないので、その周りで
コロナ放電を生ずることなく、放電の確率を従来より大
巾に小とすることができ、又、高電圧ターミナル２と床
Ｓとの間の空間を等電位に分割することができる。
のであるが、イオン加速作用については従来と同一であ
る。条体５０は同一径の金属筒体５５、５６、５７によ
り各抵抗体５１、５２、５３、５４が接続されているの
であるが、これらの接続部に従来の接続金具のような角
部が存在しないので、この周りの強電界によりここで放
電が生ずることがなくなる。金属棒５９、６０、６１を
介しての金属筒体５５、５６、５７とこれら同一レベル
にある絶縁支柱に取り付けられている金属フープ２６と
の接続部においても同様に角部がないので、その周りで
コロナ放電を生ずることなく、放電の確率を従来より大
巾に小とすることができ、又、高電圧ターミナル２と床
Ｓとの間の空間を等電位に分割することができる。
【００１９】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【００２０】例えば以上の実施例では、絶縁支柱は８本
の場合について説明したが、勿論、これはこの本数に限
定されることなく、２本であってもよいし、あるいは８
本以上であってもよい。
の場合について説明したが、勿論、これはこの本数に限
定されることなく、２本であってもよいし、あるいは８
本以上であってもよい。
【００２１】また以上の実施例では、抵抗体と金属筒体
との接続は図４に示すようなスタッドボルト５６のねじ
孔５１ａ、５１ｂへの螺着により取り付けるようにした
が、このような取り付けに限られることはない。例え
ば、導電性接着剤で挟着させるようにしてもよい。又、
各金属棒５９、６０、６１の金属フープ２６及び金属筒
体５５、５６、５７への接続についても同様である。
との接続は図４に示すようなスタッドボルト５６のねじ
孔５１ａ、５１ｂへの螺着により取り付けるようにした
が、このような取り付けに限られることはない。例え
ば、導電性接着剤で挟着させるようにしてもよい。又、
各金属棒５９、６０、６１の金属フープ２６及び金属筒
体５５、５６、５７への接続についても同様である。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように本発明のイオン注入装
置によれば、放電の確率を大巾に小とし耐電圧を従来よ
り大巾に向上させることができる。
置によれば、放電の確率を大巾に小とし耐電圧を従来よ
り大巾に向上させることができる。
【図１】本発明の実施例によるイオン注入装置の横断面
図である。
図である。
【図２】同装置の要部の側面図である。
【図３】同要部の拡大斜視図である。
【図４】同要部の一部の取付構造を示す拡大断面図であ
る。
る。
【図５】従来例のイオン注入装置の縦断面図である。
【図６】同装置の横断面図である。
【図７】同装置における抵抗の取付構造を示す部分拡大
断面図である。
断面図である。
５０ 条体 ５１ 抵抗体 ５２ 抵抗体 ５３ 抵抗体 ５４ 抵抗体 ５５ 金属筒体 ５６ 金属筒体 ５７ 金属筒体 ５９ 金属棒 ６０ 金属棒 ６１ 金属棒
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくともイオン源及び質量分離磁石を
内蔵させたケーシングを複数の絶縁支柱により地上に支
持させ、高電圧電源装置により前記ケーシングに所定の
高電圧を印加し、電力供給装置により前記イオン源や質
量分離磁石などに電力を供給するようにし、前記ケーシ
ングを電磁気的に遮蔽するシールドボックスを設け、前
記複数の絶縁支柱に上下に等間隔で環状の電極をこれら
絶縁支柱に相互に対向して取り付け、かつこれら電極と
対向する各電極とを各々金属棒で接続させているイオン
注入装置において、円筒形状の抵抗体と、該抵抗体と同
径の金属筒体とを交互に整列して、固定し相接続して条
体を形成し、該条体を斜めに配設し、この上端部の金属
筒体を前記ケーシングに電気的に接続し、下端部をグラ
ンドレベルに電気的に接続し、かつ前記抵抗体間の金属
筒体は、前記絶縁支柱に取り付けられた環状の電極のい
ずれかと同一の高さにあるように配設されており、これ
ら金属筒体を各々、同一高さにある環状の電極と円筒金
属体を介して電気的に接続させていることを特徴とする
イオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4313970A JPH06140191A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4313970A JPH06140191A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140191A true JPH06140191A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=18047678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4313970A Pending JPH06140191A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140191A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679593B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2007-02-07 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 고전압 발생 장치 및 이를 이용한 가속 장치 |
| WO2007126966A2 (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system |
| WO2008039745A2 (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Terminal structure of an ion implanter |
| US7524743B2 (en) | 2005-10-13 | 2009-04-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conformal doping apparatus and method |
| JP2014137998A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Ims Nanofabrication Ag | 荷電粒子光学機器用高電圧絶縁装置 |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP4313970A patent/JPH06140191A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679593B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2007-02-07 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 고전압 발생 장치 및 이를 이용한 가속 장치 |
| US7218500B2 (en) | 2003-11-28 | 2007-05-15 | Kobe Steel, Ltd. | High-voltage generator and accelerator using same |
| US7524743B2 (en) | 2005-10-13 | 2009-04-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conformal doping apparatus and method |
| WO2007126966A3 (en) * | 2006-03-31 | 2008-03-06 | Varian Semiconductor Equipment | Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system |
| WO2007126966A2 (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system |
| JP2009532826A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入システムのターミナル構造体のための絶縁体系 |
| US8143604B2 (en) | 2006-03-31 | 2012-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system |
| KR101390447B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2014-04-30 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 주입 시스템의 단자 구조체를 위한 절연체 시스템 |
| WO2008039745A2 (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Terminal structure of an ion implanter |
| WO2008039745A3 (en) * | 2006-09-27 | 2008-06-26 | Varian Semiconductor Equipment | Terminal structure of an ion implanter |
| US7675046B2 (en) | 2006-09-27 | 2010-03-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc | Terminal structure of an ion implanter |
| KR101365099B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2014-02-19 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 주입기의 단자 구조체 |
| JP2014137998A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Ims Nanofabrication Ag | 荷電粒子光学機器用高電圧絶縁装置 |
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