JPH06131659A - メモリーハードディスクの製造方法 - Google Patents
メモリーハードディスクの製造方法Info
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- JPH06131659A JPH06131659A JP4303026A JP30302692A JPH06131659A JP H06131659 A JPH06131659 A JP H06131659A JP 4303026 A JP4303026 A JP 4303026A JP 30302692 A JP30302692 A JP 30302692A JP H06131659 A JPH06131659 A JP H06131659A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 メモリーハードディスクの製造において、ア
ルミニウム又はアルミニウム合金基板に亜鉛置換処理を
施した後、無電解ニッケルめっきを施すに際し、無電解
ニッケルめっき浴として、次亜リン酸又はその塩を還元
剤として用いためっき浴に水溶性鉛化合物と水溶性アン
チモン又はビスマス化合物とを添加したものを使用する
ことを特徴とするメモリーハードディスクの製造方法。 【効果】 本発明によれば、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜のノジ
ュールを減少させることができ、このためハードディス
クを製作する場合において、該Ｎｉ−Ｐ皮膜の研磨を簡
略化することができ、場合によっては平滑化研磨を省略
し、テクスチャー処理のみで表面を一定の粗さにするこ
とができる。また、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜の端面だれ現象
を防止することができ、またＮｉ−Ｐ皮膜の耐熱非磁性
特性を確実に確保することができる。
ルミニウム又はアルミニウム合金基板に亜鉛置換処理を
施した後、無電解ニッケルめっきを施すに際し、無電解
ニッケルめっき浴として、次亜リン酸又はその塩を還元
剤として用いためっき浴に水溶性鉛化合物と水溶性アン
チモン又はビスマス化合物とを添加したものを使用する
ことを特徴とするメモリーハードディスクの製造方法。 【効果】 本発明によれば、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜のノジ
ュールを減少させることができ、このためハードディス
クを製作する場合において、該Ｎｉ−Ｐ皮膜の研磨を簡
略化することができ、場合によっては平滑化研磨を省略
し、テクスチャー処理のみで表面を一定の粗さにするこ
とができる。また、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜の端面だれ現象
を防止することができ、またＮｉ−Ｐ皮膜の耐熱非磁性
特性を確実に確保することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリーハードディス
クの製造方法に関し、特にアルミニウム又はアルミニウ
ム合金基板上へ無電解ニッケルめっきを施すに際し、ノ
ジュールの発生を可及的に防止する方法に関する。
クの製造方法に関し、特にアルミニウム又はアルミニウ
ム合金基板上へ無電解ニッケルめっきを施すに際し、ノ
ジュールの発生を可及的に防止する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハードディスクの製造において、
アルミニウム又はアルミニウム合金基板（Ａｌ又はＡｌ
合金基板）に下地めっきとして次亜リン酸又はその塩を
還元剤とする無電解ニッケルめっき皮膜（以下、無電解
Ｎｉ−Ｐ皮膜又は単にＮｉ−Ｐ皮膜という）を形成する
ことが行われており、かかるＮｉ−Ｐ皮膜の形成工程と
しては、Ａｌ又はＡｌ合金基板を機械加工した後、下記
工程 （１）脱脂 （２）水洗 （３）エッチング （４）水洗 （５）硝酸水溶液中への浸漬 （６）水洗 （７）亜鉛置換 （８）水洗 （９）次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッ
ケルめっき を採用しているのが通常である。
アルミニウム又はアルミニウム合金基板（Ａｌ又はＡｌ
合金基板）に下地めっきとして次亜リン酸又はその塩を
還元剤とする無電解ニッケルめっき皮膜（以下、無電解
Ｎｉ−Ｐ皮膜又は単にＮｉ−Ｐ皮膜という）を形成する
ことが行われており、かかるＮｉ−Ｐ皮膜の形成工程と
しては、Ａｌ又はＡｌ合金基板を機械加工した後、下記
工程 （１）脱脂 （２）水洗 （３）エッチング （４）水洗 （５）硝酸水溶液中への浸漬 （６）水洗 （７）亜鉛置換 （８）水洗 （９）次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッ
ケルめっき を採用しているのが通常である。
【０００３】このようにしてＮｉ−Ｐ皮膜を形成した後
は、その表面を鏡面研磨し、磁性皮膜を形成し、次いで
適宜な保護膜を形成し、更に必要によっては潤滑層を形
成して、ハードディスク（磁気ディスク）を得るもので
ある。
は、その表面を鏡面研磨し、磁性皮膜を形成し、次いで
適宜な保護膜を形成し、更に必要によっては潤滑層を形
成して、ハードディスク（磁気ディスク）を得るもので
ある。
【０００４】ここで、ハードディスク装置の高密度化を
図るためには、記録／再生ヘッドの浮上高さを減少させ
ることが有効であり、現在浮上高さ０．１μｍが実用化
されているが、ヘッド浮上高さの低減を実現するため
に、下地めっき皮膜、即ち上記Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面を平
滑化する研磨（最大粗さＲｍａｘ０．０１〜０．０３μ
ｍ，中心線平均粗さＲａ０．００２〜０．００５μｍ）
が必要である。ただこの場合、研磨面がこのようにあま
り平滑であると、ハードディスク装置の停止時にヘッド
が基板に吸着し、再浮上し難くなり、それに伴って記憶
の一部が消失するという問題が生じるため、その対策と
して、上記の平滑研磨を行った後、研磨面の一定方向に
制御された微細な粗さ（Ｒａ０．００４〜０．００８μ
ｍ）をもたせるテクスチャー処理と呼ばれる加工が行わ
れている。
図るためには、記録／再生ヘッドの浮上高さを減少させ
ることが有効であり、現在浮上高さ０．１μｍが実用化
されているが、ヘッド浮上高さの低減を実現するため
に、下地めっき皮膜、即ち上記Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面を平
滑化する研磨（最大粗さＲｍａｘ０．０１〜０．０３μ
ｍ，中心線平均粗さＲａ０．００２〜０．００５μｍ）
が必要である。ただこの場合、研磨面がこのようにあま
り平滑であると、ハードディスク装置の停止時にヘッド
が基板に吸着し、再浮上し難くなり、それに伴って記憶
の一部が消失するという問題が生じるため、その対策と
して、上記の平滑研磨を行った後、研磨面の一定方向に
制御された微細な粗さ（Ｒａ０．００４〜０．００８μ
ｍ）をもたせるテクスチャー処理と呼ばれる加工が行わ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したハー
ドディスクの製作工程の中で、従来は主としてＮｉ−Ｐ
皮膜の平滑研磨に多大の労力を要していた。
ドディスクの製作工程の中で、従来は主としてＮｉ−Ｐ
皮膜の平滑研磨に多大の労力を要していた。
【０００６】即ち、上記（１）〜（９）の工程によって
Ａｌ又はＡｌ合金基板上に無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜を１０〜
２０μｍ厚さで形成した場合、コブ状乃至半球凸状の高
さ０．１〜０．７μｍ，直径５〜３０μｍのノジュール
が多数発生する。
Ａｌ又はＡｌ合金基板上に無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜を１０〜
２０μｍ厚さで形成した場合、コブ状乃至半球凸状の高
さ０．１〜０．７μｍ，直径５〜３０μｍのノジュール
が多数発生する。
【０００７】かかるノジュールは、ハードディスクの製
作において、当然次工程の磁性皮膜の形成に際して好ま
しいものではなく、このためＮｉ−Ｐ皮膜形成後、表面
平滑研磨を行う際、同時にノジュールを除去する必要が
あるので、ノジュールの除去，研磨作業にかなりの長時
間を要する。
作において、当然次工程の磁性皮膜の形成に際して好ま
しいものではなく、このためＮｉ−Ｐ皮膜形成後、表面
平滑研磨を行う際、同時にノジュールを除去する必要が
あるので、ノジュールの除去，研磨作業にかなりの長時
間を要する。
【０００８】従って、Ａｌ又はＡｌ合金基板上に無電解
Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成した場合、ノジュールの発生を可及
的に防止することが要望されていた。
Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成した場合、ノジュールの発生を可及
的に防止することが要望されていた。
【０００９】また従来、Ａｌ又はＡｌ合金基板上に無電
解Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成した場合、ハードディスクの耐熱
非磁性特性を低下させ、また基板端部の皮膜厚さが薄く
なるといういわゆる端面だれの現象がしばしば発生し、
このためこの端面だれ現象を防止することも要求されて
いた。
解Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成した場合、ハードディスクの耐熱
非磁性特性を低下させ、また基板端部の皮膜厚さが薄く
なるといういわゆる端面だれの現象がしばしば発生し、
このためこの端面だれ現象を防止することも要求されて
いた。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】本出願人は、先
に、上述した（１）〜（９）の工程でアルミニウム又は
アルミニウム合金を処理するに際し、（４），（６），
（８）の水洗の少なくとも一つを超音波水洗することに
より、Ｎｉ−Ｐ皮膜のノジュールを減少させることを提
案した（特願平２−１４４０２５号）が、本発明者らは
更にこのような前処理の面からノジュールを防止するの
みではなく、無電解ニッケルめっき浴の点からもノジュ
ールの発生を防止することについて鋭意検討を行った結
果、次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッケ
ル浴に対し、水溶性鉛化合物と水溶性アンチモン化合物
及び／又は水溶性ビスマス化合物とを添加併用すること
により、ノジュールの発生を顕著に減少し得ると共に、
意外にも端面だれ現象をも防止し得、耐熱非磁性特性に
優れた無電解ニッケルめっき皮膜を確実に得ることがで
きることを知見し、本発明をなすに至ったものである。
に、上述した（１）〜（９）の工程でアルミニウム又は
アルミニウム合金を処理するに際し、（４），（６），
（８）の水洗の少なくとも一つを超音波水洗することに
より、Ｎｉ−Ｐ皮膜のノジュールを減少させることを提
案した（特願平２−１４４０２５号）が、本発明者らは
更にこのような前処理の面からノジュールを防止するの
みではなく、無電解ニッケルめっき浴の点からもノジュ
ールの発生を防止することについて鋭意検討を行った結
果、次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッケ
ル浴に対し、水溶性鉛化合物と水溶性アンチモン化合物
及び／又は水溶性ビスマス化合物とを添加併用すること
により、ノジュールの発生を顕著に減少し得ると共に、
意外にも端面だれ現象をも防止し得、耐熱非磁性特性に
優れた無電解ニッケルめっき皮膜を確実に得ることがで
きることを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【００１１】従って、本発明は、メモリーハードディス
クの製造において、アルミニウム又はアルミニウム合金
基板に亜鉛置換処理を施した後、無電解ニッケルめっき
を施すに際し、無電解ニッケルめっき浴として、次亜リ
ン酸又はその塩を還元剤として用いためっき浴に水溶性
鉛化合物と水溶性アンチモン又はビスマス化合物とを添
加したものを使用することを特徴とするメモリーハード
ディスクの製造方法を提供する。
クの製造において、アルミニウム又はアルミニウム合金
基板に亜鉛置換処理を施した後、無電解ニッケルめっき
を施すに際し、無電解ニッケルめっき浴として、次亜リ
ン酸又はその塩を還元剤として用いためっき浴に水溶性
鉛化合物と水溶性アンチモン又はビスマス化合物とを添
加したものを使用することを特徴とするメモリーハード
ディスクの製造方法を提供する。
【００１２】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明においては、Ａｌ又はＡｌ合金基板にまず亜鉛置
換めっきを施した後にＮｉ−Ｐ無電解めっきを施すもの
であり、常法に従い、 （１）脱脂 （２）水洗 （３）エッチング （４）水洗 （５）硝酸水溶液中への浸漬 （６）水洗 （７）亜鉛置換 （８）水洗 （９）次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッ
ケルめっき という工程にて無電解ニッケルめっきを施すことができ
る。
本発明においては、Ａｌ又はＡｌ合金基板にまず亜鉛置
換めっきを施した後にＮｉ−Ｐ無電解めっきを施すもの
であり、常法に従い、 （１）脱脂 （２）水洗 （３）エッチング （４）水洗 （５）硝酸水溶液中への浸漬 （６）水洗 （７）亜鉛置換 （８）水洗 （９）次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッ
ケルめっき という工程にて無電解ニッケルめっきを施すことができ
る。
【００１３】ここで、（１），（３），（５），（７）
及び（９）の工程は常法によって行うことができる。
及び（９）の工程は常法によって行うことができる。
【００１４】例えば、（１）の脱脂としては通常のアル
ミニウム用アルカリ性脱脂液を用いた浸漬又は電解脱脂
を採用することができ、（３）のエッチング処理として
は、アルカリ性又は酸性水溶液を用いるもので、１〜１
０重量％程度の水酸化アルカリ或いは１〜２０容量％程
度の酸水溶液、例えば硫酸・リン酸混合水溶液を使用
し、６０〜７５℃で１〜１５分浸漬処理する方法を採用
することができ、（５）の硝酸水溶液による浸漬処理
は、濃硝酸２００〜７００ｍｌ／ｌの硝酸水溶液を使用
し、１５〜３５℃で３０秒〜２分浸漬処理する方法を採
用することができる。なお、硝酸水溶液には、必要に応
じてフッ酸等を混合してもよい。
ミニウム用アルカリ性脱脂液を用いた浸漬又は電解脱脂
を採用することができ、（３）のエッチング処理として
は、アルカリ性又は酸性水溶液を用いるもので、１〜１
０重量％程度の水酸化アルカリ或いは１〜２０容量％程
度の酸水溶液、例えば硫酸・リン酸混合水溶液を使用
し、６０〜７５℃で１〜１５分浸漬処理する方法を採用
することができ、（５）の硝酸水溶液による浸漬処理
は、濃硝酸２００〜７００ｍｌ／ｌの硝酸水溶液を使用
し、１５〜３５℃で３０秒〜２分浸漬処理する方法を採
用することができる。なお、硝酸水溶液には、必要に応
じてフッ酸等を混合してもよい。
【００１５】また、亜鉛置換処理において、亜鉛置換液
としては従来から用いられている組成のものをそのまま
使用することができ、また亜鉛置換の条件も通常の条件
と同じでよい。なお、亜鉛置換液には金属分として亜鉛
を含む以外に更に鉄、ニッケル、銅等の金属塩を含んで
いても差し支えない。また、亜鉛置換処理は必要により
複数回繰り返して行うことができ、ハードディスクの製
造においては亜鉛置換処理を２回以上施すことが好まし
く、この場合の（５）以下の工程は下記の通りである。 （５）−１ 第１硝酸水溶液中への浸漬 （６）−１ 水洗 （７）−１ 第１亜鉛置換 （８）−１ 水洗 （５）−２ 第２硝酸水溶液中への浸漬 （６）−２ 水洗 （７）−２ 第２亜鉛置換 （８）−２ 水洗 （９） 無電解ニッケルめっき
としては従来から用いられている組成のものをそのまま
使用することができ、また亜鉛置換の条件も通常の条件
と同じでよい。なお、亜鉛置換液には金属分として亜鉛
を含む以外に更に鉄、ニッケル、銅等の金属塩を含んで
いても差し支えない。また、亜鉛置換処理は必要により
複数回繰り返して行うことができ、ハードディスクの製
造においては亜鉛置換処理を２回以上施すことが好まし
く、この場合の（５）以下の工程は下記の通りである。 （５）−１ 第１硝酸水溶液中への浸漬 （６）−１ 水洗 （７）−１ 第１亜鉛置換 （８）−１ 水洗 （５）−２ 第２硝酸水溶液中への浸漬 （６）−２ 水洗 （７）−２ 第２亜鉛置換 （８）−２ 水洗 （９） 無電解ニッケルめっき
【００１６】また、上記（２），（４），（６），
（８）の水洗（上記２回亜鉛置換処理を行った場合は
（４），（６）−１，（８）−１，（６）−２，（８）
−２の水洗）はいずれも通常の水洗方法でよいが、特願
平２−１４４０２５号の方法に従い、超音波下で水洗を
行ってもよい。
（８）の水洗（上記２回亜鉛置換処理を行った場合は
（４），（６）−１，（８）−１，（６）−２，（８）
−２の水洗）はいずれも通常の水洗方法でよいが、特願
平２−１４４０２５号の方法に従い、超音波下で水洗を
行ってもよい。
【００１７】而して、本発明においては、上記無電解ニ
ッケルめっきに用いるめっき浴として、還元剤として次
亜リン酸又はその塩を用い、また水溶性鉛化合物と水溶
性アンチモン化合物及び／又は水溶性ビスマス化合物と
を添加したものを使用するものである。
ッケルめっきに用いるめっき浴として、還元剤として次
亜リン酸又はその塩を用い、また水溶性鉛化合物と水溶
性アンチモン化合物及び／又は水溶性ビスマス化合物と
を添加したものを使用するものである。
【００１８】ここで、水溶性鉛化合物としては、硝酸
鉛、酢酸鉛等が用いられ、アンチモン化合物としては酒
石酸アンチモニルカリウム、酒石酸アンチモン等が用い
られ、ビスマス化合物としては酒石酸水素ビスマス、酒
石酸ビスマス、硫酸ビスマス等が用いられる。上記鉛化
合物の添加量としては、Ｐｂとして０．０１〜１０ｐｐ
ｍ、より好ましくは０．１〜２ｐｐｍ、更に好ましくは
０．２〜１ｐｐｍであることが好ましい。また、アンチ
モン化合物、ビスマス化合物の添加量は、Ｓｂ，Ｂｉの
合計量として０．５〜３０ｐｐｍ、より好ましくは２〜
１５ｐｐｍ、更に好ましくは４〜１０ｐｐｍであること
が好ましい。ＰｂやＳｂ，Ｂｉ量が少なすぎるとその効
果が発揮されない。一方、Ｐｂが多すぎると析出速度の
低下、かじり、無めっきが発生し、ＳｂやＢｉが多すぎ
るとかえって端面だれ、無めっき及び耐熱非磁性特性の
悪化が起こる場合がある。
鉛、酢酸鉛等が用いられ、アンチモン化合物としては酒
石酸アンチモニルカリウム、酒石酸アンチモン等が用い
られ、ビスマス化合物としては酒石酸水素ビスマス、酒
石酸ビスマス、硫酸ビスマス等が用いられる。上記鉛化
合物の添加量としては、Ｐｂとして０．０１〜１０ｐｐ
ｍ、より好ましくは０．１〜２ｐｐｍ、更に好ましくは
０．２〜１ｐｐｍであることが好ましい。また、アンチ
モン化合物、ビスマス化合物の添加量は、Ｓｂ，Ｂｉの
合計量として０．５〜３０ｐｐｍ、より好ましくは２〜
１５ｐｐｍ、更に好ましくは４〜１０ｐｐｍであること
が好ましい。ＰｂやＳｂ，Ｂｉ量が少なすぎるとその効
果が発揮されない。一方、Ｐｂが多すぎると析出速度の
低下、かじり、無めっきが発生し、ＳｂやＢｉが多すぎ
るとかえって端面だれ、無めっき及び耐熱非磁性特性の
悪化が起こる場合がある。
【００１９】なお、無電解ニッケルめっき浴の他の成
分、使用量については公知のものでよく、硫酸ニッケ
ル、塩化ニッケル等の水溶性ニッケル塩（通常Ｎｉとし
て ４〜７ｇ／ｌ配合）、酢酸ナトリウム、リンゴ酸ナ
トリウム、クエン酸ナトリウム等の有機酸塩やアンモニ
ウム塩、アミン等のニッケルの錯化剤（通常２０〜８０
ｇ／ｌ）を含有し、次亜リン酸又は次亜リン酸ナトリウ
ム等の次亜リン酸塩（通常２０〜４０ｇ／ｌ）を還元剤
として用いた公知の組成とすることができ、通常のめっ
き条件を採用してめっきを行うことができる。この場
合、めっき浴は酸性浴でもアルカリ性浴でもよく、例え
ばｐＨ４〜１０のものが使用し得、これらはいずれもノ
ジュールを発生させるものであるが、鉛化合物とアンチ
モン又はビスマス化合物との併用によりノジュールの発
生が顕著に低減するものである。なお、ハードディスク
の製造においては、ｐＨ４〜６の酸性無電解ニッケルめ
っき浴を用いて、リン含量９〜１３％（重量％、以下同
様）のＮｉ−Ｐ皮膜を５〜３０μｍ程度形成することが
好ましい。
分、使用量については公知のものでよく、硫酸ニッケ
ル、塩化ニッケル等の水溶性ニッケル塩（通常Ｎｉとし
て ４〜７ｇ／ｌ配合）、酢酸ナトリウム、リンゴ酸ナ
トリウム、クエン酸ナトリウム等の有機酸塩やアンモニ
ウム塩、アミン等のニッケルの錯化剤（通常２０〜８０
ｇ／ｌ）を含有し、次亜リン酸又は次亜リン酸ナトリウ
ム等の次亜リン酸塩（通常２０〜４０ｇ／ｌ）を還元剤
として用いた公知の組成とすることができ、通常のめっ
き条件を採用してめっきを行うことができる。この場
合、めっき浴は酸性浴でもアルカリ性浴でもよく、例え
ばｐＨ４〜１０のものが使用し得、これらはいずれもノ
ジュールを発生させるものであるが、鉛化合物とアンチ
モン又はビスマス化合物との併用によりノジュールの発
生が顕著に低減するものである。なお、ハードディスク
の製造においては、ｐＨ４〜６の酸性無電解ニッケルめ
っき浴を用いて、リン含量９〜１３％（重量％、以下同
様）のＮｉ−Ｐ皮膜を５〜３０μｍ程度形成することが
好ましい。
【００２０】上記無電解ニッケルめっき後は、常法によ
り表面研磨を行い、更に磁性皮膜、保護膜、潤滑層等を
形成し、メモリーハードディスクを製造することができ
るが、この場合本発明のＮｉ−Ｐ皮膜はノジュールが少
ないので、Ｎｉ−Ｐ皮膜の研磨を簡略化することがで
き、場合によっては平滑化研磨を省略し、テクスチャー
処理のみとすることもできる。
り表面研磨を行い、更に磁性皮膜、保護膜、潤滑層等を
形成し、メモリーハードディスクを製造することができ
るが、この場合本発明のＮｉ−Ｐ皮膜はノジュールが少
ないので、Ｎｉ−Ｐ皮膜の研磨を簡略化することがで
き、場合によっては平滑化研磨を省略し、テクスチャー
処理のみとすることもできる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜の
ノジュールを減少させることができ、このためハードデ
ィスクを製作する場合において、該Ｎｉ−Ｐ皮膜の研磨
を簡略化することができ、場合によっては平滑化研磨を
省略し、テクスチャー処理のみで表面を一定の粗さにす
ることができる。
ノジュールを減少させることができ、このためハードデ
ィスクを製作する場合において、該Ｎｉ−Ｐ皮膜の研磨
を簡略化することができ、場合によっては平滑化研磨を
省略し、テクスチャー処理のみで表面を一定の粗さにす
ることができる。
【００２２】また、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜の端面だれ現象
を防止することができ、またＮｉ−Ｐ皮膜の耐熱非磁性
特性を確実に確保することができる。
を防止することができ、またＮｉ−Ｐ皮膜の耐熱非磁性
特性を確実に確保することができる。
【００２３】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２４】〔実施例，比較例〕下記組成の無電解ニッ
ケルめっき浴を用い、アルミニウム合金板（神戸製鋼所
製アルミサブストレートグラインディング品）に対し、
下記工程で無電解ニッケルめっきを施した。
ケルめっき浴を用い、アルミニウム合金板（神戸製鋼所
製アルミサブストレートグラインディング品）に対し、
下記工程で無電解ニッケルめっきを施した。
【００２５】 （１）脱脂：５０℃，５分 炭酸ナトリウム ０．２ モル／ｌ リン酸ナトリウム ０．０５ 〃 ホウ酸ナトリウム ０．２ 〃 界面活性剤 ５ ｇ／ｌ ｐＨ ９．０ （２）水洗：室温，３０秒 （３）エッチング：７０℃，２分 硫酸 １ モル／ｌ リン酸 ０．５ 〃 （４）水洗：室温，３０秒 （５）−１ 第１硝酸水溶液浸漬：２５℃，３０秒 濃硝酸 ５００ ｍｌ／ｌ （６）−１ 水洗：室温，３０秒 （７）−１ 第１亜鉛置換：２５℃，５０秒 水酸化ナトリウム ２．５ モル／ｌ 酸化亜鉛 ０．２５ 〃 塩化第２鉄 ０．０１ 〃 酒石酸ナトリウム ０．１ 〃 （８）−１ 水洗：室温，３０秒 （５）−２ 第２硝酸水溶液浸漬：２５℃，６０秒 （５）−１と同組成 （６）−２ 水洗：室温，３０秒 （７）−２ 第２亜鉛置換：２０℃，２０秒 （７）−１と同組成 （８）−２ 水洗：室温，３０秒 （９）無電解ニッケルめっき：９０℃，９０分無電解ニッケルめっき浴組成 硫酸ニッケル ０．１ モル／ｌ 次亜リン酸ナトリウム ０．２ 〃 リンゴ酸ナトリウム ０．２ 〃 硝酸鉛 ０．２ ｐｐｍ 酒石酸アンチモニルカリウム ０〜１５ 〃 ｐＨ ４．５ 又は上記めっき浴において酒石酸アンチモニルカリウム
の代りに硫酸ビスマス０〜２ｐｐｍを添加した浴
の代りに硫酸ビスマス０〜２ｐｐｍを添加した浴
【００２６】次に、上記工程で得られたＮｉ−Ｐ皮膜に
つき、そのノジュール数、中心線平均粗さ、端面形状指
数（スキージャンプ−８〜＋８）、及びＢｓ値を下記方
法で調べた。酒石酸アンチモニルカリウムを用いた場合
の結果を図１〜４、硝酸鉛を用いた場合の結果を図５〜
８に示す。ノジュール数 上記工程で得られたＮｉ−Ｐ皮膜のノジュール数を、該
皮膜の２４０倍の倍率の表面写真（０．１７ｍｍ2）上
の５μｍφ以上のノジュール数を目視して観察すること
により測定した。中心線平均粗さＲａ（μｍ） 東京精密（株）製サーフコム１５００Ａを用いて測定し
た（ｎ＝３）。端面形状指数 東京精密（株）製サーフコム１５００Ａを用いて測定し
た（ｎ＝８）。Ｂｓ値 理研電子（株）製ＢＨＶ−５０型を用い、２９０℃，２
時間熱処理後の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇａｕｓｓ）を測定
した（ｎ＝２）。
つき、そのノジュール数、中心線平均粗さ、端面形状指
数（スキージャンプ−８〜＋８）、及びＢｓ値を下記方
法で調べた。酒石酸アンチモニルカリウムを用いた場合
の結果を図１〜４、硝酸鉛を用いた場合の結果を図５〜
８に示す。ノジュール数 上記工程で得られたＮｉ−Ｐ皮膜のノジュール数を、該
皮膜の２４０倍の倍率の表面写真（０．１７ｍｍ2）上
の５μｍφ以上のノジュール数を目視して観察すること
により測定した。中心線平均粗さＲａ（μｍ） 東京精密（株）製サーフコム１５００Ａを用いて測定し
た（ｎ＝３）。端面形状指数 東京精密（株）製サーフコム１５００Ａを用いて測定し
た（ｎ＝８）。Ｂｓ値 理研電子（株）製ＢＨＶ−５０型を用い、２９０℃，２
時間熱処理後の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇａｕｓｓ）を測定
した（ｎ＝２）。
【図１】めっき表面のノジュールの数へのめっき液中Ｓ
ｂ，Ｐｂ添加量の影響を示すグラフである。
ｂ，Ｐｂ添加量の影響を示すグラフである。
【図２】めっき表面のＲａへのめっき液中Ｓｂ，Ｐｂ添
加量の影響を示すグラフである。
加量の影響を示すグラフである。
【図３】ディスク端面形状へのめっき液中Ｓｂ，Ｐｂ添
加量の影響を示すグラフである。
加量の影響を示すグラフである。
【図４】２９０℃，２時間熱処理後のＢｓ値へのＳｂ，
Ｐｂ添加量の影響を示すグラフである。
Ｐｂ添加量の影響を示すグラフである。
【図５】めっき表面のノジュールの数へのめっき液中Ｂ
ｉ，Ｐｂ添加量の影響を示すグラフである。
ｉ，Ｐｂ添加量の影響を示すグラフである。
【図６】めっき表面のＲａへのめっき液中Ｂｉ，Ｐｂ添
加量の影響を示すグラフである。
加量の影響を示すグラフである。
【図７】ディスク端面形状へのめっき液中Ｂｉ，Ｐｂ添
加量の影響を示すグラフである。
加量の影響を示すグラフである。
【図８】２９０℃，２時間熱処理後のＢｓ値へのＢｉ，
Ｐｂ添加量の影響を示すグラフである。
Ｐｂ添加量の影響を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高見 秀幸 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 メモリーハードディスクの製造におい
て、アルミニウム又はアルミニウム合金基板に亜鉛置換
処理を施した後、無電解ニッケルめっきを施すに際し、
無電解ニッケルめっき浴として、次亜リン酸又はその塩
を還元剤として用いためっき浴に水溶性鉛化合物と水溶
性アンチモン又はビスマス化合物とを添加したものを使
用することを特徴とするメモリーハードディスクの製造
方法。
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|---|---|---|---|
| JP30302692A JP3182934B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | メモリーハードディスクの製造方法 |
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-
1992
- 1992-10-15 JP JP30302692A patent/JP3182934B2/ja not_active Expired - Fee Related
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