JPH06132390A - Wafer boat - Google Patents

Wafer boat

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Publication number
JPH06132390A
JPH06132390A JP30310192A JP30310192A JPH06132390A JP H06132390 A JPH06132390 A JP H06132390A JP 30310192 A JP30310192 A JP 30310192A JP 30310192 A JP30310192 A JP 30310192A JP H06132390 A JPH06132390 A JP H06132390A
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JP
Japan
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wafer
support
support shaft
wafer boat
wafers
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Application number
JP30310192A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Sekiguchi
隆司 関口
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M C ELECTRON KK
Original Assignee
M C ELECTRON KK
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Publication date
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Publication of JPH06132390A publication Critical patent/JPH06132390A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide a wafer boat where wafers are mounted, wherein the rear side of the wafer can be protecte4 against reaction, and MOS semiconductor wafers can be enhanced in single-side processing efficiency. CONSTITUTION:Support shafts 4 provided upright surrounding the circumferences of wafers are provided, wafer holding cutouts 41 are provided to each of the support shafts 4, a wafer holding space V is formed inside the assembled support shafts 4, discs 5 of nearly the same shape as that of a water are provided in parallel with each other in a horizontal position to the support shafts 4 installed upright outside the wafer holding space V, the discs 5 are fixed so as to make a distance between the upsides of the discs equal to that between the centers of the cutouts 41, and furthermore the support shafts 4 and supports 3 are set relatively movable in a vertical direction.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハボートに関す
るものであり、詳しくは、ウェーハ裏面の反応を阻止す
ることが出来、しかも、複数のウェーハの搭載が可能で
あり、MOS半導体ウェーハ等の片面処理の効率を向上
し得る斬新的なウェーハボートに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer boat, and more specifically, it can prevent a reaction on the back surface of a wafer and can mount a plurality of wafers on one surface of a MOS semiconductor wafer or the like. The present invention relates to a novel wafer boat that can improve processing efficiency.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、多数のウェーハに対してエッチ
ング、アッシンング、CVD等の処理をバッチ式にて行
なう処理装置では、所謂、ウェーハボートが使用され
る。斯かるウェーハボートは、ウェーハの周縁を囲む状
態に立設された複数の支持軸にウェーハ保持用の切欠が
前記支持軸の軸線方向におけるそれら切欠の中心間の距
離を一定として設けられてこれら支持軸の内方にウェー
ハの保持空間が形成されて構成される。上記のウェーハ
ボートでは、ウェーハの保持空間に例えば25枚程度の
ウェーハを装填し、各ウェーハの両面を露出させて同時
に処理を行なうことが出来るため、高い処理効率が得ら
れる。
2. Description of the Related Art In general, a so-called wafer boat is used in a processing apparatus which performs etching, assembling, CVD and the like on a large number of wafers in a batch process. Such a wafer boat is provided with notches for holding wafers on a plurality of support shafts erected so as to surround the peripheral edge of the wafer with a constant distance between the centers of the notches in the axial direction of the support shafts. A wafer holding space is formed inside the shaft. In the above-described wafer boat, for example, about 25 wafers can be loaded in the wafer holding space, both surfaces of each wafer can be exposed, and the wafers can be processed simultaneously, so that high processing efficiency can be obtained.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、パワーデバ
イスに使用するMOS半導体ウェーハ等の処理では、よ
り多層に回路を積層する上で、ウェーハ裏面の処理を阻
止して片面からの処理を行う必要がある。上記の片面処
理においては、通常、基台上にウェーハを載置して1枚
毎に処理を行なう保持装置が使用されているが、斯かる
保持装置では、前記のウェーハボートにおけるような高
い処理効率が得られないという問題がある。本発明は、
上記実情に鑑みなされたものであり、その目的は、ウェ
ーハ裏面の反応を阻止することが出来、しかも、複数の
ウェーハの搭載が可能であり、MOS半導体ウェーハ等
の片面処理の効率を向上し得る斬新的なウェーハボート
を提供することにある。
By the way, in the processing of MOS semiconductor wafers and the like used for power devices, it is necessary to prevent the processing on the back surface of the wafer and perform the processing from one surface in order to stack circuits in more layers. is there. In the above-mentioned one-sided processing, usually, a holding device is used in which a wafer is placed on a base and processed one by one. In such a holding device, a high processing like that in the wafer boat is used. There is a problem that efficiency cannot be obtained. The present invention is
The present invention has been made in view of the above circumstances, and the purpose thereof is to be able to prevent the reaction on the back surface of a wafer, and to mount a plurality of wafers, and to improve the efficiency of single-sided processing of MOS semiconductor wafers and the like. To provide a novel wafer boat.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明では、ウェーハの周縁を囲む状態に立設さ
れた複数の支持軸に各々、複数のウェーハ保持用の切欠
が前記支持軸の軸線方向におけるそれら切欠の中心間の
距離を一定として設けられてこれら支持軸の内方にウェ
ーハの保持空間が形成されたウェーハボートにおいて、
前記保持空間の外方に支柱を立設し、当該支柱にウェー
ハと略同一の盤面形状を有する複数の平板を水平且つ並
列に整列させてそれら平板の上面間の距離を前記切欠の
前記中心間の距離と同一として固設し、そして、前記平
板を前記保持空間において当該空間と同心状に配置する
と共に、前記複数の支持軸と前記支柱とを上下方向に相
対移動可能に形成したことを特徴としている。また、装
置構成をコンパクトにするためには、上記支持軸を上記
支柱に挿通し、上記支柱には上記切欠を露出させる開口
部を開設するのが好ましい。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, a plurality of notches for holding a wafer are respectively provided on a plurality of support shafts erected so as to surround the periphery of the wafer. In a wafer boat in which a holding space for a wafer is formed inside these supporting shafts by providing a constant distance between the centers of the notches in the axial direction of the shaft,
A pillar is erected on the outside of the holding space, and a plurality of flat plates having substantially the same board surface shape as the wafer are aligned horizontally and in parallel on the pillar, and the distance between the upper surfaces of the flat plates is set between the centers of the notches. Is fixed at the same distance, and the flat plate is arranged concentrically with the space in the holding space, and the plurality of support shafts and the support columns are formed to be vertically movable relative to each other. I am trying. Further, in order to make the device structure compact, it is preferable that the support shaft is inserted into the column and an opening is formed in the column to expose the notch.

【0005】[0005]

【作用】本発明のウェーハボートでは、複数の支持軸と
支柱とを上下方向に相対移動させた場合、各切欠により
保持されたウェーハと各平板とが当接してウェーハの裏
面が平板により覆われる。
In the wafer boat of the present invention, when the plurality of support shafts and the support columns are moved relative to each other in the vertical direction, the wafers held by the notches and the flat plates come into contact with each other so that the back surface of the wafer is covered with the flat plates. .

【0006】[0006]

【実施例】先ず、図1〜図5に基づいて本発明の一実施
例を説明する。図1は本発明のウェーハボートの一実施
例を示す斜視図、図2は図1に示されるウェーハボート
の水平断面図、図3は図2におけるIII ーIII 側断面
図、図4は図1に示されたウェーハボートによるウェー
ハ装填時の状態を示す一部側断面図、図5は図1に示さ
れたウェーハボートによるウェーハ処理時の状態を示す
一部側断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a perspective view showing an embodiment of the wafer boat of the present invention, FIG. 2 is a horizontal sectional view of the wafer boat shown in FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III in FIG. 2, and FIG. 5 is a partial side cross-sectional view showing a state during wafer loading by the wafer boat shown in FIG. 5, and FIG. 5 is a partial side cross-sectional view showing a state during wafer processing by the wafer boat shown in FIG.

【0007】図1に示されるウェーハボートは、例え
ば、5インチ、8インチ等の所謂、円形ウェーハが搭載
されるウェーハボートであり、ウェーハの周縁を囲む状
態に立設された複数の支持軸(4)に各々、複数のウェ
ーハ保持用の切欠(41)が支持軸(4)の軸線方向に
おけるそれら切欠(41)の中心間の距離を一定として
設けられてこれら支持軸(4)の内方にウェーハの保持
空間(V)が形成されている。なお、上記の切欠(4
1)の中心間の距離は、図4中に符号(L1)にて示さ
れている。
The wafer boat shown in FIG. 1 is a wafer boat on which so-called circular wafers of, for example, 5 inches and 8 inches are mounted, and a plurality of support shafts (erected in a state of surrounding the periphery of the wafer ( 4) are provided with a plurality of notches (41) for holding wafers, each having a constant distance between the centers of the notches (41) in the axial direction of the support shaft (4). A wafer holding space (V) is formed in the wafer. In addition, the notch (4
The distance between the centers of 1) is shown by the code (L1) in FIG.

【0008】また、保持空間(V)の外方には、支柱
(3)が立設されており、更に、この支柱(3)には、
ウェーハと略同一の盤面形状を有する複数の平板(5)
が水平且つ並列に整列させられてそれら平板(5)の上
面間の距離を上記の切欠(41)の中心間の距離と同一
として固設されている。そして、複数の平板(5)は、
保持空間(V)にて当該空間と同心状に配置されると共
に、複数の支持軸(4)と支柱(3)とは上下方向に相
対移動可能に形成されている。なお、上記の平板(5)
の上面間の距離は、図4中に符号(L2)にて示されて
いる。
A column (3) is provided upright outside the holding space (V), and the column (3) further comprises:
A plurality of flat plates (5) having the same board shape as the wafer (5)
Are aligned horizontally and in parallel, and are fixed such that the distance between the upper surfaces of the flat plates (5) is the same as the distance between the centers of the notches (41). And the plurality of flat plates (5) are
The holding space (V) is arranged concentrically with the space, and the plurality of support shafts (4) and columns (3) are formed so as to be vertically movable relative to each other. The above flat plate (5)
The distance between the upper surfaces of is indicated by reference numeral (L2) in FIG.

【0009】更に、本実施例では、装置構成をコンパク
トにするために、上記の支持軸(4)は支柱(3)に挿
通されており、そして、支柱(3)には上記の切欠(4
1)を露出させる開口部(31)が開設されている。
Further, in this embodiment, in order to make the device structure compact, the support shaft (4) is inserted through the support column (3), and the notch (4) is formed in the support column (3).
An opening (31) for exposing 1) is opened.

【0010】上記の複数の支持軸(4)は、通常、石英
から形成されており、ウェーハの周縁を囲む状態、即
ち、図2に示されるように、ウェーハ(6)が位置させ
られる仮想円(R)の周部に沿って立設されている。具
体的には、支持軸(4)は、上記の仮想円(R)におけ
る略直径方向の対称な位置の2箇所、および、前記直径
を弦とする半円弧部分を分割する適宜の位置の2箇所に
配置される。
The plurality of support shafts (4) are usually made of quartz and surround the periphery of the wafer, that is, as shown in FIG. 2, a virtual circle on which the wafer (6) is positioned. It is erected along the circumference of (R). Specifically, the support shaft (4) is provided at two positions that are symmetrical in the substantially diametrical direction on the virtual circle (R) and at two positions that are suitable for dividing the semi-circular arc portion having the diameter as a chord. It is placed in the place.

【0011】支持軸(4)の切欠(41)は、上記の仮
想円(R)の中心に向けて開設されている。切欠(4
1)の切り欠き深さは、図2に示されるように、支持軸
(4)の直径にほぼ達する迄の深さである。また、図4
及び図5に示されるように、切欠(41)の上下方向の
切り欠き長さは、水平に搭載されるウェーハ(6)の縁
部が幾分ゆるい嵌合をなす程度に、ウェーハ(6)の厚
みより僅かに長く形成される。
The notch (41) of the support shaft (4) is opened toward the center of the virtual circle (R). Notch (4
The notch depth of 1) is a depth until the diameter of the support shaft (4) is almost reached, as shown in FIG. Also, FIG.
And as shown in FIG. 5, the notch length of the notch (41) in the vertical direction is such that the edge of the wafer (6) mounted horizontally is somewhat loosely fitted to the wafer (6). Is formed to be slightly longer than the thickness of.

【0012】上記の切欠(41)は、各支持軸(4)に
対して同一の位置にそれぞれ複数設けられており、その
数は、ウェーハボートが挿入されるリアクタ(図示せ
ず)の高さ、および、処理を行うウェーハ(6)の枚数
に応じて、例えば、25〜50箇所に設けられる。
A plurality of the above-mentioned notches (41) are provided at the same position with respect to each support shaft (4), and the number thereof is the height of the reactor (not shown) into which the wafer boat is inserted. , And, depending on the number of wafers (6) to be processed, for example, they are provided at 25 to 50 places.

【0013】各支持軸(4)の複数の切欠(41)の配
列は、支持軸(4)の軸線方向における各切欠(41)
の中心間の距離(L1)が一定となる位置とされてい
る。斯かる中心間の距離(L1)は、図4に示されるよ
うに、ウェーハ(6)を支持して水平方向に進退するロ
ボットアーム(搬送機構)(9)の厚み(高さ)に、上
記の支柱(3)の外面に取り付けられる平板(5)の厚
みを少なくとも付加したものである。
The arrangement of the plurality of notches (41) of each support shaft (4) is such that each notch (41) in the axial direction of the support shaft (4).
The distance (L1) between the centers of is constant. As shown in FIG. 4, the distance (L1) between the centers is equal to the thickness (height) of the robot arm (transport mechanism) (9) that supports the wafer (6) and moves back and forth in the horizontal direction. The thickness of the flat plate (5) attached to the outer surface of the column (3) is added at least.

【0014】このような切欠(41)は、ウェーハボー
トに装填またはウェーハボートから排出される複数のウ
ェーハ(6)を一時的に保持するものであり、これによ
り、複数の支持軸(4)の内方にウェーハの保持空間
(V)が形成される。
Such notches (41) temporarily hold a plurality of wafers (6) loaded into or discharged from the wafer boat, whereby the plurality of support shafts (4) are supported. A wafer holding space (V) is formed inward.

【0015】本実施例のウェーハボートは、図1に示さ
れるように、天盤(1)、底盤(2)、および、天盤
(1)と底盤(2)との間にほぼ鉛直に架設された支柱
(3)から外郭が構成されている。天盤(1)、底盤
(2)、支柱(3)は、通常、石英から形成されてお
り、また、天盤(1)及び底盤(2)は、図2に示され
るように、搭載されるウェーハ(6)より幾分大径の円
形平板状に形成されている。
The wafer boat of this embodiment, as shown in FIG. 1, is installed on a roof (1), a floor (2), and between the roof (1) and the floor (2) substantially vertically. An outer shell is composed of the pillars (3) formed. The top plate (1), the bottom plate (2), and the support columns (3) are usually made of quartz, and the top plate (1) and the bottom plate (2) are mounted as shown in FIG. It is formed in the shape of a circular flat plate having a diameter somewhat larger than that of the wafer (6).

【0016】上記の支柱(3)は、上記の複数の平板
(5)を支持するために設けられるものであり、中空の
パイプ状に形成され、支持軸(4)と同位置に立設され
て上記の支持軸(4)が挿通される。
The column (3) is provided to support the plurality of flat plates (5), is formed in a hollow pipe shape, and is erected at the same position as the support shaft (4). The support shaft (4) is inserted therethrough.

【0017】更に、図1に示されるように、各支柱
(3)には、上述の支持軸(4)の切欠(41)を露出
させるため、各切欠(41)に対応して、複数の開口部
(31)が上述の仮想円(R)の中心に向けて各々に開
設されている。斯かる開口部(31)の深さは、支柱
(3)の直径にほぼ達する迄の深さである。また、各開
口部(31)の上下方向の高さは、少なくとも、その高
さの範囲内においてウェーハ(6)を支持したロボット
アーム(9)が水平方向に進退可能な程度である。
Further, as shown in FIG. 1, since the notches (41) of the support shaft (4) are exposed on each of the columns (3), a plurality of notches (41) are provided corresponding to the notches (41). An opening (31) is opened in each toward the center of the above-mentioned virtual circle (R). The depth of such an opening (31) is a depth up to about the diameter of the column (3). Further, the height of each opening (31) in the vertical direction is at least such that the robot arm (9) supporting the wafer (6) can advance and retract in the horizontal direction within the range of the height.

【0018】また、各支柱(3)に固設される複数の平
板(5)は、図2及び図3に示されるように、ウェーハ
(6)と略同一の盤面形状を各々有し、斯かる盤面が水
平且つ並列に整列させられている。これら平板(5)の
配列は、上記の切欠(41)及び開口部(31)に対応
しており、図4に示されるように、各支柱(3)の軸線
方向に沿って固設される各平板(5)の上面間の距離
(L2)が上記の切欠(41)の中心間の距離(L1)
と同一とされている。そして、固設された各平板(5)
は、その上面が上記の開口部(31)の支柱(3)の軸
線に直交する底縁に一致させられている。
Further, as shown in FIGS. 2 and 3, the plurality of flat plates (5) fixedly mounted on the columns (3) each have a plate surface shape substantially the same as that of the wafer (6). The boards are arranged horizontally and in parallel. The arrangement of these flat plates (5) corresponds to the above-mentioned cutouts (41) and openings (31), and is fixed along the axial direction of each column (3) as shown in FIG. The distance (L2) between the upper surfaces of the flat plates (5) is the distance (L1) between the centers of the notches (41).
Is the same as. And each fixed flat plate (5)
Has its upper surface aligned with the bottom edge of the opening (31) orthogonal to the axis of the column (3).

【0019】そして、上記の平板(5)は、図1に示さ
れるように、支持軸(4)(支柱(3))の内方に形成
された上述のウェーハの保持空間(V)において、当該
空間と同心状に配置されている。すなわち、保持空間
(V)の中心に向けられた支柱(3)の各開口部(3
1)では、挿通された支持軸(4)の切欠(41)がそ
れぞれに常時露出する状態となっている。
Then, as shown in FIG. 1, the flat plate (5) has a wafer holding space (V) formed inside the support shaft (4) (support (3)). It is arranged concentrically with the space. That is, each opening (3) of the column (3) facing the center of the holding space (V).
In 1), the notches (41) of the inserted support shafts (4) are always exposed to each other.

【0020】更に、ウェーハ(6)の処理時に上記の各
平板(5)をウェーハ(6)の裏面に当接させるため、
各支柱(3)に挿通された支持軸(4)は、支柱(3)
内にて昇降可能に形成される。
Furthermore, in order to bring the above flat plates (5) into contact with the back surface of the wafer (6) during the processing of the wafer (6),
The support shaft (4) inserted through each of the columns (3) is the column (3).
It is formed so that it can be raised and lowered inside.

【0021】ところで、エッチング、アッシング、CV
D等の処理を行うバッチ式装置のリアクタでは、当該リ
アクタを開閉する底蓋(7)が昇降自在に形成されてお
り、本実施例のウェーハボートは、常時、この底蓋
(7)に搭載されてリアクタ内に挿入され、或いは、リ
アクタ内から取り出される。そこで、支持軸(4)の昇
降機構は、上記の底蓋(7)を利用し、次のように構成
される。
By the way, etching, ashing, CV
In a reactor of a batch type apparatus that performs processing such as D, a bottom lid (7) that opens and closes the reactor is formed to be movable up and down, and the wafer boat of the present embodiment is always mounted on this bottom lid (7). And then inserted into the reactor or taken out from the reactor. Therefore, the elevating mechanism of the support shaft (4) uses the above-mentioned bottom lid (7) and is configured as follows.

【0022】すなわち、図3に示されるように、各支柱
(3)に挿通された支持軸(4)は、その上端側が天盤
(1)に貫挿されると共に、下端側が底盤(2)および
底蓋(7)に貫挿されている。そして、各支持軸(4)
は、その下端がバー(11)により相互に連結されてお
り、底蓋(7)側に設けられたシリンダ装置等の駆動手
段(8)により、同期して昇降するように構成されてい
る。また、底蓋(7)の下方に突出した部分の各支持軸
(4)の端部は、石英以外の材料からなる他の部材によ
り形成されていてもよい。そして、リアクタ内の気密を
保持するために、上記の支持軸(4)の端部は、ベロー
ズ(10)により覆われている。
That is, as shown in FIG. 3, the support shaft (4) inserted through each of the columns (3) has its upper end penetrated by the roof (1) and its lower end by the bottom plate (2) and It is inserted into the bottom lid (7). And each support shaft (4)
Are connected to each other at their lower ends by a bar (11), and are configured to move up and down in synchronization by a driving means (8) such as a cylinder device provided on the bottom lid (7) side. Further, the end portion of each support shaft (4) of the portion protruding downward of the bottom lid (7) may be formed by another member made of a material other than quartz. The end of the support shaft (4) is covered with a bellows (10) in order to maintain airtightness in the reactor.

【0023】上述のように構成される本実施例のウェー
ハボートは、次のように使用される。 〔ウェーハの装填準備〕先ず、ウェーハボートが搭載さ
れたリアクタの底蓋(7)を下降させてウェーハボート
をリアクタ内から取り出しておく。ウェーハ(6)の装
填前は、各支柱(3)に挿通された支持軸(4)が上昇
させられている。斯かる位置においては、支持軸(4)
には、複数の切欠(41)が支持軸(4)の軸線方向に
おけるそれら切欠(41)の中心間の距離(L1)を一
定として設けられおり、且つ、複数の支柱(3)には、
複数の開口部(31)が前記各切欠(41)に対応して
設けられているため、各開口部(31)内の上方に各切
欠(41)が露出した状態にある。
The wafer boat of the present embodiment constructed as described above is used as follows. [Wafer Loading Preparation] First, the bottom lid (7) of the reactor on which the wafer boat is mounted is lowered to take out the wafer boat from the reactor. Before the wafer (6) is loaded, the support shaft (4) inserted through each of the columns (3) is raised. In such a position, the support shaft (4)
Are provided with a plurality of notches (41) with a constant distance (L1) between the centers of the notches (41) in the axial direction of the support shaft (4), and the plurality of columns (3) are
Since the plurality of openings (31) are provided corresponding to the respective notches (41), the respective notches (41) are exposed above the inside of each opening (31).

【0024】〔ウェーハの装填〕次いで、図4に示され
るように、ロボットアーム(9)の吸着部(9c)によ
り処理を施すべきウェーハ(6)を水平状態で裏面から
支持し、保持空間(V)へ水平移動させてウェーハ
(6)の縁部を上記の支持軸(4)の切欠(41)へ嵌
入する。そして、1枚のウェーハ(6)が装填される毎
に、リアクタの底蓋(7)を間欠的に切欠(41)の中
心間の距離(L1)だけ逐次上昇させながら上記の操作
を繰り返し、例えば、25枚のウェーハ(6)を保持空
間(V)に装填する。
[Wafer Loading] Next, as shown in FIG. 4, the wafer (6) to be processed is horizontally supported from the back surface by the suction portion (9c) of the robot arm (9), and the holding space ( Then, the wafer (6) is horizontally moved to fit in the notch (41) of the support shaft (4). Then, each time one wafer (6) is loaded, the above operation is repeated while the bottom lid (7) of the reactor is intermittently raised by the distance (L1) between the centers of the notches (41), For example, 25 wafers (6) are loaded in the holding space (V).

【0025】保持空間(V)を構成する支持軸(4)
は、図2に示されるように、装填されるウェーハ(6)
の周縁の略半円部を囲む状態に4箇所に立設されている
ため、これら各支持軸(4)における同一水平面内に位
置する4箇所の切欠(41)によって、図3に示される
ように、装填されたウェーハ(6)が保持される。
Support shaft (4) constituting the holding space (V)
The loaded wafer (6), as shown in FIG.
Since it is erected at four places so as to surround the substantially semicircular portion of the peripheral edge of the, the four notches (41) located in the same horizontal plane of each of these support shafts (4), as shown in FIG. The loaded wafer (6) is held at.

【0026】〔ウェーハの処理〕ウェーハ(6)を保持
空間(V)に装填後、図5に示されるように、支持軸
(4)を切欠(41)の底面(41e)が開口部(3
1)の底縁と一致する位置、即ち、対応する平板(5)
の上面に一致する位置まで下降させる。すると、平板
(5)の上面がウェーハ(6)の裏面に当接し、平板
(5)及び切欠(41)の底面(41e)によって保持
されたウェーハ(6)の裏面が全て覆われる。
[Processing of Wafer] After the wafer (6) is loaded into the holding space (V), as shown in FIG. 5, the support shaft (4) is cut into the bottom surface (41e) of the notch (41) at the opening (3).
Position corresponding to the bottom edge of 1), that is, the corresponding flat plate (5)
Down to a position that matches the upper surface of. Then, the upper surface of the flat plate (5) contacts the back surface of the wafer (6), and the back surface of the wafer (6) held by the flat plate (5) and the bottom surface (41e) of the notch (41) is entirely covered.

【0027】このように、装填した複数のウェーハ
(6)の裏面に平板(5)を各々に当接させた状態にお
いては、各ウェーハ(6)は上下方向に沿って盤面を水
平且つ並列に整列させられており、各ウェーハ(6)と
も上面だけが露出している。従って、リアクタ内では、
これらウェーハ(6)の裏面の反応を阻止して上面のみ
からエッチング、アッシング、CVD等の処理を施すこ
とが出来る。なお、ウェーハボートにウェーハ(6)を
装填後、支持軸(3)を下降させて各平板(5)にウェ
ーハ(6)の裏面を当接させる操作は、ウェーハボート
をリアクタへ挿入する前、挿入中、或いは、挿入した後
の何れに行ってもよい。
Thus, in the state where the flat plate (5) is brought into contact with the back surfaces of the loaded wafers (6), the wafers (6) are horizontally and parallel to each other along the vertical direction. It is aligned and only the top surface of each wafer (6) is exposed. Therefore, in the reactor,
The reaction on the back surface of these wafers (6) can be prevented, and the processing such as etching, ashing, and CVD can be performed only from the upper surface. After loading the wafer (6) in the wafer boat, the operation of lowering the support shaft (3) to bring the back surface of the wafer (6) into contact with each flat plate (5) is performed before inserting the wafer boat into the reactor. It may be performed either during the insertion or after the insertion.

【0028】〔ウェーハの排出〕次いで、ウェーハ
(6)に必要な上記の処理を施した後、底蓋(7)を下
降させてウェーハボートをリアクタの外部へ取り出す。
この際、底蓋(7)の下降前、下降中または下降後に、
底蓋(7)側に設けられた駆動手段(8)を作動させて
各支持軸(4)を上昇させる。支持軸(4)の上昇位置
は、図4に示されるように、少なくとも、切欠(41)
の底面(41e)と切欠(41)に対応する平板(5)
の上面との間に、ウェーハ(6)を支持したロボットア
ーム(9)が進退可能な間隙を形成する位置である。
[Ejection of Wafer] Next, after the wafer (6) is subjected to the above-mentioned necessary treatment, the bottom lid (7) is lowered and the wafer boat is taken out of the reactor.
At this time, before, during or after lowering the bottom lid (7),
The drive means (8) provided on the bottom lid (7) side is actuated to raise each support shaft (4). As shown in FIG. 4, the raised position of the support shaft (4) is at least the notch (41).
Flat plate (5) corresponding to the bottom surface (41e) and notch (41)
The robot arm (9) supporting the wafer (6) forms a gap between the upper surface of the wafer and the upper surface of the wafer (6) so that the robot arm (9) can move back and forth.

【0029】これにより、処理時に平板(5)に当接し
ていた複数のウェーハ(6)は、各平板(5)に対して
一斉に上方へ離間させられて各ウェーハ(6)と各平板
(5)との間に間隙が形成される。従って、装填時と同
様に、ロボットアーム(9)を挿入してウェーハ(6)
を吸着支持し、処理の施されたウェーハ(6)をウェー
ハボートから排出することが出来る。また、処理の施さ
れたウェーハ(6)が全て排出された場合、ウェーハボ
ートは、再び、次回のバッチ処理を行うための装填可能
な状態となる。
As a result, the plurality of wafers (6) that were in contact with the flat plate (5) at the time of processing are simultaneously separated upward from the respective flat plates (5), and each wafer (6) and each flat plate ( A gap is formed between this and 5). Therefore, as in the case of loading, the robot arm (9) is inserted and the wafer (6) is inserted.
The wafer (6) which has been subjected to suction support and treated can be discharged from the wafer boat. When all the processed wafers (6) have been discharged, the wafer boat is ready to be loaded again for the next batch processing.

【0030】このように、本実施例では、例えば、MO
S半導体等のウェーハ(6)における片面処理を行う場
合に裏面の反応を阻止することが出来、しかも、複数の
ウェーハ(6)を同時に処理するため、高い処理効率を
得ることが出来る。そして、支持軸(4)を支柱(3)
に挿通し、更に、支柱(3)に上記の切欠(41)を露
出させる開口部(31)を開設したため、装置構成をコ
ンパクトにすることが出来る。
Thus, in this embodiment, for example, MO
When single-sided processing is performed on the wafer (6) such as S semiconductor, the reaction on the back surface can be prevented, and since a plurality of wafers (6) are processed simultaneously, high processing efficiency can be obtained. Then, the support shaft (4) is attached to the support column (3).
Since the opening (31) for exposing the notch (41) is opened in the support column (3), the device structure can be made compact.

【0031】次に、図6に基づいて本発明の他の実施例
を説明する。図6は本発明の他の実施例を示す水平断面
図である。本実施例では、図1に示される実施例におい
て、支柱(3)と支持軸(4)とが並列に立設されてい
る。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a horizontal sectional view showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, in the embodiment shown in FIG. 1, the column (3) and the support shaft (4) are erected in parallel.

【0032】すなわち、各支持軸(4)が支柱(3)か
ら独立して別体に設けられており、例えば、4箇所に立
設された支柱(3)の間の3箇所に支持軸(4)が立設
される。図1に示された実施例と同様に、支柱(3)
は、ウェーハボートの外郭を構成し、且つ、複数の平板
(5)を所定の位置にて支持するものであるが、この場
合、図1に示される実施例において設けられた支柱
(3)の開口部(31)は不要である。その他、保持空
間(V)を構成する各支持軸(4)、支柱(3)に固設
される平板(5)、天盤(1)及び底盤(2)、各支持
軸(4)を昇降する駆動手段(8)等の各構成は、図1
に示される実施例と同様である。
That is, each support shaft (4) is provided separately from the support column (3) as a separate body. For example, the support shafts (3) are provided at three positions between the support columns (3) erected at four positions. 4) is erected. Similar to the embodiment shown in FIG. 1, the stanchions (3)
Is for forming an outer shell of the wafer boat and supporting a plurality of flat plates (5) at predetermined positions. In this case, the support columns (3) provided in the embodiment shown in FIG. The opening (31) is unnecessary. In addition, the support shafts (4) that make up the holding space (V), the flat plate (5) fixed to the columns (3), the roof (1) and the bottom plate (2), and the support shafts (4) are moved up and down. Each structure of the driving means (8) for
Is similar to the embodiment shown in FIG.

【0033】そして、本実施例のウェーハボートによれ
ば、ウェーハ(6)の片面処理を効率的に行うことが出
来、更に、複数の支柱(3)と支持軸(4)とを並列に
立設することにより、ウェーハボートの構成をより簡単
な装置構成とすることが出来、装置コストの低減を図る
ことが出来る。
According to the wafer boat of this embodiment, the single-sided treatment of the wafer (6) can be efficiently performed, and the plurality of columns (3) and the support shaft (4) are erected in parallel. By installing the wafer boat, the structure of the wafer boat can be made simpler and the device cost can be reduced.

【0034】次に、本発明の更に他の実施例について説
明する。本実施例では、図1又は図6に示した実施例に
おいて、複数の平板(5)には各々、加熱手段が付設さ
れる。
Next, still another embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, a heating means is attached to each of the plurality of flat plates (5) in the embodiment shown in FIG. 1 or 6.

【0035】この加熱手段は、図示されていないが、埋
設型のシースヒータ、セラミックヒータプレート、フィ
ルムヒータ等の各種形態のヒーターを用いることが出
来、これらヒーターは、複数の平板(5)の内部に埋設
され、或いは、裏面に貼着される。そして、別途設けら
れる制御手段により、予め設定された電力が供給されて
処理時における各平板(5)の温度が所定の温度に保持
される。更に、上記の加熱手段が付設される場合には、
伝熱効率を向上させるため、各平板(5)は、アルミ又
はアルミ合金から形成されるのが好ましい。
Although not shown, this heating means can use various types of heaters such as an embedded type sheath heater, a ceramic heater plate, and a film heater, and these heaters are provided inside a plurality of flat plates (5). It is embedded or attached to the back surface. Then, by a separately provided control means, preset electric power is supplied to maintain the temperature of each flat plate (5) at a predetermined temperature during processing. Furthermore, when the above heating means is attached,
In order to improve heat transfer efficiency, each flat plate (5) is preferably made of aluminum or an aluminum alloy.

【0036】そして、本実施例のウェーハボートによれ
ば、ウェーハ(6)の裏面に当接する複数の平板(5)
に各々、加熱手段を付設することにより、加熱すべき各
ウェーハ(6)の処理面における温度分布の均一化を図
ることが出来、均質な反応を得ることが出来る。従っ
て、本実施例のウェーハボートは、ウェーハのアッシン
グを行う場合に好適に使用され得る。
Further, according to the wafer boat of this embodiment, the plurality of flat plates (5) abutting on the back surface of the wafer (6).
By attaching a heating means to each of them, the temperature distribution on the treated surface of each wafer (6) to be heated can be made uniform, and a homogeneous reaction can be obtained. Therefore, the wafer boat of this embodiment can be preferably used when ashing a wafer.

【0037】次に、本発明の更に他の実施例について説
明する。本実施例では、図1又は図6に示した実施例に
おいて、複数の平板(5)には各々、冷却手段が付設さ
れる。
Next, still another embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, cooling means is attached to each of the plurality of flat plates (5) in the embodiment shown in FIG. 1 or 6.

【0038】この冷却手段としては、図示されていない
が、低温の空気、窒素等のガスや冷却水、液化ガスが通
過する冷却パイプを用いることが出来る。斯かる冷却パ
イプは、複数の平板(5)の内部に埋設され、或いは、
裏面に配設される。また、冷却パイプに供給される冷媒
は、別途設けられる制御手段により予め設定された流量
にて供給され、各平板(5)は処理中の温度上昇が防止
されて所定の温度に保持される。更に、冷却手段が付設
される場合、先の実施例と同様に、伝熱効率を向上させ
るため、各平板(5)は、アルミ又はアルミ合金から形
成されるのが好ましい。
As the cooling means, although not shown, a cooling pipe through which low-temperature air, gas such as nitrogen, cooling water, or liquefied gas can be used. Such a cooling pipe is embedded inside the plurality of flat plates (5), or
It is arranged on the back side. Further, the cooling medium supplied to the cooling pipe is supplied at a preset flow rate by a separately provided control means, and each flat plate (5) is kept at a predetermined temperature while being prevented from rising in temperature during processing. Furthermore, when a cooling means is additionally provided, each flat plate (5) is preferably made of aluminum or an aluminum alloy in order to improve heat transfer efficiency, as in the previous embodiment.

【0039】そして、本実施例のウェーハボートによれ
ば、各平板(5)に各々、冷却手段を付設することによ
り、エッチングの際に各ウェーハ(6)の表面に設けら
れるレジストを冷却して保護することが出来、精度の高
いエッチングパターンを得ることが出来る。従って、本
実施例のウェーハボートは、ウェーハのエッチングを行
う場合に好適に使用され得る。
According to the wafer boat of this embodiment, each flat plate (5) is provided with a cooling means to cool the resist provided on the surface of each wafer (6) during etching. It is possible to protect and obtain an etching pattern with high accuracy. Therefore, the wafer boat of this embodiment can be suitably used when etching a wafer.

【0040】次に、図7に基づいて本発明の更に他の実
施例を説明する。図7は本発明の他の実施例を示す水平
断面図である。本実施例は、図7に示されるように、上
述した各々の実施例において、複数の平板(5)は、そ
の盤面形状が方形に形成されている。
Next, still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a horizontal sectional view showing another embodiment of the present invention. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, in each of the above-described embodiments, the plurality of flat plates (5) are formed in a rectangular plate shape.

【0041】斯かる複数の平板(5)が固設される支柱
(3)、および、各支柱(3)に各々挿通された支持軸
(4)は、例えば、平板(5)の短辺側のそれぞれに1
箇所、長辺側の一方に2箇所に立設される。また、ウェ
ーハボートの外郭を構成する天盤(1)、底盤(2)
は、平板(5)と同様に、平面形状が方形に形成されて
いる。その他、支柱(3)、支持軸(4)、底蓋(7)
に設けられる駆動手段(8)等は、図1に示される実施
例と同様に構成される。
The support pillars (3) to which the plurality of flat plates (5) are fixed and the support shafts (4) inserted into the support pillars (3) are, for example, on the short side of the flat plate (5). 1 for each
It is erected in two places on one side of the long side. In addition, a top plate (1) and a bottom plate (2) that form the outer shell of the wafer boat.
Has a rectangular planar shape, like the flat plate (5). Others, support (3), support shaft (4), bottom lid (7)
The drive means (8) and the like provided in the above are configured in the same manner as in the embodiment shown in FIG.

【0042】図7に示される実施例によれば、複数の平
板(5)の盤面形状を方形とすることにより、複数の方
形のウェーハ(6)に対して片面処理を同時に行うこと
が出来、上述の各実施例にて例示された円形ウェーハ
(6)と同様に、処理効率の向上を図ることが出来る。
しかも、支持軸(4)を支柱(3)に挿通しているた
め、ウェーハボートをコンパクトに構成することが出来
る。従って、LCD基板等に用いられる方形のウェーハ
(6)の処理において好適に使用され得る。
According to the embodiment shown in FIG. 7, by making the plate surface shape of the plurality of flat plates (5) rectangular, it is possible to simultaneously perform the one-side processing on the plurality of rectangular wafers (6), Similar to the circular wafer (6) illustrated in each of the above-described embodiments, the processing efficiency can be improved.
Moreover, since the support shaft (4) is inserted through the support column (3), the wafer boat can be made compact. Therefore, it can be suitably used in the processing of a rectangular wafer (6) used for an LCD substrate or the like.

【0043】また、図8は本発明の更に他の実施例を示
す水平断面図である。本実施例は、図7に示される実施
例と同様に、上述した各々の実施例において、複数の平
板(5)は、その盤面形状が方形に形成されており、且
つ、支柱(3)と支持軸(4)とが並列に立設されてい
る。更に、本実施例の場合、平板(5)の支持強度の観
点から、例えば、支柱(3)の断面が方形に形成されて
いてもよい。
FIG. 8 is a horizontal sectional view showing still another embodiment of the present invention. This embodiment is similar to the embodiment shown in FIG. 7, and in each of the above-mentioned embodiments, the plurality of flat plates (5) are formed so that the board surface shape thereof is square, and the pillars (3) are The support shaft (4) is erected in parallel. Further, in the case of the present embodiment, from the viewpoint of the support strength of the flat plate (5), for example, the pillar (3) may have a rectangular cross section.

【0044】図8に示される実施例によれば、図7に示
される実施例と同様に、複数の平板(5)の盤面形状を
方形とすることにより、LCD基板等に用いられる方形
のウェーハ(6)の複数に対して片面処理を同時に行う
ことが出来、処理効率の向上を図ることが出来る。しか
も、支柱(3)と支持軸(4)とを並列に立設すること
により、装置構成を簡単にすることが出来、装置コスト
の低減を図ることが出来る。
According to the embodiment shown in FIG. 8, as in the embodiment shown in FIG. 7, by making the plate surface shape of the plurality of flat plates (5) square, a rectangular wafer used for an LCD substrate or the like. It is possible to perform the one-sided processing simultaneously for the plurality of (6), and it is possible to improve the processing efficiency. Moreover, by vertically arranging the support column (3) and the support shaft (4) in parallel, the device configuration can be simplified and the device cost can be reduced.

【0045】そして、図7又は図8に示される実施例の
ように、複数の平板(5)が方形に形成されている場合
にも、各平板(5)に上述した加熱手段を付設し、或い
は、冷却手段を付設することにより、方形ウェーハにお
けるアッシング又はエッチングに好適に使用することが
出来る。
Even when a plurality of flat plates (5) are formed in a rectangular shape as in the embodiment shown in FIG. 7 or FIG. 8, each flat plate (5) is provided with the above-mentioned heating means, Alternatively, by providing a cooling means, it can be suitably used for ashing or etching on a square wafer.

【0046】更に、上述の各実施例にて示されるよう
に、本発明のウェーハボートでは、リアクタ内に挿入さ
れる機械部分がなく、また、リアクタ内への挿入部分
は、主として石英にて構成されているため、高温処理に
よる劣化の問題を惹起することがない。しかも、本発明
のウェーハボートでは、機械要素の複雑なリンクがなく
簡単な装置構成とすることが出来る。
Further, as shown in each of the above-described embodiments, the wafer boat of the present invention has no mechanical part to be inserted into the reactor, and the inserting part into the reactor is mainly made of quartz. Therefore, the problem of deterioration due to high temperature treatment does not occur. Moreover, the wafer boat of the present invention can have a simple device configuration without complicated links of mechanical elements.

【0047】なお、上述した各実施例では、複数のウェ
ーハ(6)を保持する支持軸(4)側を昇降可能に形成
したが、支柱(3)側を昇降させることにより複数の平
板(5)を昇降可能に形成してもよい。また、支持軸
(4)の各切欠(41)は、保持空間(V)にて実質的
にウェーハ(6)を保持すればよく、支持軸(4)の軸
心に向かうに従い軸線方向の開口高さが縮小する、例え
ば、断面がV字状等の凹部に形成してもよい。
In each of the above-mentioned embodiments, the support shaft (4) side for holding the plurality of wafers (6) is formed to be movable up and down, but by moving the support (3) side up and down, a plurality of flat plates (5) are formed. ) May be formed to be movable up and down. Further, each notch (41) of the support shaft (4) may substantially hold the wafer (6) in the holding space (V), and the opening in the axial direction becomes closer to the axis of the support shaft (4). It may be formed in a recess having a reduced height, for example, a V-shaped cross section.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のウェーハ
ボートによれば、ウェーハ裏面の反応を阻止することが
出来、しかも、複数のウェーハの搭載が可能であり、M
OS半導体ウェーハ等の片面処理において処理効率の向
上を図り得る。また、各支持軸が支柱内に挿通されてい
ると装置構成をコンパクトにすることが出来る。
As described above, according to the wafer boat of the present invention, it is possible to prevent the reaction on the back surface of the wafer and to mount a plurality of wafers.
It is possible to improve processing efficiency in single-sided processing of OS semiconductor wafers and the like. Further, if each support shaft is inserted into the support column, the device configuration can be made compact.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のウェーハボートの一実施例を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a wafer boat of the present invention.

【図2】図1に示されたウェーハボートの水平断面図で
ある。
FIG. 2 is a horizontal sectional view of the wafer boat shown in FIG.

【図3】図2におけるIII ーIII 側断面図である。3 is a sectional view taken along the line III-III in FIG.

【図4】図1に示されたウェーハボートによるウェーハ
装填時の状態を示す一部側断面図である。
FIG. 4 is a partial side cross-sectional view showing a state when wafers are loaded by the wafer boat shown in FIG.

【図5】図1に示されたウェーハボートによるウェーハ
処理時の状態を示す一部側断面図である。
5 is a partial side sectional view showing a state during wafer processing by the wafer boat shown in FIG. 1. FIG.

【図6】本発明の他の実施例を示す水平断面図である。FIG. 6 is a horizontal sectional view showing another embodiment of the present invention.

【図7】本発明の他の実施例を示す水平断面図である。FIG. 7 is a horizontal sectional view showing another embodiment of the present invention.

【図8】本発明の他の実施例を示す水平断面図である。FIG. 8 is a horizontal sectional view showing another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 天盤 2 底盤 3 支柱 31 開口部 4 支持軸 41 切欠 41e 切欠の底面 5 平板 6 ウェーハ 7 リアクタの底蓋 8 駆動手段 9 ロボットアーム(搬送機構) 9c 吸着部 10 ベローズ 11 バー V ウェーハの保持空間 L1 複数の切欠の中心間の距離 L2 複数の平板の上面間の距離 1 Top Plate 2 Bottom Plate 3 Support 31 Opening 4 Support Shaft 41 Notch 41e Notch Bottom 5 Flat Plate 6 Wafer 7 Reactor Bottom Cover 8 Drive Means 9 Robot Arm (Transfer Mechanism) 9c Adsorption Part 10 Bellows 11 Bar V Wafer Holding Space L1 Distance between centers of plural notches L2 Distance between upper surfaces of plural flat plates

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウェーハの周縁を囲む状態に立設された
複数の支持軸に各々、複数のウェーハ保持用の切欠が前
記支持軸の軸線方向におけるそれら切欠の中心間の距離
を一定として設けられてこれら支持軸の内方にウェーハ
の保持空間が形成されたウェーハボートにおいて、前記
保持空間の外方に支柱を立設し、当該支柱にウェーハと
略同一の盤面形状を有する複数の平板を水平且つ並列に
整列させてそれら平板の上面間の距離を前記切欠の前記
中心間の距離と同一として固設し、そして、前記平板を
前記保持空間において当該空間と同心状に配置すると共
に、前記複数の支持軸と前記支柱とを上下方向に相対移
動可能に形成したことを特徴とするウェーハボート。
1. A plurality of notches for holding a wafer are respectively provided on a plurality of support shafts erected so as to surround a peripheral edge of a wafer with a constant distance between centers of the notches in the axial direction of the support shaft. In a wafer boat in which a holding space for wafers is formed inside these support shafts, a support pillar is provided upright outside the holding space, and a plurality of flat plates having substantially the same board surface shape as the wafer are horizontally installed on the support pillar. And are arranged in parallel and fixed so that the distance between the upper surfaces of the flat plates is the same as the distance between the centers of the notches, and the flat plates are arranged concentrically with the space in the holding space, and A wafer boat, characterized in that the support shaft and the support column are formed so as to be relatively movable in the vertical direction.
【請求項2】 上記支持軸を上記支柱に挿通し、上記支
柱には上記切欠を露出させる開口部を開設したことを特
徴とする請求項1記載のウェーハボート。
2. The wafer boat according to claim 1, wherein the support shaft is inserted into the column, and the column is provided with an opening for exposing the notch.
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