JPH06138142A - 加速度検出素子 - Google Patents

加速度検出素子

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Publication number
JPH06138142A
JPH06138142A JP32456492A JP32456492A JPH06138142A JP H06138142 A JPH06138142 A JP H06138142A JP 32456492 A JP32456492 A JP 32456492A JP 32456492 A JP32456492 A JP 32456492A JP H06138142 A JPH06138142 A JP H06138142A
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JP
Japan
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electrode
upper electrode
lower electrode
fixed
electrodes
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Withdrawn
Application number
JP32456492A
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English (en)
Inventor
Osamu Tsuboi
修 壺井
Yoshitaka Kitamura
芳隆 北村
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロマシン技術による加速度検出素子に
関し、弾性で撓む上部電極が下部電極側に突き当たり固
定された際にその上部電極を強制的に離間できて、上部
電極の正常な状態の維持を可能にさせる加速度検出素子
を提供する。 【構成】 重り部1が窓を有する固定部2に梁3によっ
て該窓内に懸架され、固定部2上の該窓近傍に配設され
た下部電極4と、下部電極4上を間隙を介して跨ぎ一端
が固定部2に他端が重り部1に固定された弾性導電体の
上部電極5と、を有する加速度検出素子であって、上部
電極5上を有間隙に跨ぎ両端を固定部2に固定した補助
電極7を設けた構成にし、上記離間は上部電極5と補助
電極7の間に電圧を印加して行う。また、上部電極5の
撓みを制限して上部電極5の下部電極4への接触を阻止
する絶縁部材8を設けた構成にし、上記離間は上部電極
5と補助電極7に同じ極性の電荷を与えて行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシン技術に
よる加速度検出素子に関する。近年、車の衝突時の人体
保護用とするエアーバッグの衝突検出用センサーなどに
使用される加速度検出素子を、半導体製造技術を利用し
たマイクロマシン技術により製造する技術が開発されて
いる。本発明は、そのようにして開発された加速度検出
素子の改良である。
【0002】
【従来の技術】図8はマイクロマシン技術による加速度
検出素子の従来例の平面図(a)と側断面図(b)と側
断面部分拡大図(c)である。
【0003】同図において、この加速度検出素子は、加
速を受ける重り部1が窓を有する板状の固定部2に梁3
によって上記窓内に空間を介して懸架され、固定部2上
の上記窓近傍に配設された下部電極4と、弾性導電体よ
りなり下部電極4上を間隙を介して跨ぎ一端が固定部2
に他端が重り部1に固定された上部電極5とを有してい
る。重り部1と固定部2は厚さ0.5mm程度のシリコ
ン基板から切り出され、重り部1の大きさは上面で1m
m角程度であり、下部電極4と上部電極5の間隙は1μ
m 程度である。下部電極4は検出電極と駆動電極などに
分割される場合もある。6は下部電極4及び上部電極5
を固定部2及び重り部1から絶縁する絶縁膜である。
【0004】加速度の検出は、上部電極5が下部電極4
(駆動電極)との間に静電力を作用させることにより振
動している状態において、加速により重り部1が相対的
に変位し、それによる上部電極5の振動の変化を下部電
極4(検出電極)との間の容量変動を利用して測定する
ことによって行う。従って、上部電極5は、下部電極4
から適宜な間隙を保つように常に離れていることが必要
である。
【0005】上述した加速度検出素子の従来例は概略と
して例えば図9のようにして製造される。図9におい
て、先ず(a)のように、シリコン基板11の上面に酸
化シリコンや窒化シリコンなどで絶縁膜6を形成し、ま
た、下面に梁3を形成するための梁用膜12を形成す
る。梁形成用膜12は、窒化シリコン膜またはその上に
タンタルを堆積した膜などである。シリコン基板11
は、この加速度検出素子を形成する領域の外側上面に、
この素子に接続する検出回路などを形成しておく場合も
ある。
【0006】次いで(b)のように、絶縁膜6上に下部
電極4を形成し、その上に所定の厚さのPSG膜13を
介在させて上部電極5を形成し、更に、上記制御回路な
どを保護するためとして基板11の全面に厚めのPSG
膜14を形成する。これらの形成は周知のホトリソグラ
フィ技術を利用して行う。
【0007】次いで(c)のように、基板11下面にお
ける重り部1と固定部2の間の空間とするべき領域が梁
3の領域を残して表出するように、梁形成用膜12をパ
ターニングし、その後、梁形成用膜12をマスクにした
結晶異方性エッチングにより基板11に上記空間を断面
台形に形成して、基板11から重り部1と固定部を切り
出すと共に梁3を形成し、更に、上記空間上部の絶縁膜
6を除去する。
【0008】次いで(d)のように、上記制御回路など
の領域を残してPSG膜14及び13をエッチングで除
去し、純水でリンスして完成する。なお、以上の説明
は、加速度検出素子としての要部に留まり、上記電極か
ら引き出す配線などについては省略してある。
【0009】ところで、ここで重要なのは、上記リンス
後の乾燥である。即ち,通常の乾燥を行うと、上部電極
5が下部電極4との間の純水の表面張力により下部電極
4側に引き寄せられて下部電極4に密着し、乾燥が終了
しても離れないという現象が生ずる。これは上部電極5
と下部電極4との間に生ずるファン・デア・ワールス力
によるものである。そこで、リンス後の乾燥を凍結乾燥
法によって行い、乾燥中に上部電極5が下部電極4に接
触しないようにしている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述の加速度検出素子
は、使用中に、弾性導電体である上部電極5のバネ定数
で決まる力より大きな力を生じさせる電圧が上部電極5
と下部電極4との間に加えられた時、上部電極5が下部
電極4に引き寄せられて下部電極4と接触し、電圧を取
り去ってもファン・デア・ワールス力により密着した状
態となり上部電極5が下部電極4から離れなくなる。そ
うなると、上部電極5が撓んだまま固定されて振動し得
なくなり、加速度の検出が不可能になる。こうした事態
になるのを回避するためには、上記接触が生じた際にそ
の接触を強制的に開放して上部電極5を正常な状態にさ
せることが可能になれば良い。
【0011】そこで本発明は、マイクロマシン技術によ
る加速度検出素子に関し、弾性を持つ上部電極が下部電
極に接触した際にその接触を強制的に開放して、上部電
極を正常な状態に維持させることが可能な加速度検出素
子の提供を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による第1の加速度検出素子は、加速を受け
る重り部が窓を有する板状の固定部に梁によって該窓内
に空間を介して懸架され、該固定部上の該窓近傍に配設
された下部電極と、弾性導電体よりなり該下部電極上を
間隙を介して跨ぎ一端が該固定部に他端が該重り部に固
定された上部電極と、を有する加速度検出素子であっ
て、該上部電極上を間隙を介し交差して跨ぎ両端を該固
定部に固定した補助電極が設けられていることを特徴と
している。前記補助電極は、前記上部電極と比較して、
厚さが厚いこと、長さが短いこと、幅が広いこと、の一
つ以上を満たしていることが望ましい。
【0013】そして、前記上部電極が前記下部電極に接
触した際に、該上部電極と前記補助電極との間に電圧を
印加することにより該上部電極が該下部電極から離間
し、該上部電極が該補助電極に接触した際に、該上部電
極と該下部電極との間に電圧を印加することにより該上
部電極を該補助電極から離間する構成をなす。
【0014】また、本発明による第2の加速度検出素子
は、前記第1の加速度検出素子において、前記補助電極
に代えて、前記上部電極の前記下部電極側への撓みを突
き当たりにより制限して、該上部電極の該下部電極への
接触を阻止する絶縁部材が設けられており、該上部電極
の撓みが前記制限に達して固定された際に、該上部電極
と該下部電極に同じ極性の電荷を与えることにより該上
部電極が該下部電極側から離間する構成をなすことを特
徴としている。
【0015】
【作用】第1の加速度検出素子においては、上部電極の
下部電極と反対側に上記補助電極を設けてあるので、上
部電極と補助電極との間に電圧を印加して上部電極を下
部電極側から補助電極側に引き寄せる力を生じさせるこ
とが可能になり、下部電極に接触してファン・デア・ワ
ールス力により密着しようとしている上部電極を下部電
極から強制的に離間させることができる。その際、補助
電極は撓みに対する剛性が上部電極より大であることが
望ましく、それは、補助電極の厚さ,長さ,幅が上述の
条件を満たすことにより実現できる。
【0016】ところが、補助電極を設けたがために、上
部電極が下部電極に接触するのと同様に補助電極に接触
して密着状態となる場合が生じる。しかしその際は、上
部電極と下部電極との間に電圧を印加することにより上
部電極を補助電極から強制的に離間させることができ
る。
【0017】従って本加速度検出素子は、上部電極が下
部電極または補助電極に密着する状態となるのを防止し
て上部電極を正常な状態に維持させることが可能であ
り、加速度の検出が不可能な事態となるのを回避するこ
とができる。
【0018】また、第2の加速度検出素子においては、
上記絶縁部材を設けてあるので上部電極が下部電極に接
触することがない。ところが、上部電極の撓みが上記制
限に達した際に絶縁部材にファン・デア・ワールス力が
作用して、上部電極が撓んだまま固定される場合が生じ
る。しかしその際は、上部電極と下部電極に同じ極性の
電荷を与えることにより上部電極を下部電極側から離間
させることができる。
【0019】従って本加速度検出素子は、上部電極が撓
んで固定されたままの状態となるのを防止して上部電極
を正常な状態に維持させることが可能であり、加速度の
検出が不可能な事態となるのを回避することができる。
【0020】
【実施例】以下本発明の実施例について図1〜図7を用
いて説明する。図1は実施例1の平面図(a)と側断面
図(b)と側断面部分拡大図(c)並びに実施例2の側
断面部分拡大図(d)、図2は実施例1における上部電
極と補助電極の形状を示す斜視図、図3は実施例1の接
触した上部電極を離間させる制御のブロック図、図4は
実施例1を製造する工程の要部を示す側断面図(a)〜
(d)、図5は実施例2の撓んで固定された上部電極を
離間させる操作を説明するための斜視図、図6は実施例
2の上部電極を離間させる制御のブロック図、図7は実
施例2の変形例を示す側断面部分拡大図(a)〜
(c)、であり、全図を通し同一符号は同一対象物を示
す。
【0021】図1(a)〜(c)において、この実施例
1は先に述べた第1の加速度検出素子であって、重り部
1,固定部2,梁3,下部電極4,上部電極5,絶縁膜
6を有してなる前述の従来例に補助電極7を付加したも
のである。従来例と同様に、下部電極4は検出電極と駆
動電極などに分割される場合もあり、また、固定部2を
構成するシリコン基板にこの素子と接続する検出回路な
どを設けてある場合もある。
【0022】補助電極7は、先に述べた次第で下部電極
4に接触した上部電極5を強制的に離間させるために設
けたものであり、上部電極5と同様に図2のような形状
をなし、上部電極5上を間隙を介し交差して跨ぎ両端を
固定部2に絶縁膜6を介して固定してある。上部電極5
との間の間隙は、下部電極4と上部電極5の間隙とほぼ
同じく1μm 程度である。そして、撓みに対する剛性が
上部電極5より大であることが望ましいので、上部電極
5と比較して、厚さが厚いこと、長さが短いこと、幅が
広いこと、の一つ以上を満たすようにしてある。
【0023】下部電極4に接触した上部電極5を離間さ
せるのは、上部電極5と補助電極7との間に適宜な電圧
を印加して行う。その際、下部電極4は上部電極5と同
電位にしておく。上記電圧の印加は、上部電極5と補助
電極7との間に静電的な引力を生じさせて上部電極5を
下部電極4から離間させる。
【0024】一方、補助電極7を設けたがために、上部
電極5が下部電極4に接触するのと同様に補助電極7に
接触する場合が生じる。その際は、上部電極5を下部電
極4から離間させる上述の方法に準じて、上部電極5と
下部電極4との間に電圧を印加することにより上部電極
5を補助電極7から離間させることができる。
【0025】上述のように下部電極4または補助電極7
に接触した上部電極5を離間させる制御は、図3のブロ
ック図のように行う。図3において、この制御を行う制
御回路21は、上部電極5と下部電極4との間の接触の
検出を行う検出部22と、上部電極5と補助電極7との
間に電圧を印加する駆動部24と、上部電極5と補助電
極7との間の接触の検出を行う検出部23と、上部電極
5と下部電極4との間に電圧を印加する駆動部25と、
駆動部24,25の電圧を検出部22,23の出力に応
じて制御する制御部26によって構成される。例えば、
検出部22,23はI−V変換回路からなり、駆動部2
4,25は増幅回路からなり、制御部26はA/D変換
とD/A変換機能を有するマイコンチップからなる回路
構成である。これらは、加速度検出素子の固定部2にオ
ンチップで配置されるか、または、加速度検出素子のリ
ードを介して外付けされる。
【0026】制御部26は、上部電極5が下部電極4に
接触したときには、上部電極5と下部電極4を同電位に
保ち、上部電極5と補助電極7との間に電圧を与える。
また、上部電極5が補助電極7に接触したときには、上
部電極5と補助電極7を同電位に保ち、上部電極5と下
部電極4との間に電圧を与える。これにより、上部電極
5が下部電極4または補助電極7に密着した状態となる
のを防止して上部電極5を正常な状態に維持させること
が可能となり、加速度の検出が不可能な事態となるのを
回避することができる。
【0027】以上に述べた実施例1の加速度検出素子は
概略として図4のようにして製造することができる。図
4は従来例の製造を説明した図9に対応しており、相違
点は主として(b)の工程にある。即ち、図4(a)の
工程は図9(a)と同じである。図4(b)の工程は、
図9(b)で述べた上部電極5の形成とPSG膜14の
形成との間に、上部電極5上に所定の厚さのPSG膜1
5を介在させて行う補助電極7の形成を挿入してある。
この形成も上部電極5の形成と同様にホトリソグラフィ
技術を利用して行う。図4(c)の工程は図9(c)と
同じである。図4(d)の工程も図9(c)と同じであ
る。但し、エッチングによる除去対象にPSG膜15が
加わる。純水リンス後の乾燥を凍結乾燥法によって行う
ことはいうまでもない。
【0028】なお、上述した実施例は、上部電極5が下
部電極4または補助電極7にファン・デア・ワールス力
により密着してしまったとしても、先に説明した上部電
極5を離間させる方法により、要すれば印加する電圧を
高めにして、上部電極5を密着状態から離間させること
ができる。
【0029】次に、図1(d)において、この実施例2
は先に述べた第2の加速度検出素子であって、先の実施
例1が、重り部1,固定部2,梁3,下部電極4,上部
電極5,絶縁膜6を有してなる前述の従来例に補助電極
7を付加したものであるのに対して、補助電極7の代わ
りに絶縁部材8をこの従来例に付加したものである。従
来例と同様に、下部電極4は検出電極と駆動電極などに
分割される場合もあり、また、固定部2を構成するシリ
コン基板にこの素子と接続する検出回路などを設けてあ
る場合もある。
【0030】絶縁部材8は、上部電極5の下部電極4側
への撓みを突き当たりにより制限して、上部電極5の下
部電極4への接触を阻止するものであり、上部電極5の
下部電極4に対向する面の全面に設けた、窒化シリコ
ン、窒化チタン、窒化ボロンなどからなる厚さ0.01
〜0.5μm 程度の絶縁膜によって構成される。上部電
極5の撓みが0の際の上部電極5と下部電極4との間隙
が1μm 程度であるので、上部電極5は、加速度検出に
必要な振動の振幅を充分にとることができる。
【0031】ところで、上部電極5に下部電極4側への
大きな撓みが生じて絶縁部材8が下部電極4に突き当た
った際には、上部電極5が下部電極4に接触していなく
とも、絶縁部材8と下部電極4との間のファン・デア・
ワールス力により上部電極5が撓んだまま固定される場
合がある。そうなると、上部電極5が振動し得なくなり
加速度検出が不能となる。
【0032】その際は、図5に示すようにして上部電極
5を下部電極4側から強制的に離間させて上部電極5を
振動可能にさせる。即ち、下部電極4を制御回路から切
り離しフローティング状態にして図5の回路を接続し、
スイッチSをa側に接続して下部電極4に Q=CV
(C:下部電極4と上部電極5による容量)の電荷を蓄
積し、その後スイッチSをb側に接続すれば、両電極4
と5の間に F=σ2 /2ε(σ:単位面積当たりの電
荷)のクーロン力による反発力が働き、上部電極5が絶
縁部材8と共に下部電極4側から離間する。この作用
は、上部電極5が下部電極4に接触していないことによ
り成立する。
【0033】上述の操作は、絶縁部材8が下部電極4に
接触状態となり上部電極5が振動し得なくなった際に必
要であるので、その制御は図6のブロック図のように行
う。図6において、この制御を行う制御回路31は、上
部電極5の振動が止まったのを下部電極4から検出する
検出部32と、図5で述べた回路を有してその操作を行
う駆動部33と、検出部32の出力に応じて駆動部33
を制御する制御部34によって構成される。上部電極5
の上記振動停止は絶縁部材8が下部電極4に接触状態と
なった際に起きるので、制御回路31は、加速度の検出
が不可能となる事態を回避させる。この制御回路31
は、加速度検出素子の固定部2にオンチップで配置され
るか、または、加速度検出素子のリードを介して外付け
される。
【0034】以上に述べた実施例2の加速度検出素子
は、従来例の製造を説明した図9の工程の一部を変更し
て製造することができる。即ち、図9(b)の工程にお
いて、下部電極4を形成した後、PSG膜13を介在さ
せて上部電極5を形成する際に、PSG膜13と上部電
極5の間に絶縁部材8が介在するようにすれば良い。そ
れは、絶縁部材8の成膜とその膜のパターニングを追加
することによって行うことができる。そして、図9
(d)の工程におけるPSG膜14及び13の除去を行
えば、絶縁部材8は、上部電極5の下部電極4に対向す
る面上に残り図1(d)のようになる。
【0035】上述した実施例2は、絶縁部材8を上部電
極5の下部電極4に対向する面の全面に設けたが、絶縁
部材8には、例えば図7(a)〜(c)に示すように種
々の変形が許される。図7(a)は絶縁部材8を先と同
じ厚さにして下部電極4の上部電極5に対向する面の全
面に設けた場合であり、図7(b)はその絶縁部材8が
下部電極4の周囲にも延在したままにした場合であり、
図7(c)は絶縁部材8を先の厚さに下部電極4の厚さ
を加えた厚さにして固定部2の表面に局部的に設けた場
合である。これらの絶縁部材8は、その成膜時点を変更
して所要のパターニングを行うことにより形成すること
ができる。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
イクロマシン技術による加速度検出素子に関し、弾性を
持つ上部電極が下部電極に接触した際にその接触を強制
的に開放し、または、上記上部電極が下部電極に接触し
なくとも下部電極側に撓んで固定され振動不能となった
際に上部電極を下部電極側から強制的に離間させて、上
部電極を正常な状態に維持させることが可能な加速度検
出素子が提供されて、当該加速度検出素子の信頼性向上
に寄与するところが大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1の平面図と側断面図と側断面部分拡
大図並びに実施例2の側断面部分拡大図
【図2】 実施例1における上部電極と補助電極の形状
を示す斜視図
【図3】 実施例1の接触した上部電極を離間させる制
御のブロック図
【図4】 実施例1を製造する工程の要部を示す側断面
【図5】 実施例2の撓んで固定された上部電極を離間
させる操作を説明するための斜視図
【図6】 実施例2の上部電極を離間させる制御のブロ
ック図
【図7】 実施例2の変形例を示す側断面部分拡大図
【図8】 従来例の平面図と側断面図と側断面部分拡大
【図9】 従来例を製造する工程の要部を示す側断面図
【符号の説明】
1 重り部 2 固定部 3 梁 4 下部電極 5 上部電極 6 絶縁膜 7 補助電極 8 絶縁部材 11 シリコン基板 12 梁形成用膜 13,14,15 PSG膜 21,31 制御回路 22,23,32 検出部 24,25,33 駆動部 26,34 制御部 S スイッチ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加速を受ける重り部が窓を有する板状の
    固定部に梁によって該窓内に空間を介して懸架され、該
    固定部上の該窓近傍に配設された下部電極と、弾性導電
    体よりなり該下部電極上を間隙を介して跨ぎ一端が該固
    定部に他端が該重り部に固定された上部電極と、を有す
    る加速度検出素子であって、 該上部電極上を間隙を介し交差して跨ぎ両端を該固定部
    に固定した補助電極が設けられていることを特徴とする
    加速度検出素子。
  2. 【請求項2】 前記補助電極は、前記上部電極と比較し
    て、厚さが厚いこと、長さが短いこと、幅が広いこと、
    の一つ以上を満たしていることを特徴とする請求項1記
    載の加速度検出素子。
  3. 【請求項3】 前記上部電極が前記下部電極に接触した
    際に、該上部電極と前記補助電極との間に電圧を印加す
    ることにより該上部電極が該下部電極から離間し、 該上部電極が該補助電極に接触した際に、該上部電極と
    該下部電極との間に電圧を印加することにより該上部電
    極が該補助電極から離間する構成をなすことを特徴とす
    る請求項1または2記載の加速度検出素子。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の加速度検出素子におい
    て、 前記補助電極に代えて、前記上部電極の前記下部電極側
    への撓みを突き当たりにより制限して、該上部電極の該
    下部電極への接触を阻止する絶縁部材が設けられてお
    り、 該上部電極の撓みが前記制限に達して固定された際に、
    該上部電極と該下部電極に同じ極性の電荷を与えること
    により該上部電極が該下部電極側から離間する構成をな
    すことを特徴とする加速度検出素子。
JP32456492A 1992-09-10 1992-12-04 加速度検出素子 Withdrawn JPH06138142A (ja)

Priority Applications (1)

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JP32456492A JPH06138142A (ja) 1992-09-10 1992-12-04 加速度検出素子

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8912031B2 (en) 2010-11-30 2014-12-16 Seiko Epson Corporation Electronic device, electronic apparatus, and method of manufacturing electronic device
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